JPH04266068A - 光電変換素子及びその製造方法 - Google Patents

光電変換素子及びその製造方法

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JPH04266068A
JPH04266068A JP3045587A JP4558791A JPH04266068A JP H04266068 A JPH04266068 A JP H04266068A JP 3045587 A JP3045587 A JP 3045587A JP 4558791 A JP4558791 A JP 4558791A JP H04266068 A JPH04266068 A JP H04266068A
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conversion element
lower electrode
electrode
conductive layer
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Soichiro Kawakami
総一郎 川上
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Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光電変換素子、特には太
陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＣＯ２　の増加による温室効果で
地球の温暖化が生じることが予測され、クリーンなエネ
ルギーの要求がますます高まっている。また、ＣＯ２　
を排出しない原子力発電も、なお諸種の問題を残してお
り、より安全性の高いクリーンなエネルギーが望まれて
いる。将来期待されているクリーンなエネルギーのなか
でも、特に太陽電池はそのクリーンさと安全性と取り扱
いやすさから期待が大きい。
【０００３】各種太陽電池の中で、アモルファスシリコ
ン太陽電池や化合物半導体太陽電池は大面積に製造でき
、製造コストも安価であることから、熱心に研究されて
いる。しかし、大面積に製造すれば、電気的に短絡した
箇所が多く発生し、歩留まり低下を引き起こしていた。 特に、ステンレス基板などの金属基体を用いた場合には
、基板にキズや凹凸があり平坦でないために半導体層に
ピンホールができ、下部電極と上部電極との間で短絡す
る部分が数多く発生し、太陽電池の機能低下を招いてい
た。
【０００４】図６は導電性基体を用いて形成された光電
変換素子の短絡部の模式的断面構成図である。図６に於
て、６００は導電性基体、６０１は下部電極、６０２は
光電変換材としての半導体層、６０３は上部電極（透明
電極）、６０４は集電電極、６０５は短絡部である。６
００の導電性基体は下部電極を兼ねる場合もある。６０
５の短絡部は、大きく分けて、下部電極と上部電極とが
短絡している場合と、一部下部電極が半導体層で被覆さ
れていないピンホール部上に集電電極が形成され短絡し
ている場合との二通りがある。下部電極と上部電極とが
短絡している場合には、電解液中で、導電性基体あるい
は下部電極をカソード電極として電解還元し、下部電極
と上部電極とが短絡している箇所周辺の、上部電極透明
導電層を還元して電解液中に溶解する方法が、特願平２
−１１５８２２号に記載されている。しかし、前記透明
導電層を溶解した箇所の上に集電電極を形成した場合に
は、再度短絡が発生する場合があるという問題点が依然
残されていた。このため、上部電極６０３表面から入射
した光により、半導体層６０２に発生した電流は、光電
変換素子内に上記短絡部より形成される閉回路で消費さ
れるために、充分な光電変換機能を発揮できないでいた
。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の導電性基体を用いて形成された光電変換素子には、多
数の短絡箇所が存在し、外部に取り出せる電力の低下の
原因になっている。従って、上記取り出し電力の低下の
要因を取り除き、光電変換素子本来の能力を引き出すこ
とが望まれている。
