JPH04267340A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH04267340A JPH04267340A JP3028330A JP2833091A JPH04267340A JP H04267340 A JPH04267340 A JP H04267340A JP 3028330 A JP3028330 A JP 3028330A JP 2833091 A JP2833091 A JP 2833091A JP H04267340 A JPH04267340 A JP H04267340A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 17
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- DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N chromium silicon Chemical compound [Si].[Cr] DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高耐圧の半導体集積回路
装置に関し、特に抵抗素子として薄膜抵抗を用いる半導
体集積回路装置に関する。
装置に関し、特に抵抗素子として薄膜抵抗を用いる半導
体集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術について図面を参照して説明す
る。図５，図６は従来技術による高耐圧ＮＰＮトランジ
スタの平面図，断面図である。素子分離方法としては、
高耐圧半導体集積回路装置でよく用いられる誘電体分離
法によるものを例に挙げているが、ここで問題にするわ
けではないので、他の分離方法でもよい。ＮＰＮトラン
ジスタのコレクタ電極３０２に正，エミッタフィールド
プレート電極３０６又はベースフィールドプレート電極
３０９に負の電圧が印加された場合、図６に示すように
ベース拡散層３０５を囲むように空乏層３１５が生じる
。空乏層３１５はエミッタフィールドプレート電極３０
６及びベースフィールドプレート電極３０９に沿って伸
びることにより空乏層内の電界強度が弱められ、高耐圧
を実現することができる。エミッタフィールドプレート
電極３０６及びベースフィールドプレート電極３０９は
通常アルミ等の金属電極で形成されている。またコレク
タとエミッタ間のリーク電流の吸収又は雑音等による誤
動作防止の為エミッタフィールドプレート電極３０６及
びベースフィールドプレート電極３０９からそれぞれ配
線３１６ａ，３１６ｂを引き出しエミッタ−ベース間に
シリコン・クロム薄膜抵抗３１１を接続している。図５
では、シリコン・クロム薄膜抵抗３１１は単結晶シリコ
ン島３０１ｂの上に形成しているが、必ずしも単結晶シ
リコン島上に形成する必要はなく、平坦な所であればよ
い。
る。図５，図６は従来技術による高耐圧ＮＰＮトランジ
スタの平面図，断面図である。素子分離方法としては、
高耐圧半導体集積回路装置でよく用いられる誘電体分離
法によるものを例に挙げているが、ここで問題にするわ
けではないので、他の分離方法でもよい。ＮＰＮトラン
ジスタのコレクタ電極３０２に正，エミッタフィールド
プレート電極３０６又はベースフィールドプレート電極
３０９に負の電圧が印加された場合、図６に示すように
ベース拡散層３０５を囲むように空乏層３１５が生じる
。空乏層３１５はエミッタフィールドプレート電極３０
６及びベースフィールドプレート電極３０９に沿って伸
びることにより空乏層内の電界強度が弱められ、高耐圧
を実現することができる。エミッタフィールドプレート
電極３０６及びベースフィールドプレート電極３０９は
通常アルミ等の金属電極で形成されている。またコレク
タとエミッタ間のリーク電流の吸収又は雑音等による誤
動作防止の為エミッタフィールドプレート電極３０６及
びベースフィールドプレート電極３０９からそれぞれ配
線３１６ａ，３１６ｂを引き出しエミッタ−ベース間に
シリコン・クロム薄膜抵抗３１１を接続している。図５
では、シリコン・クロム薄膜抵抗３１１は単結晶シリコ
ン島３０１ｂの上に形成しているが、必ずしも単結晶シ
リコン島上に形成する必要はなく、平坦な所であればよ
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体集積
回路装置では、トランジスタのエミッタとベース間に接
続する抵抗を配置する為面積がトランジスタの面積以外
に必要となり、半導体集積回路装置全体の面積が大きく
なるという欠点があった。
回路装置では、トランジスタのエミッタとベース間に接
続する抵抗を配置する為面積がトランジスタの面積以外
に必要となり、半導体集積回路装置全体の面積が大きく
なるという欠点があった。
【０００４】またエミッタフィールドプレート電極３０
９とベースフィールドプレート電極との間にフィールド
プレートの間げき３１７が存在する為、間げき３１７の
部分では空乏層３１５が十分に伸長せず耐圧が低下する
という欠点があった。この間げき３１７とトランジスタ
の耐圧との関係の一例を図７に示す。間げき３１７を１
０μｍ以下にすれば耐圧の低下は起らないが、間げき３
１７を狭くすればフィールドプレート電極間が短絡する
可能性も大きくなり、歩留りが低下するという問題があ
った。
９とベースフィールドプレート電極との間にフィールド
プレートの間げき３１７が存在する為、間げき３１７の
部分では空乏層３１５が十分に伸長せず耐圧が低下する
という欠点があった。この間げき３１７とトランジスタ
