JPH04278220A - 磁気ディスク、浮上型磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 - Google Patents
磁気ディスク、浮上型磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法Info
- Publication number
- JPH04278220A JPH04278220A JP6392391A JP6392391A JPH04278220A JP H04278220 A JPH04278220 A JP H04278220A JP 6392391 A JP6392391 A JP 6392391A JP 6392391 A JP6392391 A JP 6392391A JP H04278220 A JPH04278220 A JP H04278220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- disk
- head
- floating
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 327
- 238000007667 floating Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 95
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 46
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 2
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 22
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 22
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 alkyl fatty acid Chemical class 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 3
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 230000001580 bacterial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 210000000170 cell membrane Anatomy 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006058 strengthened glass Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006297 γ-Fe2O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002551 Fe-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017116 Fe—Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017315 Mo—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100023185 Transcriptional repressor scratch 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710171414 Transcriptional repressor scratch 1 Proteins 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、剛性のディスク基板上
に連続薄膜の磁性層を有する、いわゆるハードタイプの
磁気ディスクと、浮上型磁気ヘッドと、磁気ディスク上
に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行なう磁気
記録再生方法とに関する。
に連続薄膜の磁性層を有する、いわゆるハードタイプの
磁気ディスクと、浮上型磁気ヘッドと、磁気ディスク上
に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行なう磁気
記録再生方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】計算機等に用いられる磁気ディスク駆動
装置には、剛性基板上に磁性層を設層したハードタイプ
の磁気ディスクと浮上型磁気ヘッドとが用いられている
。
装置には、剛性基板上に磁性層を設層したハードタイプ
の磁気ディスクと浮上型磁気ヘッドとが用いられている
。
【0003】このような磁気ディスク駆動装置において
は従来、塗布型の磁気ディスクが用いられていたが、磁
気ディスクの大容量化に伴い、磁気特性、記録密度等の
点で有利なことから、スパッタ法等の気相成膜法等によ
り設層される連続薄膜の磁性層を有する薄膜型磁気ディ
スクが用いられるようになっている。
は従来、塗布型の磁気ディスクが用いられていたが、磁
気ディスクの大容量化に伴い、磁気特性、記録密度等の
点で有利なことから、スパッタ法等の気相成膜法等によ
り設層される連続薄膜の磁性層を有する薄膜型磁気ディ
スクが用いられるようになっている。
【0004】薄膜型磁気ディスクとしては、Al系のデ
ィスク状金属板にNi−P下地層をめっきにより設層す
るか、あるいはこの金属板表面を酸化してアルマイトを
形成したものを基板とし、この基板上にCr層、Co−
Ni等の強磁性金属薄膜の磁性層、さらにC等の保護潤
滑膜をスパッタ法により順次設層して構成されるものが
一般的である。
ィスク状金属板にNi−P下地層をめっきにより設層す
るか、あるいはこの金属板表面を酸化してアルマイトを
形成したものを基板とし、この基板上にCr層、Co−
Ni等の強磁性金属薄膜の磁性層、さらにC等の保護潤
滑膜をスパッタ法により順次設層して構成されるものが
一般的である。
【0005】また、浮上型磁気ヘッドは浮力を発生する
スライダを有する磁気ヘッドであり、コアがスライダと
一体化されたコンポジットタイプのもの、あるいはコア
がスライダを兼ねるモノリシックタイプのものが通常用
いられる。
スライダを有する磁気ヘッドであり、コアがスライダと
一体化されたコンポジットタイプのもの、あるいはコア
がスライダを兼ねるモノリシックタイプのものが通常用
いられる。
【0006】さらに、これらの他、高密度記録が可能で
あることから、いわゆる浮上型薄膜磁気ヘッドが注目さ
れている。浮上型薄膜磁気ヘッドは、基体上に磁極層、
ギャップ層、コイル層などを気相成膜法等により形成し
たものである。このような浮上型薄膜磁気ヘッドでは、
基体がスライダとしてはたらく。
あることから、いわゆる浮上型薄膜磁気ヘッドが注目さ
れている。浮上型薄膜磁気ヘッドは、基体上に磁極層、
ギャップ層、コイル層などを気相成膜法等により形成し
たものである。このような浮上型薄膜磁気ヘッドでは、
基体がスライダとしてはたらく。
【0007】近年、磁気ディスク駆動装置では、高密度
記録を可能とするために磁気ヘッドを磁気ディスクへ近
づけ、浮上量を極めて小さく設定する方向にある。
記録を可能とするために磁気ヘッドを磁気ディスクへ近
