JPH04272172A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH04272172A JPH04272172A JP41144590A JP41144590A JPH04272172A JP H04272172 A JPH04272172 A JP H04272172A JP 41144590 A JP41144590 A JP 41144590A JP 41144590 A JP41144590 A JP 41144590A JP H04272172 A JPH04272172 A JP H04272172A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- anode plate
- sputtering
- dielectric breakdown
- sputtering apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ターゲットを囲むよ
うに構成されたアノード板の形状を改善したスパッタリ
ング装置に関する。
うに構成されたアノード板の形状を改善したスパッタリ
ング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタリング装置では、図２に
示すように構成されている。即ち、図２において、プレ
ーナ型マグネトロンスパッタ源１は、セラミックス、プ
ラスチックス等の多種の基板２に対向して配置され、基
板２面にターゲット１１による材料の薄膜が形成される
。強磁性体からなるターゲット１１は銅板からなるバッ
キングプレート１２に固定され、その裏側には基板２と
ターゲット１１との間に磁界を形成するための磁石１３
が配置されている。また、ターゲット１１の周囲を１ｍ
ｍ程度の間隔をなして取囲むようにステンレスからなる
アノード板１４が配置され、バッキングプレート１２と
の間に直流あるいは高周波電力が供給されるから、成膜
室３内には磁場によって拘束されたリング状のグロー放
電が発生する。直流給電では、アノード板１４を接地電
位、バッキングプレート１２が負電位となるように接続
されることが多い。そこで、ガス吸入口４から供給の例
えばアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気のもとでスパッタリン
グが行われ、スパッタ後は排気管５から排気される。な
お、１５１，１５２は冷却用水配管であり、１６はテフ
ロン（商品名）等による絶縁体である。
示すように構成されている。即ち、図２において、プレ
ーナ型マグネトロンスパッタ源１は、セラミックス、プ
ラスチックス等の多種の基板２に対向して配置され、基
板２面にターゲット１１による材料の薄膜が形成される
。強磁性体からなるターゲット１１は銅板からなるバッ
キングプレート１２に固定され、その裏側には基板２と
ターゲット１１との間に磁界を形成するための磁石１３
が配置されている。また、ターゲット１１の周囲を１ｍ
ｍ程度の間隔をなして取囲むようにステンレスからなる
アノード板１４が配置され、バッキングプレート１２と
の間に直流あるいは高周波電力が供給されるから、成膜
室３内には磁場によって拘束されたリング状のグロー放
電が発生する。直流給電では、アノード板１４を接地電
位、バッキングプレート１２が負電位となるように接続
されることが多い。そこで、ガス吸入口４から供給の例
えばアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気のもとでスパッタリン
グが行われ、スパッタ後は排気管５から排気される。な
お、１５１，１５２は冷却用水配管であり、１６はテフ
ロン（商品名）等による絶縁体である。
【０００３】そこで、従来のエッチング装置では、特に
厚膜スパッタリングを行うときには、基板２以外の真空
槽３の内側壁にもターゲット１１材による層が形成され
るが、層が厚くなると、しばしば部分的に剥離し、磁性
を帯びたごみ状の小片が下方のターゲット１１上に落下
する。ターゲット１１は強磁性体からなり、真空槽３の
内面壁から小片がターゲット１１上面に落下すると、図
３に拡大して示すように、磁性を帯びた小片１１ａは、
磁石１３により形成される磁力線Ａに沿う方向に向けて
ターゲット１１上に付着する。
厚膜スパッタリングを行うときには、基板２以外の真空
槽３の内側壁にもターゲット１１材による層が形成され
るが、層が厚くなると、しばしば部分的に剥離し、磁性
を帯びたごみ状の小片が下方のターゲット１１上に落下
する。ターゲット１１は強磁性体からなり、真空槽３の
内面壁から小片がターゲット１１上面に落下すると、図
３に拡大して示すように、磁性を帯びた小片１１ａは、
磁石１３により形成される磁力線Ａに沿う方向に向けて
ターゲット１１上に付着する。
【０００４】磁石１３による磁力線Ａはバッキングプレ
ート１２，ターゲット１１及び真空槽３内を通り磁界を
形成するから、図３に示すように、ターゲット１１の外
側端部から真空槽３内に形成される磁力線は、より外側
に傾斜する傾向がある。
ート１２，ターゲット１１及び真空槽３内を通り磁界を
