JPH04264513A - 金属回転多面鏡 - Google Patents
金属回転多面鏡Info
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- JPH04264513A JPH04264513A JP4558091A JP4558091A JPH04264513A JP H04264513 A JPH04264513 A JP H04264513A JP 4558091 A JP4558091 A JP 4558091A JP 4558091 A JP4558091 A JP 4558091A JP H04264513 A JPH04264513 A JP H04264513A
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- Japan
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- metal
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属回転多面鏡に関し、
詳しくは複写機、ファクシミリ、レーザ・ビーム・プリ
ンター等の反射鏡として用いられ、少なくとも基板金属
よりも反射率が高くかつ耐久性に優れた金属回転多面鏡
に関するものである。
詳しくは複写機、ファクシミリ、レーザ・ビーム・プリ
ンター等の反射鏡として用いられ、少なくとも基板金属
よりも反射率が高くかつ耐久性に優れた金属回転多面鏡
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとしている課題】複
写機、ファクシミリ、レーザ・ビーム・プリンター等に
おいて、高精度の反射面を有する回転多面鏡を使用する
ものがある。このような回転多面鏡は、一般にＡｌ，Ｃ
ｕ等の軟質金属素材のダイヤモンド切削加工等によって
作られているが、これらの金属材料は外部雰囲気に対し
て化学変化を受け易い材料であることはよく知られてい
る。例えばＡｌは酸化により表面にＡｌ２ Ｏ３ 層が
形成され反射率が低下する。また、Ｃｕは化学的に反応
し易く、酸化・腐食を起しやすい。さらに、こうした金
属は非常に軟らかいために、切削鏡面を拭くというよう
な機械的接触により表面の損傷を顕著に受けやすいもの
である。また、近赤外光の半導体レーザを光源とした場
合、回転多面鏡の高速回転に対して反射光のエネルギー
を高める必要から、多面鏡の反射率は高い必要がある。 これらの問題の解決策として従来は、誘電体の単層膜も
しくは多層膜を保護膜、増反射膜として、真空蒸着等の
手段により金属鏡面上に形成することが行なわれていた
。しかし、このような対策ではその膜強度、鏡面への密
着性、化学的安定性などの耐久性はまだ不充分で、また
金属素材がＡｌの場合は、このような対策を行なっても
まだ反射率の不足が問題として残っていた。
写機、ファクシミリ、レーザ・ビーム・プリンター等に
おいて、高精度の反射面を有する回転多面鏡を使用する
ものがある。このような回転多面鏡は、一般にＡｌ，Ｃ
ｕ等の軟質金属素材のダイヤモンド切削加工等によって
作られているが、これらの金属材料は外部雰囲気に対し
て化学変化を受け易い材料であることはよく知られてい
る。例えばＡｌは酸化により表面にＡｌ２ Ｏ３ 層が
形成され反射率が低下する。また、Ｃｕは化学的に反応
し易く、酸化・腐食を起しやすい。さらに、こうした金
属は非常に軟らかいために、切削鏡面を拭くというよう
な機械的接触により表面の損傷を顕著に受けやすいもの
である。また、近赤外光の半導体レーザを光源とした場
合、回転多面鏡の高速回転に対して反射光のエネルギー
を高める必要から、多面鏡の反射率は高い必要がある。 これらの問題の解決策として従来は、誘電体の単層膜も
しくは多層膜を保護膜、増反射膜として、真空蒸着等の
