JPH04264040A - 含フッ素エタンの２量体の製法 - Google Patents
含フッ素エタンの２量体の製法Info
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- JPH04264040A JPH04264040A JP3022414A JP2241491A JPH04264040A JP H04264040 A JPH04264040 A JP H04264040A JP 3022414 A JP3022414 A JP 3022414A JP 2241491 A JP2241491 A JP 2241491A JP H04264040 A JPH04264040 A JP H04264040A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/26—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton
- C07C17/263—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton by condensation reactions
- C07C17/269—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions involving an increase in the number of carbon atoms in the skeleton by condensation reactions of only halogenated hydrocarbons
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、含フッ素エタンの２量
体を製造する方法に関する。
体を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】含フッ素エタンの２量体、例えば、ＣＦ
３ＣＣｌ＝ＣＣｌＣＦ３は、重合用のモノマーとして有
用である。しかしながら、含フッ素エタンの２量体を選
択率よく製造する方法は知られていない。
３ＣＣｌ＝ＣＣｌＣＦ３は、重合用のモノマーとして有
用である。しかしながら、含フッ素エタンの２量体を選
択率よく製造する方法は知られていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、含フ
ッ素エタンから、含フッ素エタンの２量体を、良好な選
択率で製造することにある。
ッ素エタンから、含フッ素エタンの２量体を、良好な選
択率で製造することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、式：
ＣＦ３−ＣＣｌＸ１Ｘ２
（Ｉ
） ［式中、Ｘ１およびＸ２はフッ素または塩素であ
る。］で示される含フッ素エタンを触媒の存在下に反応
させて含フッ素エタンの２量体を製造する方法であって
、触媒がニッケルである製法に存する。
ＣＦ３−ＣＣｌＸ１Ｘ２
（Ｉ
） ［式中、Ｘ１およびＸ２はフッ素または塩素であ
る。］で示される含フッ素エタンを触媒の存在下に反応
させて含フッ素エタンの２量体を製造する方法であって
、触媒がニッケルである製法に存する。
【０００５】本発明において使用する含フッ素エタンの
具体例は、１，１，１−トリクロロ−２，２，２−トリ
フルオロエタン（ＣＦ３ＣＣｌ３、フロン１１３ａ）、
１，１−ジクロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエ
タン（ＣＦ３ＣＦＣｌ２、フロン１１４ａ）および１−
クロロ−１，１，２，２，２−ペンタフルオロエタン（
ＣＦ３ＣＦ２Ｃｌ、フロン１１５）である。
具体例は、１，１，１−トリクロロ−２，２，２−トリ
フルオロエタン（ＣＦ３ＣＣｌ３、フロン１１３ａ）、
１，１−ジクロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエ
タン（ＣＦ３ＣＦＣｌ２、フロン１１４ａ）および１−
クロロ−１，１，２，２，２−ペンタフルオロエタン（
ＣＦ３ＣＦ２Ｃｌ、フロン１１５）である。
【０００６】触媒は、ニッケルである。ニッケル触媒は
、ニッケル金属そのままであってよく、あるいは担体に
よって担持されたニッケルであってよい。担体の具体例
は、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、活性炭、ＭｇＯ、
ＴｉＯ２およびＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３である。担持触媒
において、ニッケルの担持量は好ましくは０．１〜２０
重量％であり、粒度は特に限定されないが好ましくは１
６〜６０メッシュである。
、ニッケル金属そのままであってよく、あるいは担体に
よって担持されたニッケルであってよい。担体の具体例
