JPH04263445A - Ｔａｂ用テープキャリア - Google Patents
Ｔａｂ用テープキャリアInfo
- Publication number
- JPH04263445A JPH04263445A JP3045853A JP4585391A JPH04263445A JP H04263445 A JPH04263445 A JP H04263445A JP 3045853 A JP3045853 A JP 3045853A JP 4585391 A JP4585391 A JP 4585391A JP H04263445 A JPH04263445 A JP H04263445A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape carrier
- tab
- insulating film
- tape
- tab tape
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子の実装方法の１つであるＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ ）方式に使用されるＴ
ＡＢ用テープキャリアに関する。
体素子の実装方法の１つであるＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ ）方式に使用されるＴ
ＡＢ用テープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の実装技術の自動化及
び高速化を図るため、長尺状のテープキャリアにワイヤ
レスボンディングによりＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を
組み込んでゆくＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ ）方式が採用されている。図３には
、従来のＴＡＢ用テープキャリアの断面構造が示されて
いる。従来のＴＡＢ用テープキャリア１０は、ポリイミ
ド等からなる絶縁性フィルムテープ１２の上に銅箔等の
金属箔を接着剤（図示せず）によって接着し、エッチン
グによって導体パターン１４を形成することによって製
造される。フィルムテープ１２の中央にはＩＣ，ＬＳＩ
等の半導体素子（図示せず）を収容するためのデバイス
ホール１６が形成されている。また、導体パターン１４
上のＬＳＩ等とのボンディングに必要な部分を残してソ
ルダーレジスト１８が形成され、これによって導体パタ
ーン１４の表面を保護している。
び高速化を図るため、長尺状のテープキャリアにワイヤ
レスボンディングによりＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を
組み込んでゆくＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ ）方式が採用されている。図３には
、従来のＴＡＢ用テープキャリアの断面構造が示されて
いる。従来のＴＡＢ用テープキャリア１０は、ポリイミ
ド等からなる絶縁性フィルムテープ１２の上に銅箔等の
金属箔を接着剤（図示せず）によって接着し、エッチン
グによって導体パターン１４を形成することによって製
造される。フィルムテープ１２の中央にはＩＣ，ＬＳＩ
等の半導体素子（図示せず）を収容するためのデバイス
ホール１６が形成されている。また、導体パターン１４
上のＬＳＩ等とのボンディングに必要な部分を残してソ
ルダーレジスト１８が形成され、これによって導体パタ
ーン１４の表面を保護している。
【０００３】上記のような構成のＴＡＢ用テープキャリ
ア１０を製造する際には、絶縁性フィルムテープ１２の
上に銅箔等の金属箔を熱硬化性接着剤によって接着し、
温度２００℃で３時間の熱処理を行い、接着剤を硬化さ
せる。次に、エッチングによって導体パターン１４を形
成した後、これを温度２００℃で１時間加熱することに
よって、エッチング工程で吸収した水分を乾燥，除去す
る。その後、導体パターン１４上の必要部分にソルダー
レジスト１８を塗布形成する。
ア１０を製造する際には、絶縁性フィルムテープ１２の
上に銅箔等の金属箔を熱硬化性接着剤によって接着し、
温度２００℃で３時間の熱処理を行い、接着剤を硬化さ
せる。次に、エッチングによって導体パターン１４を形
成した後、これを温度２００℃で１時間加熱することに
よって、エッチング工程で吸収した水分を乾燥，除去す
る。その後、導体パターン１４上の必要部分にソルダー
