JPH04271347A - フォトマスク修正方法 - Google Patents
フォトマスク修正方法Info
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- JPH04271347A JPH04271347A JP3053724A JP5372491A JPH04271347A JP H04271347 A JPH04271347 A JP H04271347A JP 3053724 A JP3053724 A JP 3053724A JP 5372491 A JP5372491 A JP 5372491A JP H04271347 A JPH04271347 A JP H04271347A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレーザを用いたフォトマ
スクの修正方法に関し、特に大きい欠陥を修正する際に
作業性と修正精度を向上できる修正方法に関する。
スクの修正方法に関し、特に大きい欠陥を修正する際に
作業性と修正精度を向上できる修正方法に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路(IC)や液晶素子(CLD)
のパネルの製造に用いられるフォトマスクには黒欠陥と
白欠陥の2種類の欠陥が発生する。図6はこのマスクの
構成をを示す図で、透明なガラス基板111上に蒸着さ
れた厚さ1000オングストローム程度のクロム膜11
0で形成され、クロム膜のついた遮光部114とクロム
膜のついていない透明部115から成っている。黒欠陥
は上述の透明部にクロム膜が残留している欠陥で、一方
、白欠陥は遮光部のクロム膜が一部欠損している欠陥で
ある。
のパネルの製造に用いられるフォトマスクには黒欠陥と
白欠陥の2種類の欠陥が発生する。図6はこのマスクの
構成をを示す図で、透明なガラス基板111上に蒸着さ
れた厚さ1000オングストローム程度のクロム膜11
0で形成され、クロム膜のついた遮光部114とクロム
膜のついていない透明部115から成っている。黒欠陥
は上述の透明部にクロム膜が残留している欠陥で、一方
、白欠陥は遮光部のクロム膜が一部欠損している欠陥で
ある。
【0003】この内、黒欠陥を修正するために通常はレ
ーザリペアあるいはレーザマスクリペアと呼ばれる装置
が用いられている。図5はこの種の装置の一般的構成を
示す図であり、レーザ光源1、ビームエキスパンダ2、
スリット4、スリット照明光源5、対物レンズ7、落射
照明光源9、接眼鏡10、フォトマスク11、マスクホ
ルダー12、XYステージ13、透過照明光源14等か
ら成っている。なお、これら各構成要素を制御するコン
ピュータや操作部等は図示していない。
ーザリペアあるいはレーザマスクリペアと呼ばれる装置
が用いられている。図5はこの種の装置の一般的構成を
示す図であり、レーザ光源1、ビームエキスパンダ2、
スリット4、スリット照明光源5、対物レンズ7、落射
照明光源9、接眼鏡10、フォトマスク11、マスクホ
ルダー12、XYステージ13、透過照明光源14等か
ら成っている。なお、これら各構成要素を制御するコン
ピュータや操作部等は図示していない。
【0004】レーザ光源としては通常パルス励起Qスイ
ッチYAGレーザが用いられ、パルス幅は数nsから数
十ns程度、エネルギーは1パルス当り数十μJから数
μJの範囲である。レーザ光源1から出射したレーザ光
は、ビームエキスパンダ2によりビーム径を拡大され、
かつ平行ビームにされた後ダイクロイックミラー3で反
射されてスリット4に入射する。ダイクロイックミラー
3はレーザ光を100%近く反射し、スリット照明光源
5から出射したレーザ光とは異なる波長の可視光を全透
過させる特性を有するミラーである。
ッチYAGレーザが用いられ、パルス幅は数nsから数
十ns程度、エネルギーは1パルス当り数十μJから数
μJの範囲である。レーザ光源1から出射したレーザ光
は、ビームエキスパンダ2によりビーム径を拡大され、
かつ平行ビームにされた後ダイクロイックミラー3で反
射されてスリット4に入射する。ダイクロイックミラー
3はレーザ光を100%近く反射し、スリット照明光源
5から出射したレーザ光とは異なる波長の可視光を全透
過させる特性を有するミラーである。
【0005】図10はスリット4の構成を示す図であり
、通常は4枚のナイフエッジを直角に組合せたもので、
開口部は矩形となるようにしてある。そして開口サイズ
は任意に変えられるように各ナイフエッジは平行移動で
きるようになっている。また、このスリットはレーザ光
軸の回りの全体が回転できるようになっているのが通例
である。このスリットにより矩形状に整形されたレーザ
光及びスリット照明光は、ダイクロイックミラー6で反
射されて対物レンズ7に入射し、フォトマスク11上に
集光・照射される。
、通常は4枚のナイフエッジを直角に組合せたもので、
開口部は矩形となるようにしてある。そして開口サイズ
