JPH04271122A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路，　
特にＬＳＩ等の微細加工によるＤＲＡＭの製造装置であ
って、両端面にそれぞれマイクロ波透過窓とプラズマ引
出し窓とを備えるとともにメインコイルにより同軸に囲
まれ内部に電子サイクロトロン共鳴磁場領域が形成され
る軸対称のプラズマ生成室と、前記プラズマ引出し窓を
介してプラズマ生成室と連通し内部に被処理基板を保持
する基板台が配される反応室と、該基板台にＲＦバイア
スを印加するＲＦ電源とを備えてなるＥＣＲ　（電子サ
イクロトロン共鳴）　型プラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のプラズマ処理装置として
、例えば図３に示すものが知られている。この装置は、
マイクロ波の円筒型空洞共振器として形成されたプラズ
マ生成室３と，プラズマ生成室３を同軸に囲むメインコ
イル５と，被処理基板　（以下基板と記す）　９を保持
する基板台１０が配される反応室７と，基板９にＲＦバ
イアスを印加するＲＦ電源２０とを主な構成要素として
形成されている。

【０００３】プラズマ生成室３は両端面にそれぞれマイ
クロ波透過窓２とプラズマ引出し窓８とを備え、基板９
の表面に例えば絶縁膜としてＳｉＯ膜を形成する際には
、メインコイル５により、導波管１からマイクロ波透過
窓２を通して導入される，　ここでは周波数が２．４５
ＧＨｚ　のマイクロ波との電子サイクロトロン磁場領域
面　（以下ＥＣＲ領域面と記す）　がプラズマ生成室３
内に形成され、プラズマ生成ガス導入系４からプラズマ
生成室３内に導入されたＮ２　ＯガスがＥＣＲ領域面近
傍で効率よくプラズマ化される。このプラズマは、メイ
ンコイル５が形成する，基板台１０方向へ磁力線が広が
る発散磁界に沿ってプラズマ引出し窓８から基板台１０
方向へ移動しつつ、反応ガス導入系６から反応室７内へ
導入された反応ガスＳｉＨ４　を分解，　活性化する。 一方、反応室７の下方には、サブコイル１５がメインコ
イル５と同軸に配され、メインコイル５が形成する磁界
と反対方向の磁界を形成して、反応室７内に軸方向磁界
成分が零の，いわゆるカスプ面を有するカスプ磁界が形
成されており、発散磁界中央部の高磁束密度に対応して
中央部が高密度となって移動するプラズマがカスプ面近
傍で半径方向に急激に広がり、活性化された反応ガスと
ともに基板により均一な密度で到達する。

【０００４】さらに、基板９にはＲＦ電源２０から基板
台１０を介してＲＦバイアスが印加され、基板前面のプ
ラズマ中の電子とイオンとの移動度の差により、基板表
面の負のバイアス電位が現れており、このバイアス電位
による電界は反応室７の周壁へ向かうので基板表面の電
界強度は周縁側へ行くにつれて大きくなり、プラズマ中
のイオンがより多く基板周縁側へ引き寄せられ、プラズ
マはさらに均一な密度で基板に到達し、基板表面は均一
な密度で注入されるＯ＋　により反応活性化され、かつ
負のバイアス電位によるイオン衝撃効果も加わり、膜厚
が均一で膜質が緻密なＳｉＯ膜が形成される。そして、
この成膜に与かるプラズマは、低圧ガスを用い、プラズ
マ化に与かる電子の電子サイクロトロン運動をマイクロ
波周波数との共鳴状態で起こさせてマイクロ波電力を効
率よく電子に吸収させて作られるため、プラズマ密度，
　プラズマ活性が高く、基板温度が室温ないし２００　
℃の低温でも成膜が可能となり、サブミクロンルールの
微細加工を可能にする。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、基板９を保
持する基板台１０は、一般に機械的手段によるメカニカ
ルチャック式のものが用いられるが、チャックの腕が基
板の一部をおおい、この部分には半導体装置を形成する
ことができず、基板の貴重な表面の損失となる。また、
チャックの力が基板面のごく一部にしかかからないので
、基板が反っているような場合に反りを矯正して平坦化
するなどの機能を有しない。このため、静電引力を利用
して基板を平坦な絶縁層表面に密着状態に吸引保持する
静電チャックの利用が進みつつある。この静電チャック
は、外径が被処理基板の径より大きい吸引電極を形成す
るように一平面内に配された２枚の半円形平板電極など
複数の電極が該複数の板状電極の同側に共通の平坦な絶
縁層が形成されるように絶縁物内に埋め込まれてなるも
ので、その構造例が、例えば特公昭６３−１１４２６　
号公報に示されている。この構造例では、静電チャック
は、２枚のアルミニウム製の半円形平板電極を直径側を
対向させて一平面内に並べ全体として円形に形成された
吸引電極をポリエチレンなどの絶縁物内に埋め込んだも
のとされている。そして、このような構造の静電チャッ
クの場合には、基板へのＲＦバイアスの印加は、図４に
示すように、ＲＦ電源の非接地側端子を、ハイパスフィ
ルタを構成するコンデンサ２１を介して吸引電極に接続
することにより行われる。ここで、符号２３は直流電源
であり、静電チャック１１に吸引電圧を供給する。また
、符号２２はソレノイドからなるローパスフィルタを示
す。しかし、このような従来の静電チャックでは、次の
ような問題点があった。