レジスト１８を塗布形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなＴＡＢ用テープキャリア１０においては、テープ
キャリア１０を構成する各構成材料の熱膨張率の差によ
り、ギャングボンディング時や樹脂封止時の熱処理で反
りが発生するという不都合があった。また、上記のよう
に熱硬化性接着剤によって絶縁フィルムテープ１２と銅
箔を接着させる際の熱処理によっても反りが発生する。 そして、ＴＡＢ用テープキャリア１０が反っていると、
ＬＳＩ等の半導体素子を正確にボンディングできず、ま
た製造されたＴＡＢ用テープキャリアに樹脂を良好に封
止できなず、製品の品質を著しく低下させる恐れがある
。このような反りを防止するため、本出願と同一出願人
は、リードの半田付け部以外の両面に保護コートを形成
したＴＡＢ用テープキャリアを過去に提案している。 しかし、このＴＡＢ用テープキャリアによると、保護コ
ートを有する部分が４層になるという欠点がある。
ようなＴＡＢ用テープキャリア１０においては、テープ
キャリア１０を構成する各構成材料の熱膨張率の差によ
り、ギャングボンディング時や樹脂封止時の熱処理で反
りが発生するという不都合があった。また、上記のよう
に熱硬化性接着剤によって絶縁フィルムテープ１２と銅
箔を接着させる際の熱処理によっても反りが発生する。 そして、ＴＡＢ用テープキャリア１０が反っていると、
ＬＳＩ等の半導体素子を正確にボンディングできず、ま
た製造されたＴＡＢ用テープキャリアに樹脂を良好に封
止できなず、製品の品質を著しく低下させる恐れがある
。このような反りを防止するため、本出願と同一出願人
は、リードの半田付け部以外の両面に保護コートを形成
したＴＡＢ用テープキャリアを過去に提案している。 しかし、このＴＡＢ用テープキャリアによると、保護コ
ートを有する部分が４層になるという欠点がある。
【０００５】
【発明の目的】本発明はかかる点に鑑みてなされたもの
であり、層数を増加することなく極めて反りの少ないＴ
ＡＢ用テープキャリアを提供することを目的とする。
であり、層数を増加することなく極めて反りの少ないＴ
ＡＢ用テープキャリアを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、導体層の表裏両面に絶縁層を接着している
。特に２枚の絶縁層を、同一の熱膨張率，同一厚さとし
ている。
するために、導体層の表裏両面に絶縁層を接着している
。特に２枚の絶縁層を、同一の熱膨張率，同一厚さとし
ている。
【０００７】
【作用】上記のように構成された本発明のＴＡＢ用テー
プキャリアにおいては、導体層の表裏両面を絶縁層によ
って挟み込む格好になるため、ＴＡＢ用テープキャリア
全体としての強度が向上する。また、特に２枚の絶縁層
を、同一の熱膨張率，同一厚さとすれば、熱処理により
熱膨張した場合にも表裏両面の反りが互いに吸収される
ことになる。
プキャリアにおいては、導体層の表裏両面を絶縁層によ
って挟み込む格好になるため、ＴＡＢ用テープキャリア
全体としての強度が向上する。また、特に２枚の絶縁層
を、同一の熱膨張率，同一厚さとすれば、熱処理により
熱膨張した場合にも表裏両面の反りが互いに吸収される
ことになる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面を参照し
つつ詳細に説明する。図１には実施例に係るＴＡＢ用テ
ープキャリアの表面構成，図２（Ａ）には図１のＹ−Ｙ
方向の断面構造がそれぞれ示されている。実施例に係る
ＴＡＢ用テープキャリア２０は、有機ポリイミド，ガラ
スエポキシ等（例えば、東レ・デュポン社製 カプト
ンＨ）からなる絶縁性のフィルムテープ１２，１３と、
絶縁性フィルムテープ１２，１３の間に配置された導体
パターン１４と、導体パターン１４の基礎となる銅箔等
の金属箔を絶縁性フィルムテープ１２，１３の表面に接
着するためのエポキシ樹脂系接着剤（例えば、東レ製＃
５７００）２２とから構成されている。なお、フィルム
テープ１２，１３の中央には、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子（図示せず）を収容するためのデバイスホール１６
が形成されている。また、フィルムテープ１２，１３の
材質は同一であり、また同一の厚さに成形されている。
つつ詳細に説明する。図１には実施例に係るＴＡＢ用テ
ープキャリアの表面構成，図２（Ａ）には図１のＹ−Ｙ
方向の断面構造がそれぞれ示されている。実施例に係る
ＴＡＢ用テープキャリア２０は、有機ポリイミド，ガラ
