JPH04276905A - ストリップ線路の製造方法 - Google Patents
ストリップ線路の製造方法Info
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- JPH04276905A JPH04276905A JP3862091A JP3862091A JPH04276905A JP H04276905 A JPH04276905 A JP H04276905A JP 3862091 A JP3862091 A JP 3862091A JP 3862091 A JP3862091 A JP 3862091A JP H04276905 A JPH04276905 A JP H04276905A
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- strip
- microwave
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波トランジス
タやマイクロ波集積回路のようなマイクロ波回路に用い
られるストリップ線路の製造方法に関する。
タやマイクロ波集積回路のようなマイクロ波回路に用い
られるストリップ線路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波トランジスタやマイクロ波集
積回路のような小型のマイクロ波回路は、軍用の航空船
舶通信装置や、衛星通信用の衛星搭載機器及び地上局装
置や、各種レーダ装置等の性能向上、小型軽量化、高信
頼性化の要求から生まれたものである。
積回路のような小型のマイクロ波回路は、軍用の航空船
舶通信装置や、衛星通信用の衛星搭載機器及び地上局装
置や、各種レーダ装置等の性能向上、小型軽量化、高信
頼性化の要求から生まれたものである。
【０００３】マイクロ波回路においてマイクロ波伝送線
路として用いられるストリップ線路は接地導体とストリ
ップ導体とで構成された平面構造をしているため、従来
の導波管を用いた立体回路に比べて小形化が可能である
と共に自由に回路を構成でき、信号伝送損失も少なく、
広帯域な周波数特性が得られる。ストリップ線路を用い
たマイクロ波回路、例えばマイクロ波トランジスタ回路
では、マイクロ波帯の波長に対して各構成要素の物理的
大きさが大きいため、それらの実装方法によりマイクロ
波回路に特性が大きく変化してしまう。このため、マイ
クロ波回路では組立て時に回路の特性を調整する必要が
ある。
路として用いられるストリップ線路は接地導体とストリ
ップ導体とで構成された平面構造をしているため、従来
の導波管を用いた立体回路に比べて小形化が可能である
と共に自由に回路を構成でき、信号伝送損失も少なく、
広帯域な周波数特性が得られる。ストリップ線路を用い
たマイクロ波回路、例えばマイクロ波トランジスタ回路
では、マイクロ波帯の波長に対して各構成要素の物理的
大きさが大きいため、それらの実装方法によりマイクロ
波回路に特性が大きく変化してしまう。このため、マイ
クロ波回路では組立て時に回路の特性を調整する必要が
ある。
【０００４】このように組立て時の特性の調整を考慮し
たマイクロ波回路の従来例を図５に示す。図５（ａ）
は特性調整前のマイクロ波回路の一部を切欠いた斜視図
、図５（ｂ） は特性調整後のマイクロ波回路の平面図
である。 アルミナの誘電体基板２２の裏面に接地用金属基板２０
が形成され、誘電体基板２２の表面上には金（Ａｕ）を
用いたストリップ導体２４及び特性調整用導体２６が形
成されている。ストリップ線路は接地用金属基板２０と
ストリップ導体２４により構成される。特性調整用導体
２６はストリップ導体２４の近くに複数個配置されてい
る。
たマイクロ波回路の従来例を図５に示す。図５（ａ）
は特性調整前のマイクロ波回路の一部を切欠いた斜視図
、図５（ｂ） は特性調整後のマイクロ波回路の平面図
である。 アルミナの誘電体基板２２の裏面に接地用金属基板２０
が形成され、誘電体基板２２の表面上には金（Ａｕ）を
用いたストリップ導体２４及び特性調整用導体２６が形
成されている。ストリップ線路は接地用金属基板２０と
ストリップ導体２４により構成される。特性調整用導体
２６はストリップ導体２４の近くに複数個配置されてい
る。
【０００５】マイクロ波回路の高周波特性を所望の特性
にするためには、図５（ｂ） に示すように、ボンディ
ングワイヤ２８によりストリップ導体２４に特性調整用
導体２６を接続して特性を調整する。すなわち、ボンデ
ィングワイヤ２８により左側の２個の特性調整用導体２
