JPH0427689B2 - - Google Patents
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- JPH0427689B2 JPH0427689B2 JP57124478A JP12447882A JPH0427689B2 JP H0427689 B2 JPH0427689 B2 JP H0427689B2 JP 57124478 A JP57124478 A JP 57124478A JP 12447882 A JP12447882 A JP 12447882A JP H0427689 B2 JPH0427689 B2 JP H0427689B2
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- Japan
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- film
- amorphous silicon
- thin film
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- silicon
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明は新規な薄膜の製造方法に関する。
従来より、薄膜の製造方法には真空蒸着法、イ
オンプレーテイング法、スパツタリング法などの
PVD（Physical Vapor Deposition）法とCVD法
（Chemical Vapor Deposition−常圧CVD、減圧
CVD、プラズマCDV、スプレー法など）および
メツキ法などがある。 この中でスパツタリング法とプラズマCVD法
は双方共にグロー放電プラズマのエネルギーを利
用することによりそれまで不可能であつた薄膜の
製造を可能にしたり、低温で薄膜の製造を可能に
し近年、薄膜の製造分野で広く使用されている。 薄膜はその材質、用途などにより要求される特
性が異なるため、その製造方法もおのずと限定さ
れる。近年、クリーンエネルギーを利用する太陽
電池用低コスト薄膜半導体材料として注目を集め
ているアモルフアスシリコンを例にとりその製造
方法の問題点を抽出する。アモルフアスシリコン
膜の製造方法としてプラズマCVD法、スパツタ
リング法、イオンプレーテイング法、イオンビー
ムスパツタリング法、CVD法などが検討されて
いるが、現在の所膜質つまり太陽電池などのデバ
イス特性の観点からは、プラズマCVD法が最も
良いとされている。 しかし、プラズマCVD法でアモルフアスシリ
コン膜を製造する場合、膜の成長速度が非常に遅
く〜１〓／sec程度であるため、製造コストが充
分に下がらない欠点がある。 また、アモルフアスシリコン太陽電池において
は他の結晶半導体（Si，GaAsなど）太陽電池に
比べて光電変換効率が低いため、電力用電源とし
て使用されるまでにはいたつていない。この光電
変換効率を上げるためには広い波長範囲にわたる
太陽光エネルギーを有効に利用するためにアモル
フアスシリコンに他元素（モデイフアイア）を添
加し、アモルフアスシリコンの禁止帯巾に変化を
もたせる検討がなされている。しかし、アモルフ
アスシリコンにモデイフアイアを添加する場合、
プラズマCVD法に於いてはガスの状態で添加す
る必要があるため、使用する原料ガスが限定され
モデイフアイアを添加することによりアモルフア
スシリコンの膜質を低下させてしまう欠点があつ
た。 本発明は、プラズマCVD法とスパツタリング
法を重畳した薄膜製造方法で、上述の欠点を解消
するものである。 従つて、本発明の１つの目的は薄膜の堆積速度
を上げることにある。本発明の他の目的は膜質を
変えることのできるモデイフアイアを容易に添加
できる方法を提供することにある。 以下実施例に従い詳細に説明する。 第１図は本発明を実施するのに使用する薄膜製
造装置の断面図であり、１は真空反応室、２はカ
ソードで高周波（RF）電源（図示せず）に電気
的に接続される。マグネトロンスパツタリングの
場合には、カソード部にマグネツトを配置する。
３はアノードで基板ホルダを兼ねている。４は基
板で基板加熱ヒータ５により加熱される。６はガ