スエポキシ等（例えば、東レ・デュポン社製 カプト
ンＨ）からなる絶縁性のフィルムテープ１２，１３と、
絶縁性フィルムテープ１２，１３の間に配置された導体
パターン１４と、導体パターン１４の基礎となる銅箔等
の金属箔を絶縁性フィルムテープ１２，１３の表面に接
着するためのエポキシ樹脂系接着剤（例えば、東レ製＃
５７００）２２とから構成されている。なお、フィルム
テープ１２，１３の中央には、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子（図示せず）を収容するためのデバイスホール１６
が形成されている。また、フィルムテープ１２，１３の
材質は同一であり、また同一の厚さに成形されている。
【０００９】次に、以上のように構成されたＴＡＢ用テ
ープキャリア２０の製造工程について、図２（Ｂ），（
Ｃ）を参照して説明する。厚さ５０μｍ，幅３５ｍｍの
フィルムテープ１２の上面に厚さ２０μｍで接着剤２２
を塗布し、中央にパンチ加工によりデバイスホール１６
，その他アウターリードボンディングに必要なホールを
形成する。次に、フィルムテープ１２の表面に厚さ３５
μｍの圧延銅箔を載置し、温度１２０℃でロール状ラミ
ネータを用いて貼り合わせ、その後５×１０−２ Ｔｏ
ｏｒ の真空中にて温度２００℃で３時間の熱処理を行
い、接着剤を硬化させる。次に、銅箔上にフォトレジス
ト（図示せず）をコーティングし、露光，現像工程によ
ってパターニングし、このパターニングしたレジストを
マスクし、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）により不良な銅部
分をエッチングすることによって、フィルムテープ１２
上に導体パターン１４を形成する。その後、５×１０−
２ Ｔｏｏｒ の真空中にて温度２００℃で１時間の熱
処理して、エッチング等で吸収した水分を除去する。こ
の状態（図２（Ｂ））が、従来のＴＡＢ用テープキャリ
アの完成状態であり、この時点でのインナーリードとア
ウターリード間の反りを、表面粗さ計によって測定した
結果、１５０±１０μｍの反りが認められた。
ープキャリア２０の製造工程について、図２（Ｂ），（
Ｃ）を参照して説明する。厚さ５０μｍ，幅３５ｍｍの
フィルムテープ１２の上面に厚さ２０μｍで接着剤２２
を塗布し、中央にパンチ加工によりデバイスホール１６
，その他アウターリードボンディングに必要なホールを
形成する。次に、フィルムテープ１２の表面に厚さ３５
μｍの圧延銅箔を載置し、温度１２０℃でロール状ラミ
ネータを用いて貼り合わせ、その後５×１０−２ Ｔｏ
ｏｒ の真空中にて温度２００℃で３時間の熱処理を行
い、接着剤を硬化させる。次に、銅箔上にフォトレジス
ト（図示せず）をコーティングし、露光，現像工程によ
ってパターニングし、このパターニングしたレジストを
マスクし、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）により不良な銅部
分をエッチングすることによって、フィルムテープ１２
上に導体パターン１４を形成する。その後、５×１０−
２ Ｔｏｏｒ の真空中にて温度２００℃で１時間の熱
処理して、エッチング等で吸収した水分を除去する。こ
の状態（図２（Ｂ））が、従来のＴＡＢ用テープキャリ
アの完成状態であり、この時点でのインナーリードとア
ウターリード間の反りを、表面粗さ計によって測定した
結果、１５０±１０μｍの反りが認められた。
【００１０】一方、上記の工程とは別に、絶縁フィルム
テープ１３の下面に接着剤２２を塗布し、デバイスホー
ル１８等に対応する穴を形成する。そして、図２（Ｂ）
のテープの上に（Ｃ）のテープを載置し、１２０℃の温
度で両者を接着し、再び５×１０−２ Ｔｏｏｒ の真
空中にて温度２００℃で３時間の熱処理により接着剤２
２を硬化させることによって、図２（Ａ）に示すＴＡＢ
用テープキャリア２０を製造する。以上のように製造さ
れたＴＡＢ用テープキャリア２０のインナーリードとア
ウターリード間の反りを、表面粗さ計によって測定した
結果、０．００２μｍという極めて微量の反りしか認め
られなかった。０．００２μｍという値は、実際には無
視できる程小さなものである。また、インナーリードと
アウターリードに厚さ１．５μｍの金メッキを施した状
態で反りを測定した結果、上記と同様の値となった。以
上のように、本実施例に係るＴＡＢ用テープキャリア２
０は、導体パターン１４の表裏両面に、同一材質，同一
厚さの絶縁性フィルムテープ１２，１３を接着している
ため、熱処理により各構成材料が熱膨張した場合にも、