６を直列に接続してストリップ導体２４に接続すると共
に、右側の１個の特性調整用導体２６をストリップ導体
２４に接続して、マイクロ波回路の高周波特性を調整し
ている。
にするためには、図５（ｂ） に示すように、ボンディ
ングワイヤ２８によりストリップ導体２４に特性調整用
導体２６を接続して特性を調整する。すなわち、ボンデ
ィングワイヤ２８により左側の２個の特性調整用導体２
６を直列に接続してストリップ導体２４に接続すると共
に、右側の１個の特性調整用導体２６をストリップ導体
２４に接続して、マイクロ波回路の高周波特性を調整し
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術ではボンディングワイヤ２８によりストリップ
導体２４と特性調整用導体２６を接続するので、アルミ
ナのようなワイヤボンディングが確実にできる材料の誘
電体基板２２を用いなければならないという問題があっ
た。
従来技術ではボンディングワイヤ２８によりストリップ
導体２４と特性調整用導体２６を接続するので、アルミ
ナのようなワイヤボンディングが確実にできる材料の誘
電体基板２２を用いなければならないという問題があっ
た。
【０００７】また、ボンディングワイヤ２８自身の長さ
や本数、ボンディングの位置等も特性に影響するため、
再現性の良いワイヤボンディング技術が必要となるとい
う問題があった。さらに、特性調整用導体２６とボンデ
ィングワイヤ２８を組み合わせた特性が不明であるため
、試行錯誤で特性調整作業を行う必要があるという問題
があった。
や本数、ボンディングの位置等も特性に影響するため、
再現性の良いワイヤボンディング技術が必要となるとい
う問題があった。さらに、特性調整用導体２６とボンデ
ィングワイヤ２８を組み合わせた特性が不明であるため
、試行錯誤で特性調整作業を行う必要があるという問題
があった。
【０００８】本発明の目的は、ワイヤボンディング技術
を用いることなく、高周波特性が所望の特性になるよう
にマイクロ波回路を容易に調整することができるストリ
ップ線路の製造方法を提供することにある。
を用いることなく、高周波特性が所望の特性になるよう
にマイクロ波回路を容易に調整することができるストリ
ップ線路の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ストリップ
導体により構成されたストリップ線路の製造方法におい
て、誘電体基板上に、信号が伝送される信号伝送用導体
と前記信号伝送用導体から分岐した特性調整用導体によ
り構成されたストリップ導体を形成し、前記ストリップ
導体の高周波特性が所望の特性となるように前記特性調
整用導体を切断して、前記特性調整用導体の少なくとも
一部を前記信号伝送用導体から分離することを特徴とす
るストリップ線路の製造方法によって達成される。
導体により構成されたストリップ線路の製造方法におい
て、誘電体基板上に、信号が伝送される信号伝送用導体
と前記信号伝送用導体から分岐した特性調整用導体によ
り構成されたストリップ導体を形成し、前記ストリップ
導体の高周波特性が所望の特性となるように前記特性調
整用導体を切断して、前記特性調整用導体の少なくとも
一部を前記信号伝送用導体から分離することを特徴とす
るストリップ線路の製造方法によって達成される。
【００１０】
【作用】本発明によれば、特性調整用導体を切断し、特
性調整用導体の少なくとも一部を信号伝送用導体から分
離することにより特性の調整を行なっているので、ワイ
ヤボンディング技術を用いることなく、マイクロ波回路
の特性を容易に調整することができる。
性調整用導体の少なくとも一部を信号伝送用導体から分
離することにより特性の調整を行なっているので、ワイ
ヤボンディング技術を用いることなく、マイクロ波回路
の特性を容易に調整することができる。
【００１１】
【実施例】本発明の第１の実施例によるストリップ線路
の製造方法を図１を用いて説明する。図１（ａ） は特
性調整前のマイクロ波回路の平面図、図１（ｂ） は特
性調整後のマイクロ波回路の平面図である。本実施例で
は、テフロン（ｄｕ Ｐｏｎｔ社商標、物質名：ポリ
テトラフルオロエチレン）基板の誘電体基板１０上に、
信号が伝送される信号伝送用導体１２と信号伝送用導体
１２から分岐した特性調整用導体１４とにより構成され
たストリップ導体１６を形成する。ストリップ導体１６
は金メッキした銅により形成されている。特性調整用導
体１４は、図１（ａ） に示すように、複数のランド１
４ａと各ランド１４ａを接続する細い接続部１４ｂによ
り構成されている。信号伝送用導体１２から細い接続部