は任意に変えられるように各ナイフエッジは平行移動で
きるようになっている。また、このスリットはレーザ光
軸の回りの全体が回転できるようになっているのが通例
である。このスリットにより矩形状に整形されたレーザ
光及びスリット照明光は、ダイクロイックミラー6で反
射されて対物レンズ7に入射し、フォトマスク11上に
集光・照射される。
【0006】ダイクロイッムミラー6はレーザ光を10
0%近く反射し、レーザ光と異なる波長の可視光を50
%程度反射させる特性を有する。対物レンズ7としては
通常顕微鏡用対物レンズが用いられ、図示はしないが観
察倍率を変えるために4〜5種類の異なる倍率のレンズ
を備え、随時切換えられるよう構成してある。
0%近く反射し、レーザ光と異なる波長の可視光を50
%程度反射させる特性を有する。対物レンズ7としては
通常顕微鏡用対物レンズが用いられ、図示はしないが観
察倍率を変えるために4〜5種類の異なる倍率のレンズ
を備え、随時切換えられるよう構成してある。
【0007】なお、スリット4とフォトマスク11は対
物レンズ7に対して物点と像点の関係になるよう配置さ
れる。つまり、レーザ光及びスリット照明光で照明され
たスリットの像が(以後スリット像と呼ぶ)がフォトマ
スク上に結像されるような位置関係に配置されている。 さらに、スリット像は通常1/100程度に縮小して結
像されるようにしてあるので、例えばスリットの開口サ
イズが1mm角の時、フォトマスク11上では10μm
角となる。
物レンズ7に対して物点と像点の関係になるよう配置さ
れる。つまり、レーザ光及びスリット照明光で照明され
たスリットの像が(以後スリット像と呼ぶ)がフォトマ
スク上に結像されるような位置関係に配置されている。 さらに、スリット像は通常1/100程度に縮小して結
像されるようにしてあるので、例えばスリットの開口サ
イズが1mm角の時、フォトマスク11上では10μm
角となる。
【0008】落射照明光源9はフォトマスク11を反射
像として観察するための光源、透過照明光源14はフォ
トマスク11を透過像として観察するための光源である
。接眼鏡10はフォトマスク11を観察するための手段
であるが、TVカメラとTVモニタを用いてもよい。
像として観察するための光源、透過照明光源14はフォ
トマスク11を透過像として観察するための光源である
。接眼鏡10はフォトマスク11を観察するための手段
であるが、TVカメラとTVモニタを用いてもよい。
【0009】次に、7図を用いてこのようなレーザマス
クリペアによりフォトマスクの黒欠陥(以後は単に欠陥
と呼ぶ)を修正する手段について述べる。今、図7(a
)に示すような欠陥112があったする。スリット像が
接眼鏡の視野内に見えているので、まずスリットの開口
サイズ(以後単にスリットサイズと呼ぶ)を欠陥の大き
さに合せて少し大きめのサイズに調節する。次に、図7
(b)に示すように、XYステージを微調して欠陥をス
リット像の位置に目合せする。この時、マスクパターン
のエッジとスリット像のエッジの平行度が合っていなけ
ればスリットの回転角度を微調して平行度を合わせる。 このような目合せを終えたらにレーザを発射する。 通常パルス励起QスイッチYAGレーザの場合、1ショ
ットあるいは2ショットで欠陥を除去できる。図7(c
)はこのようにして修正した後のパターンである。
クリペアによりフォトマスクの黒欠陥(以後は単に欠陥
と呼ぶ)を修正する手段について述べる。今、図7(a
)に示すような欠陥112があったする。スリット像が
接眼鏡の視野内に見えているので、まずスリットの開口
サイズ(以後単にスリットサイズと呼ぶ)を欠陥の大き
さに合せて少し大きめのサイズに調節する。次に、図7
(b)に示すように、XYステージを微調して欠陥をス
リット像の位置に目合せする。この時、マスクパターン
のエッジとスリット像のエッジの平行度が合っていなけ
ればスリットの回転角度を微調して平行度を合わせる。 このような目合せを終えたらにレーザを発射する。 通常パルス励起QスイッチYAGレーザの場合、1ショ
ットあるいは2ショットで欠陥を除去できる。図7(c
)はこのようにして修正した後のパターンである。
【0010】同様に、図8を用いて欠陥が斜め方向にあ
る場合について説明すると、図8(a)に示すスリット
の回転角度をその方向に合わせることにより修正するこ
とができる。また、スリットサイズを超える大きな欠陥
の場合、何回かに分けて修正作業をくり返せばよい。例
えば図8(b)に示すように最大スリットサイズの2倍
位の欠陥であれば、1回目で半分を除去し、図8(c)
のように2回目で残り半分を除去すればよい。
る場合について説明すると、図8(a)に示すスリット
の回転角度をその方向に合わせることにより修正するこ
とができる。また、スリットサイズを超える大きな欠陥
の場合、何回かに分けて修正作業をくり返せばよい。例
えば図8(b)に示すように最大スリットサイズの2倍
位の欠陥であれば、1回目で半分を除去し、図8(c)