【０００６】本発明の目的は、上述した従来の課題を解
決し、下部電極の半導体層で覆われていない部分が、短
絡の原因にならない構造の光電変換素子を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は上述した従来
の課題を解決するため鋭意研究した結果、半導体層で覆
われていない下部電極部分を選択的に絶縁体で被覆した
構造の光電変換素子にすることによって、外部取り出し
電流の増加を可能にし、光電変換効率を向上できるとい
う知見を得た。
【０００８】本発明によれば、下部電極としての導電層
、光電変換材としての半導体層及び上部電極としての透
明導電性酸化物層を、順次形成した光電変換素子に於て
、短絡の原因となる、半導体層で覆われていない下部電
極部分を、選択的に絶縁体で被覆した構造を特徴とする
光電変換素子、が提供される。ここで、前記下部電極と
しての導電層を導電性基体上に形成することができ、該
導電性基体の少なくとも一部で下部電極の少なくとも一
部を兼ねることができる。本発明によれば、以上の様な
光電変換素子の製造方法が提供される。
【０００９】本発明に依れば、潜在的に存在する短絡部
の原因となる箇所を選択的に絶縁化することに依って、
光電変換素子内の短絡を防止して、光電変換素子本来の
性能を最大限に引き出すことができる。
【００１０】本発明の主構成部分である絶縁被膜の形成
方法は、電着塗装、電解重合、電気分解のいずれかが最
適である。上記方法を用いれば、大面積光電変換素子で
あっても、短絡部の原因となる箇所を確定することなし
に、容易に、選択的に絶縁化することが可能である。
【００１１】図１と図２は、本発明の光電変換素子の例
を示す断面図である。図１と図２に於て、１００と２０
０は導電性基体、１０１と２０１は下部電極としての導
電層、１０２と２０２は半導体層、１０３と２０３は上
部電極としての透明導電層、１０４と２０４は集電電極
、１０５と２０５は半導体層で覆われていない下部電極
箇所（欠陥部）、１０６と２０６は該下部電極箇所を選
択的に被覆した絶縁体膜である。下部電極の少なくとも
一部は導電性基体の少なくとも一部で兼ねることも可能
である。
【００１２】本発明の図１の構成の光電変換素子の作製
手順を図３に示す。導電性基体１００上に下部電極１０
１と半導体層１０２を形成し（図３ａ）た後に、半導体
層１０２で覆われていない下部電極部を選択的に絶縁体
１０６で被覆し（図３ｂ）、次いで上部電極１０３と集
電電極１０４を形成して、本発明の図１の構成の光電変
換素子が得られる（図３ｃ）。
【００１３】本発明の図２の構成の光電変換素子の作製
手順を図４に示す。導電性基体２００上に下部電極２０
１と半導体層２０２と透明導電層２０３とを、順次形成
する（図４ａ）。次に、電解液中で、導電性基体２００
あるいは下部電極２０１をカソード電極として電解還元
し、下部電極２０１と透明導電層２０３とが短絡してい
る箇所周辺の透明導電層部分２０７を還元して電解液中
に溶解する（図４ｂ）。次いで、半導体層２０２で覆わ
れていない下部電極部を選択的に絶縁体２０６で被覆し
、集電電極２０４を形成して、本発明の図２の構成の光
電変換素子が得られる（図４ｃ）。
【００１４】図１の構成の光電変換素子は、図２の構成
の光電変換素子に比べて、作製工程数が少なくて済む。 一方、図２の構成の光電変換素子は、図１の構成の光電
変換素子に比べて、透明導電層の上部電極まで一貫した
ドライ工程で作製できるため、半導体層に水分が吸着す
ることがなく、より安定した特性が得られる。
【００１５】本発明の主構成部である、半導体層で覆わ
れていない短絡原因の下部電極部分を選択的に絶縁体で
被覆する方法を、具体的に以下に説明する。選択的に絶
縁体で被覆する方法である電着塗装、電解重合、電気分
解のいずれも図５に示す概略構成の電解処理装置を用い
る。図５において、５００は導電性基体、５０１は下部
電極、５０２は光電変換材としての半導体層、５０５は
欠陥部（半導体層で覆われていない下部電極部分）、５
０７は電解液、５０８は対向電極、５０９は直流電源、
５１０は導電性基体５０１の電解液５０７への接触を低
減し電解反応の効率低下を防止するための被覆材、５１