手段により金属鏡面上に形成することが行なわれていた
。しかし、このような対策ではその膜強度、鏡面への密
着性、化学的安定性などの耐久性はまだ不充分で、また
金属素材がＡｌの場合は、このような対策を行なっても
まだ反射率の不足が問題として残っていた。
【０００３】従って、本発明の目的は、上述の問題点を
解決し、反射率が十分高く、耐久性に優れた金属回転多
面鏡を提供することである。
解決し、反射率が十分高く、耐久性に優れた金属回転多
面鏡を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、素材金属の鏡
面上に、該素材金属よりも高反射率の金属薄膜が形成さ
れ、更に該金属薄膜上に、ダイヤモンド状炭素膜（以下
、ＤＬＣ膜）が形成されていることを特徴とする金属回
転多面鏡である。
面上に、該素材金属よりも高反射率の金属薄膜が形成さ
れ、更に該金属薄膜上に、ダイヤモンド状炭素膜（以下
、ＤＬＣ膜）が形成されていることを特徴とする金属回
転多面鏡である。
【０００５】また、本発明は、素材金属の鏡面上に、該
素材金属よりも高反射率の金属薄膜が形成され、更に該
金属薄膜上に、水素化アモルファス炭素膜（以下ａ−Ｃ
：Ｈ膜）とＤＬＣ膜とがこの順に交互に２層以上形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の金属回転多面
鏡である。
素材金属よりも高反射率の金属薄膜が形成され、更に該
金属薄膜上に、水素化アモルファス炭素膜（以下ａ−Ｃ
：Ｈ膜）とＤＬＣ膜とがこの順に交互に２層以上形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の金属回転多面
鏡である。
【０００６】更にまた、本発明は、アルミニウム素材の
鏡面上に、クロム薄膜を介して銅薄膜が形成され、更に
該銅薄膜上に、ＭｇＦ２ ，Ａｌ２Ｏ３ およびａ−Ｃ
：Ｈ膜から選ばれる１種の薄膜とＤＬＣ膜とがこの順に
交互に２層以上形成されていることを特徴とする金属回
転多面鏡である。
鏡面上に、クロム薄膜を介して銅薄膜が形成され、更に
該銅薄膜上に、ＭｇＦ２ ，Ａｌ２Ｏ３ およびａ−Ｃ
：Ｈ膜から選ばれる１種の薄膜とＤＬＣ膜とがこの順に
交互に２層以上形成されていることを特徴とする金属回
転多面鏡である。
【０００７】本発明においては、素材金属の鏡面上に該
素材金属よりも高反射率を有する金属の薄膜が形成され
、その上に更に反射率を向上させると同時に金属薄膜の
保護膜を兼ねる薄膜としてＤＬＣ膜を形成している。
素材金属よりも高反射率を有する金属の薄膜が形成され
、その上に更に反射率を向上させると同時に金属薄膜の
保護膜を兼ねる薄膜としてＤＬＣ膜を形成している。
【０００８】本発明に用いる素材金属は、アルミニウム
、銅などの軟質金属であることが、その鏡面加工が容易
なので好ましい。鏡面加工は、通常素材の外周をダイヤ
モンド切削加工により行なう。
、銅などの軟質金属であることが、その鏡面加工が容易
なので好ましい。鏡面加工は、通常素材の外周をダイヤ
モンド切削加工により行なう。
【０００９】鏡面上に形成する素材金属よりも高反射率
の金属薄膜としては、素材金属がアルミニウムの場合は
金、銀または銅の薄膜が、素材金属が銅の場合は金また
は銀の薄膜が好ましく、膜厚は８００Å以上が好ましい
。薄膜の形成は通常、真空蒸着により行なう。即ち鏡面
を化学的に充分洗浄した後、真空蒸着装置内でイオンボ
ンバードメント等のイオン衝撃による洗浄を行ない、更
に鏡面のクリーニングを行なった後薄膜をその表面に蒸
着する。
の金属薄膜としては、素材金属がアルミニウムの場合は
金、銀または銅の薄膜が、素材金属が銅の場合は金また
は銀の薄膜が好ましく、膜厚は８００Å以上が好ましい
。薄膜の形成は通常、真空蒸着により行なう。即ち鏡面