１４ｂを介して３つのランド１４ａが３列設けられてい
る。
の製造方法を図１を用いて説明する。図１（ａ） は特
性調整前のマイクロ波回路の平面図、図１（ｂ） は特
性調整後のマイクロ波回路の平面図である。本実施例で
は、テフロン（ｄｕ Ｐｏｎｔ社商標、物質名：ポリ
テトラフルオロエチレン）基板の誘電体基板１０上に、
信号が伝送される信号伝送用導体１２と信号伝送用導体
１２から分岐した特性調整用導体１４とにより構成され
たストリップ導体１６を形成する。ストリップ導体１６
は金メッキした銅により形成されている。特性調整用導
体１４は、図１（ａ） に示すように、複数のランド１
４ａと各ランド１４ａを接続する細い接続部１４ｂによ
り構成されている。信号伝送用導体１２から細い接続部
１４ｂを介して３つのランド１４ａが３列設けられてい
る。
【００１２】細い接続部１４ｂを切断した場合の高周波
特性を計算機を用いた数値シュミレーションにより予測
し、その高周波特性が所望の特性になるような切断点を
決め、特性調整用導体１４を信号伝送用導体１２から切
離すことにより調整する。細い接続部１４ｂのパターン
をカッタ等により切断することにより、信号伝送用導体
１２からランド１４ａを分離する。例えば、図１（ｂ）
に示すように、ランド１４ａの各列における接続部１
４ｂを切断することにより、左側の列は２つのランド１
４ａが接続され、中央の列はランド１４ａが接続されず
、右側の列はひとつのランド１４ａが接続された状態に
なる。
特性を計算機を用いた数値シュミレーションにより予測
し、その高周波特性が所望の特性になるような切断点を
決め、特性調整用導体１４を信号伝送用導体１２から切
離すことにより調整する。細い接続部１４ｂのパターン
をカッタ等により切断することにより、信号伝送用導体
１２からランド１４ａを分離する。例えば、図１（ｂ）
に示すように、ランド１４ａの各列における接続部１
４ｂを切断することにより、左側の列は２つのランド１
４ａが接続され、中央の列はランド１４ａが接続されず
、右側の列はひとつのランド１４ａが接続された状態に
なる。
【００１３】本実施例によれば、特性調整用導体を複数
のランドにより構成し、接続部を切断して信号伝送用導
体からランドを切離すことにより特性の調整を行うので
、調整後の特性の予測が可能であり、少しのカットアン
ドトライにより短時間で調整することができる。また、
本実施例では、誘電体基板を柔らかいテフロン基板など
の有機高分子材料からなる基板とし、切断する接続部を
細くしたので、従来のようにワイヤボンディング装置を
用いることなく、カッタ等により極めて容易に特性調整
作業が可能である。
のランドにより構成し、接続部を切断して信号伝送用導
体からランドを切離すことにより特性の調整を行うので
、調整後の特性の予測が可能であり、少しのカットアン
ドトライにより短時間で調整することができる。また、
本実施例では、誘電体基板を柔らかいテフロン基板など
の有機高分子材料からなる基板とし、切断する接続部を
細くしたので、従来のようにワイヤボンディング装置を
用いることなく、カッタ等により極めて容易に特性調整
作業が可能である。
【００１４】さらに、テフロン基板のように信頼性の高
いワイヤボンディングが困難な材料で誘電体基板を作っ
た場合でも容易に特性を調整することができる。本発明
の第２の実施例によるストリップ線路の製造方法を図２
を用いて説明する。図２（ａ） は特性調整前のマイク
ロ波回路の平面図、図２（ｂ） は特性調整後のマイク
ロ波回路の平面図である。図１に示す第１の実施例と同
一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
いワイヤボンディングが困難な材料で誘電体基板を作っ
た場合でも容易に特性を調整することができる。本発明
の第２の実施例によるストリップ線路の製造方法を図２
を用いて説明する。図２（ａ） は特性調整前のマイク
ロ波回路の平面図、図２（ｂ） は特性調整後のマイク
ロ波回路の平面図である。図１に示す第１の実施例と同
一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００１５】本実施例は、図２（ａ） に示すように、
特性調整用導体１４として信号伝送用導体１２から分岐
した開放端スタブ１４ｃを用いている。本実施例では信
号伝送用導体１２から３本の開放端スタブ１４ｃを分岐
させている。特性の調整を行うには、高周波特性が所望
の特性になるように開放端スタブ１４ｃを数値シュミレ
