JPH04275478A - 面発光半導体レーザの製造方法 - Google Patents
面発光半導体レーザの製造方法Info
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- JPH04275478A JPH04275478A JP3699391A JP3699391A JPH04275478A JP H04275478 A JPH04275478 A JP H04275478A JP 3699391 A JP3699391 A JP 3699391A JP 3699391 A JP3699391 A JP 3699391A JP H04275478 A JPH04275478 A JP H04275478A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
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-
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- H01S5/18347—Mesa comprising active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
- H01S5/2068—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by radiation treatment or annealing
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光交換または光情報処理
装置等で利用される半導体レーザに関し、特に半導体基
板に垂直方向にレーザ発振光が出射される面発光レーザ
に関する。
装置等で利用される半導体レーザに関し、特に半導体基
板に垂直方向にレーザ発振光が出射される面発光レーザ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】格子欠陥あるいは不純物を導入すること
により量子井戸活性層の側面を無秩序化し埋め込み構造
を形成した面発光レーザが知られており、その製造方法
の一例が特願平２−１６４４０２号明細書に報告されて
いる。
により量子井戸活性層の側面を無秩序化し埋め込み構造
を形成した面発光レーザが知られており、その製造方法
の一例が特願平２−１６４４０２号明細書に報告されて
いる。
【０００３】この面発光レーザの製造方法においては、
まずｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型のＧａＡｓとＡｌＡｓを
交互に約２０周期程度積層したｎ型半導体多層反射膜と
Ｉｎ０．２ ＧＡ０．８ Ａｓ約１００Ａ（オングスト
ローム、以下Ａとかく）からなる量子井戸活性層と、ｐ
型のＧａＡｓとＡｌＡｓを交互に約２０周期程度積層し
たｐ型半導体多層反射膜とを順次形成する。
まずｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型のＧａＡｓとＡｌＡｓを
交互に約２０周期程度積層したｎ型半導体多層反射膜と
Ｉｎ０．２ ＧＡ０．８ Ａｓ約１００Ａ（オングスト
ローム、以下Ａとかく）からなる量子井戸活性層と、ｐ
型のＧａＡｓとＡｌＡｓを交互に約２０周期程度積層し
たｐ型半導体多層反射膜とを順次形成する。
【０００４】この後に反応性イオンビームエッチング（
ＲＩＢＥ）法により溝領域に囲まれた円柱状の発光領域
を形成し、次にこの溝領域にのみＳｉＯ２ 膜を形成す
る。この後に熱処理を施し、発光領域側面の量子井戸活
性層を無秩序化し、埋め込み構造を形成する製造方法と
なっている。
ＲＩＢＥ）法により溝領域に囲まれた円柱状の発光領域
を形成し、次にこの溝領域にのみＳｉＯ２ 膜を形成す
る。この後に熱処理を施し、発光領域側面の量子井戸活
性層を無秩序化し、埋め込み構造を形成する製造方法と
なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
面発光レーザの製造方法においては、側面の半導体変成
層が発光領域の表面に露出している。一般にＳｉＯ２
膜やＳｉＮ膜を相互拡散促進層に用いた場合には熱処理
する格子欠陥の導入とともにＳｉ原子も拡散するためｐ
型半導体多層反射膜側面の半導体変成層もｎ型の導電性
を示す。従って、発光領域表面に露出した半導体変成層
とｐ側電極が接触し、この半導体変成層を通って流れる
漏れ電流が生じるという問題点があった。
面発光レーザの製造方法においては、側面の半導体変成
層が発光領域の表面に露出している。一般にＳｉＯ２
膜やＳｉＮ膜を相互拡散促進層に用いた場合には熱処理
する格子欠陥の導入とともにＳｉ原子も拡散するためｐ
型半導体多層反射膜側面の半導体変成層もｎ型の導電性
を示す。従って、発光領域表面に露出した半導体変成層
とｐ側電極が接触し、この半導体変成層を通って流れる