を化学的に充分洗浄した後、真空蒸着装置内でイオンボ
ンバードメント等のイオン衝撃による洗浄を行ない、更
に鏡面のクリーニングを行なった後薄膜をその表面に蒸
着する。
【００１０】素材金属の鏡面の腐食を防止し、且該鏡面
と高反射率の金属薄膜との密着性を向上する目的で、素
材鏡面と高反射率の金属薄膜との間に、更にクロム、タ
ングステンまたはニッケルの薄膜を設けることが好まし
い。その膜厚は２００〜１０００Åの範囲が好ましい。 この薄膜の形成も、前述した高反射率の金属薄膜の形成
の場合と同様の手順の真空蒸着法で行なうのが好ましい
。
と高反射率の金属薄膜との密着性を向上する目的で、素
材鏡面と高反射率の金属薄膜との間に、更にクロム、タ
ングステンまたはニッケルの薄膜を設けることが好まし
い。その膜厚は２００〜１０００Åの範囲が好ましい。 この薄膜の形成も、前述した高反射率の金属薄膜の形成
の場合と同様の手順の真空蒸着法で行なうのが好ましい
。
【００１１】その上に形成される鏡面の保護と増反射を
目的とする薄膜は、屈折率の低い誘電体膜もしくはａ−
Ｃ：Ｈ膜と屈折率の高いＤＬＣ膜であり、通常金属反射
膜側から低屈折率の誘電体膜もしくはａ−Ｃ：Ｈ膜、Ｄ
ＬＣ膜の交互層であり、２層以上であることが好ましい
。低屈折率の誘電体材料としては、ＭｇＦ２ ，ＳｉＯ
２ ，Ａｌ２ Ｏ３ 等が挙げられるが、ＤＬＣ膜の内
部応力が圧縮応力であることから、引張り応力を有する
ＭｇＦ２ ，Ａｌ２ Ｏ３ 等がより適している。
目的とする薄膜は、屈折率の低い誘電体膜もしくはａ−
Ｃ：Ｈ膜と屈折率の高いＤＬＣ膜であり、通常金属反射
膜側から低屈折率の誘電体膜もしくはａ−Ｃ：Ｈ膜、Ｄ
ＬＣ膜の交互層であり、２層以上であることが好ましい
。低屈折率の誘電体材料としては、ＭｇＦ２ ，ＳｉＯ
２ ，Ａｌ２ Ｏ３ 等が挙げられるが、ＤＬＣ膜の内
部応力が圧縮応力であることから、引張り応力を有する
ＭｇＦ２ ，Ａｌ２ Ｏ３ 等がより適している。
【００１２】ここで用いるａ−Ｃ：Ｈ膜は、膜中に水素
を３０ａｔｏｍ％〜６０ａｔｏｍ％含有し、屈折率が１
．４８〜１．６０の範囲にあるものである。膜中の水素
含有率（濃度）が高くなるにつれ、屈折率は低下し、膜
の内部応力も減少、膜硬度も低下する傾向を持つもので
ある。
を３０ａｔｏｍ％〜６０ａｔｏｍ％含有し、屈折率が１
．４８〜１．６０の範囲にあるものである。膜中の水素
含有率（濃度）が高くなるにつれ、屈折率は低下し、膜
の内部応力も減少、膜硬度も低下する傾向を持つもので
ある。
【００１３】ＤＬＣ膜は膜中に水素を１５〜３０ａｔｏ
ｍ％含有し、屈折率が１．８〜２．４の範囲にあるもの
である。機械的性質としては、硬度がヌープ硬度で２０
００〜４０００ｋｇ／ｍｍ２ 、内部応力が５×１０９
〜５×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２ の圧縮応力を有する
。このＤＬＣ膜は■ガス及び水分の不透過性が高いため
、化学的安定性の低い金属面の腐食を防ぐ効果が高い、
■高硬度であるので、多面鏡の表面損傷を防ぐ、■引張
り応力を有する金属、誘電体薄膜と組み合せることによ
り全応力を小さくし、密着性を向上できる、■ヤング率
が大きいことから剛性が大きく、多面鏡の高速回転に対
して安定であるという優れた性質を持つ。
ｍ％含有し、屈折率が１．８〜２．４の範囲にあるもの
である。機械的性質としては、硬度がヌープ硬度で２０
００〜４０００ｋｇ／ｍｍ２ 、内部応力が５×１０９
〜５×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２ の圧縮応力を有する
。このＤＬＣ膜は■ガス及び水分の不透過性が高いため
、化学的安定性の低い金属面の腐食を防ぐ効果が高い、
■高硬度であるので、多面鏡の表面損傷を防ぐ、■引張
り応力を有する金属、誘電体薄膜と組み合せることによ