のように2回目で残り半分を除去すればよい。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】この従来のレーザマス
クリペアでは、レーザエネルギーの制限から最大スリッ
トサイズは50μm角程度である。したがって、これを
超える大きな欠陥は何回かに分けて修正をくり返す必要
があるが、この場合オペレータの熟練度により修正部の
エッジが所望のパターンエッジラインからずれて修正精
度が低下するという問題点がある。特に、欠陥が接眼鏡
の視野からはみ出すくらい大きい場合にこの問題は顕著
となる。
クリペアでは、レーザエネルギーの制限から最大スリッ
トサイズは50μm角程度である。したがって、これを
超える大きな欠陥は何回かに分けて修正をくり返す必要
があるが、この場合オペレータの熟練度により修正部の
エッジが所望のパターンエッジラインからずれて修正精
度が低下するという問題点がある。特に、欠陥が接眼鏡
の視野からはみ出すくらい大きい場合にこの問題は顕著
となる。
【0012】ここで図9を用いて上記の問題について説
明する。欠陥が図9(a)の112に示すような場合は
、エッジライン113(図中の一点鎖線)は実際には見
えない。今、欠陥の大きさが230×40μm程度であ
るとすると、最大スリットサイズが50μm角なので図
9(b)に示すように5回に分けて修正を施さなければ
ならない。ここで図11を用いて通常のレーザマスクリ
ペアの1回で修正精度を説明すると、(a)のような修
正前の状態から(b)のような食い込み型か(c)のよ
うな出っぱり型とも0.3μm程度となる。したがって
、5回に分けた場合、図9(c),(d)に示すように
極端な場合、1.5μmの位置ずれが生じることになる
。ただし、図9(d)のような出っぱり型の場合、再度
注意深く修正を施せばもう少し位置ずれを少なくできる
可能性もあるが、逆に図9(c)のようにくいこみ型に
なる危険性もある。
明する。欠陥が図9(a)の112に示すような場合は
、エッジライン113(図中の一点鎖線)は実際には見
えない。今、欠陥の大きさが230×40μm程度であ
るとすると、最大スリットサイズが50μm角なので図
9(b)に示すように5回に分けて修正を施さなければ
ならない。ここで図11を用いて通常のレーザマスクリ
ペアの1回で修正精度を説明すると、(a)のような修
正前の状態から(b)のような食い込み型か(c)のよ
うな出っぱり型とも0.3μm程度となる。したがって
、5回に分けた場合、図9(c),(d)に示すように
極端な場合、1.5μmの位置ずれが生じることになる
。ただし、図9(d)のような出っぱり型の場合、再度
注意深く修正を施せばもう少し位置ずれを少なくできる
可能性もあるが、逆に図9(c)のようにくいこみ型に
なる危険性もある。
【0013】このように、欠陥が接眼鏡の視野内に入り
きれないような大きな欠陥の場合、所望のパターンエッ
ジラインをオペレータが想像しながらスリット像と目合
せを行なわねばならず、したがって位置ずれが累積して
修正精度が低下するだけでなく、作業性も悪いという問
題点がある。
きれないような大きな欠陥の場合、所望のパターンエッ
ジラインをオペレータが想像しながらスリット像と目合
せを行なわねばならず、したがって位置ずれが累積して
修正精度が低下するだけでなく、作業性も悪いという問
題点がある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスク修
正方法は、レーザ光源と、該レーザ光源から出射したレ
ーザ光を矩形状に整形する手段と、該レーザ光をXYス
テージ上に載置されたフォトマスクに集光・照射しつつ
該フォトマスクパターンを観察する手段と、該XYステ
ージを所望の位置に位置決めする制御手段とを備え、該
フォトマスクの黒欠陥を修正するフォトマスク修正方法
において、所望の2点の位置座標を指定して、該2点間
を結ぶ直線に沿って一定間隔で自動的にXYステージを
位置決めするか、あるいは連続的に移動させながらレー
ザ光を照射できるようにしたことを特徴とする。
正方法は、レーザ光源と、該レーザ光源から出射したレ
ーザ光を矩形状に整形する手段と、該レーザ光をXYス
テージ上に載置されたフォトマスクに集光・照射しつつ
該フォトマスクパターンを観察する手段と、該XYステ
ージを所望の位置に位置決めする制御手段とを備え、該
フォトマスクの黒欠陥を修正するフォトマスク修正方法
において、所望の2点の位置座標を指定して、該2点間
を結ぶ直線に沿って一定間隔で自動的にXYステージを
位置決めするか、あるいは連続的に移動させながらレー
ザ光を照射できるようにしたことを特徴とする。
【0015】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例を示すためのマスタパター
ンの欠陥の例で、接眼鏡の視野内に入りきれない大きな
欠陥112があったと仮定する。図3は上記の欠陥を修