ス導入管、７は真空排気管で真空ポンプ（図示せ
ず）に接続される。８はカソード２の上に設けら
れたスパツタリングされるターゲツトである。 先ず、第１図に示す薄膜製造装置の動作につい
て説明する。 真空反応室１内を真空排気管７を通して真空ポ
ンプにより真空にする。残留ガス（特に酸素、
水、炭化水素、窒素など）の影響を少なくするた
め10-3Torrより高真空側まで、望ましくは10-7
Torrの真空度にすることが好ましい。次に基板
加熱ヒータ５により基板ホルダ３上に基板４を所
望の温度に加熱する。次にアルゴンなどの希ガス
とプラズマCVD用の原料ガスをガス導入管６か
ら導入し、真空排気管７から排気するガスの量を
真空ポンプの排気能力を調節し、真空反応室内を
所望の圧力にする。真空反応室内の圧力が1Torr
以上の時はスパツタリングがされ難く、５×10-3
Torr以下の時はプラズマCVDによる膜形成が少
なくなるため真空反応室内の圧力は５×10-3〜
1Torrの範囲が望ましい。 次に、カソード２にRF電圧を印加し、真空反
応室１内にグロー放電を起こさせる。この時ガス
導入管６から導入された原料ガスはグロー放電分
解され膜として基板４上に堆積する。同時にアル
ゴンなどの希ガスイオンによるターゲツト８はス
パツターされターゲツト物質も基板４上に堆積す
る。原料ガスおよびターゲツト材質を変えること
により種々の膜が得られる。 実施例 １ 原料ガスとしてモノシラン（SiH4）、希ガスと
してアルゴン（Ar）、ターゲツトとして結晶シリ
コンを用いた場合のその製造条件、膜特性（暗伝
導度：〓d、光伝導度：〓ph、光学的禁止帯巾：
Ego）および膜成長速度を表１に示す。表１には
比較のため従来法であるプラズマCVD法（第１
図においてターゲツト８がない場合）の製造条
件、膜特性および膜成長速度をあわせて記す。 それぞれの方法に於いて製造条件は膜特性が最
も良い（〓phが大きく、〓ph／σdが小さい）最適条
件である。
オンプレーテイング法、スパツタリング法などの
PVD（Physical Vapor Deposition）法とCVD法
（Chemical Vapor Deposition−常圧CVD、減圧
CVD、プラズマCDV、スプレー法など）および
メツキ法などがある。 この中でスパツタリング法とプラズマCVD法
は双方共にグロー放電プラズマのエネルギーを利
用することによりそれまで不可能であつた薄膜の
製造を可能にしたり、低温で薄膜の製造を可能に
し近年、薄膜の製造分野で広く使用されている。 薄膜はその材質、用途などにより要求される特
性が異なるため、その製造方法もおのずと限定さ
れる。近年、クリーンエネルギーを利用する太陽
電池用低コスト薄膜半導体材料として注目を集め
ているアモルフアスシリコンを例にとりその製造
方法の問題点を抽出する。アモルフアスシリコン
膜の製造方法としてプラズマCVD法、スパツタ
リング法、イオンプレーテイング法、イオンビー
ムスパツタリング法、CVD法などが検討されて
いるが、現在の所膜質つまり太陽電池などのデバ
イス特性の観点からは、プラズマCVD法が最も
良いとされている。 しかし、プラズマCVD法でアモルフアスシリ
コン膜を製造する場合、膜の成長速度が非常に遅
く〜１〓／sec程度であるため、製造コストが充
分に下がらない欠点がある。 また、アモルフアスシリコン太陽電池において
は他の結晶半導体（Si，GaAsなど）太陽電池に
比べて光電変換効率が低いため、電力用電源とし
て使用されるまでにはいたつていない。この光電
変換効率を上げるためには広い波長範囲にわたる
太陽光エネルギーを有効に利用するためにアモル
フアスシリコンに他元素（モデイフアイア）を添
加し、アモルフアスシリコンの禁止帯巾に変化を
もたせる検討がなされている。しかし、アモルフ
アスシリコンにモデイフアイアを添加する場合、
プラズマCVD法に於いてはガスの状態で添加す
る必要があるため、使用する原料ガスが限定され
モデイフアイアを添加することによりアモルフア
スシリコンの膜質を低下させてしまう欠点があつ
た。 本発明は、プラズマCVD法とスパツタリング
法を重畳した薄膜製造方法で、上述の欠点を解消
するものである。 従つて、本発明の１つの目的は薄膜の堆積速度
を上げることにある。本発明の他の目的は膜質を