り全応力を小さくし、密着性を向上できる、■ヤング率
が大きいことから剛性が大きく、多面鏡の高速回転に対
して安定であるという優れた性質を持つ。
【００１４】低屈折率の誘電体膜もしくはａ−Ｃ：Ｈ膜
、及びＤＬＣ膜の膜厚は、いずれも光学的膜厚でλ０
／４の奇数倍を基本としている。ここで、λ０ は設計
基準波長で、使用する光源例えば半導体レーザの波長で
ある。具体的には、所望する波長で反射率が最大となる
よう膜厚の最適化を図る誘電体薄膜の形成方法は、通常
真空蒸着法、イオンプレーティング、スパッタリング等
により行なう。
、及びＤＬＣ膜の膜厚は、いずれも光学的膜厚でλ０
／４の奇数倍を基本としている。ここで、λ０ は設計
基準波長で、使用する光源例えば半導体レーザの波長で
ある。具体的には、所望する波長で反射率が最大となる
よう膜厚の最適化を図る誘電体薄膜の形成方法は、通常
真空蒸着法、イオンプレーティング、スパッタリング等
により行なう。
【００１５】ａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜はプラズマＣＶＤ
法（以下ＰＣＶＤ法）、ＥＣＲ−ＰＣＶＤ法、イオンビ
ーム蒸着法（以下ＩＢＤ）、イオンビームスパッタ法（
以下ＩＢＳ）、プラズマスパッタ法等により行なう。 このとき用いる原料ガスは、含炭素ガスであるメタン、
エタン、プロパン、エチレン、ベンゼン、アセチレン等
の炭化水素、四フッ化炭素、塩化メチレン、四塩化炭素
、クロロホルム、トリクロルエタン等のハロゲン化炭化
水素、二酸化炭素、一酸化炭素などのガスが挙げられる
。また、Ｎ２ ，Ｈ２ ，Ｏ２ ，Ｈ２ Ｏ，不活性ガ
スなどを混入して用いてもよい。
法（以下ＰＣＶＤ法）、ＥＣＲ−ＰＣＶＤ法、イオンビ
ーム蒸着法（以下ＩＢＤ）、イオンビームスパッタ法（
以下ＩＢＳ）、プラズマスパッタ法等により行なう。 このとき用いる原料ガスは、含炭素ガスであるメタン、
エタン、プロパン、エチレン、ベンゼン、アセチレン等
の炭化水素、四フッ化炭素、塩化メチレン、四塩化炭素
、クロロホルム、トリクロルエタン等のハロゲン化炭化
水素、二酸化炭素、一酸化炭素などのガスが挙げられる
。また、Ｎ２ ，Ｈ２ ，Ｏ２ ，Ｈ２ Ｏ，不活性ガ
スなどを混入して用いてもよい。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。
ながら詳細に説明する。
【００１７】実施例１
図１は本発明の金属回転多面鏡の１実施例の斜視図であ
り、図２はその鏡面上の薄膜の構成を説明するための断
面模式図である。素材１はそれ自身が高反射率を有する
アルミニウムで、その表面はダイヤモンド切削により鏡
面加工されている。この鏡面を化学的に充分洗浄した後
、真空蒸着装置内でイオンボンバードメント等のイオン
衝撃による洗浄を行ない、更に鏡面のクリーニングを行
なった。鏡面上に真空蒸着法でクロム薄膜２を１０００
Å形成した後、更にその上に真空蒸着法で銅薄膜３を１
０００Å形成した。次いでＡｌ２ Ｏ３ 薄膜４を光学
的膜厚でλ０ ／４（ここで、λ０ は使用光源である
半導体レーザーの波長で７８０ｎｍ）イオンプレーティ
ング法により形成した。
り、図２はその鏡面上の薄膜の構成を説明するための断
面模式図である。素材１はそれ自身が高反射率を有する
アルミニウムで、その表面はダイヤモンド切削により鏡
面加工されている。この鏡面を化学的に充分洗浄した後
、真空蒸着装置内でイオンボンバードメント等のイオン
衝撃による洗浄を行ない、更に鏡面のクリーニングを行
なった。鏡面上に真空蒸着法でクロム薄膜２を１０００
Å形成した後、更にその上に真空蒸着法で銅薄膜３を１
０００Å形成した。次いでＡｌ２ Ｏ３ 薄膜４を光学
的膜厚でλ０ ／４（ここで、λ０ は使用光源である
半導体レーザーの波長で７８０ｎｍ）イオンプレーティ