づけ、浮上量を極めて小さく設定する方向にある。
【0008】また、磁気ディスク駆動装置の高速化に対
し、データ転送速度の向上、シーク時間の短縮、回転待
ち時間の短縮が重要視されている。このうち、シーク時
間の短縮に関し、特に磁気ヘッドの低浮上量化が進み、
ディスク最内周での浮上量が0.15μm 以下、さら
に0.10μm 以下、特に0.05μm 以下の場合
には、磁気ヘッドと磁気ディスクの界面における潤滑性
が重要な位置づけとなる。
し、データ転送速度の向上、シーク時間の短縮、回転待
ち時間の短縮が重要視されている。このうち、シーク時
間の短縮に関し、特に磁気ヘッドの低浮上量化が進み、
ディスク最内周での浮上量が0.15μm 以下、さら
に0.10μm 以下、特に0.05μm 以下の場合
には、磁気ヘッドと磁気ディスクの界面における潤滑性
が重要な位置づけとなる。
【0009】そこで、本発明者らは、磁気ディスクの表
面に保護潤滑膜を形成し、この潤滑膜の潤滑作用により
、安定したシーク特性を得ることを追究した。
面に保護潤滑膜を形成し、この潤滑膜の潤滑作用により
、安定したシーク特性を得ることを追究した。
【0010】ところで、保護潤滑膜に関しては、本発明
者らは、特開平2−198001号公報により、化4で
示される化合物の保護潤滑膜を有する磁気ディスクや磁
気ヘッド、さらにはこれらを用いた磁気記録再生方法を
提案している。
者らは、特開平2−198001号公報により、化4で
示される化合物の保護潤滑膜を有する磁気ディスクや磁
気ヘッド、さらにはこれらを用いた磁気記録再生方法を
提案している。
【0011】
【化4】
【0012】この場合、前記公報には、常温で固体の化
合物の保護潤滑膜の具体例のみが開示されている。
合物の保護潤滑膜の具体例のみが開示されている。
【0013】しかし、前記公報に記載されている固体の
保護潤滑膜は、比較的低い初期の摩擦係数を有している
が、ディスク表面での動的な自由度がないためか、シー
ク時ないしシーク特性試験においてヘッドクラッシュを
生じやすい。
保護潤滑膜は、比較的低い初期の摩擦係数を有している
が、ディスク表面での動的な自由度がないためか、シー
ク時ないしシーク特性試験においてヘッドクラッシュを
生じやすい。
【0014】また、固体の保護潤滑膜をスピンコート法
やディップ法で成膜する場合は、膜の化合物が結晶化し
、ディスク表面に大きなムラが生じやすい。また、LB
(ラングミュア・ブロジェット)法で成膜する場合は、
化4で示され、常温で固体の化合物は、累積したときの
配向性が良くないため、ディスク表面にムラが生じてし
まう。こように前記の化合物の固体の保護潤滑膜は、表
面平滑性が悪いため、低浮上量になると、シーク時にヘ
ッドクラッシュを生じやすい。
やディップ法で成膜する場合は、膜の化合物が結晶化し
、ディスク表面に大きなムラが生じやすい。また、LB
(ラングミュア・ブロジェット)法で成膜する場合は、
化4で示され、常温で固体の化合物は、累積したときの
配向性が良くないため、ディスク表面にムラが生じてし
まう。こように前記の化合物の固体の保護潤滑膜は、表
面平滑性が悪いため、低浮上量になると、シーク時にヘ
ッドクラッシュを生じやすい。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、表面
平滑性が良く、均一な保護潤滑膜を有し、初期の摩擦係
数が低く、しかも安定したシーク特性が確保できる磁気
ディスクと、浮上型磁気ヘッドと、前記磁気ディスクや
浮上型磁気ヘッドを用いた磁気記録再生方法とを提供す
ることにある。
平滑性が良く、均一な保護潤滑膜を有し、初期の摩擦係
数が低く、しかも安定したシーク特性が確保できる磁気
ディスクと、浮上型磁気ヘッドと、前記磁気ディスクや
浮上型磁気ヘッドを用いた磁気記録再生方法とを提供す
ることにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(5)の本発明により達成される。
(1)〜(5)の本発明により達成される。
【0017】(1)剛性のディスク基板上に連続薄膜の
磁性層を有する磁気ディスクであって、前記磁性層上に
、化5で示され、常温で液体の化合物の保護潤滑膜を有
することを特徴とする磁気ディスク。
磁性層を有する磁気ディスクであって、前記磁性層上に
、化5で示され、常温で液体の化合物の保護潤滑膜を有
することを特徴とする磁気ディスク。
【0018】
【化5】
【0019】(2)少なくとも浮揚面側に、化6で示さ
れ、常温で液体の化合物の保護潤滑膜を有することを特
徴とする浮上型磁気ヘッド。
れ、常温で液体の化合物の保護潤滑膜を有することを特
徴とする浮上型磁気ヘッド。
【0020】
【化6】
【0021】(3)剛性のディスク基板上に連続薄膜の
磁性層を有する磁気ディスクを回転させ、前記磁気ディ
スク上に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行な
う磁気記録再生方法であって、前記磁気ディスクの磁性
層上および/または前記浮上型磁気ヘッドの少なくとも
浮揚面側に、化7で示され、常温で液体の化合物の保護
潤滑膜を有することを特徴とする磁気記録再生方法。
磁性層を有する磁気ディスクを回転させ、前記磁気ディ
スク上に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行な
う磁気記録再生方法であって、前記磁気ディスクの磁性
層上および/または前記浮上型磁気ヘッドの少なくとも
浮揚面側に、化7で示され、常温で液体の化合物の保護
潤滑膜を有することを特徴とする磁気記録再生方法。
【0022】
【化7】
【0023】(4)前記磁気ディスクの表面と前記浮上
型磁気ヘッドの表面とが非接触状態で起動、停止を行な
う上記(3)に記載の磁気記録再生方法。
型磁気ヘッドの表面とが非接触状態で起動、停止を行な
う上記(3)に記載の磁気記録再生方法。
【0024】(5)前記浮上型磁気ヘッドのディスク最
内周での浮上量が0.10μm 以下である上記(3)
または(4)に記載の磁気記録再生方法。
内周での浮上量が0.10μm 以下である上記(3)
または(4)に記載の磁気記録再生方法。
【0025】
【0026】本発明の磁気ディスクおよび浮上型磁気ヘ
ッドは、常温で液体の所定の化合物を単独で用いた保護
潤滑膜を有する。このように本発明では、液体の化合物
を用いるため、表面平滑性が良い均一な保護潤滑膜を形
成でき、しかもディスク表面、ヘッド表面において、保
護潤滑膜内に分子内の自由度が存在する。
ッドは、常温で液体の所定の化合物を単独で用いた保護
潤滑膜を有する。このように本発明では、液体の化合物
を用いるため、表面平滑性が良い均一な保護潤滑膜を形
成でき、しかもディスク表面、ヘッド表面において、保
護潤滑膜内に分子内の自由度が存在する。
【0027】このため、初期の摩擦係数が低く、シーク
ないしシーク特性試験において、磁気ヘッドを安定に動
作させることができ、初期摩擦係数が低いので磁気ヘッ
ドの附着を防止できる。
ないしシーク特性試験において、磁気ヘッドを安定に動
作させることができ、初期摩擦係数が低いので磁気ヘッ
ドの附着を防止できる。
【0028】また、磁気ディスクや磁気ヘッドに形成さ
れる保護潤滑膜は、前記のとおり初期の摩擦係数が低い
ため、種々の磁気ディスクや磁気ヘッドに適用しても良
好な保護潤滑効果を発揮する。
れる保護潤滑膜は、前記のとおり初期の摩擦係数が低い
ため、種々の磁気ディスクや磁気ヘッドに適用しても良