変えることのできるモデイフアイアを容易に添加
できる方法を提供することにある。 以下実施例に従い詳細に説明する。 第１図は本発明を実施するのに使用する薄膜製
造装置の断面図であり、１は真空反応室、２はカ
ソードで高周波（RF）電源（図示せず）に電気
的に接続される。マグネトロンスパツタリングの
場合には、カソード部にマグネツトを配置する。
３はアノードで基板ホルダを兼ねている。４は基
板で基板加熱ヒータ５により加熱される。６はガ
ス導入管、７は真空排気管で真空ポンプ（図示せ
ず）に接続される。８はカソード２の上に設けら
れたスパツタリングされるターゲツトである。 先ず、第１図に示す薄膜製造装置の動作につい
て説明する。 真空反応室１内を真空排気管７を通して真空ポ
ンプにより真空にする。残留ガス（特に酸素、
水、炭化水素、窒素など）の影響を少なくするた
め10-3Torrより高真空側まで、望ましくは10-7
Torrの真空度にすることが好ましい。次に基板
加熱ヒータ５により基板ホルダ３上に基板４を所
望の温度に加熱する。次にアルゴンなどの希ガス
とプラズマCVD用の原料ガスをガス導入管６か
ら導入し、真空排気管７から排気するガスの量を
真空ポンプの排気能力を調節し、真空反応室内を
所望の圧力にする。真空反応室内の圧力が1Torr
以上の時はスパツタリングがされ難く、５×10-3
Torr以下の時はプラズマCVDによる膜形成が少
なくなるため真空反応室内の圧力は５×10-3〜
1Torrの範囲が望ましい。 次に、カソード２にRF電圧を印加し、真空反
応室１内にグロー放電を起こさせる。この時ガス
導入管６から導入された原料ガスはグロー放電分
解され膜として基板４上に堆積する。同時にアル
ゴンなどの希ガスイオンによるターゲツト８はス
パツターされターゲツト物質も基板４上に堆積す
る。原料ガスおよびターゲツト材質を変えること
により種々の膜が得られる。 実施例 １ 原料ガスとしてモノシラン（SiH4）、希ガスと
してアルゴン（Ar）、ターゲツトとして結晶シリ
コンを用いた場合のその製造条件、膜特性（暗伝
導度：〓d、光伝導度：〓ph、光学的禁止帯巾：
Ego）および膜成長速度を表１に示す。表１には
比較のため従来法であるプラズマCVD法（第１
図においてターゲツト８がない場合）の製造条
件、膜特性および膜成長速度をあわせて記す。 それぞれの方法に於いて製造条件は膜特性が最
も良い（〓phが大きく、〓ph／σdが小さい）最適条
件である。
【表】
表１に示すように本発明によれば膜特性を悪く
することなく膜成長速度を大きくすることができ
る。この時ターゲツトに不純物（硼素、燐など）
をドープされたシリコンを使用することによりｐ
型あるいはｎ型のアモルフアスシリコンが得られ
る。 実施例 ２ 原料ガスとしてSiH4、希ガスとしてAr、ター
ゲツトとして錫（Sn）を用いることによりアモ
ルフアスシリコンの中にSnを添加した膜を製造
したときの製造条件、膜特性および膜成長速度を
表２に示す。アモルフアスシリコン膜を太陽電池
用材料として用いる場合、長波長の光に対して感
度を良くするためにその禁止帯巾を小さくするこ
とが重要になる。表２には比較のために従来法で
あるプラズマCVD法の製造条件、膜特性および
膜成長速度をあわせて記す。従来法に於いては
Snの原料として四塩化錫（SnCl4）およびテトラ
メチル錫（Sn（CH3）4）を使用した場合につき記
す。SnCI4およびSn（CH3）4はArによりバブリン
グして導入した。他の錫化合物（二塩化ジメチル
錫など）を使用した場合についても検討したが膜
特性の良いものが得られなかつたのでここでは略
く。 それぞれの製造方法に於いて、製造条件は膜特
性が最も良い（〓phが大きく、Egoが1.5eV以下）
最適条件の場合について記す。
することなく膜成長速度を大きくすることができ
る。この時ターゲツトに不純物（硼素、燐など）
をドープされたシリコンを使用することによりｐ
型あるいはｎ型のアモルフアスシリコンが得られ
る。 実施例 ２ 原料ガスとしてSiH4、希ガスとしてAr、ター
ゲツトとして錫（Sn）を用いることによりアモ
ルフアスシリコンの中にSnを添加した膜を製造
したときの製造条件、膜特性および膜成長速度を