は、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、活性炭、ＭｇＯ、
ＴｉＯ２およびＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３である。担持触媒
において、ニッケルの担持量は好ましくは０．１〜２０
重量％であり、粒度は特に限定されないが好ましくは１
６〜６０メッシュである。
【０００７】担持触媒は、従来既知のあらゆる方法によ
って製造できる。ＳｉＯ２で担持されたＮｉ（Ｎｉ／Ｓ
ｉＯ２）触媒は、例えば、Ｎｉの硝酸塩水溶液にシリカ
エアロジルを加えた後、蒸発乾固させることによって製
造することができる。Ａｌ２Ｏ３で担持されたＮｉ（Ｎ
ｉ／Ａｌ２Ｏ３）触媒は、例えば、Ｎｉの硝酸塩水溶液
にアルミナエアロジルを加えた後、蒸発乾固することに
よって製造することができる。活性炭によって担持され
たＮｉ（Ｎｉ／Ｃ）触媒は、活性炭に硝酸ニッケルに添
加し、十分に混合した後、乾燥することによって製造す
ることができる。
って製造できる。ＳｉＯ２で担持されたＮｉ（Ｎｉ／Ｓ
ｉＯ２）触媒は、例えば、Ｎｉの硝酸塩水溶液にシリカ
エアロジルを加えた後、蒸発乾固させることによって製
造することができる。Ａｌ２Ｏ３で担持されたＮｉ（Ｎ
ｉ／Ａｌ２Ｏ３）触媒は、例えば、Ｎｉの硝酸塩水溶液
にアルミナエアロジルを加えた後、蒸発乾固することに
よって製造することができる。活性炭によって担持され
たＮｉ（Ｎｉ／Ｃ）触媒は、活性炭に硝酸ニッケルに添
加し、十分に混合した後、乾燥することによって製造す
ることができる。
【０００８】本発明の方法によって製造される含フッ素
エタンの２量体は、式： ＣＦ３ＣＹ１Ｙ２−ＣＹ３Ｙ４ＣＦ３
（ＩＩ） ［式中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は
、水素、塩素またはフッ素である。］で示される含フッ
素ブタン、 ＣＦ３ＣＹ１＝ＣＹ３ＣＦ３
（ＩＩＩ） ［式中、Ｙ１およびＹ３は、水素
、塩素またはフッ素である。］で示される含フッ素２−
ブテン、および ＣＦ３Ｃ≡ＣＣＦ３
（ＩＶ）で示されるパーフル
オロ２−ブチンである。
エタンの２量体は、式： ＣＦ３ＣＹ１Ｙ２−ＣＹ３Ｙ４ＣＦ３
（ＩＩ） ［式中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は
、水素、塩素またはフッ素である。］で示される含フッ
素ブタン、 ＣＦ３ＣＹ１＝ＣＹ３ＣＦ３
（ＩＩＩ） ［式中、Ｙ１およびＹ３は、水素
、塩素またはフッ素である。］で示される含フッ素２−
ブテン、および ＣＦ３Ｃ≡ＣＣＦ３
（ＩＶ）で示されるパーフル
オロ２−ブチンである。
【０００９】本発明においては、水素ガスを共存させる
ことが好ましい。水素ガスは触媒を再生するという機能
を有する。水素ガスの量は、含フッ素エタン１モルに対
して、通常、０．５〜１０モル、好ましくは２〜６モル
である。
ことが好ましい。水素ガスは触媒を再生するという機能
を有する。水素ガスの量は、含フッ素エタン１モルに対
して、通常、０．５〜１０モル、好ましくは２〜６モル
である。
【００１０】本発明の反応は、連続式で行なうことが好
ましい。原料ガスの供給速度（ＳＶ）は好適には１００
〜１００００（ｈ−１）である。ここでＳＶは、（単位
時間当たりの供給ガス体積（反応温度下））／（触媒の
見かけ充填体積）で定義される。反応圧力は特に制限な
く、あらゆる実用的な反応圧力が使用可能である。反応
温度は、通常２００〜５５０℃、好ましくは２９０〜４
５０℃である。２００℃より低温では転化率が低く、逆
に、５５０℃より高温では選択率の低下や触媒の劣化を
招く。反応ガスは希釈せずにそのまま用いてもよいし、
Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅなど反応に影響を与えないガスで希釈
して用いてもよい。
ましい。原料ガスの供給速度（ＳＶ）は好適には１００
〜１００００（ｈ−１）である。ここでＳＶは、（単位
時間当たりの供給ガス体積（反応温度下））／（触媒の
見かけ充填体積）で定義される。反応圧力は特に制限な
く、あらゆる実用的な反応圧力が使用可能である。反応
温度は、通常２００〜５５０℃、好ましくは２９０〜４
５０℃である。２００℃より低温では転化率が低く、逆
に、５５０℃より高温では選択率の低下や触媒の劣化を
招く。反応ガスは希釈せずにそのまま用いてもよいし、
Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅなど反応に影響を与えないガスで希釈
して用いてもよい。
【００１１】
【発明の好ましい態様】実施例１
硝酸ニッケルの水溶液にシリカエアロジルを加え、蒸発
乾固させ、１２０℃で一日乾燥することにより、担持量
１重量％（粒径３２〜６０メッシュ）の触媒（Ｎｉ／Ｓ
ｉＯ２）を調製した。反応前に触媒の高温焼成は行わな
かった。常圧固定床流通系反応装置において、反応前に
Ｈ２気流中、４５０℃で２時間還元前処理を行った。フ