好な保護潤滑効果を発揮する。
【0029】このため磁気ディスクや磁気ヘッドの選択
の自由度がきわめて広いものとなる。
の自由度がきわめて広いものとなる。
【0030】また、本発明の磁気ディスクや磁気ヘッド
は、初期の摩擦係数が低いため、特に浮上型磁気ヘッド
を磁気ディスクと非接触状態で起動、停止する、いわゆ
るダイナミックローディング方式ないしランプローディ
ング方式のハードディスクシステムにおいて高い効果を
発揮する。より詳細には、ダイナミックローディング方
式のハードディスクシステムでは、たとえ磁気ディスク
と磁気ヘッドとが接触したとしても短時間であるため、
起動・停止を10万回、さらには100万回行なったと
きの総接触時間は、CSSの場合に比べてきわめて短か
い。このため、起動・停止を10万回、さらには100
万回行なった後でも摩擦係数を初期の低い値のまま保持
できる。しかも表面性が良好なためシーク特性において
磁気ヘッドを安定に動作させることができる。
は、初期の摩擦係数が低いため、特に浮上型磁気ヘッド
を磁気ディスクと非接触状態で起動、停止する、いわゆ
るダイナミックローディング方式ないしランプローディ
ング方式のハードディスクシステムにおいて高い効果を
発揮する。より詳細には、ダイナミックローディング方
式のハードディスクシステムでは、たとえ磁気ディスク
と磁気ヘッドとが接触したとしても短時間であるため、
起動・停止を10万回、さらには100万回行なったと
きの総接触時間は、CSSの場合に比べてきわめて短か
い。このため、起動・停止を10万回、さらには100
万回行なった後でも摩擦係数を初期の低い値のまま保持
できる。しかも表面性が良好なためシーク特性において
磁気ヘッドを安定に動作させることができる。
【0031】このように、前記磁気ディスクおよび/ま
たは前記浮上型磁気ヘッドを用いた本発明の磁気記録再
生方法、特にダイナミックローディング方式を採用した
本発明の磁気記録再生方法によれば、シーク特性でのヘ
ッドクラッシュを防止でき、磁気ヘッドを安定に動作さ
せることができるため、耐久信頼性が格段と向上する。
たは前記浮上型磁気ヘッドを用いた本発明の磁気記録再
生方法、特にダイナミックローディング方式を採用した
本発明の磁気記録再生方法によれば、シーク特性でのヘ
ッドクラッシュを防止でき、磁気ヘッドを安定に動作さ
せることができるため、耐久信頼性が格段と向上する。
【0032】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【0033】本発明の磁気ディスク1は、図1に示され
るように、剛性のディスク基板12上に、連続薄膜の磁
性層13を有する。
るように、剛性のディスク基板12上に、連続薄膜の磁
性層13を有する。
【0034】そして、磁性層13上に、固体保護層14
と、保護潤滑膜15とを、この順で設ける。または、磁
性層13上に、固体保護層14を設層せず、保護潤滑膜
15を設ける。
と、保護潤滑膜15とを、この順で設ける。または、磁
性層13上に、固体保護層14を設層せず、保護潤滑膜
15を設ける。
【0035】この場合、磁気ディスク1は、図示のよう
にディスク基板12の両側に磁性層13を設層した両面
記録型の磁気ディスクであってもよく、ディスク基板1
2の一方の側だけに磁性層13を設層した片面記録型の
磁気ディスクであってもよい。
にディスク基板12の両側に磁性層13を設層した両面
記録型の磁気ディスクであってもよく、ディスク基板1
2の一方の側だけに磁性層13を設層した片面記録型の
磁気ディスクであってもよい。
【0036】保護潤滑膜15に用いる化合物は、化8で
示され、常温で液体の化合物の1種以上、より好ましく
は1種である。
示され、常温で液体の化合物の1種以上、より好ましく
は1種である。
【0037】
【化8】
【0038】化8において、R1 およびR2 は、そ
れぞれ、炭素原子数4〜8のアルキル基を表わすが、特
にCH3 (CH2 )n −(n=3〜7)で示され
る直鎖の飽和アルキル基であることが好ましい。
れぞれ、炭素原子数4〜8のアルキル基を表わすが、特
にCH3 (CH2 )n −(n=3〜7)で示され
る直鎖の飽和アルキル基であることが好ましい。
【0039】また、R1 とR2 とは互いに異なるも
のであってもよく、あるいは同一のものであってもよい
。
のであってもよく、あるいは同一のものであってもよい
。
【0040】また、保護潤滑膜15は、実質的に前記化
8の分岐アルキル脂肪酸のみから形成される。前記化8
で示される化合物以外の化合物を併用して保護潤滑膜を
形成しても本発明の効果は得られない。この場合、実質
的に化8の分岐アルキル脂肪酸のみから形成されるとは
、塗布用溶液の溶媒や微量添加物等を除き、化8で示さ
れる化合物以外を含まない意味である。
8の分岐アルキル脂肪酸のみから形成される。前記化8
で示される化合物以外の化合物を併用して保護潤滑膜を
形成しても本発明の効果は得られない。この場合、実質
的に化8の分岐アルキル脂肪酸のみから形成されるとは
、塗布用溶液の溶媒や微量添加物等を除き、化8で示さ
れる化合物以外を含まない意味である。
【0041】本発明に用いられる、化8で示され、常温
で液体の化合物の好適例としては、
で液体の化合物の好適例としては、
【化9】
等が挙げられる。
【0042】これらの化合物は、菌体細胞膜構成成分と
して天然に存在するものがある他、Tetrahydr
on Letters 49 4899(1987)
や、日本化学会第57秋季大会1F434、2IIH3
5(1988)等に従い、容易に合成することができる
。
して天然に存在するものがある他、Tetrahydr
on Letters 49 4899(1987)
や、日本化学会第57秋季大会1F434、2IIH3
5(1988)等に従い、容易に合成することができる
。
【0043】本発明において保護潤滑膜15の厚さは5
0A以下、特に4〜50A程度であることが好ましい。 4A未満では十分な本発明の効果が得られず特に耐久性
が劣り、50Aをこえると、かえって摩擦を増加させて
しまい、また吸着が発生し、磁気ヘッドのクラッシュを
起こす場合があり、しかもスペーシングロスのため記録
再生出力が低下してしまう。なお、より好ましい膜厚は
5〜50Aであり、さらに好ましい膜厚は5〜40Aで
あり、特に好ましい膜厚は10〜30Aである。
0A以下、特に4〜50A程度であることが好ましい。 4A未満では十分な本発明の効果が得られず特に耐久性
が劣り、50Aをこえると、かえって摩擦を増加させて
しまい、また吸着が発生し、磁気ヘッドのクラッシュを
起こす場合があり、しかもスペーシングロスのため記録
再生出力が低下してしまう。なお、より好ましい膜厚は
5〜50Aであり、さらに好ましい膜厚は5〜40Aで
あり、特に好ましい膜厚は10〜30Aである。
【0044】保護潤滑膜15の形成方法に特に制限がな
いが、特に塗布法を用いることが好ましい。
いが、特に塗布法を用いることが好ましい。
【0045】また、塗布法としては、スピンコート法、
ディップ法、スプレーコート法等を適宜選択すればよい
。
ディップ法、スプレーコート法等を適宜選択すればよい
。
【0046】塗布溶液の溶媒としては、炭化水素系(キ
シレン、ベンゼン等)、ハロゲン化炭化水素系(クロロ
ホルム等の塩素化物溶剤、フロン等のフッ素化物溶剤等
)、ニトロ化炭化水素系(ニトロベンゼン等)、アルコ
ール類系(エチルアルコール、メチルアルコール、プロ