正する工程のフローを示す。左側にオペレータの主な操
作フロー、右側に制御系の主な動作フローを対比させて
示す。
る。図1は本発明の一実施例を示すためのマスタパター
ンの欠陥の例で、接眼鏡の視野内に入りきれない大きな
欠陥112があったと仮定する。図3は上記の欠陥を修
正する工程のフローを示す。左側にオペレータの主な操
作フロー、右側に制御系の主な動作フローを対比させて
示す。
【0016】まず、欠陥の大きさに応じてスリットサイ
ズを設定する。この時、制御系は後で必要なピッチ送り
量を計算する。また、オペレータは欠陥の存在しないエ
ッジラインを用いて、スリットの回転角を慎重に調節し
ておく。
ズを設定する。この時、制御系は後で必要なピッチ送り
量を計算する。また、オペレータは欠陥の存在しないエ
ッジラインを用いて、スリットの回転角を慎重に調節し
ておく。
【0017】次に、図1(a)に示すようにXYステー
ジをマニュアル移動させて欠陥の始点P1 をスリット
像41のコーナに目合せし、完了ボタンを押す。これに
より制御系はP1 座標を座標カウンタから取り込んで
記憶する。
ジをマニュアル移動させて欠陥の始点P1 をスリット
像41のコーナに目合せし、完了ボタンを押す。これに
より制御系はP1 座標を座標カウンタから取り込んで
記憶する。
【0018】同様に、図1(b)に示すように欠陥の終
点Pm を目合せし、完了ボタンを押す。同様に、制御
系はPm 座標を記憶する。以上の操作を終えると、制
御系は最初のP1 と最後のPm の座標値からエッジ
ラインの位置、すなわち修正時のXYステージの移動方
向と、ピッチ送りの回数を計算する。
点Pm を目合せし、完了ボタンを押す。同様に、制御
系はPm 座標を記憶する。以上の操作を終えると、制
御系は最初のP1 と最後のPm の座標値からエッジ
ラインの位置、すなわち修正時のXYステージの移動方
向と、ピッチ送りの回数を計算する。
【0019】次に、図2(a)に示すようにオペレータ
はXYステージP1へ戻し、再度スリット像と目合せを
行なう。そして、XYステージの移動モードをINDE
Xモードに設定する。このモードはXYテージを一定距
離だけ移動さす時に使用するもので、通常はIC用のフ
ォトマスクで繰り返し欠陥が生じた場合に有用となる。 このために、普通は操作パネルに距離を入力するための
ディジタルスイッチが設けられている。
はXYステージP1へ戻し、再度スリット像と目合せを
行なう。そして、XYステージの移動モードをINDE
Xモードに設定する。このモードはXYテージを一定距
離だけ移動さす時に使用するもので、通常はIC用のフ
ォトマスクで繰り返し欠陥が生じた場合に有用となる。 このために、普通は操作パネルに距離を入力するための
ディジタルスイッチが設けられている。
【0020】以上の準備ができたらLASERボタンを
押してレーザを発射させ、1番目の修正を行なう。
押してレーザを発射させ、1番目の修正を行なう。
【0021】次に、FWDボタンを押すと、図2(b)
に示すようにXYステージは自動的に2番目の修正位置
に移動して停止する。この時の移動距離は、先に計算し
たピッチ送り量と移動方向から設定される。一般的には
、ピッチ送り量はスリットサイズより数μm小さい値と
する。つまり、各レーザ光は少しオーバーラップさせる
。そして、LASERボタンを押し2番目の修正を行な
う。以下同様の操作をくり返し、図2(c)のように最
後の修正を完了させる。
に示すようにXYステージは自動的に2番目の修正位置
に移動して停止する。この時の移動距離は、先に計算し
たピッチ送り量と移動方向から設定される。一般的には
、ピッチ送り量はスリットサイズより数μm小さい値と
する。つまり、各レーザ光は少しオーバーラップさせる
。そして、LASERボタンを押し2番目の修正を行な
う。以下同様の操作をくり返し、図2(c)のように最
後の修正を完了させる。
【0022】この実施例における修正精度は、通常のレ
ーザマスクリペアのXYステージの位置精度は50μm
当り0.1μm程度であるので、欠陥を5回で修正した
場合、最悪約0.5μmで最初の目合せ誤差0.3μm
と合せて0.8μm程度となる。同じような場合につい
て従来の方法を適用すると、先に述べたように1.5μ
mになる。従って本実施例の場合従来の場合の約1/2
で済むことになる。
ーザマスクリペアのXYステージの位置精度は50μm
当り0.1μm程度であるので、欠陥を5回で修正した
場合、最悪約0.5μmで最初の目合せ誤差0.3μm
と合せて0.8μm程度となる。同じような場合につい
て従来の方法を適用すると、先に述べたように1.5μ
mになる。従って本実施例の場合従来の場合の約1/2
で済むことになる。
【0023】また、作業時間についていえば、従来例で
は各修正段階でのパタ−ンとスリット像の目合わせ相当
の熟練者で1回当たり10秒程度を要するので、XYス
テージの移動と目合せに1分程度を要するが、本発明で
は自動的に目合せがなされるので10秒程度で済む。し