【０００６】（１）　この種の静電チャックを基板台と
して用いた場合、絶縁層表面の基板で覆われない部分に
も成膜され、膜が堆積する。堆積厚さが１００　μｍ程
度になると、膜の内部応力のため、膜が剥がれはじめ、
基板にパーティクル汚染が生じるという問題があった。 基板表面はサブミクロンオーダの微細構造であるため、
同等の大きさをもつパーティクルが付着すると、半導体
装置の歩留りが著しく低下する。

【０００７】この問題を解決するため、装置内に堆積し
た膜を、厚さが１００　μｍ程度に達する前に、ふっ素
系のエッチングガスをプラズマ生成室内に導入してプラ
ズマ化し、このプラズマを膜に作用させて除去するドラ
イクリーニング方法が用いられている。しかしながら、
静電チャック周辺の膜を効率よく落とすためにＲＦバイ
アスを印加すると、静電チャック本体も同時にエッチン
グされ、静電チャックの絶縁物がセラミックスである場
合には、セラミックスの構成成分であるカーボン，ナト
リウムおよびその他の重金属により、反応室内部の汚染
が進むという問題があり、高速クリーニングができず、
このために装置のクリーニング時間が長くなり、装置の
稼動率を下げるという問題があった。静電チャックの絶
縁物にセラミックスを用いる理由は、絶縁物を例えばポ
リエチレンとした場合、ポリエチレンの軟化温度が１２
０　℃前後と低く、一方、低温成膜を特長とするＥＣＲ
型プラズマ処理装置でも、成膜時の基板温度が１５０　
〜２００　℃に達しうることから、静電チャックの低温
保持が必要となるが、ポリエチレンなどの有機合成樹脂
は熱伝導率が小さく、静電チャックの低温保持に多くの
配慮を必要とするからである。

【０００８】（２）　近年、半導体製造装置のスループ
ットを向上させるため、基板の直径が大きくなり、これ
に伴って静電チャック本体も大形化されつつある。しか
し基板の直径が２００　ｍｍオーダになると、基板周縁
部の電界を均一化するためには、直径が２００　ｍｍオ
ーダよりも十分大きい吸引電極を使用する必要があるが
、この場合には、静電チャックの大きさが、静電チャッ
クを既存のプラズマ処理装置に使用する場合などに制約
を受けることから、吸引電極を静電チャックの外径一杯
まで埋め込むこととなり、信頼性のある静電チャックを
得ることが非常に困難であるという問題があった。