ピルアルコール等)、ケトン類系(アセトン等)、複素
環化合物系(キノリン等)、アミン類系、エーテル類系
、エステル類系、酸類系などが挙げられる。
シレン、ベンゼン等)、ハロゲン化炭化水素系(クロロ
ホルム等の塩素化物溶剤、フロン等のフッ素化物溶剤等
)、ニトロ化炭化水素系(ニトロベンゼン等)、アルコ
ール類系(エチルアルコール、メチルアルコール、プロ
ピルアルコール等)、ケトン類系(アセトン等)、複素
環化合物系(キノリン等)、アミン類系、エーテル類系
、エステル類系、酸類系などが挙げられる。
【0047】本発明の磁気ディスク1のディスク基板1
2の材質には特に制限がなく、各種の金属、ガラス、セ
ラミック、樹脂等磁気ディスクの剛性基板として従来用
いられている材質を用いればよいが、研磨が容易で表面
粗さの制御が簡単であることなどから、ガラスを用いる
ことが好ましい。ガラス基板は他のものに比べ固いため
、平坦度が得られやすく高速回転時の偏心、面ぶれがな
く、特に低浮上量用として適している。
2の材質には特に制限がなく、各種の金属、ガラス、セ
ラミック、樹脂等磁気ディスクの剛性基板として従来用
いられている材質を用いればよいが、研磨が容易で表面
粗さの制御が簡単であることなどから、ガラスを用いる
ことが好ましい。ガラス基板は他のものに比べ固いため
、平坦度が得られやすく高速回転時の偏心、面ぶれがな
く、特に低浮上量用として適している。
【0048】ガラスとしては、強化ガラス、特に、化学
強化法による表面強化ガラスを用いることが好ましい。 表面強化ガラスについては、特開昭62−43819号
公報、同63−175219号公報に記載されている。 なお、前記公報に記載されている範囲以外でも、強化層
についてはガラス基板の品質改良がすすみ、より薄層化
しても対処出来るようになってきている。
強化法による表面強化ガラスを用いることが好ましい。 表面強化ガラスについては、特開昭62−43819号
公報、同63−175219号公報に記載されている。 なお、前記公報に記載されている範囲以外でも、強化層
についてはガラス基板の品質改良がすすみ、より薄層化
しても対処出来るようになってきている。
【0049】ディスク基板12の表面粗さには、特に制
限がないが、浮上量を0.10μm以下にする場合、完
成した磁気ディスク1の表面粗さRmaxが300A以
下の所望の値となるように設定することが好ましい。こ
の場合、例えば、ディスク基板12の表面粗さRmax
は、200A以下、より好ましくは100A以下に設
定することが好ましい。また、後述するダイナミックロ
ーディング方式を採用する場合には、Rmax は小さ
い程好ましいが、現実的なRmax の下限は10A程
度である。なお、Rmax は、JIS B 0601
に従い測定すればよい。
限がないが、浮上量を0.10μm以下にする場合、完
成した磁気ディスク1の表面粗さRmaxが300A以
下の所望の値となるように設定することが好ましい。こ
の場合、例えば、ディスク基板12の表面粗さRmax
は、200A以下、より好ましくは100A以下に設
定することが好ましい。また、後述するダイナミックロ
ーディング方式を採用する場合には、Rmax は小さ
い程好ましいが、現実的なRmax の下限は10A程
度である。なお、Rmax は、JIS B 0601
に従い測定すればよい。
【0050】このような表面粗さは、例えば、特開昭6
2−43819号公報、同63−175219号公報に
記載されているようなメカノケミカルポリッシング、従
来のガラス研磨などにより得ることができる。
2−43819号公報、同63−175219号公報に
記載されているようなメカノケミカルポリッシング、従
来のガラス研磨などにより得ることができる。
【0051】ディスク基板12は、ディスク状とし、そ
の寸法は、目的や用途等に応じて適宜選択すればよいが
、通常、外径25〜300mm程度、厚さ0.3〜5m
m程度である。
の寸法は、目的や用途等に応じて適宜選択すればよいが
、通常、外径25〜300mm程度、厚さ0.3〜5m
m程度である。
【0052】ディスク基板12上には、連続薄膜の磁性
層13が設層される。この場合、磁性層13は、面内記
録用であっても、垂直記録用であってもよく、さらには
、材質が金属であっても酸化物であってもよく、目的等
に応じて適宜選択される。
層13が設層される。この場合、磁性層13は、面内記
録用であっても、垂直記録用であってもよく、さらには
、材質が金属であっても酸化物であってもよく、目的等
に応じて適宜選択される。
【0053】面内記録用の磁性層13としては、無配向
または膜面と平行な方向に磁化容易軸を有する、強磁性
金属薄膜、酸化鉄を主成分とする磁性薄膜等、好ましく
はディスク周方向に磁化容易軸を有する強磁性金属薄膜
、酸化鉄を主成分とする磁性薄膜等を用いる。
または膜面と平行な方向に磁化容易軸を有する、強磁性
金属薄膜、酸化鉄を主成分とする磁性薄膜等、好ましく
はディスク周方向に磁化容易軸を有する強磁性金属薄膜
、酸化鉄を主成分とする磁性薄膜等を用いる。
【0054】強磁性金属薄膜としては、例えば、Fe、
CoおよびNiから選ばれる1種以上を含有する連続薄
膜、特にCo系の連続薄膜が好ましい。組成の具体例と
しては、Co−Ni合金、Co−Ni−Cr合金、Co
−V合金、Co−Ni−P合金、Co−P合金、Co−
Cu−P合金、Co−Zn−P合金、Co−Ni−Pt
合金、Co−Ni−Zr合金、Co−Pt合金、Co−
Ni−Mn−Re−P合金等が挙げられる。なお、これ
ら合金には、必要に応じ、O、N、Si、Al、Mn、
Ar、B、C等の他の元素が含有されていてもよい。
CoおよびNiから選ばれる1種以上を含有する連続薄
膜、特にCo系の連続薄膜が好ましい。組成の具体例と
しては、Co−Ni合金、Co−Ni−Cr合金、Co
−V合金、Co−Ni−P合金、Co−P合金、Co−
Cu−P合金、Co−Zn−P合金、Co−Ni−Pt
合金、Co−Ni−Zr合金、Co−Pt合金、Co−
Ni−Mn−Re−P合金等が挙げられる。なお、これ
ら合金には、必要に応じ、O、N、Si、Al、Mn、
Ar、B、C等の他の元素が含有されていてもよい。
【0055】磁性層13の膜厚は、磁気特性、電磁変換
特性等を考慮して、200〜1000A、特に200〜
800Aが好ましい。
特性等を考慮して、200〜1000A、特に200〜
800Aが好ましい。
【0056】酸化鉄を主成分とする磁性薄膜の磁性層の
場合、膜厚は、生産性磁気特性等を考慮して、500〜
3000A程度が好ましい。磁性層13中には必要に応
じてCo、Ti、Cu等を添加してもよく、また成膜雰
囲気中に含まれるAr等が含有されていてもよい。酸化
鉄を主成分とする磁性層は、特開昭62−43819号
公報等に記載されている。
場合、膜厚は、生産性磁気特性等を考慮して、500〜
3000A程度が好ましい。磁性層13中には必要に応
じてCo、Ti、Cu等を添加してもよく、また成膜雰
囲気中に含まれるAr等が含有されていてもよい。酸化
鉄を主成分とする磁性層は、特開昭62−43819号
公報等に記載されている。
【0057】また、ディスク基板12と、磁性層13と
の間には、必要に応じて、非磁性中間層が設けられる。 非磁性中間層を設けることにより、磁性層13のエピタ
キシャル成長を良好に行なうことができ、磁気特性が向
上する場合があり、また、基板の密着性も向上するため
、より好ましいディスクが実現する。
の間には、必要に応じて、非磁性中間層が設けられる。 非磁性中間層を設けることにより、磁性層13のエピタ