表２に示す。アモルフアスシリコン膜を太陽電池
用材料として用いる場合、長波長の光に対して感
度を良くするためにその禁止帯巾を小さくするこ
とが重要になる。表２には比較のために従来法で
あるプラズマCVD法の製造条件、膜特性および
膜成長速度をあわせて記す。従来法に於いては
Snの原料として四塩化錫（SnCl4）およびテトラ
メチル錫（Sn（CH3）4）を使用した場合につき記
す。SnCI4およびSn（CH3）4はArによりバブリン
グして導入した。他の錫化合物（二塩化ジメチル
錫など）を使用した場合についても検討したが膜
特性の良いものが得られなかつたのでここでは略
く。 それぞれの製造方法に於いて、製造条件は膜特
性が最も良い（〓phが大きく、Egoが1.5eV以下）
最適条件の場合について記す。
【表】
表２に示すように本発明の実施例２によれば、
光学的禁止帯巾EgoはSnを添加しない1.8eVから
1.45eVまで減少し、しかも光伝導度は大きく、
暗伝導度は小さい良質の膜が得られる。一方従来
法２によればEgoは減少するが、膜特性が悪い。
これはおそらく塩素が膜中に入つたためであると
考えられる。また従来法３によればEgoは殆んど
変らず、膜特性もあまり良くない。これは膜中に
Egoを小さくする効果のあるSnとEgoを大きくす
る効果のあるＣが入つたためであると考えられ
る。また膜成長速度は本発明と従来法とほぼ同じ
であつた。 このように本発明によれば、他元素（モデイフ
アイア）を添加することによりアモルフアスシリ
コンの禁止帯巾を変えることができる。アモルフ
アスシリコンのモデイフアイアとしては四配位結
合をし易すい四族元素（例えば炭素、ゲルマニウ
ム、錫、鉛など）が適当である。炭素をモデイフ
アイアとすると禁止帯巾は大きくなり、ゲルマニ
ウム、錫、鉛をモデイフアイアとすれば禁止帯巾
は小さくなる。また、本発明はドーパントを添加
する場合にも使用できる。例えば硼素（Ｂ）、ア
ルミニウム（Al）、燐（Ｐ）、ヒ素（As）などを
ターゲツトに使用することによりこれらのドーパ
ントをドーピングし、ｐ型やｎ型の伝導型にアモ
ルフアスシリコンを価電子制御することができ
る。 以上詳細に説明したごとく、本発明によれば膜
の成長速度を大巾に速くすることができ、マグネ
トロンスパツターを併用することもできる。また
本発明によれば種々の特性値を持つた薄膜を容易
に製造できる。 以上の説明はアモルフアスシリコンプラズマ
CVDの原料ガスとしてSiH4を用いた場合につき
述べたが、ガス状にできるシリコンの化合物（例
えばジシラン（Si2H6）であればよい。また、ス
パツタリングするためのガスがアルゴンの場合に
つき述べたがヘリウム、ネオン、クリプトンある
いはクセノンなどの希ガスであれば同様の効果が
あることは明らかである。
光学的禁止帯巾EgoはSnを添加しない1.8eVから
1.45eVまで減少し、しかも光伝導度は大きく、
暗伝導度は小さい良質の膜が得られる。一方従来
法２によればEgoは減少するが、膜特性が悪い。
これはおそらく塩素が膜中に入つたためであると
考えられる。また従来法３によればEgoは殆んど
変らず、膜特性もあまり良くない。これは膜中に
Egoを小さくする効果のあるSnとEgoを大きくす
る効果のあるＣが入つたためであると考えられ
る。また膜成長速度は本発明と従来法とほぼ同じ
であつた。 このように本発明によれば、他元素（モデイフ
アイア）を添加することによりアモルフアスシリ
コンの禁止帯巾を変えることができる。アモルフ
アスシリコンのモデイフアイアとしては四配位結
合をし易すい四族元素（例えば炭素、ゲルマニウ
ム、錫、鉛など）が適当である。炭素をモデイフ
アイアとすると禁止帯巾は大きくなり、ゲルマニ
ウム、錫、鉛をモデイフアイアとすれば禁止帯巾
は小さくなる。また、本発明はドーパントを添加
する場合にも使用できる。例えば硼素（Ｂ）、ア
ルミニウム（Al）、燐（Ｐ）、ヒ素（As）などを
ターゲツトに使用することによりこれらのドーパ
ントをドーピングし、ｐ型やｎ型の伝導型にアモ
ルフアスシリコンを価電子制御することができ
る。 以上詳細に説明したごとく、本発明によれば膜
の成長速度を大巾に速くすることができ、マグネ
トロンスパツターを併用することもできる。また
本発明によれば種々の特性値を持つた薄膜を容易