表裏両面のフィルムテープ１２，１３の変形が互いに吸
収され、反りの発生が抑制される。
テープ１３の下面に接着剤２２を塗布し、デバイスホー
ル１８等に対応する穴を形成する。そして、図２（Ｂ）
のテープの上に（Ｃ）のテープを載置し、１２０℃の温
度で両者を接着し、再び５×１０−２ Ｔｏｏｒ の真
空中にて温度２００℃で３時間の熱処理により接着剤２
２を硬化させることによって、図２（Ａ）に示すＴＡＢ
用テープキャリア２０を製造する。以上のように製造さ
れたＴＡＢ用テープキャリア２０のインナーリードとア
ウターリード間の反りを、表面粗さ計によって測定した
結果、０．００２μｍという極めて微量の反りしか認め
られなかった。０．００２μｍという値は、実際には無
視できる程小さなものである。また、インナーリードと
アウターリードに厚さ１．５μｍの金メッキを施した状
態で反りを測定した結果、上記と同様の値となった。以
上のように、本実施例に係るＴＡＢ用テープキャリア２
０は、導体パターン１４の表裏両面に、同一材質，同一
厚さの絶縁性フィルムテープ１２，１３を接着している
ため、熱処理により各構成材料が熱膨張した場合にも、
表裏両面のフィルムテープ１２，１３の変形が互いに吸
収され、反りの発生が抑制される。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＴＡ
Ｂ用テープキャリアおいては、導体層の表裏両面に絶縁
層を接着しているため、層数を増加することなく製造工
程におけるＴＡＢ用テープキャリアの反りを確実に防止
できるという効果がある。
Ｂ用テープキャリアおいては、導体層の表裏両面に絶縁
層を接着しているため、層数を増加することなく製造工
程におけるＴＡＢ用テープキャリアの反りを確実に防止
できるという効果がある。
【図１】図１は、本発明の実施例の構成を示す平面図で
ある。
ある。
【図２】図２は、実施例の製造工程を示す断面図であり
、（Ａ）が図１のＹ−Ｙ方向の断面、（Ｂ），（Ｃ）が
途中の工程の断面構造を示す。
、（Ａ）が図１のＹ−Ｙ方向の断面、（Ｂ），（Ｃ）が
途中の工程の断面構造を示す。
【図３】図３は、従来技術の構成を示す断面図である。
１２，１３ 絶縁性フィルムテープ１４
導体パターン １６ デバイスホール ２０ ＴＡＢ用テープキャリア２２
接着剤
導体パターン １６ デバイスホール ２０ ＴＡＢ用テープキャリア２２
接着剤
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁層と導体層とを接着して成るＴＡ
Ｂ用テープキャリアにおいて、前記導体層の表裏両面に
前記絶縁層を接着したことを特徴とするＴＡＢ用テープ
キャリア。 - 【請求項２】 前記２枚の絶縁層が、同一の熱膨張率
を有し、且つ同一厚さを有することを特徴とする請求項
１記載のＴＡＢ用テープキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3045853A JPH04263445A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | Ｔａｂ用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3045853A JPH04263445A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | Ｔａｂ用テープキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263445A true JPH04263445A (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12730772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3045853A Pending JPH04263445A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | Ｔａｂ用テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04263445A (ja) |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP3045853A patent/JPH04263445A/ja active Pending
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