１は電解槽、５０６は電解反応により形成される絶縁体
膜、である。光電変換素子の導電性基体５００あるいは
下部電極５０１を一方の電極として、電解液中５０７で
、電着塗装、電解重合、電気分解反応を適宜の時間行な
う。他方の電極の材質としては、耐食性のある白金、炭
素、ニッケル、ステンレスなどが用いられる。上記電解
反応を効果的に行うために、光電変換素子の光入射側と
は逆の導電性基体表面を、アセチルセルロース膜やゴム
磁石などの絶縁性被覆材５１０で覆っている。
【００１６】電着塗装では、電解液５０７に水溶性塗料
（あるいは水分散性樹脂）溶液を用い、光電変換素子の
導電性基体５００と対向電極５０５との間に直流電源５
０９から直流電流を流し、短絡部５０５に選択的に絶縁
塗料の薄膜を析出させる。通常は、マイナスに帯電する
カルボキシル基を有する塗料を用い、導電性基体５００
をアノード電極とし、対向電極５０８をカソード電極と
して、電着塗装をする。導電性基体５００あるいは下部
電極５０１がアノード溶解する場合には、プラスに帯電
するアミノ基などを有する塗料を使用し、導電性基体５
００をカソード電極とし、対向電極５０８をアノード電
極として、電着塗装することができる。好ましい印加電
圧の範囲は５〜５０Ｖで、好ましい電流密度範囲は１〜
１０００ｍＡ／ｃｍ２　である。
【００１７】電解重合では、電解液中にモノマーを溶解
あるいは分散させ、光電変換素子の導電性基体５００を
アノード、対向電極５０８をカソードとして、カソード
とアノード間に直流電源５０９から直流電流を流し、短
絡部５０５に選択的に高分子薄膜を重合析出させる。電
解液は、溶媒に電解質を溶解したものを使用する。電解
質としては、Ｈ２　ＳＯ４　，ＨＣｌ，ＨＮＯ３　など
の酸、一価金属イオン（Ｌｉ＋　，Ｋ＋　，Ｎａ＋　，
Ｒｂ＋　，Ａｇ＋　）あるいはテトラアンモニウムイオ
ン（テトラブチルアンモニウムイオン：ＴＢＡ＋，テト
ラエチルアンモニウムイオン：ＴＥＡ＋　）とルイス酸
イオン（ＢＦ４−，ＰＦ６−，ＡｓＦ６−，ＣｌＯ４−
）から成る塩を用いる。電解液としては、ＣｕＣｌ２　
あるいはＦｅＣｌ３　を添加したものを用いてもよい。 溶媒としては、水、アルコール、アセトニトリル：ＣＨ
３　ＣＮ、ベンゾニトリル：Ｃ６　Ｈ５　ＣＮ、プロピ
レンカーボネイト：ＰＣ、ジメチルホルムアミド：ＤＭ
Ｆ、テトラハイドロフラン：ＴＨＦ、ニトロベンゼン：
Ｃ６　Ｈ５　ＮＯ２　などが使用される。高分子体の原
料であるモノマーには、ピロール、アニリン、チオフェ
ン、ベンゼン、フラン、ジメトキシフェノール、フェノ
ール、トリフェニルシラノール、チオフェノール、ビニ
ルカルバゾール、ピリダジン、セレノフェンなどの共役
二重結合を有する化合物が用いられる。好ましくは環状
化合物が用いられ、より好ましくは酸素原子あるいはケ
イ素原子を含有する環状化合物が用いられる。カソード
とアノード間の印加電圧は、０．５〜２０Ｖの範囲が好
ましい。電流密度は０．１〜１００ｍＡ／ｃｍ２　が好
ましい。高分子膜の密着性を高め、かつピンホールのな
い緻密な高分子膜を形成するためには、電解液の溶媒に
有機溶媒を使用するのがより好ましい。電解重合で得ら
れる高分子膜の絶縁性を高めるためには、電解重合の後
、印加電圧の極性を逆にして、すなわち導電性基体をカ
ソードにして、高分子膜に取り込まれた陰イオンをはき
出すのがより好ましい。
【００１８】電気分解では、光電変換素子の導電性基体
５００をアノード、対向電極５０８をカソードとして、
カソードとアノード間に直流電源５０９から直流電流を
流し、欠陥部５０５に選択的に陽極酸化で下部電極表面
に酸化被膜あるいは無機酸化被膜を形成する。陽極酸化
の電解液には、硫酸水溶液、シュウ酸水溶液、リン酸水
溶液、ホウ酸水溶液、クロム酸水溶液などが使用される
。無機酸化物形成のための電解液としては、ＭｎＳＯ４
　溶液、Ｈ２　ＳｉＦ６　溶液が用いられる。カソード
とアノード間の印加電圧は、０．５〜５０Ｖの範囲が好
ましい。電流密度は１〜１０００ｍＡ／ｃｍ２　が好ま
しい。
【００１９】本発明で用いられる光電変換素子の導電性
基体には、ステンレス、アルミニウム、銅、チタン、カ
ーボンシート、亜鉛メッキ鋼板等がある。下部電極とし