【０００９】本発明の目的は、装置内部のドライクリー
ニング時に、ＲＦバイアスを印加して装置内を汚染させ
ることなく基板台周辺を高速にクリーニングすることが
でき、かつ大径の基板に対応して基板の全表面に膜厚，
　膜質の均一な膜を形成することのできるＥＣＲ型プラ
ズマ処理装置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明においては、両端面にそれぞれマイクロ波
透過窓とプラズマ引出し窓とを備えるとともにメインコ
イルにより同軸に囲まれ内部に電子サイクロトロン共鳴
磁場領域が形成される軸対称のプラズマ生成室と、前記
プラズマ引出し窓を介してプラズマ生成室と連通し内部
に被処理基板を保持する基板台が配される反応室と、該
基板台にＲＦバイアスを印加するＲＦ電源とを備えてな
るＥＣＲ型プラズマ処理装置を、前記基板台に、外径が
被処理基板の径より大きい吸引電極を形成するように一
平面内に配された２枚の半円形平板電極など複数の電極
が該複数の板状電極の同側に共通の平坦な絶縁層が形成
されるように絶縁物内に埋め込まれ静電引力により前記
絶縁層の表面に被処理基板を密着状態に吸引保持する静
電チャックが用いられるとともに、該絶縁層表面の周縁
側が、絶縁層を介して吸引電極と有意な幅をもって対向
するリング状対向面を有する，　外径が吸引電極よりも
大きいリング状金属面により覆われた装置とするものと
する。

【００１１】この場合、静電チャックの絶縁層表面の周
縁側をリング状に覆う金属面は、高さが該金属面の内側
の絶縁層表面よりも低くなるように、かつ内径が被処理
基板の径よりも小さくなるように形成すれば好適である
。

【００１２】そして、このように、リング状金属面の内
側の，被処理基板が密着状態に吸引保持される絶縁層表
面がリング状金属面より高く形成された静電チャックを
基板台に用いるプラズマ処理装置を、装置の内部に付着
した膜をエッチングガスを用いて除去するドライクリー
ニングが、静電チャックの絶縁層表面を被処理基板と同
一基板の両面にアルミニウムを蒸着してなる保護板で覆
って行われる装置とすれば好適である。

【００１３】なお、静電チャックの絶縁層表面の周縁側
をリング状に覆う金属面は金属スパッタ膜として形成す
るのがよい。

【００１４】

【作用】このように、絶縁層表面の周縁側が、絶縁層を
介して吸引電極と有意な幅をもって対向するリング状対
向面を有する，　外径が吸引電極よりも大きいリング状
金属面により覆われた静電チャックを基板台に用いるこ
とにより、ＲＦ電源を静電チャックの吸引電極に接続し
たとき、リング状金属面が絶縁層を誘電体として吸引電
極と容量結合されていることから、この金属面にも基板
とほぼ等しい負のバイアス電位が生じる。そして、リン
グ状金属面は吸引電極の周縁側を基板に対してシールド
するから、基板の周縁側電界が均一化されるとともに、
金属面には電界強度が半径方向に強くなる電界分布が形
成され、発散磁界とカスプ磁界とでほぼ均一化された基
板前面側のプラズマを均一化して、基板中央部から周縁
部まで膜厚，　膜質の均一な膜を形成することができる
。実験によれば、従来の膜厚分布４〜５％が２〜３％に
抑えられた。

【００１５】そして、静電チャックの絶縁層表面の周縁
側をリング状に覆う金属面を、高さが該金属面の内側の
絶縁層表面よりも低くなるように、かつ内径が被処理基
板の径よりも小さくなるように形成すれば、絶縁層表面
の周縁部に膜が堆積せず、従って、クリーニング時に、
絶縁層に含まれるカーボン，　ナトリウムおよびその他
の重金属により装置内部が汚染されることがない。これ
により、例えば装置内部に堆積したＳｉＯ膜をクリーニ
ング，　除去する際、静電チャックにＲＦバイアスを印
加してふっ素系クリーニングガス中のＦ＋　をリング状
金属面上に堆積したＳｉＯ膜に大量に供給することがで
き、絶縁層表面の周縁部が露出している場合と比べ、３
〜１０倍のエッチングレートでＳｉＯ膜を除去すること
ができる。

【００１６】また、装置内部のドライクリーニング時に
、静電チャックの絶縁層表面を、被処理基板と同一基板
の両面にアルミニウムを蒸着してなる保護板で覆うよう
にすると、保護板に金属板を用いる場合と比較して保護
板が軽量となり、特に、装置が、基板の被処理面を鉛直
方向下向きとして処理を行う装置の場合に保護板の吸着
が確実に行われ、誤って絶縁層がエッチングガスにより
侵されるおそれがなくなる。従って、絶縁層中のカーボ
ン，　ナトリウムおよびその他の重金属による装置内汚
染のおそれがなくなり、次の成膜時の，これら物質によ
る基板の汚染を避けて、製作される半導体装置の歩留り
を向上させることができる。