ーションにより予測した位置で切断して、信号伝送用導
体１２から開放端スタブ１４ｃの一部を切離す。例えば
、図２（ｂ） に示すように、３本の開放端スタブ１４
ｃのうち、左側の開放端スタブ１４ｃの２／３程度の長
さと、右側の開放端スタブ１４ｃの１／３程度の長さと
が、信号伝送用導体１４ａに接続された状態になる。
特性調整用導体１４として信号伝送用導体１２から分岐
した開放端スタブ１４ｃを用いている。本実施例では信
号伝送用導体１２から３本の開放端スタブ１４ｃを分岐
させている。特性の調整を行うには、高周波特性が所望
の特性になるように開放端スタブ１４ｃを数値シュミレ
ーションにより予測した位置で切断して、信号伝送用導
体１２から開放端スタブ１４ｃの一部を切離す。例えば
、図２（ｂ） に示すように、３本の開放端スタブ１４
ｃのうち、左側の開放端スタブ１４ｃの２／３程度の長
さと、右側の開放端スタブ１４ｃの１／３程度の長さと
が、信号伝送用導体１４ａに接続された状態になる。
【００１６】本実施例によれば、特性調整用導体を開放
端スタブにより構成したので、任意の位置で特性調整用
導体を切断することができ、特性調整の自由度が大きく
なる。本発明の第３の実施例によるストリップ線路の製
造方法を図３及び図４を用いて説明する。図３（ａ）
はマイクロ波アンプの平面図、図３（ｂ） は同マイク
ロ波アンプのＡ−Ａ線断面図である。図４は同マイクロ
波アンプの特性調整状態の説明図である。
端スタブにより構成したので、任意の位置で特性調整用
導体を切断することができ、特性調整の自由度が大きく
なる。本発明の第３の実施例によるストリップ線路の製
造方法を図３及び図４を用いて説明する。図３（ａ）
はマイクロ波アンプの平面図、図３（ｂ） は同マイク
ロ波アンプのＡ−Ａ線断面図である。図４は同マイクロ
波アンプの特性調整状態の説明図である。
【００１７】本実施例におけるマイクロ波アンプ（８Ｇ
Ｈｚ電力増幅器）は、マイクロ波を増幅するＦＥＴ素子
３０の入力側（ゲート端子３０ｇ側）に入力回路４０が
設けられ、出力側（ドレイン端子３０ｄ側）に出力回路
５０が設けられている。ＦＥＴ素子３０はケース金属３
２にねじ止めされ、入力回路４０も出力回路５０もケー
ス金属３２に固定されている。
Ｈｚ電力増幅器）は、マイクロ波を増幅するＦＥＴ素子
３０の入力側（ゲート端子３０ｇ側）に入力回路４０が
設けられ、出力側（ドレイン端子３０ｄ側）に出力回路
５０が設けられている。ＦＥＴ素子３０はケース金属３
２にねじ止めされ、入力回路４０も出力回路５０もケー
ス金属３２に固定されている。
【００１８】入力回路４０、出力回路５０は、両面に銅
層が形成されたテフロングラス積層板の片面の銅層をエ
ッチングによりパターニングして形成されたマイクロ波
回路により構成されている。本実施例では入力回路４０
の詳細について説明し、出力回路５０の詳細については
図示及び説明を省略する。入力回路４０が形成されるテ
フロングラス積層板４１は、誘電率εが１０で、厚さが
０．６３５ｍｍで、縦５ｍｍ、横８ｍｍの長方形形状で
ある。このテフロングラス積層板４１下面には全面に１
７．５μｍ厚の銅層４２が形成され、ケース金属３２に
ハンダ３４により固定されている。テフロングラス積層
板４１上面には１７．５μｍ厚の銅層４３がパターニン
グされ、信号が伝送される信号伝送用導体４４と信号伝
送用導体４４から分岐した特性調整用導体４５とにより
構成されたストリップ導体４６が形成されている。なお
、銅層４２、４３の表面は３〜５μｍ厚の金がメッキさ
れている。
層が形成されたテフロングラス積層板の片面の銅層をエ
ッチングによりパターニングして形成されたマイクロ波
回路により構成されている。本実施例では入力回路４０
の詳細について説明し、出力回路５０の詳細については
図示及び説明を省略する。入力回路４０が形成されるテ
フロングラス積層板４１は、誘電率εが１０で、厚さが
０．６３５ｍｍで、縦５ｍｍ、横８ｍｍの長方形形状で
ある。このテフロングラス積層板４１下面には全面に１
７．５μｍ厚の銅層４２が形成され、ケース金属３２に
ハンダ３４により固定されている。テフロングラス積層
板４１上面には１７．５μｍ厚の銅層４３がパターニン
グされ、信号が伝送される信号伝送用導体４４と信号伝
送用導体４４から分岐した特性調整用導体４５とにより
構成されたストリップ導体４６が形成されている。なお
、銅層４２、４３の表面は３〜５μｍ厚の金がメッキさ
れている。
【００１９】信号伝送用導体４４は幅Ｗ１が０．６ｍｍ
の帯形状をしている。左端から入力したマイクロ波は信
号伝送用導体４４を伝送し、ＦＥＴ素子３０のゲート端