ング法により形成した。
【００１８】次に、図３に示すＥＣＲ−ＰＣＶＤ装置に
よりＤＬＣ膜５を同じくλ０ ／４形成した。ＥＣＲ−
ＰＣＶＤ装置は、空胴共振器タイプで図中の空胴共振器
６に外部より電磁石７で磁場をかけ、マイクロ波導入窓
８より導波管９を通じ、２．４５ＧＨｚ のマイクロ波
を導入する。更にガス導入口１０よりＣＨ４ ：１５ｓ
ｃｃｍ、Ｈ２ ：２５ｓｃｃｍ導入した。磁場の大きさ
は、マイクロ波導入窓で１８００Ｇａｕｓｓ 、基板１
１の位置で６５０Ｇａｕｓｓ とし、マイクロ波導入窓
から基板に向い発散する形とした。まず真空槽を１×１
０−６ｔｏｒｒ以下に排気した後前記のガスを導入し、
ガス圧を７×１０−３ｔｏｒｒとし、マイクロ波電力４
００Ｗ投入し、不図示であるが基体に−４００Ｖの負電
位をバイアスした状態で、基板温度は室温で成膜した。 なお、膜厚の制御は光学的に行なった。ＥＣＲ−ＰＣＶ
Ｄ装置により上記と同条件で石英基板上に形成したＤＬ
Ｃ膜（但し、膜厚は４０００Å）について屈折率、硬度
、内部応力を評価した。その結果、偏光解析装置で測定
した屈折率（λ＝６３２８Å）はｎ＝２．２で、ヌープ
硬度計で測定した硬度測定は３０００ｋｇ／ｍｍ２ で
、内部応力は３×１０９ ｄｙｎ／ｃｍ２ の圧縮応力
であった。得られた金属多面鏡の反射率は、λ＝７８０
ｎｍで９７％以上であった。
よりＤＬＣ膜５を同じくλ０ ／４形成した。ＥＣＲ−
ＰＣＶＤ装置は、空胴共振器タイプで図中の空胴共振器
６に外部より電磁石７で磁場をかけ、マイクロ波導入窓
８より導波管９を通じ、２．４５ＧＨｚ のマイクロ波
を導入する。更にガス導入口１０よりＣＨ４ ：１５ｓ
ｃｃｍ、Ｈ２ ：２５ｓｃｃｍ導入した。磁場の大きさ
は、マイクロ波導入窓で１８００Ｇａｕｓｓ 、基板１
１の位置で６５０Ｇａｕｓｓ とし、マイクロ波導入窓
から基板に向い発散する形とした。まず真空槽を１×１
０−６ｔｏｒｒ以下に排気した後前記のガスを導入し、
ガス圧を７×１０−３ｔｏｒｒとし、マイクロ波電力４
００Ｗ投入し、不図示であるが基体に−４００Ｖの負電
位をバイアスした状態で、基板温度は室温で成膜した。 なお、膜厚の制御は光学的に行なった。ＥＣＲ−ＰＣＶ
Ｄ装置により上記と同条件で石英基板上に形成したＤＬ
Ｃ膜（但し、膜厚は４０００Å）について屈折率、硬度
、内部応力を評価した。その結果、偏光解析装置で測定
した屈折率（λ＝６３２８Å）はｎ＝２．２で、ヌープ
硬度計で測定した硬度測定は３０００ｋｇ／ｍｍ２ で
、内部応力は３×１０９ ｄｙｎ／ｃｍ２ の圧縮応力
であった。得られた金属多面鏡の反射率は、λ＝７８０
ｎｍで９７％以上であった。
【００１９】次に、耐久性については、まず耐溶剤性テ
ストとして、アセトン、イソプロピルアルコール、メタ
ノールを用い、上記で得られた回転多面鏡の表面をクリ
ーニングテストしたが、反射率、外観上に変化が見られ
ず、十分耐溶剤性があることが確かめられた。また粘着
テープ（スコッチテープ）による密着性テスト、綿布（
チーズクロス）による摩耗テストの結果も、剥離、クラ
ック等の外観上の変化ならびに反射率の変化は見られな
かった。耐湿性については、４５℃、相対湿度９５％の
恒温恒湿槽に１０００時間以上放置した後も、反射率の
低下は見られず、また腐食等の化学的変化も起こらなか
った。さらに、半導体レーザによるダメージも見られな
かった。
ストとして、アセトン、イソプロピルアルコール、メタ
ノールを用い、上記で得られた回転多面鏡の表面をクリ
ーニングテストしたが、反射率、外観上に変化が見られ
ず、十分耐溶剤性があることが確かめられた。また粘着
テープ（スコッチテープ）による密着性テスト、綿布（
チーズクロス）による摩耗テストの結果も、剥離、クラ
ック等の外観上の変化ならびに反射率の変化は見られな
かった。耐湿性については、４５℃、相対湿度９５％の