漏れ電流が生じるという問題点があった。
【０００６】また、上記問題点を回避するため、ｐ型半
導体多層反射膜の側面には半導体変成層が形成されない
ように、ｐ型半導体多層反射膜側面のＳｉＯ２ 膜を除
去すればよいが、ウェットエッチングではサイドエッチ
ングが大きく制御性が悪いためｐ型半導体多層反射膜の
側面のＳｉＯ２ 膜のみをエッチングするのは困難であ
る。 また、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエ
ッチングを用いてｐ型半導体多層反射膜側面のＳｉＯ２
膜をエッチングすると、活性層側面のＳｉＯ２ 膜界
面にもイオン衝撃によるダメージ等が入り、熱処理時に
ＳｉＯ２ 膜がはがれ、そのため量子井戸の無秩序化が
出来ないという問題点があった。
導体多層反射膜の側面には半導体変成層が形成されない
ように、ｐ型半導体多層反射膜側面のＳｉＯ２ 膜を除
去すればよいが、ウェットエッチングではサイドエッチ
ングが大きく制御性が悪いためｐ型半導体多層反射膜の
側面のＳｉＯ２ 膜のみをエッチングするのは困難であ
る。 また、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエ
ッチングを用いてｐ型半導体多層反射膜側面のＳｉＯ２
膜をエッチングすると、活性層側面のＳｉＯ２ 膜界
面にもイオン衝撃によるダメージ等が入り、熱処理時に
ＳｉＯ２ 膜がはがれ、そのため量子井戸の無秩序化が
出来ないという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、半導体変成層を通して流
れる漏れ電流が生ぜず、そのため閾値電流が小さい面発
光半導体レーザの製造方法を提供することにある。
れる漏れ電流が生ぜず、そのため閾値電流が小さい面発
光半導体レーザの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は第１導電型の半
導体基板上に、第１導電型の半導体多層反射膜を形成す
る工程と、この工程の後に少くとも１つの量子井戸を含
む量子井戸活性層を形成する工程と、第２導電型の半導
体多層反射膜を形成する工程と、少くとも量子井戸活性
層に達するまでエッチング除去された溝領域に囲まれた
発光領域を形成する工程と、少なくとも絶縁膜を含む相
互拡散促進層を全面に形成する工程と、熱処理を施こし
該相互拡散促進層との界面近傍の半導体層に半導体変成
層を形成し、該発光領域側面の量子井戸活性層を部分的
に無秩序化する工程と、少なくとも第２導電型の半導体
多層反射膜側面の相互拡散促進層を含み、かつ該量子井
戸活性層側面近傍以外の相互拡散促進層をエッチング除
去する工程と、少なくとも第２導電型の半導体多層反射
膜側面の該半導体変成層の一部を除去する工程とを有す
ることを特徴とする面発光半導体レーザの製造方法であ
る。
導体基板上に、第１導電型の半導体多層反射膜を形成す
る工程と、この工程の後に少くとも１つの量子井戸を含
む量子井戸活性層を形成する工程と、第２導電型の半導
体多層反射膜を形成する工程と、少くとも量子井戸活性
層に達するまでエッチング除去された溝領域に囲まれた
発光領域を形成する工程と、少なくとも絶縁膜を含む相
互拡散促進層を全面に形成する工程と、熱処理を施こし
該相互拡散促進層との界面近傍の半導体層に半導体変成
層を形成し、該発光領域側面の量子井戸活性層を部分的
に無秩序化する工程と、少なくとも第２導電型の半導体
多層反射膜側面の相互拡散促進層を含み、かつ該量子井
戸活性層側面近傍以外の相互拡散促進層をエッチング除
去する工程と、少なくとも第２導電型の半導体多層反射
膜側面の該半導体変成層の一部を除去する工程とを有す
ることを特徴とする面発光半導体レーザの製造方法であ
る。
【０００９】
【作用】本発明の面発光半導体レーザの製造方法によれ
ば、第２導電型の半導体多層反射膜側面の半導体変成層
の少なくとも一部はエッチング除去されているので、第
２導電型の電極層から半導体変成層を通じ、活性層を迂
回して流れる電流経路は生じない。従って漏れ電流の発
生をまねくことなく埋め込み構造を形成することが出来
る。本発明では半導体変成層を形成後、漏れ電流経路と
なる、発光領域の側面の一部の半導体変成層を除去する
ので、制御性、再現性が良好である。
ば、第２導電型の半導体多層反射膜側面の半導体変成層
の少なくとも一部はエッチング除去されているので、第
２導電型の電極層から半導体変成層を通じ、活性層を迂
回して流れる電流経路は生じない。従って漏れ電流の発
生をまねくことなく埋め込み構造を形成することが出来
る。本発明では半導体変成層を形成後、漏れ電流経路と
なる、発光領域の側面の一部の半導体変成層を除去する
ので、制御性、再現性が良好である。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照にし
て詳細に説明する。図１から図５は本発明の一実施例を
説明するための面発光半導体レーザの製造工程の断面図
である。
て詳細に説明する。図１から図５は本発明の一実施例を
説明するための面発光半導体レーザの製造工程の断面図
である。
【００１１】まずｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＡｓ
層２及びｎ型ＧａＡｓ層３を各々厚さλ／（４ｎｒ ）
（λ：活性層の禁止帯幅でほぼ決まるレーザ発振波長；
ｎｒ 半導体各層の屈折率）だけ形成する。この後に上
記工程を繰り返し約２０周期程度積層することによりｎ
型半導体多層反射膜４を形成する。
層２及びｎ型ＧａＡｓ層３を各々厚さλ／（４ｎｒ ）
（λ：活性層の禁止帯幅でほぼ決まるレーザ発振波長；
ｎｒ 半導体各層の屈折率）だけ形成する。この後に上
記工程を繰り返し約２０周期程度積層することによりｎ
型半導体多層反射膜４を形成する。
【００１２】次にこのｎ型半導体多層反射膜４の上にｎ
型クラッド層５としてｎ型Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ（
ｘ＝０．３〜０．７）層を約５００Ａ（オングストロー
ム）〜１μｍ形成する。このｎ型クラッド層５の上に例
えば厚さ約１００ＡのＩｎｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓ（ｙ＝
０．０５〜０．５）量子井戸層と厚さ約３０〜２００Ａ
のＧａＡｓ閉じ込め層からなる量子井戸活性層６を形成
する。この量子井戸活性層６の上にｐ型クラッド層７と
してｐ型Ａｌｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ（ｚ≒０．３〜０．
７）層を約５００Ａ〜１μｍ形成する。このｐ型クラッ
ド層７の上にｐ型ＡｌＡｓ層８とｐ型ＧａＡｓ層９を各
々厚さλ／（４ｎｒ ）（λ：活性層の禁止帯幅でほぼ
決まるレーザ発振波長；ｎｒ ；半導体各層の屈折率）
だけ形成し、上記工程を繰り返し約１０〜２０周期程度
積層することによりｐ型半導体多層反射膜１０を形成す
る。このｐ型半導体多層反射膜１０の上にキャップ層１
１としてｐ型ＧａＡｓを約５００〜５０００Ａ形成する
。これまでの工程は例えば分子線エピタキシー（ＭＢＥ
）法等の結晶成長方法を用いて行なう。
型クラッド層５としてｎ型Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ（
ｘ＝０．３〜０．７）層を約５００Ａ（オングストロー
ム）〜１μｍ形成する。このｎ型クラッド層５の上に例
えば厚さ約１００ＡのＩｎｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓ（ｙ＝
０．０５〜０．５）量子井戸層と厚さ約３０〜２００Ａ
のＧａＡｓ閉じ込め層からなる量子井戸活性層６を形成
する。この量子井戸活性層６の上にｐ型クラッド層７と
してｐ型Ａｌｚ Ｇａ１−ｚ Ａｓ（ｚ≒０．３〜０．
７）層を約５００Ａ〜１μｍ形成する。このｐ型クラッ
ド層７の上にｐ型ＡｌＡｓ層８とｐ型ＧａＡｓ層９を各
々厚さλ／（４ｎｒ ）（λ：活性層の禁止帯幅でほぼ
決まるレーザ発振波長；ｎｒ ；半導体各層の屈折率）
だけ形成し、上記工程を繰り返し約１０〜２０周期程度
積層することによりｐ型半導体多層反射膜１０を形成す
る。このｐ型半導体多層反射膜１０の上にキャップ層１
１としてｐ型ＧａＡｓを約５００〜５０００Ａ形成する
。これまでの工程は例えば分子線エピタキシー（ＭＢＥ
）法等の結晶成長方法を用いて行なう。
【００１３】次に成長した基板上にＳｉＯ２ 、ＳｉＮ
等の絶縁膜あるいはフォトレジストを約３０００Ａ〜５
μｍ形成し、フォトリソグラフィ法により内径１μｍ〜
１００μｍ、外径約１０μｍ〜１５０μｍ程度のドーナ
ツ状の領域を除去し、同心円状のマスク１２を形成する
。 その後このマスク１２を用いてＣｌ２ プラズマによる
反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）法等のドラ
イエッチング技術により、少くとも量子井戸活性層６が
露出するまでエッチングを行い溝領域１３を形成する。 こうして図１に示されるようにこの溝領域１３に囲まれ
た円柱状の発光領域１４が形成される。
等の絶縁膜あるいはフォトレジストを約３０００Ａ〜５
μｍ形成し、フォトリソグラフィ法により内径１μｍ〜
１００μｍ、外径約１０μｍ〜１５０μｍ程度のドーナ
ツ状の領域を除去し、同心円状のマスク１２を形成する
。 その後このマスク１２を用いてＣｌ２ プラズマによる
反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）法等のドラ
イエッチング技術により、少くとも量子井戸活性層６が
露出するまでエッチングを行い溝領域１３を形成する。 こうして図１に示されるようにこの溝領域１３に囲まれ
た円柱状の発光領域１４が形成される。
【００１４】この後にＳｉＯ２ またはＳｉＮ膜等の絶
縁膜１５を全面に形成し、この工程の後に例えばフェイ
ス・トゥ・フェイス法等を用い、７００℃〜９００℃で
熱処理をほどこす。この工程により絶縁膜１５中から空
孔等の欠陥が導入され溝領域１３の部分のみに半導体変
成層１６が形成され、発光領域１４の側面の量子井戸活
性層は無秩序化され、図２のような埋め込み構造が形成
される。
縁膜１５を全面に形成し、この工程の後に例えばフェイ
ス・トゥ・フェイス法等を用い、７００℃〜９００℃で
熱処理をほどこす。この工程により絶縁膜１５中から空
孔等の欠陥が導入され溝領域１３の部分のみに半導体変
成層１６が形成され、発光領域１４の側面の量子井戸活
性層は無秩序化され、図２のような埋め込み構造が形成
される。
【００１５】この後にフォトレジストを溝領域１３が埋
まるように全面に塗布する。この時、溝領域１３はウェ
ーハー全体に対して著しく小さいため、フォトレジスト
の粘性によりフォトレジストはほぼ平坦に塗布される。 この後に酸素イオンを用いた反応性イオンエッチング（
ＲＩＥ）等のドライエッチング技術を用い、ｐ型半導体
多層反射膜１０の側面が露出するまでフォトレジストを
エッチング除去する。
まるように全面に塗布する。この時、溝領域１３はウェ
ーハー全体に対して著しく小さいため、フォトレジスト
の粘性によりフォトレジストはほぼ平坦に塗布される。 この後に酸素イオンを用いた反応性イオンエッチング（
ＲＩＥ）等のドライエッチング技術を用い、ｐ型半導体
多層反射膜１０の側面が露出するまでフォトレジストを
エッチング除去する。
【００１６】この後に露出した成長表面及びｐ型半導体
多層反射膜１０の側面の絶縁膜１５をＣＦ４ ガスを用
いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッ
チング技術を用いて図３のように除去する。このとき量
子井戸活性層６と絶縁膜１５との界面にイオン衝撃が入
り密着性が悪くなっても、この後のプロセス工程では高
温熱処理はないので、絶縁膜１５がはがれるという問題
は生じない。
多層反射膜１０の側面の絶縁膜１５をＣＦ４ ガスを用
いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッ
チング技術を用いて図３のように除去する。このとき量
子井戸活性層６と絶縁膜１５との界面にイオン衝撃が入
り密着性が悪くなっても、この後のプロセス工程では高
温熱処理はないので、絶縁膜１５がはがれるという問題
は生じない。
【００１７】この後に露出した成長表面及びｐ型半導体
多層反射膜１０の側面に形成された半導体変成層１６を
例えばリン酸と過酸化水素と水との混合液からなるエッ
チング液を用いてエッチング除去し、図４のような断面
となる。この工程により半導体変成層１６は成長表面か
ら分離されるので、この半導体変成層１６を通る電流経
路は遮断され、漏れ電流は生じない。
多層反射膜１０の側面に形成された半導体変成層１６を
例えばリン酸と過酸化水素と水との混合液からなるエッ
チング液を用いてエッチング除去し、図４のような断面
となる。この工程により半導体変成層１６は成長表面か
ら分離されるので、この半導体変成層１６を通る電流経
路は遮断され、漏れ電流は生じない。
【００１８】この後に例えばポリイミド等の耐熱性有機
物質を平坦化層１７として用い、溝領域１３を埋め、成
長表面を平坦化し、前述と同様に酸素イオンを用いた反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、成長表面の半
導体層を露出させる。この後に成長表面の全面にＳｉＮ
膜１８を約１０００Ａ〜５０００Ａ形成し、フォトリソ
グラフィ法により発光領域１４近傍のＳｉＮ膜１８をエ
ッチング除去する。
物質を平坦化層１７として用い、溝領域１３を埋め、成
長表面を平坦化し、前述と同様に酸素イオンを用いた反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、成長表面の半
導体層を露出させる。この後に成長表面の全面にＳｉＮ
膜１８を約１０００Ａ〜５０００Ａ形成し、フォトリソ
グラフィ法により発光領域１４近傍のＳｉＮ膜１８をエ
ッチング除去する。
【００１９】この後にｐ側電極１９としてＡｕを全面に
形成し、最後にｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面の発光領域１
４以外の部分にｎ側電極２０としてＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ
Ｎｉを形成し、図５に示す面発光半導体レーザが完成す
る。本実施例の素子では漏れ電流が著しく低減でき発振
しきい値を下げることができた。
形成し、最後にｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面の発光領域１
４以外の部分にｎ側電極２０としてＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ
Ｎｉを形成し、図５に示す面発光半導体レーザが完成す
る。本実施例の素子では漏れ電流が著しく低減でき発振
しきい値を下げることができた。
【００２０】上記実施例においては絶縁膜１５を全面に
つけたまま熱処理するとしたが、これに限らず変形例と
して以下のようにしてもよい。すなわち熱処理前に成長
表面の絶縁膜１５のみを上記実施例に示したのと同じ方
法で除去する。この後に熱処理を行うと、半導体変成層
１６は成長表面には形成されない。熱処理の後に上記実
施例と同様にしてｐ型半導体多層反射膜１０の側面の絶
縁膜１５の一部エッチング除去する。この後に例えば塩
酸あるいはフッ酸などのＡｌｘＧａ１−ｘ Ａｓ（ｘ〜
０．４）層のみをエッチングし、ＧａＡｓはエッチング
しない選択性のあるエッチング溶液を用いて、露出した
半導体変成層１６のＡｌＡｓ層のみをエッチング除去す
る。
つけたまま熱処理するとしたが、これに限らず変形例と
して以下のようにしてもよい。すなわち熱処理前に成長
表面の絶縁膜１５のみを上記実施例に示したのと同じ方
法で除去する。この後に熱処理を行うと、半導体変成層
１６は成長表面には形成されない。熱処理の後に上記実
施例と同様にしてｐ型半導体多層反射膜１０の側面の絶
縁膜１５の一部エッチング除去する。この後に例えば塩
酸あるいはフッ酸などのＡｌｘＧａ１−ｘ Ａｓ（ｘ〜
０．４）層のみをエッチングし、ＧａＡｓはエッチング
しない選択性のあるエッチング溶液を用いて、露出した
半導体変成層１６のＡｌＡｓ層のみをエッチング除去す
る。
【００２１】この工程により図６に示した形状となり半
導体変成層は分断されるため、漏れ電流は生じない。ま
たこのとき成長表面に露出したＧａＡｓからなるキャッ
プ層１１はエッチングされないため、層方向の成長膜厚
は変化しないので光学的成長層厚を変更することなく漏
れ電流をなくすことができる。
導体変成層は分断されるため、漏れ電流は生じない。ま
たこのとき成長表面に露出したＧａＡｓからなるキャッ
プ層１１はエッチングされないため、層方向の成長膜厚
は変化しないので光学的成長層厚を変更することなく漏
れ電流をなくすことができる。
【００２２】上記実施例において量子井戸活性層は単一
量子井戸としたが、これに限らず多重量子井戸であって
も本発明は適用できる。
量子井戸としたが、これに限らず多重量子井戸であって
も本発明は適用できる。
【００２３】また上記実施例において材料系はＧａＡｓ
／ＡｌＧａＡｓ系としたが、これに限らず他の材料系、
例えばＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系においても本発明は適用
できる。
／ＡｌＧａＡｓ系としたが、これに限らず他の材料系、
例えばＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系においても本発明は適用
できる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、漏
れ電流の発生を招くことなく埋め込み構造が形成するこ
とが出来るため発振閾値電流の小さい面発光半導体レー
ザが得られる。
れ電流の発生を招くことなく埋め込み構造が形成するこ
とが出来るため発振閾値電流の小さい面発光半導体レー
ザが得られる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための面発光半導
体レーザの一製造工程を示す断面図であり、図１から図
５までが全工程を示している。
体レーザの一製造工程を示す断面図であり、図１から図
５までが全工程を示している。
【図２】本発明の一実施例の製造工程を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の一実施例の製造工程を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の一実施例の製造工程を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の一実施例の製造工程を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の実施例の変形例を説明するための一工
程断面図である。
程断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板
２ ｎ型ＡｌＡｓ層
３ ｎ型ＧａＡｓ層
４ ｎ型半導体多層反射膜
５ ｎ型クラッド層
６ 量子井戸活性層
７ Ｐ型クラッド層
８ Ｐ型ＡｌＡｓ層
９ Ｐ型ＧａＡｓ層
１０ Ｐ型半導体多層反射膜
１１ キャップ層
１２ マスク
１３ 溝領域
１４ 発光領域
１５ 絶縁膜
１６ 半導体変成層
１７ 平坦化層
１８ ＳｉＮ膜
１９ Ｐ側電極
２０ ｎ側電極
Claims (1)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板上に、第１導
電型の半導体多層反射膜を形成する工程と、少くとも１
つの量子井戸を含む量子井戸活性層を形成する工程と、
第２導電型の半導体多層反射膜を形成する工程と、少く
とも量子井戸活性層に達するまでエッチング除去された
溝領域に囲まれた発光領域を形成する工程と、少なくと
も絶縁膜を含む相互拡散促進層を全面に形成する工程と
、熱処理を行ない該相互拡散促進層との界面近傍の半導
体層に半導体変成層を形成し、該発光領域側面の量子井
戸活性層を部分的に無秩序化する工程と、少なくとも第
２導電型の半導体多層反射膜側面の相互拡散促進層を含
み、かつ該量子井戸活性層側面近傍以外の相互拡散促進
層をエッチング除去する工程と、少なくとも第２導電型
の半導体多層反射膜側面の該半導体変成層の一部を除去
する工程とを有することを特徴とする面発光半導体レー
ザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3699391A JPH04275478A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 面発光半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3699391A JPH04275478A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 面発光半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04275478A true JPH04275478A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=12485267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3699391A Pending JPH04275478A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 面発光半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04275478A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537666A (en) * | 1990-09-12 | 1996-07-16 | Seiko Epson Coropration | Surface emission type semiconductor laser |
| US5621750A (en) * | 1994-01-20 | 1997-04-15 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor laser, method and apparatus for producing the same |
| CN111682401A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-09-18 | 江西铭德半导体科技有限公司 | 一种vcsel芯片及其制造方法 |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3699391A patent/JPH04275478A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537666A (en) * | 1990-09-12 | 1996-07-16 | Seiko Epson Coropration | Surface emission type semiconductor laser |
| US5587335A (en) * | 1990-09-12 | 1996-12-24 | Seiko Epson Corporation | Method of making surface emission type semiconductor laser |
| US5621750A (en) * | 1994-01-20 | 1997-04-15 | Seiko Epson Corporation | Surface emission type semiconductor laser, method and apparatus for producing the same |
| CN111682401A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-09-18 | 江西铭德半导体科技有限公司 | 一种vcsel芯片及其制造方法 |
| CN111682401B (zh) * | 2020-08-14 | 2020-10-30 | 江西铭德半导体科技有限公司 | 一种vcsel芯片及其制造方法 |
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