子３０ｇに入力される。特性調整用導体４５は、複数の
ランド４５ａと、各ランド４５ａを接続する細い接続部
４５ｂにより構成されている。信号伝送用導体４４の両
側には細い接続部４５ｂを介して２つのランド４５ａが
３列設けられている。信号伝送用導体４４とゲート端子
３０ｇとの接続点Ｂから長さｄ１（＝０．８ｍｍ）毎に
信号伝送用導体４４から接続部４５ｂが分岐し、２つず
つのランド４５ａが接続されている。
の帯形状をしている。左端から入力したマイクロ波は信
号伝送用導体４４を伝送し、ＦＥＴ素子３０のゲート端
子３０ｇに入力される。特性調整用導体４５は、複数の
ランド４５ａと、各ランド４５ａを接続する細い接続部
４５ｂにより構成されている。信号伝送用導体４４の両
側には細い接続部４５ｂを介して２つのランド４５ａが
３列設けられている。信号伝送用導体４４とゲート端子
３０ｇとの接続点Ｂから長さｄ１（＝０．８ｍｍ）毎に
信号伝送用導体４４から接続部４５ｂが分岐し、２つず
つのランド４５ａが接続されている。
【００２０】ランド４５ａは幅Ｗ２が０．６ｍｍで長さ
ｄ２が０．６ｍｍの正方形パターンであり、接続部４５
ｂは幅Ｗ３が０．１ｍｍで長さｄ３が０．２ｍｍの長方
形パターンである。特性の調整には、細い接続部４５ｂ
を針先により除去して信号伝送用導体４４からランド４
５ａを切り離すことにより行う。次に、本実施例による
特性を調整したストリップ線路の製造方法の具体例につ
いて図４を用いて説明する。
ｄ２が０．６ｍｍの正方形パターンであり、接続部４５
ｂは幅Ｗ３が０．１ｍｍで長さｄ３が０．２ｍｍの長方
形パターンである。特性の調整には、細い接続部４５ｂ
を針先により除去して信号伝送用導体４４からランド４
５ａを切り離すことにより行う。次に、本実施例による
特性を調整したストリップ線路の製造方法の具体例につ
いて図４を用いて説明する。
【００２１】信号伝送用導体４４とＦＥＴ素子３０のゲ
ート端子３０ｇとの接続点ＢからＦＥＴ素子３０側をみ
たインピーダンスをＺｌ、入力回路４０側をみたインピ
ーダンスをＺｓとすると、インピーダンスＺｌとインピ
ーダンスＺｓが複素共役の関係にあるときが最も効率よ
く電力がＦＥＴ素子３０に入力する。インピーダンスＺ
ｌはＦＥＴ素子３０に印加する電圧、電流により変化す
るが基本的にはＦＥＴ素子３０固有の値である。このイ
ンピーダンスＺｌと複素共役の関係になるように特性調
整用導体４５を用いてインピーダンスＺｓを調整する。
ート端子３０ｇとの接続点ＢからＦＥＴ素子３０側をみ
たインピーダンスをＺｌ、入力回路４０側をみたインピ
ーダンスをＺｓとすると、インピーダンスＺｌとインピ
ーダンスＺｓが複素共役の関係にあるときが最も効率よ
く電力がＦＥＴ素子３０に入力する。インピーダンスＺ
ｌはＦＥＴ素子３０に印加する電圧、電流により変化す
るが基本的にはＦＥＴ素子３０固有の値である。このイ
ンピーダンスＺｌと複素共役の関係になるように特性調
整用導体４５を用いてインピーダンスＺｓを調整する。
【００２２】特性調整用導体４５によるインピーダンス
Ｚｓの調整の基本は、ランド４５ａを接続点Ｂからどれ
くらい離すかにより主としてインピーダンスＺｓの虚部
の値を変化させ、ランド４５ａをいくつ接続するかによ
り主としてインピーダンスＺｓの実部の値を変化させる
。図４（ａ） は接続点Ｂからｄ１だけ離れた点から分
岐したランドＰだけを接続し、他のランドを切り離した
場合の信号伝送用導体４４と特性調整用導体４５による
ストリップ導体４６の接続状態を示したものである。こ
の場合のインピーダンスＺｓを計算すると、Ｚｓ＝３４
．４−ｊ９．５［Ω］ となる。
Ｚｓの調整の基本は、ランド４５ａを接続点Ｂからどれ
くらい離すかにより主としてインピーダンスＺｓの虚部
の値を変化させ、ランド４５ａをいくつ接続するかによ
り主としてインピーダンスＺｓの実部の値を変化させる
。図４（ａ） は接続点Ｂからｄ１だけ離れた点から分
岐したランドＰだけを接続し、他のランドを切り離した
場合の信号伝送用導体４４と特性調整用導体４５による
ストリップ導体４６の接続状態を示したものである。こ
の場合のインピーダンスＺｓを計算すると、Ｚｓ＝３４
．４−ｊ９．５［Ω］ となる。
【００２３】図４（ｂ） はランドＰに更にランドＱを
接続した場合の信号伝送用導体４４と特性調整用導体４
５によるストリップ導体４６の接続状態を示したもので
ある。この場合のインピーダンスＺｓを計算すると、Ｚ
ｓ＝２０．５−ｊ９．０［Ω］ となり、図４（ａ） の場合に比べて虚部はほとんど変
化することなく実部だけが変化（減少）している。