たがって、最初のP1 とPm の位置指定時間を別に
すれば、作業時間を1/6程度に減らすことができる。
は各修正段階でのパタ−ンとスリット像の目合わせ相当
の熟練者で1回当たり10秒程度を要するので、XYス
テージの移動と目合せに1分程度を要するが、本発明で
は自動的に目合せがなされるので10秒程度で済む。し
たがって、最初のP1 とPm の位置指定時間を別に
すれば、作業時間を1/6程度に減らすことができる。
【0024】図4は本発明の実施例2の修正フローを示
す図である。本実施例では、XYステージをP1 から
Pm まで連続的に移動させながらレーザ光を所定間隔
で発射する方法で、実施例1よりも作業性がよく、精度
も向上する可能性がある。以下図面を用いて説明する。
す図である。本実施例では、XYステージをP1 から
Pm まで連続的に移動させながらレーザ光を所定間隔
で発射する方法で、実施例1よりも作業性がよく、精度
も向上する可能性がある。以下図面を用いて説明する。
【0025】操作■〜■までは実施例1と同様であり省
略する。ただし、ピッチ送り量の計算のかわりに、レー
ザ発射位置を計算する必要がある。操作■で連続モード
にセットしスタートをかけると、制御 はXYステー
ジP1 からPm へ向って一定速度で移動させる。そ
して、先に計算したレーザ発射位置に来たら、LASE
Rボタンが押されなくても自動的にレーザを発射させ、
Pm 点に到達したらXYステージを停止させ、レーザ
ーも停止させ操作を完了する。
略する。ただし、ピッチ送り量の計算のかわりに、レー
ザ発射位置を計算する必要がある。操作■で連続モード
にセットしスタートをかけると、制御 はXYステー
ジP1 からPm へ向って一定速度で移動させる。そ
して、先に計算したレーザ発射位置に来たら、LASE
Rボタンが押されなくても自動的にレーザを発射させ、
Pm 点に到達したらXYステージを停止させ、レーザ
ーも停止させ操作を完了する。
【0026】本実施例によればP1 ,Pm 点の目合
せを除けば煩らわしい目合せ操作やボタン操作を必要と
せず、作業性が良いばかりでなく、作業時間も更に短縮
できる。また、修正精度も、ステージを止めずに連続的
に移動させるので、ステージによる位置ずれは0.1μ
m程度、最初の目合せ誤差0.3μmと合せても0.4
μm程度となり、従来の1/4程度に改善される。
せを除けば煩らわしい目合せ操作やボタン操作を必要と
せず、作業性が良いばかりでなく、作業時間も更に短縮
できる。また、修正精度も、ステージを止めずに連続的
に移動させるので、ステージによる位置ずれは0.1μ
m程度、最初の目合せ誤差0.3μmと合せても0.4
μm程度となり、従来の1/4程度に改善される。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、スリット
サイズを超える大きい欠陥に対し、修正の始点と終点の
座標を指定することにより、この2点間を結ぶ直線に沿
って一定間隔で自動的にフォトマスクを位置決めするか
、あるいは連続的に移動させながらレーザ光を照射でき
るようにしたので、従来法で必要な煩らわしい目合せ操
作やボタン操作が不要となり、作業時間を1/6以下に
することができ作業性を向上さすことができる。また、
オペレータによって生ずる目合せ誤差が無くなるので、
修正誤差を従来の1/2〜1/4に低減することができ
る。
サイズを超える大きい欠陥に対し、修正の始点と終点の
座標を指定することにより、この2点間を結ぶ直線に沿
って一定間隔で自動的にフォトマスクを位置決めするか
、あるいは連続的に移動させながらレーザ光を照射でき
るようにしたので、従来法で必要な煩らわしい目合せ操
作やボタン操作が不要となり、作業時間を1/6以下に
することができ作業性を向上さすことができる。また、
オペレータによって生ずる目合せ誤差が無くなるので、
修正誤差を従来の1/2〜1/4に低減することができ
る。
【図1】本発明の一実施例を示すためのフォトマスクの
模式図である。
模式図である。
【図2】本発明の他の実施例を示すためのフォトマスク
の模式図である。
の模式図である。
【図3】本発明の修正フロ−を示すブロック図である。
【図4】本発明の他の修正フロ−を示すブロック図であ
る。
る。
【図5】本発明を適用するこの種の装置の一般構成を示
す図である。
す図である。
【図6】フォトマスクの一般的な模式図である。
【図7】従来法による修正法を示すためのフォトマスク
の模式図である。
の模式図である。
【図8】従来法による修正法を示すための他のフォトマ
スクの模式図である。
スクの模式図である。
【図9】従来法による修正法を示すための更に他のフォ
トマスクの模式図である。
トマスクの模式図である。
【図10】スリットの模式図である。
【図11】修正精度を示す模式図である。
41 スリット像
110 クロム膜
111 ガラス基板
112 欠陥
113 エッジライン
114 遮光部
115 透明部