ての導電層の材質としては、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ａ
ｌ，Ａｇ，Ｎｉなどが用いられ、更に該金属層の上に金
属元素の半導体層への拡散防止層としてＺｎＯ，ＴｉＯ
２　，ＳｎＯ２　などの酸化物層を積層してもよい。上
記導電層の形成方法としては抵抗加熱蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング法などがある。
【００２０】本発明で用いられる光電変換素子の光電変
換材としての半導体層には、ｐｉｎ接合非晶質シリコン
，ｐｎ接合多結晶シリコン，ＣｕＩｎＳｅ２　／ＣｄＳ
等の化合物半導体が挙げられる。上記半導体層は、非晶
質シリコンの場合、シランガス等のプラズマＣＶＤによ
り、多結晶シリコンの場合、溶融シリコンのシート化に
より、ＣｕＩｎＳｅ２　／ＣｄＳの場合、電子ビーム蒸
着、スパッタリング、電析（電解液の電気分解による析
出）等の方法で、形成される。
【００２１】本発明で用いられる光電変換素子の上部電
極としての透明導電層に用いる材料としては、Ｉｎ２　
Ｏ３　，ＳｎＯ２　，Ｉｎ２　Ｏ３　−ＳｎＯ２　（Ｉ
ＴＯ），ＺｎＯ，ＴｉＯ２　，Ｃｄ２　ＳｎＯ４　，高
濃度不純物ドープした結晶性半導体層等があり、形成方
法としては抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング法、スプレー法、ＣＶＤ法、不純物拡散法等がある
。
【００２２】本発明で用いられる光電変換素子の集電電
極の材料としては、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ａｇ
，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎ及び銀ペースト、Ｎｉペーストなど
の導電性ペーストが用いられる。集電電極の形成方法に
は、マスクパターンを用いたスパッタリング、抵抗加熱
、ＣＶＤの蒸着方法、あるいは全面に金属層を蒸着した
後にエッチングしてパターニングする方法、光ＣＶＤに
より直接集電電極パターンを形成する方法、集電電極パ
ターンのネガパターンのマスクを形成した後にメッキに
より形成する方法、導電性ペーストを印刷して形成する
方法などがある。
【００２３】
【実施例】以下、本実施例に基づき本発明を詳細に説明
する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
【００２４】実施例１ 本実施例では図２の構成の光電変換素子であって導電性
基体にステンレス基板を用いた非晶質シリコン太陽電池
の場合の、作製手順に付いて具体的に説明する。
【００２５】まず、洗浄したステンレス基板２００上に
、Ｓｉを１％含有するＡｌとＺｎＯをスパッタリング法
によりそれぞれ膜厚５０００Å、１．５μｍ蒸着し下部
電極２０１を形成し、ついでＳｉＨ４　，ＰＨ３　，Ｂ
２　Ｈ６　，Ｈ２　ガス等のプラズマＣＶＤにより、ｎ
層の膜厚２００Å、ｉ層の膜厚４０００Å、ｐ層の膜厚
１００Åのｎｉｐの非晶質シリコン層２０２を形成した
後、膜厚８００ÅのＩＴＯを抵抗加熱蒸着し上部電極で
ある透明導電層２０３を形成した。次に、電解液ＡｌＣ
ｌ３　水溶液中で、ステンレス基板２００あるいは下部
電極２０１をカソード電極として３Ｖの電圧を印加し電
解還元し、下部電極２０１と透明導電層２０３とが短絡
している箇所周辺の、透明導電層を還元して電解液中に
溶解した。 ついで、ステンレス基板側表面をゴム磁石で覆い、テト
ラブチルアンモニウム過塩素酸塩のアセトニトリル溶液
０．５モル／リットルにフランを０．１モル／リットル
溶解させた電解液に浸し、ステンレス基板２００をアノ
ード、白金電極をカソードとして、カソードとアノード
間に直流電源から直流５．０Ｖを印加し、電流密度５ｍ
Ａ／ｃｍ２　で半導体層が覆われていない下部電極部２
０５に選択的に高分子薄膜を重合析出させた。更に、ス
テンレス基板２００をカソード、白金電極をアノードと
して、カソードとアノード間に直流２．０Ｖを印加し、
高分子膜に取り込まれた陰イオンの脱イオンを行った。 次に、感光性樹脂フィルムで、上部電極層上に集電電極