形成するから、図３に示すように、ターゲット１１の外
側端部から真空槽３内に形成される磁力線は、より外側
に傾斜する傾向がある。
【０００５】そこで、従来のスパッタリング装置では、
落下した小片１１ａの内、ターゲット１１上の外側縁部
に吸着して付着したものは、外側に傾斜し、隣接するア
ノード板１４と接触し、絶縁破壊を引起こし、放電を停
止させるので改善が要望されていた。
落下した小片１１ａの内、ターゲット１１上の外側縁部
に吸着して付着したものは、外側に傾斜し、隣接するア
ノード板１４と接触し、絶縁破壊を引起こし、放電を停
止させるので改善が要望されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のスパッタリング
装置は、スパッタリング動作によって、真空槽内側壁に
蓄積したスパッタ膜の一部が剥離落下し、ターゲットと
アノード板間を短絡し、絶縁破壊を引起こす欠点があっ
た。
装置は、スパッタリング動作によって、真空槽内側壁に
蓄積したスパッタ膜の一部が剥離落下し、ターゲットと
アノード板間を短絡し、絶縁破壊を引起こす欠点があっ
た。
【０００７】この発明は、簡単な構造により上記従来の
欠点を解消し、真空槽内壁のターゲット層の一部が剥離
し落下しても、絶縁破壊を引起こしにくいスパッタリン
グ装置を提供することを目的とする。
欠点を解消し、真空槽内壁のターゲット層の一部が剥離
し落下しても、絶縁破壊を引起こしにくいスパッタリン
グ装置を提供することを目的とする。
【０００８】［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、ターゲット
の外側周囲を囲むようにアノード板が配置されるととも
に、成膜室内に磁界を形成させてスパッタリングを行う
スパッタリング装置において、前記アノード板は前記タ
ーゲット側面と対向する面側の上端角に面取り部を形成
したことを特徴とする。
の外側周囲を囲むようにアノード板が配置されるととも
に、成膜室内に磁界を形成させてスパッタリングを行う
スパッタリング装置において、前記アノード板は前記タ
ーゲット側面と対向する面側の上端角に面取り部を形成
したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】この発明によるスパッタリング装置は、ターゲ
ットと対抗する面側のアノード上端角に面取り部を形成
したので、仮にターゲット端部に剥離落下した小片が、
アノード板側に傾いたとしても、アノード板側の上端角
は面取られて形成され、間隔が開いているので、小片に
よる短絡は回避される。
ットと対抗する面側のアノード上端角に面取り部を形成
したので、仮にターゲット端部に剥離落下した小片が、
アノード板側に傾いたとしても、アノード板側の上端角
は面取られて形成され、間隔が開いているので、小片に
よる短絡は回避される。
【００１１】
【実施例】以下、この発明によるスパッタリング装置の
一実施例を図１を参照して説明する。なお、図２及び図
３に示した従来の装置と同一構成には同一符号を付して
詳細な説明は省略する。
一実施例を図１を参照して説明する。なお、図２及び図
３に示した従来の装置と同一構成には同一符号を付して
詳細な説明は省略する。
【００１２】即ち、図１は要部の拡大断面図で、強磁性
体等からなるターゲット１１は銅板からなるバッキング
プレート１２上に固定され、その下方裏側には基板（２
）とターゲット１１との間に磁界を形成するための磁石
１３が配置されている。また、ターゲット１１の周囲を
取囲むように配置されたアノード板１４は、ターゲット
１１と対向する側面側の上端角に面取り部１４ａが形成
されている。
体等からなるターゲット１１は銅板からなるバッキング
プレート１２上に固定され、その下方裏側には基板（２
）とターゲット１１との間に磁界を形成するための磁石
１３が配置されている。また、ターゲット１１の周囲を
取囲むように配置されたアノード板１４は、ターゲット
１１と対向する側面側の上端角に面取り部１４ａが形成
されている。
【００１３】スパッタリングによって、成膜室（３）内
壁に、ターゲット１１材による層が形成され、それが剥
離等によって小片１１ａとなって下方に落下し、ターゲ
ット１１上の端部に吸引され、磁力線Ａに沿って外側に
傾斜して付着したとしても、アノード板１４の上端角は
面取られ、小片１１ａの傾斜方向に沿って空隙は広がっ
ているから、小片１１ａとアノード板１４との接触は回
避される。
壁に、ターゲット１１材による層が形成され、それが剥
離等によって小片１１ａとなって下方に落下し、ターゲ
ット１１上の端部に吸引され、磁力線Ａに沿って外側に
傾斜して付着したとしても、アノード板１４の上端角は
面取られ、小片１１ａの傾斜方向に沿って空隙は広がっ
ているから、小片１１ａとアノード板１４との接触は回
避される。
【００１４】以上のように、この発明によるスパッタリ
ング装置によれば、仮に真空槽内壁面に蓄積したターゲ
ット１１材の一部が真空槽内の壁面から剥離等により落
下したとしても、ターゲットとアノードとを短絡するこ
とが防止され、絶縁破壊の発生を回避することができる
。
ング装置によれば、仮に真空槽内壁面に蓄積したターゲ