【００１７】また、リング状の金属面を金属スパッタ膜
により形成すると、金属面を寸法精度高く、かつ製造技
術上も容易に形成することができる。

【００１８】

【実施例】図１および図２に本発明によるプラズマ処理
装置の一実施例を示す。これらの図において、図３およ
び図４と同一の部材には同一符号が付されている。２枚
の半円形平板電極を一平面内に直径側を対向させて並べ
た吸引電極１１Ａ　を埋め込む円板状セラミックスの基
板９側絶縁層表面は、周縁側が中央部よりも高さが低い
リング状に形成され、この面と、この面と中央部の面と
の段差部側面と，円板状セラミックスの周壁面とにＡｌ
によるスパッタ膜１２が形成されている。絶縁層表面周
縁側のリング状の面は、内径を基板９の径よりも１０〜
２０ｍｍ小さく形成して、中央部の絶縁層表面に吸着，
保持された基板９が吸着時の搬送誤差により位置ずれが
あっても、絶縁層表面を確実に覆うようにするとともに
、Ａｌスパッタ膜のリング状の面と吸引電極１１Ａ　と
の間に容量結合に十分な幅のリング状対向面が形成され
るようにしている。また、中央部の絶縁層表面と周縁部
のリング状の面との段差は３０μｍとし、Ａｌスパッタ
膜の厚さを２０μｍとして、基板９が中央部の絶縁層表
面に確実に密着状態に吸引保持されるようにするととも
に、基板９の下面とＡｌスパッタ膜との間隙を小さくし
、かつ段差部のスパッタ膜を介することにより、基板９
とＡｌスパッタ膜とを実質接触状態として、ＲＦバイア
ス印加時にＡｌスパッタ膜に現れる負のバイアス電位が
基板９と実質同一となるようにしている。

【００１９】また、上述のように、静電チャックの絶縁
層表面の周縁側のリング状金属面をＡｌスパッタ膜とす
ることにより、リング状金属面を金属板等で形成する場
合と比較して、基板の下面と金属板上面とのギャップを
正確に確保することができ、また、製造技術上も形成が
容易である。

【００２０】静電チャックがこのように形成された装置
内部のドライクリーニング時には、基板が吸着保持され
る絶縁層表面は、被処理基板と同一部材の両面にＡｌを
スパッタ付着させた保護板により覆われる。この保護板
は、反応室７と隣接する，図示されないロードロック室
から搬入され、反応室７を大気開放することなく、成膜
工程につづいてドライクリーニング工程に入ることがで
きる。また、この発明で対象とする被処理基板はＳｉウ
エーハであり、両面をＡｌのスパッタ膜で覆ってもＡｌ
の金属板より軽量であり、静電チャックの吸着面が鉛直
方向下向きの場合、より確実に保護板を吸引保持するこ
とができる。

【００２１】静電チャックがこのように形成されたプラ
ズマ処理装置を用いて成膜およびクリーニングを行う際
のそれぞれの手順の一例を以下に示す。

【００２２】図示されていないマイクロ波電源から周波
数が２．４５ＧＨｚ　のマイクロ波を導波管１とマイク
ロ波透過窓２とを介して、真空排気されたプラズマ生成
室３内へ導入するとともに、メインコイル５により、プ
ラズマ生成室３内のマイクロ波透過窓近傍に約０．０９
Ｔの磁界を形成し、プラズマ生成ガス導入系４からＮ２
　Ｏをプラズマ生成室３内へ、反応ガス導入系６からＳ
ｉＨ４　を反応室内へそれぞれ３０ＳＣＣＭ，　１５Ｓ
ＣＣＭの流量で供給すると、まずプラズマ生成室３内で
は、マイクロ波透過窓近傍でマイクロ波と磁界との相互
作用によりマイクロ波電力が効率よくプラズマ生成ガス
に吸収されてプラズマ化され、このプラズマは、メイン
コイル５が形成する発散磁界に沿い、基板９方向へ移動
しつつ、反応室７内に供給された反応ガスＳｉＨ４　を
分解，　活性化する。一方、反応室７内には、メインコ
イル５と、メインコイル５と直列に接続されたサブコイ
ル１５とにより、成膜上最適の位置にカスプ面を有する
カスプ磁界が形成されており、このカスプ磁界ならびに
静電チャック１１に供給される，周波数が４００ｋＨｚ
，　電力が８００　ＷのＲＦバイアスにより、基板９前
面側のプラズマ密度が均一化され、かつ基板９に現れる
負のバイアス電位によりプラズマ中のＯ＋　が基板に注
入されて基板表面反応が活性化され、膜厚分布および膜
質の良好なＳｉＯ膜が形成される。膜厚分布は従来の４
〜５％に対し、２〜３％の分布が得られた。しかし、こ
のとき、基板まわりのリング状金属面にもＳｉＯ膜が堆
積する。