恒温恒湿槽に１０００時間以上放置した後も、反射率の
低下は見られず、また腐食等の化学的変化も起こらなか
った。さらに、半導体レーザによるダメージも見られな
かった。
【００２０】実施例２
実施例１と同様にしてクロム薄膜および銅薄膜を形成し
た後、真空蒸着法によりＭｇＦ２ 膜を光学的膜厚でλ
０ ／４ハードコーティングした。次に、図４に示すＩ
ＢＤ装置により、ＤＬＣ膜を同じく光学的膜厚でλ０
／４形成した。図４中１２は真空槽、１３はイオンビー
ム装置、１４はイオン化室、１５はガス導入口、１６は
イオンビーム引き出しグリッド、１７はイオンビーム、
１８は基体を示す。まず真空槽１２を１×１０−６ｔｏ
ｒｒに排気した後、ＣＨ４ ：２０ｓｃｃｍ、Ｈ２ ：
４０ｓｃｃｍをガス導入口１５より導入し、イオンビー
ム装置１３のイオン化室１４でイオン化し、インビーム
引き出しグリッド１６に６００Ｖの電圧を印加してイオ
ンビーム１７を引き出し、基板１８上にλ０ ／４のＤ
ＬＣ膜を形成した。このとき基体温度を３００℃、ガス
圧を５×１０−４ｔｏｒｒとした。
た後、真空蒸着法によりＭｇＦ２ 膜を光学的膜厚でλ
０ ／４ハードコーティングした。次に、図４に示すＩ
ＢＤ装置により、ＤＬＣ膜を同じく光学的膜厚でλ０
／４形成した。図４中１２は真空槽、１３はイオンビー
ム装置、１４はイオン化室、１５はガス導入口、１６は
イオンビーム引き出しグリッド、１７はイオンビーム、
１８は基体を示す。まず真空槽１２を１×１０−６ｔｏ
ｒｒに排気した後、ＣＨ４ ：２０ｓｃｃｍ、Ｈ２ ：
４０ｓｃｃｍをガス導入口１５より導入し、イオンビー
ム装置１３のイオン化室１４でイオン化し、インビーム
引き出しグリッド１６に６００Ｖの電圧を印加してイオ
ンビーム１７を引き出し、基板１８上にλ０ ／４のＤ
ＬＣ膜を形成した。このとき基体温度を３００℃、ガス
圧を５×１０−４ｔｏｒｒとした。
【００２１】実施例１と同様に、反射率、機械的強度、
耐湿性について評価したところ、実施例１と同等の結果
が得られた。 実施例３ 実施例１と同様にしてクロム薄膜および銅薄膜を形成し
た後、実施例１のＥＣＲ−ＰＣＶＤ装置に基板を設置し
た後、排気系により１×１０−６ｔｏｒｒまで排気し、
次にガス供給系によりＣＨ４ ：２０ｓｃｃｍ、Ｈ２
：４０ｓｃｃｍを流し、装置内圧力を３×１０−２ｔｏ
ｏｒとする。ここに２．４５ＧＨｚ のマイクロ波を導
入し、外部磁場をマイクロ波導入位置で１８００Ｇａｕ
ｓｓ とし、反応室側に向かい磁場を小さくする発散磁
界とした。ＥＣＲ（マイクロ波電子サイクロトロン共鳴
）条件を満足する８７５Ｇａｕｓｓ は、ほぼプラズマ
生成室と反応室の境界とした。基板を室温とし基板バイ
アスを印加せず、光学的膜厚でλ０ ／４成膜した。こ
の膜は膜中に水素を５０ａｔｏｍ％含有するａ−Ｃ：Ｈ
膜で、屈折率１．５４、ヌープ硬度７００ｋｇ／ｍｍ２
であった。ａ−Ｃ：Ｈ膜の膜厚がλ０ ／４になった
ところで、ＣＨ４ ：１５ｓｃｃｍ（１００％）とし、
ガス圧５×１０−４ｔｏｒｒ、基板バイアス−５００Ｖ
、室温で、λ０ ／４の膜厚になるようＤＬＣ膜を成膜
した。
耐湿性について評価したところ、実施例１と同等の結果
が得られた。 実施例３ 実施例１と同様にしてクロム薄膜および銅薄膜を形成し
た後、実施例１のＥＣＲ−ＰＣＶＤ装置に基板を設置し
た後、排気系により１×１０−６ｔｏｒｒまで排気し、
次にガス供給系によりＣＨ４ ：２０ｓｃｃｍ、Ｈ２
：４０ｓｃｃｍを流し、装置内圧力を３×１０−２ｔｏ
ｏｒとする。ここに２．４５ＧＨｚ のマイクロ波を導
入し、外部磁場をマイクロ波導入位置で１８００Ｇａｕ
ｓｓ とし、反応室側に向かい磁場を小さくする発散磁
界とした。ＥＣＲ（マイクロ波電子サイクロトロン共鳴
）条件を満足する８７５Ｇａｕｓｓ は、ほぼプラズマ
生成室と反応室の境界とした。基板を室温とし基板バイ