ット１１材の一部が真空槽内の壁面から剥離等により落
下したとしても、ターゲットとアノードとを短絡するこ
とが防止され、絶縁破壊の発生を回避することができる
。
【００１５】
【発明の効果】この発明によるスパッタリング装置は、
仮に真空槽内に蓄積したターゲット材が剥離等で落下し
ても、絶縁破壊等を引起こすことが回避され、装置の稼
働率の向上等、実用上顕著な効果が得られる。
仮に真空槽内に蓄積したターゲット材が剥離等で落下し
ても、絶縁破壊等を引起こすことが回避され、装置の稼
働率の向上等、実用上顕著な効果が得られる。
【図１】この発明によるスパッタリング装置の一実施例
を示す要部断面拡大図である。
を示す要部断面拡大図である。
【図２】従来のスパッタリング装置を示す断面図である
。
。
【図３】図２に示す装置の要部拡大図である。
１…スパッタ源
１１…ターゲット
１１ａ…小片
１２…バッキングプレート
１３…磁石
１４…アノード板
１４ａ…面取り部
２…基板
３…真空槽
Claims (1)
- 【請求項１】 ターゲットの外側周囲を囲むようにア
ノード板が配置されるとともに、成膜室内に磁界を形成
させてスパッタリングを行うスパッタリング装置におい
て、前記アノード板は前記ターゲット側面と対向する面
側の上端角に面取り部を形成したことを特徴とするスパ
ッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2411445A JPH06104897B2 (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2411445A JPH06104897B2 (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04272172A true JPH04272172A (ja) | 1992-09-28 |
| JPH06104897B2 JPH06104897B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=18520457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2411445A Expired - Fee Related JPH06104897B2 (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104897B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06108248A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-19 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパッタリング源 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923870A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-02-07 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | スパツタコ−テイング装置に使用する特別の材料のタ−ゲツト組立体 |
| JPS60197873A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Ulvac Corp | スパツタリング装置における絶縁物タ−ゲツト用ア−スシ−ルド装置 |
-
1990
- 1990-12-18 JP JP2411445A patent/JPH06104897B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923870A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-02-07 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | スパツタコ−テイング装置に使用する特別の材料のタ−ゲツト組立体 |
| JPS60197873A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Ulvac Corp | スパツタリング装置における絶縁物タ−ゲツト用ア−スシ−ルド装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06108248A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-19 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパッタリング源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06104897B2 (ja) | 1994-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |