JPH04276642A - 半導体ウエハの測定方法 - Google Patents

半導体ウエハの測定方法

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JPH04276642A
JPH04276642A JP6108291A JP6108291A JPH04276642A JP H04276642 A JPH04276642 A JP H04276642A JP 6108291 A JP6108291 A JP 6108291A JP 6108291 A JP6108291 A JP 6108291A JP H04276642 A JPH04276642 A JP H04276642A
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wafer
semiconductor
semiconductor wafer
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chip
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Yoshito Marumo
丸茂 芳人
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハの測定方
法に関するもので、更に詳細には、半導体ウエハの円周
付近の半導体チップの形状を認識る半導体ウエハの測定
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハ(以下にウエハと
いう)上に形成された半導体チップ(以下にチップとい
う)の電気的特性を検査するプローバにおいては、水平
及び垂直の三次元方向に移動可能なウエハ載置台上に載
置されたウエハの位置合せを行った後、ウエハに多数規
則的に配列されたチップの電極と対応する位置に測定用
触針であるプローブ針を植設したプローブカードをプロ
ーバのプローブヘッドに装着し、プローブ針とチップの
各電極を接触させて、各チップ毎に順次電気的検査を行
っている。
【0003】このようなプローバによるウエハ検査工程
においてウエハの検査を効率良く行うには、図4に示す
ようなウエハaの円周付近に存在する完全でない形状の
不良チップb1の無駄な検査を省く必要がある。したが
って、ウエハaの位置合せ及びプローブカードcとチッ
プbの位置合せ等の測定を高精度に行うことは検査効率
上極めて重要である。
【0004】そこで、従来では、ウエハの表面に形成さ
れたチップを測定する方法として、例えば特開昭63−
42137号公報等に記載のものが開発されている。こ
れら従来の測定方法は、ウエハ載置台の中心をウエハ載
置台上面と対向する方向に設置された容量型センサによ
り求める方法である。
【0005】すなわち、ウエハ載置台を容量型センサの
下で移動させ、ウエハ載置台上面と上面を外れた位置に
おいてセンサの出力に差があることに注目し、ウエハ載
置台の円周上のエッジを3点以上検出し、センサ下での
ウエハ載置台の中心座標を求める。
【0006】次に、ウエハ載置台の中心に予め付された
マークをウエハパターン認識用に設けたTVカメラの下
に移動させると共に、予め付されたTV画面上のマーク
に一致させ、TVカメラ下でTV画面にマークを表示す
る位置でのウエハ載置台の中心座標を求める。また、セ
ンサとTVカメラ下でのTV画面上にマークを表示する
位置との距離を測定し、記録する。
【0007】そして、ウエハ載置台にウエハaを搭載し
、センサの下にウエハ載置台を移動し、ウエハ表面とウ
エハ表面外とでセンサの出力に差があることに注目し、
ウエハ円周上のエッジを3点以上検出し、ウエハ中心と
ウエハaの半径を求める。また、ウエハ載置台の中心と
ウエハ中心とのX軸方向及びY軸方向のずれ量を計算し
求める。
【0008】次に、ウエハ載置台をTVカメラの下に移
動させ、TV画面上のマークにウエハ上のチップbの1
点、例えば左上のチップ角を合せる。この時点において
、TVカメラの下のTV画面にマークを表示する位置に
おいてのウエハ中心とウエハaの半径及びチップ上の1
点の相互の座標関係が判明し、予めプローバにパラメー
タとして入力したチップのX方向長さ及びY方向長さを
使用し、演算を行えば、ウエハaの円周付近のチップb
の面積も求められ、完全でない形状の不良チップb1 