接続した場合の信号伝送用導体４４と特性調整用導体４
５によるストリップ導体４６の接続状態を示したもので
ある。この場合のインピーダンスＺｓを計算すると、Ｚ
ｓ＝２０．５−ｊ９．０［Ω］ となり、図４（ａ） の場合に比べて虚部はほとんど変
化することなく実部だけが変化（減少）している。
【００２４】図４（ｃ） はランドＰの代わりに接続点
Ｂから２倍のｄ１だけ離れた点から分岐したランドＲを
接続した場合の信号伝送用導体４４と特性調整用導体４
５によるストリップ導体４６の接続状態を示したもので
ある。この場合のインピーダンスＺｓを計算すると、Ｚ
ｓ＝３２．３＋ｊ０．４［Ω］ となり、図４（ａ） の場合に比べて実部はほとんど変
化することなく虚部だけが変化（増加）している。
Ｂから２倍のｄ１だけ離れた点から分岐したランドＲを
接続した場合の信号伝送用導体４４と特性調整用導体４
５によるストリップ導体４６の接続状態を示したもので
ある。この場合のインピーダンスＺｓを計算すると、Ｚ
ｓ＝３２．３＋ｊ０．４［Ω］ となり、図４（ａ） の場合に比べて実部はほとんど変
化することなく虚部だけが変化（増加）している。
【００２５】本実施例によれば、特性調整用導体のどの
ランドを残すかにより、インピーダンス値の予測をしな
がら特性を調整することが可能である。本発明は上記実
施例に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実
施例では特性調整用導体の形状がランドであったり開放
端スタブであったりしたが、信号伝送用導体から分岐し
て一部を切断分離することが可能であれば、いかなる形
状でもよい。
ランドを残すかにより、インピーダンス値の予測をしな
がら特性を調整することが可能である。本発明は上記実
施例に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実
施例では特性調整用導体の形状がランドであったり開放
端スタブであったりしたが、信号伝送用導体から分岐し
て一部を切断分離することが可能であれば、いかなる形
状でもよい。
【００２６】また、上記実施例では誘電体基板をテフロ
ン基板で構成したが、それ以外の材料、例えば誘電体基
板をガラスエポキシ樹脂により構成してもよい。
ン基板で構成したが、それ以外の材料、例えば誘電体基
板をガラスエポキシ樹脂により構成してもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、ワイヤボ
ンディング技術を用いることなく、高周波特性が所望の
特性になるようにマイクロ波回路を容易に調整すること
ができる。
ンディング技術を用いることなく、高周波特性が所望の
特性になるようにマイクロ波回路を容易に調整すること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例によるストリップ線路の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図２】本発明の第２の実施例によるストリップ線路の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図３】本発明の第３の実施例によるストリップ線路の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図４】本発明の第３の実施例によるストリップ線路の
製造方法の説明図である。
製造方法の説明図である。
【図５】マイクロ波回路の従来例を示す図である。
１０…誘電体基板
１２…信号伝送用導体
１４…特性調整用導体
１４ａ…ランド
１４ｂ…接続部
１４ｃ…開放端スタブ
１６…ストリップ導体
２０…接地用金属基板
２２…誘電体基板
２４…ストリップ導体
２６…特性調整用導体
２８…ボンディングワイヤ
３０…ＦＥＴ素子
３０ｇ…ゲート端子
３０ｄ…ドレイン端子
３２…ケース金属
３４…ハンダ
４０…入力回路
４１…テフロングラス積層板
４２…銅層
４３…銅層
４４…信号伝送用導体
４５…特性調整用導体
４５ａ…ランド
４５ｂ…接続部
４６…ストリップ導体
５０…出力回路
Claims (1)
- 【請求項１】 ストリップ導体により構成されたスト
リップ線路の製造方法において、誘電体基板上に、信号
が伝送される信号伝送用導体と前記信号伝送用導体から
分岐した特性調整用導体により構成されたストリップ導
体を形成し、前記ストリップ導体の高周波特性が所望の
特性となるように前記特性調整用導体を切断して、前記
特性調整用導体の少なくとも一部を前記信号伝送用導体