のネガパターンマスクを形成した後、硫酸含有の硫酸銅
水溶液を電解液として、上部電極２０３をカソード、含
リン銅板をアノードとして、集電電極パターンにニッケ
ル／銅のメッキをして集電電極２０４を形成し、図２の
構成の光電変換素子を得た。
【００２６】得られた光電変換素子の発生電流は、半導
体層が覆われていない下部電極部２０５に選択的に高分
子重合膜を形成しなかった光電変換素子に比べて、２０
％向上した。更に、得られた光電変換素子の、半導体層
で覆われていない下部電極部の欠陥密度を測定するため
に、硫酸銅水溶液中で、光電変換素子のステンレス基板
をカソードにして、半導体層が覆われていない下部電極
部と、下部電極と上部電極とが短絡している箇所に、銅
デコレーションを施した。顕微鏡観察にて欠陥数を数え
たところ、選択的に高分子重合膜を形成しなかった光電
変換素子の１／１００００であった。
【００２７】実施例２ 本実施例では、図１の構成で、半導体層が銅インジュウ
ムセレナイドである太陽電池を作製した。作製手順は、
導電性基体１００にステンレス基板を用い、スパッタリ
ング法でＭｏ導電層５０００Åを形成し、Ｃｕ層２００
０Å、Ｉｎ層４０００Åを順次形成した後、Ｈ２　Ｓｅ
蒸気中で処理し、４００℃窒素雰囲気中で熱処理を施し
、次にＺｎＣｄ層６０００Åをスパッタリング法で蒸着
し、半導体層１０２を形成した。ついで、ステンレス基
板表面をアセチルセルロース膜で覆い、ステンレス基板
１００あるいはＭｏ層１０１をアノード、白金電極をカ
ソードとして、アノードとカソード間に直流電圧４０Ｖ
を印加し、Ｍｏ導電層１０１の露出している部分に、絶
縁塗料を析出させた。電解液にはカルボキシル基系水溶
性塗料溶液を用いた。更に、ＺｎＯ７００Åをスパッタ
リング法で蒸着して透明導電層１０３を形成し、銀ペー
ストのスクリーン印刷により集電電極１０４を形成して
、図１の構成の光電変換素子を得た。
【００２８】得られた光電変換素子の発生電流は、電着
塗装処理のなかった光電変換素子に比べて、１８％向上
した。更に、銅デコレーションによる欠陥観察から、電
着塗装処理した光電変換素子の欠陥密度は、無処理のも
のの１／１２０００であった。
【００２９】実施例３ 本実施例では、図１の構成で、半導体層が非晶層シリコ
ンである太陽電池を作製した。作製手順は、導電性基体
１００にチタン基板を用い、実施例１と同様にして、洗
浄したチタン基板１００上に、スパッタリング法により
Ａｌの導電層１０１を膜厚５０００Å形成し、ついでプ
ラズマＣＶＤ法にてｎｉｐ層の非晶質シリコン半導体層
を形成した。次に、ＭｎＳＯ４　を０．３モル／リット
ル含む０．５モル／リットルの硫酸水溶液を電解液とし
て、チタン基板あるいはＡｌ層をアノード、炭素電極を
カソードとして、アノードとカソード間に直流電圧１０
Ｖを印加し、５ｍＡ／ｃｍ２　の電流密度でＡｌ層の露
出部を選択的に二酸化マンガンで被覆した。２００℃で
１時間熱処理した後に、電子ビーム蒸着法でＩｎ２　Ｏ
３　透明導電層１０３を膜厚８００Å蒸着し、集電電極
のネガパターンのメタルマスクを密着させて同じく電子
ビーム蒸着法でＣｒ／Ａｇ／Ｃｒをそれぞれ４００Å／
１００００Å／２００Åの膜厚に蒸着し、集電電極１０
４を形成して、図１の構成の光電変換素子を得た。
【００３０】得られた光電変換素子の発生電流は、電解
酸化処理のなかった光電変換素子に比べて、８％向上し
た。更に、銅デコレーションによる欠陥観察から、電解
酸化処理した光電変換素子の欠陥密度は、無処理のもの
の１／６０００であった。
【００３１】以上のように、実施例１、実施例２及び実
施例３で作製された光電変換素子の光電変換能の測定と
銅デコレーションによる欠陥観察から、本発明によれば
、光電変換素子内の短絡の発生を防ぎ、性能が向上する
ことがわかった。
【００３２】
【発明の効果】本発明の光電変換素子構造は、特に、ガ
ラス基板やシリコンウエハーのような平坦な基板でない
、短絡を発生させ易い、微小な突起の多いステンレスな
どの導電性基板を用いてその上に光電変換部を形成した
太陽電池に有効である。すなわち、本発明の特徴である
、短絡原因となる欠陥部の選択的な絶縁被覆によって、
大面積であっても容易に太陽電池素子の短絡部を減少さ