に製造できる。 以上の説明はアモルフアスシリコンプラズマ
CVDの原料ガスとしてSiH4を用いた場合につき
述べたが、ガス状にできるシリコンの化合物（例
えばジシラン（Si2H6）であればよい。また、ス
パツタリングするためのガスがアルゴンの場合に
つき述べたがヘリウム、ネオン、クリプトンある
いはクセノンなどの希ガスであれば同様の効果が
あることは明らかである。
第１図は本発明を実施するのに使用する薄膜製
造装置の１例を示す断面図である。 １……反応室、２……カソード、３……アノー
ド、４……基板、５……ヒーター、６……導入
管、７……排気管、８……ターゲツト。
造装置の１例を示す断面図である。 １……反応室、２……カソード、３……アノー
ド、４……基板、５……ヒーター、６……導入
管、７……排気管、８……ターゲツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくともシリコン以外の四族元素の１種あ
るいは２種をモデイフアイアとして含む水素化ア
モルフアスシリコン合金薄膜の製造方法におい
て、水素化硅素と水素を含むガスのプラズマ
CVDにより水素化アモルフアスシリコン薄膜を
生成しつつ、同時に少なくともシリコン以外の四
族元素の１種又は四族元素の２種を含む材料から
成るターゲツトを、希ガスイオンによりスパツタ
し、ターゲツト物質を前記薄膜中にモデイフアイ
アとして添加し合金化せしめ、もつてＰ型、Ｉ型
又はＮ型のアモルフアスシリコン合金半導体を得
ることを特徴とする薄膜の製造方法。 ２ ターゲツトが少なくともシリコン以外の四族
元素の１種又は四族元素の２種を含み、更にドー
パントの元素として三族又は五族の元素を含む合
金材であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124478A JPS5916326A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124478A JPS5916326A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916326A JPS5916326A (ja) | 1984-01-27 |
| JPH0427689B2 true JPH0427689B2 (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=14886505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124478A Granted JPS5916326A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916326A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59161813A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 不純物をド−プした半導体薄膜の製造方法 |
| JPS63224322A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質シリコンアロイ膜 |
| JP2539422B2 (ja) * | 1987-04-15 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | プラズマｃｖｄ平坦化成膜方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850419B2 (ja) * | 1975-04-16 | 1983-11-10 | 松下電器産業株式会社 | 圧電性薄膜の製造方法 |
-
1982
- 1982-07-19 JP JP57124478A patent/JPS5916326A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5916326A (ja) | 1984-01-27 |
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