ロン１１３ａ（１０ｃｍ３／分）、Ａｒ（５６ｃｍ３／
分）、Ｈ２（２９ｃｍ３／分）からなる原料ガスを流速
９５ｃｍ３／分で供給し、触媒量１ｇとして４５０℃で
反応を行った。 反応により生成するハロゲン化水素は酸化カルシウムに
吸収させ、生成ガスをガスクロマトグラフィーで分析し
た。また、少量の生成物の同定にはＧＣ−質量分析装置
を用いた。２時間後のフロン１１３ａの転化率および得
られた生成物の選択率を表１に示す。なお、１時間後お
よび６時間後においても転化率は１００％であり、ＣＦ
３ＣＣｌ＝ＣＣｌＣＦ３、ＣＦ３ＣＨ＝ＣＣｌＣＦ３お
よびＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３の選択率は高かった。
乾固させ、１２０℃で一日乾燥することにより、担持量
１重量％（粒径３２〜６０メッシュ）の触媒（Ｎｉ／Ｓ
ｉＯ２）を調製した。反応前に触媒の高温焼成は行わな
かった。常圧固定床流通系反応装置において、反応前に
Ｈ２気流中、４５０℃で２時間還元前処理を行った。フ
ロン１１３ａ（１０ｃｍ３／分）、Ａｒ（５６ｃｍ３／
分）、Ｈ２（２９ｃｍ３／分）からなる原料ガスを流速
９５ｃｍ３／分で供給し、触媒量１ｇとして４５０℃で
反応を行った。 反応により生成するハロゲン化水素は酸化カルシウムに
吸収させ、生成ガスをガスクロマトグラフィーで分析し
た。また、少量の生成物の同定にはＧＣ−質量分析装置
を用いた。２時間後のフロン１１３ａの転化率および得
られた生成物の選択率を表１に示す。なお、１時間後お
よび６時間後においても転化率は１００％であり、ＣＦ
３ＣＣｌ＝ＣＣｌＣＦ３、ＣＦ３ＣＨ＝ＣＣｌＣＦ３お
よびＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３の選択率は高かった。
【００１２】比較例１
触媒として、Ｎｉ／ＳｉＯ２に代えてＣｒ／ＳｉＯ２を
用いる以外は、実施例１の手順を繰り返した。なお、Ｃ
ｒ／ＳｉＯ２触媒は、担持量１重量％（粒径３２〜６０
メッシュ）であった。Ｃｒ／ＳｉＯ２触媒は、硝酸クロ
ムの水溶液にシリカエアロジルを加え、蒸発乾固させ、
１２０℃で一日乾燥することにより製造した。反応前に
触媒の高温焼成は行わなかった。２時間後の転化率およ
び得られた生成物の選択率を表１に示す。
用いる以外は、実施例１の手順を繰り返した。なお、Ｃ
ｒ／ＳｉＯ２触媒は、担持量１重量％（粒径３２〜６０
メッシュ）であった。Ｃｒ／ＳｉＯ２触媒は、硝酸クロ
ムの水溶液にシリカエアロジルを加え、蒸発乾固させ、
１２０℃で一日乾燥することにより製造した。反応前に
触媒の高温焼成は行わなかった。２時間後の転化率およ
び得られた生成物の選択率を表１に示す。
【００１３】
【表１】
実施例１ 比較例１ 転化率（％）
１００
２７．５ 選択率（％） フロン１１１２ ｔｒ．
３０．５ フロン１１１１
０
６．９ フロン１１４ａ
０ ３７．９ フロン１２
３ ０
４．３ ＣＦ３ＣＣｌ＝ＣＣｌＣＦ３
８５．８ ０
ＣＦ３ＣＨ＝ＣＣｌＣＦ３
４．８ ０ ＣＦ３ＣＨ
＝ＣＨＣＦ３ ６．０
０
実施例１ 比較例１ 転化率（％）
１００
２７．５ 選択率（％） フロン１１１２ ｔｒ．
３０．５ フロン１１１１
０
６．９ フロン１１４ａ
０ ３７．９ フロン１２
３ ０
４．３ ＣＦ３ＣＣｌ＝ＣＣｌＣＦ３
８５．８ ０
ＣＦ３ＣＨ＝ＣＣｌＣＦ３
４．８ ０ ＣＦ３ＣＨ
＝ＣＨＣＦ３ ６．０
０
【００１４】実施例２
原料ガスにおいてフロン１１３ａに代えてフロン１１４
ａを用いる以外は、実施例１の手順を繰り返した。２時
間後の転化率および得られた生成物の選択率を表２に示
す。
ａを用いる以外は、実施例１の手順を繰り返した。２時
間後の転化率および得られた生成物の選択率を表２に示
す。
【００１５】比較例２
原料ガスにおいてフロン１１３ａに代えてフロン１１４
ａを用いる以外は、比較例１の手順を繰り返した。２時
間後の転化率および得られた生成物の選択率を表２に示
す。
ａを用いる以外は、比較例１の手順を繰り返した。２時
間後の転化率および得られた生成物の選択率を表２に示
す。
【００１６】
【表２】
実施例２ 比較例２ 転化率（％）
４．５
７２．６ 選択率（％） フロン１１１３ ０
０．６ フロン１１１２
０
８．２ フロン１１１１
０ １０．０ フロン１１
５ ０
４８．０ フロン１１２ａ
０ １．５ フロ
ン１２４ ５６．９
０．３ フロン１１１０
０ ３．５
ＣＦ３ＣＣｌＦ−ＣＣｌＦＣＦ３ １
１．５ ０
実施例２ 比較例２ 転化率（％）
４．５
７２．６ 選択率（％） フロン１１１３ ０
０．６ フロン１１１２
０
８．２ フロン１１１１
０ １０．０ フロン１１
５ ０
４８．０ フロン１１２ａ
０ １．５ フロ
ン１２４ ５６．９
０．３ フロン１１１０
０ ３．５
ＣＦ３ＣＣｌＦ−ＣＣｌＦＣＦ３ １
１．５ ０
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば含フッ素エタンの２量体