から分離することを特徴とするストリップ線路の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3862091A JPH04276905A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | ストリップ線路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3862091A JPH04276905A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | ストリップ線路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04276905A true JPH04276905A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=12530287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3862091A Pending JPH04276905A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | ストリップ線路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04276905A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5357225A (en) * | 1992-12-23 | 1994-10-18 | Alcatel Network Systems, Inc. | Method and apparatus for adjusting the impedance of a microstrip transmission line |
| US6043727A (en) * | 1998-05-15 | 2000-03-28 | Hughes Electronics Corporation | Reconfigurable millimeterwave filter using stubs and stub extensions selectively coupled using voltage actuated micro-electro-mechanical switches |
| US6633207B1 (en) | 1999-04-19 | 2003-10-14 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Continuous transmission line with branch elements, resonator, filter, duplexer, and communication apparatus formed therefrom |
| JP2010103907A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Nec Corp | 基板装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-05 JP JP3862091A patent/JPH04276905A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6940372B2 (en) | 1999-04-19 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transmission line, resonator, filter, duplexer, and communication apparatus |
| JP2010103907A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Nec Corp | 基板装置及びその製造方法 |
| US8258888B2 (en) | 2008-10-27 | 2012-09-04 | Nec Corporation | Substrate device with a transmission line connected to a connector pad and method of manufacture |
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