キシャル成長を良好に行なうことができ、磁気特性が向
上する場合があり、また、基板の密着性も向上するため
、より好ましいディスクが実現する。
【0058】非磁性中間層は、例えば、Cr、Moおよ
びWから選ばれる1種以上を含有する連続薄膜にて構成
すればよい。この場合、用いる金属は単体でも合金でも
よい。
びWから選ばれる1種以上を含有する連続薄膜にて構成
すればよい。この場合、用いる金属は単体でも合金でも
よい。
【0059】非磁性中間層の膜厚は、200〜3000
Aが好ましい。
Aが好ましい。
【0060】なお、必要に応じて設けられる非磁性中間
層とディスク基板12との間や、磁性層13とディスク
基板12との間には、各種下地層を設けてもよい。
層とディスク基板12との間や、磁性層13とディスク
基板12との間には、各種下地層を設けてもよい。
【0061】下地層は、Al系のディスク基板を用いる
場合、Al基板の表面性が悪いため、例えば、Ni−P
めっき膜等を形成し、表面研磨を行なって平面を平滑化
するために設けられる。
場合、Al基板の表面性が悪いため、例えば、Ni−P
めっき膜等を形成し、表面研磨を行なって平面を平滑化
するために設けられる。
【0062】次に垂直記録用の磁性層13としては、膜
面と垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜を用いる
。
面と垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜を用いる
。
【0063】垂直磁化膜としては、強磁性金属薄膜が好
ましく、例えば、Fe、CoおよびNiから選ばれる1
種以上を含有する連続薄膜、特にCo系の連続薄膜が好
ましい。
ましく、例えば、Fe、CoおよびNiから選ばれる1
種以上を含有する連続薄膜、特にCo系の連続薄膜が好
ましい。
【0064】この場合、Co系合金としては、Co−C
r系合金が好ましい。そして、Co−Cr系合金として
は、Co−Cr合金、Co−Cr−B合金、Co−Cr
−Mn合金、Co−Cr−Mn−B合金、Co−Cr−
Ta合金、Co−Cr−Si−Al合金等が好ましい。
r系合金が好ましい。そして、Co−Cr系合金として
は、Co−Cr合金、Co−Cr−B合金、Co−Cr
−Mn合金、Co−Cr−Mn−B合金、Co−Cr−
Ta合金、Co−Cr−Si−Al合金等が好ましい。
【0065】なお、Co−Cr系合金中のCr含有率は
、16〜23at% 程度であることが好ましい。
、16〜23at% 程度であることが好ましい。
【0066】また、Co−Cr系合金の他、Co−V系
合金も好ましく用いることができる。
合金も好ましく用いることができる。
【0067】なお、これら合金には、必要に応じ、O、
N、Si、Al、Mn、Ar等が含有されていてもよい
。
N、Si、Al、Mn、Ar等が含有されていてもよい
。
【0068】垂直磁化膜の垂直方向保磁力は400 O
e 以上であることが好ましい。なお、垂直方向保磁力
の上限は特にないが、通常1500 Oe程度まで容易
に製造することができる。
e 以上であることが好ましい。なお、垂直方向保磁力
の上限は特にないが、通常1500 Oe程度まで容易
に製造することができる。
【0069】垂直磁化膜の厚さは磁気特性、電磁変換特
性等を考慮して200〜2000Aであることが好まし
い。
性等を考慮して200〜2000Aであることが好まし
い。
【0070】このように垂直磁化膜の磁性層13を形成
する場合、再生出力の向上のため、磁性層13下に、軟
磁性膜を設けることが好ましい。
する場合、再生出力の向上のため、磁性層13下に、軟
磁性膜を設けることが好ましい。
【0071】軟磁性膜の構成材質としては、Ni−Fe
系合金が好ましい。
系合金が好ましい。
【0072】Ni−Fe系合金としては、Ni−Fe合
金(パーマロイ)、Ni−Fe−Mo合金、Ni−Fe
−Cr合金、Ni−Fe−Nb合金、Ni−Fe−Mn
−Cu合金、Ni−Fe−Mo−Nb合金、Ni−Fe
−Mo−Cu合金、Ni−Fe−Si−Al合金等を好
ましく用いることができる。
金(パーマロイ)、Ni−Fe−Mo合金、Ni−Fe
−Cr合金、Ni−Fe−Nb合金、Ni−Fe−Mn
−Cu合金、Ni−Fe−Mo−Nb合金、Ni−Fe
−Mo−Cu合金、Ni−Fe−Si−Al合金等を好
ましく用いることができる。
【0073】また、Ni−Fe系合金の他、Fe−Co
−V系合金も好ましく用いることができる。
−V系合金も好ましく用いることができる。
【0074】なお、これら合金には、必要に応じ、Ti
、Al、Si、Mn、Cu、Ta、C、O、N、Ar、
Ca、Cr等が含有されていてもよい。
、Al、Si、Mn、Cu、Ta、C、O、N、Ar、
Ca、Cr等が含有されていてもよい。
【0075】軟磁性膜の面内方向の保磁力は、6〜20
Oe であることが好ましい。また、軟磁性膜の膜厚
は1000〜5000Aであることが好ましい。
Oe であることが好ましい。また、軟磁性膜の膜厚
は1000〜5000Aであることが好ましい。
【0076】なお、軟磁性膜と基板12との間には、各
種下地層を設けてもよい。下地層は、例えばCr、Ti
、W、Ni−Fe系合金あるいはNi−Pめっき膜等か
ら構成すればよい。
種下地層を設けてもよい。下地層は、例えばCr、Ti
、W、Ni−Fe系合金あるいはNi−Pめっき膜等か
ら構成すればよい。
【0077】前記の磁性層13、非磁性中間層および軟
磁性膜の成膜は、それぞれ、公知の気相成膜法等、特に
スパッタリングにて行なえばよい。
磁性膜の成膜は、それぞれ、公知の気相成膜法等、特に
スパッタリングにて行なえばよい。
【0078】本発明の磁気ディスク1では、例えばCS
S(コンタクト・スタ−ト・ストップ)方式を採用する
場合、磁性層13上に、厚さ300A以下、特に100
〜200Aの固体保護層14を設層することが好ましい
。
S(コンタクト・スタ−ト・ストップ)方式を採用する
場合、磁性層13上に、厚さ300A以下、特に100
〜200Aの固体保護層14を設層することが好ましい
。
【0079】そして、特に後述するダイナミックロ−デ
ィング方式を採用する場合、磁性層13上に、固体保護
層14を厚さ300A以下、特に80A以下、さらには
50A以下、とりわけ20A以下に設層するか、または
全く設層しないことが好ましい。
ィング方式を採用する場合、磁性層13上に、固体保護
層14を厚さ300A以下、特に80A以下、さらには
50A以下、とりわけ20A以下に設層するか、または
全く設層しないことが好ましい。
【0080】固体保護層14は、従来、固体保護層とし
て公知のSi、Al、OおよびNを含むいわゆるサイア
ロン、酸化物、窒化物、炭化物、炭素、ケイ化物等や、
これらの混合物など、各種無機保護膜で構成すればよい
。
て公知のSi、Al、OおよびNを含むいわゆるサイア
ロン、酸化物、窒化物、炭化物、炭素、ケイ化物等や、
これらの混合物など、各種無機保護膜で構成すればよい
。
【0081】固体保護層14を設けることにより、磁性
層13への傷の発生を有効に防止でき、磁気ディスク1
の耐久性がより一層向上するが、本発明では、ディスク
の表面粗さRmax を所定値に規制し、後述するダイ
ナミックローディング方式を採用して、記録再生を行な
うことによって、固体保護層14を薄層化してもまたは
固体保護層14を設層しなくても十分な傷防止能が得ら
れ、しかも薄層化または設層しないことによりスペーシ
ングロスが低下し、記録再生出力が格段と向上する。
層13への傷の発生を有効に防止でき、磁気ディスク1
の耐久性がより一層向上するが、本発明では、ディスク
の表面粗さRmax を所定値に規制し、後述するダイ
ナミックローディング方式を採用して、記録再生を行な
うことによって、固体保護層14を薄層化してもまたは
固体保護層14を設層しなくても十分な傷防止能が得ら
れ、しかも薄層化または設層しないことによりスペーシ
ングロスが低下し、記録再生出力が格段と向上する。
【0082】なお、固体保護層14の設層には、スパッ
タリング等の各種気相成膜法を用いればよい。
タリング等の各種気相成膜法を用いればよい。
【0083】磁性層13上、固体保護層14を設層する
場合は、固体保護層14上には、前記のとおり化8で示
される所定の保護潤滑膜15が設けられる。
場合は、固体保護層14上には、前記のとおり化8で示
される所定の保護潤滑膜15が設けられる。
【0084】本発明では、特にダイナミックローディン
グ方式を採用する場合、磁気ディスク1の磁性層13側
の表面粗さには特に制限がないが、浮上量を0.10μ
m 以下とする場合、表面粗さRmax を300A以
下、より好ましくは200A以下、特に好ましくは10
0A以下とすることが好ましい。
グ方式を採用する場合、磁気ディスク1の磁性層13側
の表面粗さには特に制限がないが、浮上量を0.10μ
m 以下とする場合、表面粗さRmax を300A以
下、より好ましくは200A以下、特に好ましくは10
0A以下とすることが好ましい。
【0085】磁気ヘッドのディスク最内周での浮上量を
小さく、特に0.10μm 以下に規制する場合、後述
するダイナミックローディングにより浮上型磁気ヘッド
を浮上させる際、磁気ヘッドが磁気ディスク1の表面に
衝突したり、接触したりするので、磁性層13側のRm
ax が前記範囲を超えると、磁性層13に傷が発生し
、ディスクの耐久性が低下する。しかもアクセス時間が
長くなる。
小さく、特に0.10μm 以下に規制する場合、後述
するダイナミックローディングにより浮上型磁気ヘッド
を浮上させる際、磁気ヘッドが磁気ディスク1の表面に
衝突したり、接触したりするので、磁性層13側のRm
ax が前記範囲を超えると、磁性層13に傷が発生し
、ディスクの耐久性が低下する。しかもアクセス時間が
長くなる。
【0086】また、ダイナミックローディングでは、C
SSの場合のような磁気ヘッドと磁気ディスクとの吸着
の問題がないため、磁性層13側のRmax は小さい
程好ましい。このためRmax の下限には特に制限が
ないが、現実的なRmax の下限は10A程度である
。
SSの場合のような磁気ヘッドと磁気ディスクとの吸着
の問題がないため、磁性層13側のRmax は小さい
程好ましい。このためRmax の下限には特に制限が
ないが、現実的なRmax の下限は10A程度である
。
【0087】次に、本発明の浮上型磁気ヘッドについて
説明する。
説明する。
【0088】本発明の浮上型磁気ヘッドは、浮揚面上な
いし浮揚面側に前述した保護潤滑膜を有する。この場合
、面内記録用の磁気ヘッドであっても垂直記録用の磁気
ヘッドであってもよい。
いし浮揚面側に前述した保護潤滑膜を有する。この場合
、面内記録用の磁気ヘッドであっても垂直記録用の磁気
ヘッドであってもよい。
【0089】また、本発明の浮上型磁気ヘッドは、公知
のコンポジット型の浮上型磁気ヘッド、モノリシック型
の浮上型磁気ヘッド等でもよいが、特に浮上型薄膜磁気
ヘッドの場合に、極めて高い効果を示す。
のコンポジット型の浮上型磁気ヘッド、モノリシック型
の浮上型磁気ヘッド等でもよいが、特に浮上型薄膜磁気
ヘッドの場合に、極めて高い効果を示す。
【0090】図2に、本発明の浮上型磁気ヘッドの好適
実施例である面内記録用の薄膜型の浮上型磁気ヘッドの
1例を示す。
実施例である面内記録用の薄膜型の浮上型磁気ヘッドの
1例を示す。
【0091】図2に示される浮上型磁気ヘッド2は、基
体21上に、絶縁層22、下部磁極層25、ギャップ層
27、絶縁層23、コイル層28、絶縁層24、上部磁
極層26および保護層29を順次有する。そして、少な
くともフロント面側(図中左側)、すなわち浮揚面側に
、前述した保護潤滑膜20を有する。保護潤滑膜20の
膜厚は前記と同様所定の範囲内であることが好ましい。
体21上に、絶縁層22、下部磁極層25、ギャップ層
27、絶縁層23、コイル層28、絶縁層24、上部磁
極層26および保護層29を順次有する。そして、少な
くともフロント面側(図中左側)、すなわち浮揚面側に
、前述した保護潤滑膜20を有する。保護潤滑膜20の
膜厚は前記と同様所定の範囲内であることが好ましい。
【0092】コイル層27の材質には特に制限はなく、
通常用いられるAl、Cu等の金属を用いればよい。
通常用いられるAl、Cu等の金属を用いればよい。
【0093】コイルの巻回パターンや巻回密度について
も制限はなく、公知のものを適宜選択使用すればよい。 例えば巻回パターンについては図示のスパイラル型の他
、積層型、ジグザグ型等いずれであってもよい。
も制限はなく、公知のものを適宜選択使用すればよい。 例えば巻回パターンについては図示のスパイラル型の他
、積層型、ジグザグ型等いずれであってもよい。
【0094】また、コイル層27の形成にはスパッタ法
等の各種気相成膜法を用いればよい。
等の各種気相成膜法を用いればよい。
【0095】基体21すなわちスライダは、Al2 O
3 −TiCを主成分とするセラミックス等の各種セラ
ミックス、非磁性フェライト等公知の基体材料で構成す
ればよい。
3 −TiCを主成分とするセラミックス等の各種セラ
ミックス、非磁性フェライト等公知の基体材料で構成す
ればよい。
【0096】下部および上部磁極層25、26の材料と
しては、従来公知のものはいずれも使用可能であり、例
えばパーマロイ、センダスト、Co系非晶質磁性合金等
を用いることができる。
しては、従来公知のものはいずれも使用可能であり、例
えばパーマロイ、センダスト、Co系非晶質磁性合金等
を用いることができる。
【0097】磁極は通常、図示のように下部磁極層25
および上部磁極層26として設けられ、下部磁極層25
および上部磁極層26の間にはギャップ層27が形成さ
れる。
および上部磁極層26として設けられ、下部磁極層25
および上部磁極層26の間にはギャップ層27が形成さ
れる。
【0098】ギャップ層27は、Al2 O3 、Si
O2 等公知の材料であってよい。
O2 等公知の材料であってよい。
【0099】これら磁極層25、26およびギャップ層
27のパターン、膜厚等は公知のいずれのものであって
もよい。
27のパターン、膜厚等は公知のいずれのものであって
もよい。
【0100】さらに、図示例ではコイル層28は、いわ
ゆるスパイラル型として、スパイラル状に下部および上
部磁極層25、26間に配設されており、コイル層28
と下部および上部磁極層25、26間には絶縁層23、
24が設層されている。
ゆるスパイラル型として、スパイラル状に下部および上
部磁極層25、26間に配設されており、コイル層28
と下部および上部磁極層25、26間には絶縁層23、
24が設層されている。
【0101】また下部磁極層25と基体21間には絶縁
層22が設層されている。
層22が設層されている。
【0102】絶縁層の材料としては従来公知のものはい
ずれも使用可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法