を良好な選択率で得ることができる。含フッ素エタンの
２量体である含フッ素２−ブテンおよびパーフルオロ２
−ブチンは、耐熱性が高いあるいは、電導性を有する重
合体を製造するための共重合モノマーとして使用できる
。
を良好な選択率で得ることができる。含フッ素エタンの
２量体である含フッ素２−ブテンおよびパーフルオロ２
−ブチンは、耐熱性が高いあるいは、電導性を有する重
合体を製造するための共重合モノマーとして使用できる
。
Claims (1)
- 【請求項１】 式： ＣＦ３−ＣＣｌＸ１Ｘ２
（
Ｉ） ［式中、Ｘ１およびＸ２はフッ素または塩素で
ある。］で示される含フッ素エタンを触媒の存在下に反
応させて含フッ素エタンの２量体を製造する方法であっ
て、触媒がニッケルである製法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022414A JP3008510B2 (ja) | 1991-02-16 | 1991-02-16 | 含フッ素エタンの２量体の製法 |
| DE69203880T DE69203880T2 (de) | 1991-02-16 | 1992-02-14 | Herstellung eines Dimeres von Fluor enthaltendem halogenierten Ethan. |
| CA002061234A CA2061234C (en) | 1991-02-16 | 1992-02-14 | Preparation of fluorine-containing ethane dimer |
| EP92102521A EP0499984B1 (en) | 1991-02-16 | 1992-02-14 | Preparation of dimer of fluorine-containing halo-ethane |
| US08/144,546 US5382720A (en) | 1991-02-16 | 1993-11-01 | Preparation of dimer of fluorine-containing ethane |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022414A JP3008510B2 (ja) | 1991-02-16 | 1991-02-16 | 含フッ素エタンの２量体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264040A true JPH04264040A (ja) | 1992-09-18 |
| JP3008510B2 JP3008510B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=12082009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3022414A Expired - Fee Related JP3008510B2 (ja) | 1991-02-16 | 1991-02-16 | 含フッ素エタンの２量体の製法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5382720A (ja) |
| EP (1) | EP0499984B1 (ja) |
| JP (1) | JP3008510B2 (ja) |
| CA (1) | CA2061234C (ja) |
| DE (1) | DE69203880T2 (ja) |
Cited By (3)
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| WO1994012454A1 (fr) * | 1992-11-20 | 1994-06-09 | Daikin Industries, Ltd. | Procede de production de 1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene et de 1,1,1,4,4,4-hexafluorobutane |
| JP2011515408A (ja) * | 2008-03-19 | 2011-05-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | １，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンを作製する方法 |
| JP2018516268A (ja) * | 2015-06-04 | 2018-06-21 | アーケマ・インコーポレイテッド | フッ素化オレフィンを生成させるための方法 |
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| DE4215876A1 (de) * | 1992-05-14 | 1993-11-18 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Hexafluorbutan |