アスを印加せず、光学的膜厚でλ０ ／４成膜した。こ
の膜は膜中に水素を５０ａｔｏｍ％含有するａ−Ｃ：Ｈ
膜で、屈折率１．５４、ヌープ硬度７００ｋｇ／ｍｍ２
であった。ａ−Ｃ：Ｈ膜の膜厚がλ０ ／４になった
ところで、ＣＨ４ ：１５ｓｃｃｍ（１００％）とし、
ガス圧５×１０−４ｔｏｒｒ、基板バイアス−５００Ｖ
、室温で、λ０ ／４の膜厚になるようＤＬＣ膜を成膜
した。
【００２２】得られた金属回転多面鏡について実施例１
と同様に、分光特性、機械的強度、耐湿性を評価したと
ころ、実施例１と同等の性能を得ることができた。
と同様に、分光特性、機械的強度、耐湿性を評価したと
ころ、実施例１と同等の性能を得ることができた。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように金属回転多面鏡の構
成層にＤＬＣ膜を用いることにより、光学的には所望す
る波長で高反射率を有するとともに、耐溶剤性、耐湿性
等の化学的安定性に優れている。更に、密着性、耐摩耗
性といった物理的安定性にも優れている。従って、本発
明の金属回転多面鏡は実用的にきわめて有用である。
成層にＤＬＣ膜を用いることにより、光学的には所望す
る波長で高反射率を有するとともに、耐溶剤性、耐湿性
等の化学的安定性に優れている。更に、密着性、耐摩耗
性といった物理的安定性にも優れている。従って、本発
明の金属回転多面鏡は実用的にきわめて有用である。
【図１】本発明の金属回転多面鏡の実施例の斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の金属回転多面鏡の実施例の鏡面上の薄
膜の構成を説明するための模式断面図である。
膜の構成を説明するための模式断面図である。
【図３】実施例１でＤＬＣ膜の形成に用いたＥＣＲ−Ｐ
ＣＶＤ装置の模式図である。
ＣＶＤ装置の模式図である。
【図４】実施例２でＤＬＣ膜の形成に用いたＩＢＤ装置
の模式図である。
の模式図である。
【符号の説明】
１ 金属回転多面鏡の素材
２ クロム薄膜
３ 銅薄膜
４ Ａｌ２ Ｏ３ 薄膜
５ ＤＬＣ薄膜
６ 空胴共振器
７ 電磁石
８ マイクロ波導入窓
９ 導波管
１０ ガス導入口
１１ 基体
１２ 真空槽
１３ イオンビーム装置
１４ イオン化室
１５ ガス導入口
１６ イオンビーム引き出しグリッド１７
イオンビーム １８ 基体
イオンビーム １８ 基体
Claims (3)
- 【請求項１】 素材金属の鏡面上に、該素材金属より
も高反射率の金属薄膜が形成され、更に該金属薄膜上に
、ダイヤモンド状炭素膜が形成されていることを特徴と
する金属回転多面鏡。 - 【請求項２】 素材金属の鏡面上に、該素材金属より
も高反射率の金属薄膜が形成され、更に該金属薄膜上に
、水素化アモルファス炭素膜とダイヤモンド状炭素膜と
がこの順に交互に２層以上形成されていることを特徴と
する請求項１記載の金属回転多面鏡。 - 【請求項３】 アルミニウム素材の鏡面上に、クロム
薄膜を介して銅薄膜が形成され、更に該銅薄膜上に、Ｍ
ｇＦ２ ，Ａｌ２ Ｏ３ および水素化アモルファス炭
素膜から選ばれる１種の薄膜とダイヤモンド状炭素膜と
がこの順に交互に２層以上形成されていることを特徴と
する金属回転多面鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4558091A JPH04264513A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 金属回転多面鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4558091A JPH04264513A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 金属回転多面鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264513A true JPH04264513A (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=12723288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4558091A Pending JPH04264513A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 金属回転多面鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04264513A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002090638A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-27 | Olympus Optical Co Ltd | レーザ走査型光学顕微鏡 |
| US6545809B1 (en) * | 1999-10-20 | 2003-04-08 | Flex Products, Inc. | Color shifting carbon-containing interference pigments |
| US6916101B2 (en) * | 1999-12-24 | 2005-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Metallic mirror, metallic rotary polygonal mirror, and process for their production |
| JP2010002776A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Canon Electronics Inc | マイクロミラーデバイス、光走査装置及び画像形成装置 |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP4558091A patent/JPH04264513A/ja active Pending
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| US6751022B2 (en) | 1999-10-20 | 2004-06-15 | Flex Products, Inc. | Color shifting carbon-containing interference pigments and foils |
| US6831785B2 (en) | 1999-10-20 | 2004-12-14 | Flex Products, Inc. | Color shifting carbon-containing interference pigments |
| US6833959B2 (en) | 1999-10-20 | 2004-12-21 | Flex Products, Inc. | Color shifting carbon-containing interference pigments |
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| JP2002090638A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-27 | Olympus Optical Co Ltd | レーザ走査型光学顕微鏡 |
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