により行なうときには、SiO2 、ガラス、Al2
O3 等を用いることができる。
ずれも使用可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法
により行なうときには、SiO2 、ガラス、Al2
O3 等を用いることができる。
【0103】また、上部磁極26上には保護層29が設
層されている。保護層の材料としては従来公知のものは
いずれも使用可能であり、例えばAl2 O3 等を用
いることができる。また、これらに各種樹脂コート層等
を積層してもよい。
層されている。保護層の材料としては従来公知のものは
いずれも使用可能であり、例えばAl2 O3 等を用
いることができる。また、これらに各種樹脂コート層等
を積層してもよい。
【0104】このような薄膜型の浮上型磁気ヘッド2の
製造工程は、通常、薄膜作成とパターン形成とから構成
される。
製造工程は、通常、薄膜作成とパターン形成とから構成
される。
【0105】上記各層を構成する薄膜の作製には、上記
したように、従来公知の気相成膜法、例えば真空蒸着法
、スパッタ法、あるいはメッキ法等を用いればよい。
したように、従来公知の気相成膜法、例えば真空蒸着法
、スパッタ法、あるいはメッキ法等を用いればよい。
【0106】浮上型磁気ヘッド2の各層のパターン形成
は、従来公知の選択エッチングあるいは選択デポジショ
ンにより行なうことができる。エッチングとしてはウェ
ットエッチングやドライエッチングを用いることができ
る。
は、従来公知の選択エッチングあるいは選択デポジショ
ンにより行なうことができる。エッチングとしてはウェ
ットエッチングやドライエッチングを用いることができ
る。
【0107】浮上型磁気ヘッド2のスライダのディスク
対向面の全投影面積は、2mm2 以下、より好ましく
は1.5mm2 以下、特に好ましくは1.0mm2
以下が好ましい。面積が前記範囲をこえると、磁気ディ
スクの衝撃が増大し、媒体表面にスジ傷が入る傾向にあ
る。この他、小型化するので、基板材ウエハより、多数
個のヘッドが得られ、コストが低減でき、またドライブ
に組込んだとき、従来のヘッドより、最内周や最外周部
にシリンダを増設でき、ディスク面あたりの容量を増大
することができる。
対向面の全投影面積は、2mm2 以下、より好ましく
は1.5mm2 以下、特に好ましくは1.0mm2
以下が好ましい。面積が前記範囲をこえると、磁気ディ
スクの衝撃が増大し、媒体表面にスジ傷が入る傾向にあ
る。この他、小型化するので、基板材ウエハより、多数
個のヘッドが得られ、コストが低減でき、またドライブ
に組込んだとき、従来のヘッドより、最内周や最外周部
にシリンダを増設でき、ディスク面あたりの容量を増大
することができる。
【0108】低浮上領域、特に浮上量0.1μm 以下
において、このような寸法の浮上型磁気ヘッド2を用い
ることにより、前記のように、浮上型磁気ヘッド2が、
例えば表面粗さRmax が300A以下の磁気ディス
ク1と接触ないし衝突した際のディスクの磁性層の受け
る衝撃等を減少させることができ、例えば強磁性金属薄
膜の磁性層の弱さをカバーでき、高耐久信頼性を有する
磁気記録再生装置が新技術として実現する。
において、このような寸法の浮上型磁気ヘッド2を用い
ることにより、前記のように、浮上型磁気ヘッド2が、
例えば表面粗さRmax が300A以下の磁気ディス
ク1と接触ないし衝突した際のディスクの磁性層の受け
る衝撃等を減少させることができ、例えば強磁性金属薄
膜の磁性層の弱さをカバーでき、高耐久信頼性を有する
磁気記録再生装置が新技術として実現する。
【0109】また、垂直記録用の浮上型磁気ヘッドの場
合も例えば従来公知の磁気ヘッドの何れでもよいが、薄
膜型の浮上型磁気ヘッド、特に軟磁性材料からなるリタ
ーンパス部を有し、主磁極およびコイルが薄膜で構成さ
れている薄膜型の主磁極励磁型単磁極ヘッドの場合に極
めて高い効果を示す。
合も例えば従来公知の磁気ヘッドの何れでもよいが、薄
膜型の浮上型磁気ヘッド、特に軟磁性材料からなるリタ
ーンパス部を有し、主磁極およびコイルが薄膜で構成さ
れている薄膜型の主磁極励磁型単磁極ヘッドの場合に極
めて高い効果を示す。
【0110】図3に、このような垂直記録用の浮上型磁
気ヘッドの好適例の部分断面図を示す。
気ヘッドの好適例の部分断面図を示す。
【0111】図3において、浮上型磁気ヘッド3は、基
体31上に、絶縁層35で被覆された第1磁性層32、
第2磁性層33およびコイル層34を有し、第1磁性層
32および第2磁性層33が主磁極を構成している。絶
縁層35上には、接着剤層37により磁性体39が接着
され、リターンパス部を構成している。そして、少なく
ともフロント両側(図中左側)、すなわち浮揚面側に、
前述した保護潤滑膜30を有する。
体31上に、絶縁層35で被覆された第1磁性層32、
第2磁性層33およびコイル層34を有し、第1磁性層
32および第2磁性層33が主磁極を構成している。絶
縁層35上には、接着剤層37により磁性体39が接着
され、リターンパス部を構成している。そして、少なく
ともフロント両側(図中左側)、すなわち浮揚面側に、
前述した保護潤滑膜30を有する。
【0112】基体31すなわちスライダの材質や面積等
の諸条件は、前記の面内記録用の浮上型磁気ヘッドと同
様とすればよい。
の諸条件は、前記の面内記録用の浮上型磁気ヘッドと同
様とすればよい。
【0113】第1磁性層32および第2磁性層33の材
料としては、従来公知のものはいずれも使用可能であり
、例えばパーマロイ、センダスト、Co系非晶質磁性合
金等を用いることができる。
料としては、従来公知のものはいずれも使用可能であり
、例えばパーマロイ、センダスト、Co系非晶質磁性合
金等を用いることができる。
【0114】コイル層34の材質に特に制限はなく、通
常用いられるAl、Cu等の金属を用いればよい。
常用いられるAl、Cu等の金属を用いればよい。
【0115】コイル層34の巻回パターンや巻回密度に
ついても制限はなく、公知のものを適宜選択使用すれば
よい。例えば巻回パターンについては図示のスパイラル
型の他、積層型、ジグザグ型等いずれであってもよい。
ついても制限はなく、公知のものを適宜選択使用すれば
よい。例えば巻回パターンについては図示のスパイラル
型の他、積層型、ジグザグ型等いずれであってもよい。
【0116】絶縁層35の材料としては従来公知のもの
はいずれも使用可能であり、例えば、絶縁層35の形成
をスパッタ法により行なうときには、SiO2 、ガラ
ス、Al2 O3 等を用いることができるが、耐摩耗
性を向上させるために、ビッカース硬度800kgf/
mm2以上のAl2 O3 を用いることが好ましい。
はいずれも使用可能であり、例えば、絶縁層35の形成
をスパッタ法により行なうときには、SiO2 、ガラ
ス、Al2 O3 等を用いることができるが、耐摩耗
性を向上させるために、ビッカース硬度800kgf/
mm2以上のAl2 O3 を用いることが好ましい。
【0117】磁性体39は、図示のように、磁気ディス
ク1側の端面をフロント面より後退させることが好まし
い。このように構成することにより、ドロップインエラ
ーが防止でき、また、接着剤層37がにじみ出たり、接
着剤層37にゴミが付着した場合でも、フロント面への
悪影響がなく、走行性やヘッドタッチを悪化させること
がない。
ク1側の端面をフロント面より後退させることが好まし
い。このように構成することにより、ドロップインエラ
ーが防止でき、また、接着剤層37がにじみ出たり、接