【００２３】そこで、基板９を５０枚処理して、リング
状金属面上の膜が２０μｍ程度の厚みに堆積したところ
でドライクリーニングの工程に入る。この工程は、第１
ステップとして１００　分間、エッチングガスとしてＳ
Ｆ６　を１００ＳＣＣＭ　の流量でプラズマ生成室３内
へ供給してＥＣＲ　（電子サイクロトロン共鳴）　プラ
ズマを発生させるとともに、サブコイル１５の電流の向
きを反対にして装置内にミラー磁界を作り、活性なイオ
ン，　ラジカルを反応室７の側壁に積極的に供給して、
側壁に堆積した膜を効果的にエッチング除去する。第２
ステップとして３０分間、ＳＦ６　を５０ＳＣＣＭの流
量で供給するとともに、ＲＦ電力を６００　Ｗ供給する
と、主にリング状金属面に活性なイオン，　ラジカルが
供給され、堆積した膜が効果的にエッチングされる。第
３ステップとして、ＳＦ６　をＮ２　Ｏに切り換え、か
つ反応室７内にＳｉＨ４を供給することにより、装置内
部へ１μｍ厚の成膜を行い、装置内部表面からのガス放
出とパーティクルの飛散とを防止して、クリーニング工
程を終了する。

【００２４】

【発明の効果】以上に述べたように、本発明においては
、プラズマ処理装置内の基板台に静電チャックを用い、
かつこの静電チャックを、絶縁層表面の周縁側が、絶縁
層を介して吸引電極と有意な幅をもって対向するリング
状対向面を有する，　外径が吸引電極よりも大きいリン
グ状金属面により覆われた構造としたので、静電チャッ
クの吸引電極にＲＦ電源を接続したとき、この金属面に
も基板とほぼ等しい負のバイアス電位が生じる。そして
、リング状金属面は吸引電極の周縁側を基板に対してシ
ールドするから、基板の周縁側電界が均一化されるとと
もに、金属面には電界強度が半径方向に強くなる電界分
布が形成され、基板中央部から周縁部までの全表面に膜
厚，　膜質の均一な膜を形成することができる。

【００２５】また、静電チャックの絶縁層表面の周縁側
をリング状に覆う金属面を、高さが該金属面の内側の絶
縁層表面よりも低くなるように、かつ内径が被処理基板
の径よりも小さくなるように形成することにより、絶縁
層表面の周縁部に膜が堆積せず、従って、クリーニング
時に、絶縁層に含まれるカーボン，ナトリウムおよびそ
の他の重金属により装置内部が汚染されることがない。 これにより、例えば装置内部に堆積したＳｉＯ膜をクリ
ーニング，　除去する際、静電チャックにＲＦバイアス
を印加してふっ素系クリーニングガス中のＦ＋　をリン
グ状金属面上に堆積したＳｉＯ膜に大量に供給すること
ができ、絶縁層表面の周縁部が露出している場合と比べ
、３〜１０倍のエッチングレートでＳｉＯ膜を除去する
ことができる。具体的な一例として、実施例の項で示し
たクリーニングの第２ステップに従来必要とした１００
　分程度の時間を３０分程度に短縮することができるよ
うになった。