せ、取り出し電流を増加させることが可能になる。 さらには、短絡部が原因となる太陽電池の光劣化も低減
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光電変換素子の例を示す断面図である
。
【図２】本発明の光電変換素子の例を示す断面図である
。
【図３】図１の構成の光電変換素子の作製手順を示す図
である。
【図４】図２の構成の光電変換素子の作製手順を示す図
である。
【図５】電解処理装置の概略構成図である。
【図６】従来の光電変換素子の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１００，２００　　導電性基体 １０１，２０１　　下部電極層 １０２，２０２　　半導体層 １０３，２０３　　上部透明電極層 １０４，２０４　　集電電極 １０５，２０５　　欠陥部 １０６，２０６　　絶縁体膜 ５００　　導電性基体 ５０１　　下部電極層 ５０２　　半導体層 ５０５　　欠陥部 ５０６　　絶縁体膜 ５０７　　電解液 ５０８　　対向電極 ５１１　　電解槽

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　下部電極としての導電層、光電変換材
    としての半導体層及び上部電極としての透明導電層を順
    次形成した光電変換素子に於て、前記半導体層側にて前
    記下部電極としての導電層の前記半導体層で覆われてい
    ない部分が選択的に絶縁体で被覆されていることを特徴
    とする光電変換素子。
  2. 【請求項２】　　前記絶縁体が有機高分子体であること
    を特徴とする、請求項１に記載の光電変換素子。
  3. 【請求項３】　　前記絶縁体が電着塗装で形成された有
    機高分子体であることを特徴とする、請求項２に記載の
    光電変換素子。
  4. 【請求項４】　　前記絶縁体が電解重合で形成された有
    機高分子体であることを特徴とする、請求項２に記載の
    光電変換素子。
  5. 【請求項５】　　前記絶縁体が金属酸化物であることを
    特徴とする、請求項１に記載の光電変換素子。
  6. 【請求項６】　　前記絶縁体が電気分解で形成された金
    属酸化物であることを特徴とする、請求項５に記載の光
    電変換素子。
  7. 【請求項７】　　前記下部電極としての導電層が金属層
    あるいは金属層と金属酸化物層とから成ることを特徴と
    する、請求項１に記載の光電変換素子。
  8. 【請求項８】　　前記下部電極としての導電層が導電性
    基体上に形成されており、該導電性基体の少なくとも一
    部が下部電極の少なくとも一部を兼ねることを特徴とす
    る、請求項１に記載の光電変換素子。
  9. 【請求項９】　　請求項１に記載の光電変換素子を製造
    する方法において、下部電極としての導電層及び光電変
    換材としての半導体層を順次形成し、前記下部電極とし
    ての導電層を一方の電極とする電解処理により、前記半
    導体層側にて前記下部電極としての導電層の前記半導体
    層で覆われていない部分を選択的に絶縁体で被覆し、し
    かる後に前記上部電極としての透明導電層を形成するこ
    とを特徴とする、光電変換素子の製造方法。
  10. 【請求項１０】　　請求項１に記載の光電変換素子を製
    造する方法において、下部電極としての導電層、光電変
    換材としての半導体層及び上部電極としての透明導電層
    を順次形成し、前記下部電極としての導電層を一方の電
    極とする電解処理により、前記半導体層側にて前記下部
    電極としての導電層の前記半導体層で覆われていない部
    分の前記上部電極としての透明導電層部分を選択的に除
    去し、更に前記下部電極としての導電層を一方の電極と
    する電解処理により、前記半導体層側にて前記下部電極
    としての導電層の前記半導体層で覆われていない部分を
    選択的に絶縁体で被覆することを特徴とする、光電変換
    素子の製造方法。
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