の耐圧との関係の一例を図７に示す。間げき３１７を１
０μｍ以下にすれば耐圧の低下は起らないが、間げき３
１７を狭くすればフィールドプレート電極間が短絡する
可能性も大きくなり、歩留りが低下するという問題があ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、半導体基板の主表面に選択拡散法により複数個
の回路素子が形成され、回路素子の電極間が配線により
接続して成る半導体集積回路装置において、回路素子と
してフィールドプレート電極の少なくとも一部が抵抗性
の薄膜により形成されている。
装置は、半導体基板の主表面に選択拡散法により複数個
の回路素子が形成され、回路素子の電極間が配線により
接続して成る半導体集積回路装置において、回路素子と
してフィールドプレート電極の少なくとも一部が抵抗性
の薄膜により形成されている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の第１の実施例を説明するための平面図
，図２は図１における線Ａ−Ａ’での断面図である。 本実施例は、多結晶シリコン１１３の支持基板中に埋込
まれた単結晶シリコン島１０１内に形成されたＮＰＮト
ランジスタに関する。アルミ等の金属電極のかわりにシ
リコン・クロム薄膜抵抗１１１をベース拡散層１０５の
縁端部分に円環状に形成し、フィールドプレート電極と
している。アルミで形成されたエミッタ電極１０６及び
ベース電極１０９は、図１中Ｂで示す部分でオーミック
接触している。
。図１は本発明の第１の実施例を説明するための平面図
，図２は図１における線Ａ−Ａ’での断面図である。 本実施例は、多結晶シリコン１１３の支持基板中に埋込
まれた単結晶シリコン島１０１内に形成されたＮＰＮト
ランジスタに関する。アルミ等の金属電極のかわりにシ
リコン・クロム薄膜抵抗１１１をベース拡散層１０５の
縁端部分に円環状に形成し、フィールドプレート電極と
している。アルミで形成されたエミッタ電極１０６及び
ベース電極１０９は、図１中Ｂで示す部分でオーミック
接触している。
【０００７】従って、エミッタ−ベース間に接続された
抵抗の抵抗値としては、円環状のシリコン・クロム薄膜
抵抗１１１の右半分と左半分との並列接続値となる。こ
のように構成されたＮＰＮトランジスタは抵抗用の面積
が不用となり、またフィールドプレート電極の間げきが
無いため耐圧の低下も無い。
抵抗の抵抗値としては、円環状のシリコン・クロム薄膜
抵抗１１１の右半分と左半分との並列接続値となる。こ
のように構成されたＮＰＮトランジスタは抵抗用の面積
が不用となり、またフィールドプレート電極の間げきが
無いため耐圧の低下も無い。
【０００８】次に本発明の第２の実施例を説明する。図
３は本実施例を説明するための平面図，図４は図３にお
ける線Ａ−Ａ’での断面図である。本実施例ではラテラ
ル型のＰＮＰトランジスタの例を示している。フィール
ドプレートの用法としては第１の実施例とは異なり、コ
レクタ拡散層２０３から伸びた空乏層２１５を、シリコ
ン・クロム薄膜抵抗２１１で形成されたエミッタ側のフ
ィールドプレート電極によって押さえることにより、空
乏層２１５がエミッタ拡散層２０７に接触しないように
している。本実施例におけるシリコン・クロム薄膜抵抗
２１１の用法としては、上記のフィールドプレート電極
とエミッタ抵抗として用いている。すなわち、抵抗電極
２１４から配線を引き出せば、エミッタと直列に抵抗が
接続された回路が構成される。図４中のＣ及びＤの部分
はそれぞれシリコン・クロム薄膜抵抗２１１とエミッタ
電極２０６及びシリコン・クロム薄膜抵抗２１１と抵抗
電極２１４とのオーミック接触面を示している。
３は本実施例を説明するための平面図，図４は図３にお
ける線Ａ−Ａ’での断面図である。本実施例ではラテラ
ル型のＰＮＰトランジスタの例を示している。フィール
ドプレートの用法としては第１の実施例とは異なり、コ
レクタ拡散層２０３から伸びた空乏層２１５を、シリコ
ン・クロム薄膜抵抗２１１で形成されたエミッタ側のフ
ィールドプレート電極によって押さえることにより、空
乏層２１５がエミッタ拡散層２０７に接触しないように
している。本実施例におけるシリコン・クロム薄膜抵抗
２１１の用法としては、上記のフィールドプレート電極
とエミッタ抵抗として用いている。すなわち、抵抗電極
２１４から配線を引き出せば、エミッタと直列に抵抗が
接続された回路が構成される。図４中のＣ及びＤの部分
はそれぞれシリコン・クロム薄膜抵抗２１１とエミッタ
電極２０６及びシリコン・クロム薄膜抵抗２１１と抵抗
電極２１４とのオーミック接触面を示している。
【０００９】本実施例においても、第１の実施例と同様
に抵抗用の面積を余分に必要としない。シリコン・クロ
ム薄膜抵抗２１１のシート抵抗値は、一例として膜厚約
１０ｎｍで１．５ＫΩ程度となり、実用に適した値であ
る。
に抵抗用の面積を余分に必要としない。シリコン・クロ
ム薄膜抵抗２１１のシート抵抗値は、一例として膜厚約
１０ｎｍで１．５ＫΩ程度となり、実用に適した値であ
る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、トランジ
スタのフィールドプレート電極の一部または全部を抵抗
性の薄膜で形成することにより、フィールドプレート電
極が回路素子としての抵抗を兼ねることになり、半導体
集積回路の面積を小さくすることができるという効果を
有する。
スタのフィールドプレート電極の一部または全部を抵抗
性の薄膜で形成することにより、フィールドプレート電
極が回路素子としての抵抗を兼ねることになり、半導体
集積回路の面積を小さくすることができるという効果を
有する。