| ES2099315T3 (es) * | 1992-05-26 | 1997-05-16 | Solvay | Procedimiento para la preparacion de fluoro-hidrocarburos. |
| CA2167698A1 (en) * | 1993-08-16 | 1995-02-23 | Russell Ward Johnson | Process for combining chlorine-containing molecules to synthesize fluorine-containing products |
| DE4416326A1 (de) * | 1994-05-09 | 1995-11-16 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Hexafluor-C¶4¶-Verbindungen |
| IT1307755B1 (it) | 1999-02-05 | 2001-11-19 | Ausimont Spa | Processo per la dimerizzazione di (cfc-113a). |
| KR100874813B1 (ko) * | 2000-11-08 | 2008-12-19 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 드라이 에칭 가스 및 드라이 에칭 방법 |
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| CN110563547A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-13 | 浙江三美化工股份有限公司 | 一种1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯的制备方法 |
Family Cites Families (6)
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| US2644835A (en) * | 1947-06-05 | 1953-07-07 | Us Rubber Co | Coupled products |
| US3799996A (en) * | 1971-08-04 | 1974-03-26 | Universal Oil Prod Co | Preparation of tetrafluoroethylene |
| US4634797A (en) * | 1985-02-07 | 1987-01-06 | Halocarbon Products Corporation | Coupling of chloroperfluoroalkanes |
| JPH0672112B2 (ja) * | 1987-04-24 | 1994-09-14 | セントラル硝子株式会社 | 新規なビスベンゾトリフルオリド誘導体およびその製造法 |
| CA2002598A1 (en) * | 1988-11-30 | 1990-05-31 | Thomas Allen Puckette | Preparation of biaryl compounds |
-
1991
- 1991-02-16 JP JP3022414A patent/JP3008510B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-02-14 CA CA002061234A patent/CA2061234C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-14 DE DE69203880T patent/DE69203880T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-14 EP EP92102521A patent/EP0499984B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-11-01 US US08/144,546 patent/US5382720A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2061234A1 (en) | 1992-08-17 |
| DE69203880D1 (de) | 1995-09-14 |
| US5382720A (en) | 1995-01-17 |
| EP0499984B1 (en) | 1995-08-09 |
| DE69203880T2 (de) | 1996-02-08 |
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