【００２６】そして、装置内部のドライクリーニング時
に、静電チャックの絶縁層表面を、被処理基板と同一基
板の両面にアルミニウムを蒸着してなる保護板で覆うこ
とにより、保護板が金属板より軽量であることから、特
に、装置が、基板の被処理面を鉛直方向下向きとして処
理を行う装置の場合に保護板の吸着が確実に行われ、誤
って絶縁層がエッチングガスにより侵されるおそれがな
くなる。従って、絶縁層中のカーボン，　ナトリウムお
よびその他の重金属による装置内汚染のおそれがなくな
り、次の成膜時の，これら物質による基板の汚染を避け
て、製作される半導体装置の歩留りを向上させることが
できる。

【００２７】また、静電チャックの絶縁層表面の周縁部
をリング状に覆う金属面を金属スパッタ膜で形成するこ
とにより、金属面を寸法精度高く、かつ製造技術上も容
易に形成することができる。

【００２８】このように、本発明によれば、基板を汚染
することなく、基板の全表面に膜厚、膜質が均一で膜質
の良好な膜を形成し、かつクリーニングを高速に行うこ
とができる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプラズマ処理装置構造の一実施例
を示す縦断面図

【図２】本発明によるプラズマ処理装置の基板台を構成
する静電チャック構造の一実施例を示す図であって、同
図（ａ）　は静電チャックへのＲＦバイアス電力の供給
方法を合わせて示す，　基板台の全体構成図、同図（ｂ
）は同図（ａ）　におけるＡ部の拡大図

【図３】従来のプラズマ処理装置の一構成例を示す縦断
面図

【図４】従来のプラズマ処理装置の，図３と異なる構造
例を示す縦断面図

【符号の説明】

２　　　　マイクロ波透過窓 ３　　　　プラズマ生成室 ５　　　　メインコイル ７　　　　反応室 ８　　　　プラズマ引出し窓 ９　　　　基板（被処理基板） １０　　　　基板台 １１　　　　静電チャック １１Ａ　　吸引電極 １２　　　　金属面 １５　　　　サブコイル ２０　　　　ＲＦ電源

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】両端面にそれぞれマイクロ波透過窓とプラ
   ズマ引出し窓とを備えるとともにメインコイルにより同
   軸に囲まれ内部に電子サイクロトロン共鳴磁場領域が形
   成される軸対称のプラズマ生成室と、前記プラズマ引出
   し窓を介してプラズマ生成室と連通し内部に被処理基板
   を保持する基板台が配される反応室と、該基板台にＲＦ
   バイアスを印加するＲＦ電源とを備え、プラズマ生成室
   内で生成されたプラズマを用いて被処理基板の表面に膜
   形成あるいはエッチングなどの処理を施すプラズマ処理
   装置において、前記基板台に、外径が被処理基板の径よ
   り大きい吸引電極を形成するように一平面内に配された
   ２枚の半円形平板電極など複数の電極が該複数の板状電
   極の同側に共通の平坦な絶縁層が形成されるように絶縁
   物内に埋め込まれ静電引力により前記絶縁層の表面に被
   処理基板を密着状態に吸引保持する静電チャックが用い
   られるとともに、該絶縁層表面の周縁側が、絶縁層を介
   して吸引電極と有意な幅をもって対向するリング状対向
   面を有する，　外径が吸引電極よりも大きいリング状金
   属面により覆われていることを特徴とするプラズマ処理
   装置。
2. 【請求項２】請求項第１項に記載のプラズマ処理装置に
   おいて、静電チャックの絶縁層表面の周縁側をリング状
   に覆う金属面は、高さが該金属面の内側の絶縁層表面よ
   りも低くなるように、かつ内径が被処理基板の径よりも
   小さくなるように形成されていることを特徴とするプラ
   ズマ処理装置。
3. 【請求項３】請求項第２項に記載のプラズマ処理装置に
   おいて、リング状金属面の内側の，被処理基板が密着状
   態に吸引保持される絶縁層表面が、該装置の内部に付着
   した膜をエッチングガスを用いて除去するドライクリー
   ニング時に、被処理基板と同一基板の両面にアルミニウ
   ムを蒸着してなる保護板により覆われることを特徴とす
   るプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】請求項第１項または第２項に記載のプラズ
   マ処理装置において、静電チャックの絶縁層表面の周縁
   側をリング状に覆う金属面は金属スパッタ膜として形成
   されることを特徴とするプラズマ処理装置。