P1 始点
Pm 終点
S 視野
Claims (2)
- 【請求項1】 レーザ光源と、該レーザ光源から出射
したレーザ光を矩形状に整形する手段と、該レーザ光を
XYステージ上に載置されたフォトマスクに集光・照射
しつつ該フォトマスクパターンを観察する手段と、該X
Yステージを所望の位置に位置決めする制御手段とを備
え、該フォトマスクの黒欠陥を修正するフォトマスク修
正方法において、所望の2点の位置座標を指定して、該
2点間を結ぶ直線に沿って一定間隔で自動的にXYステ
ージを位置決めしてレーザ光を照射できるようにしたこ
とを特徴とするフォトマスク修正方法。 - 【請求項2】 レーザ光源と、該レーザ光源から出射
したレーザ光を矩形状に整形する手段と、該レーザ光を
XYステージ上に載置されたフォトマスクに集光・照射
しつつ該フォトマスクパターンを観察する手段と、該X
Yステージを所望の位置に位置決めする制御手段とを備
え、該フォトマスクの黒欠陥を修正するフォトマスク修
正方法において、所望の2点の位置座標を指定して、該
2点間を結ぶ直線に沿って連続的に移動させながらレー
ザ光を照射できるようにしたことを特徴とするフォトマ
スク修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3053724A JPH04271347A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | フォトマスク修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3053724A JPH04271347A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | フォトマスク修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04271347A true JPH04271347A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=12950784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3053724A Pending JPH04271347A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | フォトマスク修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04271347A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586127A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Hitachi Ltd | フオトマスク欠陥修正方法とその装置 |
| JPS5858548A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Toshiba Corp | フオトマスクの検査および修正装置 |
| JPS61102736A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Hitachi Ltd | パタ−ン修正方法および修正装置 |
| JPH01118841A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Seiko Instr & Electron Ltd | 走査制御装置 |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP3053724A patent/JPH04271347A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586127A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Hitachi Ltd | フオトマスク欠陥修正方法とその装置 |
| JPS5858548A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Toshiba Corp | フオトマスクの検査および修正装置 |
| JPS61102736A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Hitachi Ltd | パタ−ン修正方法および修正装置 |
| JPH01118841A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Seiko Instr & Electron Ltd | 走査制御装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971112 |