【００１１】また、対向するフィールドプレート電極が
存在しないため、一対のフィールドプレート電極の間げ
きによる空乏層の伸びの抑制が無くなり、対向するフィ
ールドプレート電極の間の短絡も存在しなくなる。
存在しないため、一対のフィールドプレート電極の間げ
きによる空乏層の伸びの抑制が無くなり、対向するフィ
ールドプレート電極の間の短絡も存在しなくなる。
【００１２】具体的には、例えば本発明の第１の実施例
と従来例とを比較すると、約１５％の面積が減少する。 半導体集積回路装置が高耐圧素子のみからなる場合は、
最大１５％の面積減少効果が得られる。
と従来例とを比較すると、約１５％の面積が減少する。 半導体集積回路装置が高耐圧素子のみからなる場合は、
最大１５％の面積減少効果が得られる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための平面図
である。
である。
【図２】本発明の第１の実施例を説明するための断面図
であり、図１での線Ａ−Ａ’における断面図である。
であり、図１での線Ａ−Ａ’における断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための平面図
である。
である。
【図４】本発明の第２の実施例を説明するための断面図
であり、図３での線Ａ−Ａ’における断面図である。
であり、図３での線Ａ−Ａ’における断面図である。
【図５】従来の技術を説明するための平面図である。
【図６】従来の技術を説明するための断面図であり、図
５での線Ａ−Ａ’における断面図である。
５での線Ａ−Ａ’における断面図である。
【図７】従来の技術を説明するためのグラフであり、従
来の半導体集積回路装置の耐圧特性を示すグラフである
。
来の半導体集積回路装置の耐圧特性を示すグラフである
。
１０１，２０１，３０１ａ，３０１ｂ 単結晶シ
リコン島 １０２，２０２，３０２ コレクタ電極１０３，
２０３，３０３ コレクタ拡散層１０４，２０４
，３０４ コレクタコンタクト１０５，２０５，
３０５ ベース拡散層１０６，２０６ エ
ミッタ電極 １０７，２０７，３０７ エミッタ拡散層１０８
，２０８，３０８ エミッタコンタクト１０９，
２０９ ベース電極 １１０，２１０，３１０ ベースコンタクト１１
１，２１１，３１１ シリコン・クロム薄膜抵抗
１１２，２１２，３１２ シリコン酸化膜１１３
，２１３，３１３ 多結晶シリコン２１４
抵抗電極 ２１５，３１５ 空乏層 ３０６ エミッタフィールドプレート電極３０９
ベースフィールドプレート電極３１６ａ，３１
６ｂ 配線
リコン島 １０２，２０２，３０２ コレクタ電極１０３，
２０３，３０３ コレクタ拡散層１０４，２０４
，３０４ コレクタコンタクト１０５，２０５，
３０５ ベース拡散層１０６，２０６ エ
ミッタ電極 １０７，２０７，３０７ エミッタ拡散層１０８
，２０８，３０８ エミッタコンタクト１０９，
２０９ ベース電極 １１０，２１０，３１０ ベースコンタクト１１
１，２１１，３１１ シリコン・クロム薄膜抵抗
１１２，２１２，３１２ シリコン酸化膜１１３
，２１３，３１３ 多結晶シリコン２１４
抵抗電極 ２１５，３１５ 空乏層 ３０６ エミッタフィールドプレート電極３０９
ベースフィールドプレート電極３１６ａ，３１
６ｂ 配線
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の主表面に選択拡散法によ
り複数個の回路素子が形成され、前記回路素子の電極間
が配線により接続して成る半導体集積回路装置において
、前記回路素子としてフィールドプレート電極の少なく
とも一部が抵抗性の薄膜により形成されていることを特
徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3028330A JPH04267340A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3028330A JPH04267340A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04267340A true JPH04267340A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=12245604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3028330A Pending JPH04267340A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04267340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334888A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006351753A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP3028330A patent/JPH04267340A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334888A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006351753A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ |
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