を検査前に知ることができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウエハの測定方法では、オペレータがTV画面上
のマークにウエハ載置台の中心に付されたマークを一致
させる必要があり、また、ウエハ載置台の中心に付され
たマークが容量型センサで測定するウエハ載置台の中心
に正しく一致しているとは限らなかった。このため、T
Vカメラ下でのウエハaの中心位置とチップbの位置と
の相互関係に誤差が生ずることがあった。
【0010】この誤差は結果としてウエハ円周付近での
チップbの面積が実際のものと異なるということでオペ
レータに判っても、ウエハaの中心がどの方向にどれ位
ずれているか判らず、修正も不可能であった。このため
、本来完全でない不良チップb1が正確な形状の検査対
象のチップと認識されたり、あるいは、逆に正確な形状
のチップbが不良チップと認識されることがあった(図
4参照)。したがって、以後のウエハ検査において、プ
ローブカードcのプローブ針が検査対象となる全てのチ
ップb,b…の電極に正確に接触されなかったり、逆に
検査対象外の不良チップb1に接触されてしまい、検査
効率の低下を招くばかりか、検査の信頼性も低下し、更
には、プローブ針の寿命の低下等の問題もあった。  
また、ウエハa上に形成されたチップbを砥石でカット
するダイシング工程においても同様に不良チップの存在
によりカット効率の低下が生じるという問題があった。
【0011】この発明は上記事情に鑑みなされたもので
、簡単な操作によってウエハの円周付近のチップの形状
を認識して、ウエハの検査効率の向上、信頼性の向上等
を図ることを目的とした半導体ウエハの測定方法を提供
しようとするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の半導体ウエハの測定方法は、画像認識さ
れた半導体ウエハの円周と一致する曲率から半導体ウエ
ハの中心及び半径を検出すると共に、上記半導体ウエハ
に多数規則的に配列された任意の半導体チップに、この
半導体チップと等しい形状の図形を合致させて半導体チ
ップの配列位置を検出し、上記半導体ウエハの検出デー
タと半導体チップの配列位置データとを比較演算して、
上記半導体ウエハの円周付近の半導体チップの形状を認
識することを特徴とするものである。
【0013】この発明において、測定される半導体ウエ
ハの円周は画像認識されていれば、必ずしも全周である
必要はなく、その一部であってもよい。また、半導体ウ
エハの円周の認識形態は任意でよく、例えばCCDカメ
ラ等によって直接画像表示装置上に表示されてもよく、
あるいは、メモリエリア内の画像データにより想定され
る円周を画像表示装置に表示したものであってもよい。
【0014】また、上記画像認識により求めたウエハの
円周に誤差が生じた場合における修正は測定ウエハの1
枚目にて行うだけでよく、2枚目以降この修正データを
使用することにより、正しい測定を行うことができる。 この場合、修正データを求める方法としては、ウエハ円
周を表示したTV画面に画像認識処理後、求めた円周を
重ねて表示し、この円周の位置及び曲率をマウスやキー
ボード又はジョイスティック等の入力操作機構を使用す
ることができる。
【0015】また、上記半導体チップと等しい形状の図
形は半導体ウエハの種類によって予め記憶された測定パ
ラメータに基いて選定され、この図形の半導体チップへ
の移動は上述の曲率を求める手段と同様にマウスやジョ
イスティックを用いることができる。
【0016】加えて、上記半導体ウエハの検出データと
半導体チップの位置データとを比較演算する手段として
、中央演算処理装置(CPU)を使用することができる
【0017】
【作用】上記のように構成することにより、被測定用の
半導体ウエハの円周が画像認識された状態において、こ
の半導体ウエハの円周と一致する曲率から半導体ウエハ
の中心及び半径が検出されて半導体ウエハの形状(大き
さ、面積等)が求められる。また、半導体ウエハ上の任
意の半導体チップにこの半導体チップと等しい形状の図
形を合致させることにより、半導体ウエハ上の半導体チ
ップの配列位置が検出される。そして、これら半導体ウ
エハの検出データと半導体チップの配列位置データとを
比較演算することにより、半導体ウエハの円周付近の半
導体チップの形状を認識することができる。また、半導
体チップと等しい形状の図形に合致した画像データを記
録しておけば、2枚目以降の半導体ウエハはこのデータ
と画像データとを比較し、オペレータの介在なしにチッ
プ配列を求めることができる。
【0018】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。
【0019】図1はこの発明の半導体ウエハの測定方法
を用いるプローバの概略構成図が示されている。
【0020】このプローバは、ウエハ搬送装置1によっ
て搬送された被測定用の半導体ウエハ2(以下にウエハ
という)を真空吸着するウエハ載置台3と、このウエハ
載置台3を水平及び垂直の三次元方向に移動するウエハ
載置台駆動装置4と、ウエハ載置台3の上方に配設され
てウエハ2上に形成された半導体チップ(以下にチップ
という)の電気的特性を検査するための複数の触針から
なるプローブカード5と、ウエハ2及びウエハ載置台3
の中心位置を検出するための容量センサ6と、ウエハ2
の円周及びチップの中心位置等を検出するCCDカメラ
7と、容量センサ6及びCCDカメラ7からの検出信号
を制御処理する制御部8とで構成されている。
【0021】制御部8は、容量センサ6及びCCDカメ
ラ7からの検出信号と予め記憶された測定に必要なパラ
メータ(例えばチップサイズデータ、移動量データ等)
とを比較演算してウエハ搬送装置1及びウエハ載置台駆
動装置4に制御信号を伝達するCPU9と、このCPU
9を介してCCDカメラ7からの検出信号を画像情報と
して表示する画像表示装置10と、画像表示装置10に
表示されたウエハ2の円周やチップの配列位置等の画像
に基く入力操作を司るジョイスティック11とで構成さ
れている。この場合、CPU9は予め記憶されたパラメ
ータ及び画像情報を演算してウエハ2の円周に対応する
円形(円周曲線)の表示及びチップと等しい形状の図形
(以下に測定用チップ枠という)を画像表示装置10上
に表示することができるようになっている。また、ジョ
イスティック11の他に、例えばマウスやキーボード等
を使用することができる。
【0022】なお、プローブカード5にはチップの電極
位置に対応するプローブ針5aが植設されている。
【0023】次に、この発明の半導体ウエハの測定方法
について図2及び図3を参照して説明する。
【0024】パターンを一度に焼付けて全面に完全な形
状の良品チップ2a、不完全な形状の不良品チップ2b
が形成されて製造された複数枚のウエハ2を収容するカ
セット(図示せず)がプローバに設置される。プローバ
ではウエハ搬送装置1によりカセット内からウエハ2が
一枚ずつ取出され、オリフラ位置を所定の方向に合せる
プリアライメント後、ウエハ載置台3に搬送されると、
ウエハ2の位置が図5に示すようにウエハ2のエッジ部
4点が容量センサ6により検知される。この容量センサ
6の検出信号に基いてウエハ2の中心点Oが求められ、
ウエハ載置台駆動装置4によりウエハ載置台3が駆動さ
れてウエハ2の位置合せが行われる(ステップA)。
【0025】位置合せが行われたウエハ2の円周の一部
がCCDカメラ7にて撮像され、その信号がCPU9に
伝達されると共に、画像表示装置10にて表示される。
【0026】このようにして画像表示装置10に表示さ
れたウエハ2の円周12の近傍位置に、円周12により
近い曲率を持つ曲線13がCPU9の画像データ処理に
より表示された後(ステップB)、ジョイスティック1
1を操作してこの曲線13をウエハ2の円周12に一致
させることにより、ウエハ2の円周の曲率が求められ、
この時、画像データの処理によって求められた中心及び
半径とジョイスティック11により修正された値との差
が補正データとして記憶される。この曲率とウエハ2の
中心点O及び半径によってウエハ2の形状(大きさ、面
積等)が検出される(ステップC)。
【0027】次に、ウエハ2上の任意のチップ2aの近
傍位置にCPU9に予め記憶されたパラメータに基いて
表示されたチップ2aに等しい形状の測定用チップ枠1
4を表示し、ジョイスティック11を操作して測定用チ
ップ枠14をチップ2aに合致させると、チップ枠内外
の画像データが2枚目の半導体ウエハのチップ判定デー
タとして記憶され、なおかつ、チップの配列位置及び配
列形態すなわち全てのチップ2a,2bのウエハ2上の
配列位置が検出される(ステップD)。
【0028】そして、ウエハ2の検出データとチップの
位置検出データがCPU9にて比較演算されて(ステッ
プE)、ウエハ2の円周付近のチップ2aの形状を認識
例えば面積が求められる(ステップF)。
【0029】したがって、ウエハ2の円周付近に存在す
る不完全な形状の不良チップ2bと、その他の完全な形
状のチップ2aとを正確に判別することができ、プロー
ブカード5によるウエハ検査を効率良く行うことができ
ると共に、検査の信頼性を向上でき、更には、不良チッ
プ2bにプローブ針5aを接触させることがないので、
プローブ針5aの摩耗を少なくでき、プローブ針5aの
寿命の増大が図れる。
【0030】2枚目以降のウエハ2の測定においては、
1枚目のウエハ2の画像データ及び補正データの取込み
によりウエハ2上のチップ2a,2bの検査の測定を行
うことができる。
【0031】なお、上記実施例ではプローバによるウエ
ハ検査工程におけるウエハ上のチップの検査測定につい
て説明したが、上記実施例に限定されるものではなく、
ウエハ2上に形成されたチップ2aを砥石でカットする
ダイシング工程においても同様に使用することができる
【0032】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の半導
体ウエハの測定方法によれば、画像認識された半導体ウ
エハに基いて簡単な操作によって半導体ウエハの形状及
び半導体チップの配列位置を検出することができ、この
半導体ウエハの検出データと半導体チップの配列位置デ
ータとを比較演算して、半導体ウエハの円周付近の半導
体チップの形状を認識することができるので、不良半導
体チップの無駄な検査を省くことができ、半導体ウエハ
の検査の効率の向上が図れると共に、検査の信頼性の向
上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の半導体ウエハの測定方法を用いたプ
ローバの概略構成図である。
【図2】半導体ウエハの測定状態を示す半導体ウエハの
概略平面図である。
【図3】半導体ウエハの測定手順を示すフローチャート
である。
【図4】従来の半導体ウエハの測定状態を示す半導体ウ
エハの概略平面図である。
【図5】半導体ウエハの中心位置の検出方法を示す説明
図である。
【符号の説明】
2  半導体ウエハ 2a  半導体チップ 2b  不良チップ 3  ウエハ載置台 5  プローブカード 8  制御部 9  CPU(中央演算処理装置) 10  画像表示装置 11  ジョイスティック 12  半導体ウエハ2の円周 13  曲線 14  測定用チップ枠

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  画像認識された半導体ウエハの円周と
    一致する曲率から半導体ウエハの中心及び半径を検出す
    ると共に、上記半導体ウエハに多数規則的に配列された
    任意の半導体チップに、この半導体チップと等しい形状
    の図形を合致させて半導体チップの配列位置を検出し、
    上記半導体ウエハの検出データと半導体チップの配列位
    置データとを比較演算して、上記半導体ウエハの円周付
    近の半導体チップの形状を認識することを特徴とする半
    導体ウエハの測定方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0665576A3 (en) * 1994-01-27 1997-05-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd Device for measuring the diameter and shape of the cross section of a wafer.
KR20220044742A (ko) 2019-08-23 2022-04-11 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 웨이퍼 외관 검사 장치 및 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0665576A3 (en) * 1994-01-27 1997-05-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd Device for measuring the diameter and shape of the cross section of a wafer.
KR20220044742A (ko) 2019-08-23 2022-04-11 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 웨이퍼 외관 검사 장치 및 방법

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