着剤層37にゴミが付着した場合でも、フロント面への
悪影響がなく、走行性やヘッドタッチを悪化させること
がない。
【0118】なお、接着剤層37は必ずしも設ける必要
はなく、磁性体39と絶縁層35とを機械的な手段によ
り結合してもよい。
はなく、磁性体39と絶縁層35とを機械的な手段によ
り結合してもよい。
【0119】磁性体39を構成する軟磁性材料には、M
n−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、パー
マロイ等を用いればよい。
n−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、パー
マロイ等を用いればよい。
【0120】このような垂直記録用の薄膜型の浮上型磁
気ヘッド3の製造は、前記の面内記録用の浮上型磁気ヘ
ッドと同様に行なえばよい。
気ヘッド3の製造は、前記の面内記録用の浮上型磁気ヘ
ッドと同様に行なえばよい。
【0121】本発明の浮上型磁気ヘッドは、図4に示さ
れるように、ヘッド支持部4、例えばアーム等の従来公
知のアセンブリー等と組み合わせて、例えばCSS方式
、ダイナミックローディング方式等のハードディスクシ
ステムとして使用される。
れるように、ヘッド支持部4、例えばアーム等の従来公
知のアセンブリー等と組み合わせて、例えばCSS方式
、ダイナミックローディング方式等のハードディスクシ
ステムとして使用される。
【0122】本発明の磁気記録再生方法では、前述した
本発明の磁気ディスクおよび/または本発明の浮上型磁
気ヘッド、より好ましくは本発明の磁気ディスク、特に
好ましくは本発明の磁気ディスクおよび本発明の浮上型
磁気ヘッドを用いる。そして、磁気ディスクを回転させ
、この磁気ディスク上に浮上型磁気ヘッドを浮上させて
記録再生を行なう。
本発明の磁気ディスクおよび/または本発明の浮上型磁
気ヘッド、より好ましくは本発明の磁気ディスク、特に
好ましくは本発明の磁気ディスクおよび本発明の浮上型
磁気ヘッドを用いる。そして、磁気ディスクを回転させ
、この磁気ディスク上に浮上型磁気ヘッドを浮上させて
記録再生を行なう。
【0123】ディスク回転数は1000〜6000rp
m 程度、面内記録の場合は特に2000〜4000r
pm 程度、垂直記録の場合は特に1000〜4000
rpm 程度が好ましい。
m 程度、面内記録の場合は特に2000〜4000r
pm 程度、垂直記録の場合は特に1000〜4000
rpm 程度が好ましい。
【0124】また、ディスク最内周での浮上量(磁気デ
ィスクの表面と浮上型磁気ヘッドの浮揚面との距離)は
、高密度記録等の点から、0.10μm 以下、より好
ましくは0.08μm 以下、さらに好ましくは0.0
5μm以下が好ましい。本発明の磁気ディスクや浮上型
磁気ヘッドを使用することにより、前記浮上量であって
も表面性が良好なため良好なシーク特性が得られ、ヘッ
ドクラッシュを防止できる。
ィスクの表面と浮上型磁気ヘッドの浮揚面との距離)は
、高密度記録等の点から、0.10μm 以下、より好
ましくは0.08μm 以下、さらに好ましくは0.0
5μm以下が好ましい。本発明の磁気ディスクや浮上型
磁気ヘッドを使用することにより、前記浮上量であって
も表面性が良好なため良好なシーク特性が得られ、ヘッ
ドクラッシュを防止できる。
【0125】浮上量の調整は、浮上型磁気ヘッドのスラ
イダの媒体対向面積、ブレンディングやチャンファーや
クラウンや磁気ヘッドへの荷重を変えることなどによっ
て行なう。
イダの媒体対向面積、ブレンディングやチャンファーや
クラウンや磁気ヘッドへの荷重を変えることなどによっ
て行なう。
【0126】次に、浮上型磁気ヘッドと、磁気ディスク
の表面とが、非接触状態で起動、停止を行ない、回転し
ている磁気ディスク上に浮上型磁気ヘッド、特に薄膜型
の浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行なう、い
わゆるダイナミックローディング方式について、図4〜
図8に磁気記録再生装置の好適例を示し、以下図示例に
従って説明する。
の表面とが、非接触状態で起動、停止を行ない、回転し
ている磁気ディスク上に浮上型磁気ヘッド、特に薄膜型
の浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行なう、い
わゆるダイナミックローディング方式について、図4〜
図8に磁気記録再生装置の好適例を示し、以下図示例に
従って説明する。
【0127】図4および図5に示される磁気記録再生装
置は、ダイナミックローディング方式の1つであるリフ
ター駆動の場合の好適実施例であり、磁気ディスク1と
、浮上型磁気ヘッド2と、浮上型磁気ヘッド2の位置を
制御するためのヘッド位置制御手段であるリフター61
およびリフター駆動装置65とを有する。そして、磁気
ディスク1は、図示しないモータに連結しているスピン
ドル5に固定される。また、ヘッド支持部4にとりつけ
られた浮上型磁気ヘッド2は、リフター61およびリフ
ター駆動装置65により制御される。
置は、ダイナミックローディング方式の1つであるリフ
ター駆動の場合の好適実施例であり、磁気ディスク1と
、浮上型磁気ヘッド2と、浮上型磁気ヘッド2の位置を
制御するためのヘッド位置制御手段であるリフター61
およびリフター駆動装置65とを有する。そして、磁気
ディスク1は、図示しないモータに連結しているスピン
ドル5に固定される。また、ヘッド支持部4にとりつけ
られた浮上型磁気ヘッド2は、リフター61およびリフ
ター駆動装置65により制御される。
【0128】停止中は、リフター61の支持によって、
浮上型磁気ヘッド2はディスク面から引き上げられてお
り、起動時には、磁気ディスク1が回転し、所望の回転
数に達したとき、リフター駆動装置65によってヘッド
2を支持しているリフター61を所望のシリンダ位置ま
で図5矢印a方向に機械的に移動した後、リフター61
の支持が解除される。このとき、浮上型磁気ヘッド2は
下降して、好ましくは0.10μm 以下の低浮上量領
域になるように回転中の磁気ディスク1上に浮上し、所
望のシリンダ位置にて記録、再生が行なわれる。
浮上型磁気ヘッド2はディスク面から引き上げられてお
り、起動時には、磁気ディスク1が回転し、所望の回転
数に達したとき、リフター駆動装置65によってヘッド
2を支持しているリフター61を所望のシリンダ位置ま
で図5矢印a方向に機械的に移動した後、リフター61
の支持が解除される。このとき、浮上型磁気ヘッド2は
下降して、好ましくは0.10μm 以下の低浮上量領
域になるように回転中の磁気ディスク1上に浮上し、所
望のシリンダ位置にて記録、再生が行なわれる。
【0129】この場合、リフター61の支持が解除され
てヘッド2が下降し、安定浮上する過程においては、浮
上量はサブミクロン台にて制御されるため、ヘッド2は
、ディスク1と瞬時衝撃ないし接触し、その後安定浮上
する。
てヘッド2が下降し、安定浮上する過程においては、浮
上量はサブミクロン台にて制御されるため、ヘッド2は
、ディスク1と瞬時衝撃ないし接触し、その後安定浮上
する。
【0130】停止時は、前記と逆であり、リフター61
によりヘッド2を持ち上げた状態でディスク1の回転を
停止する。
によりヘッド2を持ち上げた状態でディスク1の回転を
停止する。
【0131】なお、浮上型磁気ヘッド2の接近速度の磁
気ディスク1主面と垂直方向の速度成分は、5mm/秒
以下が好ましい。
気ディスク1主面と垂直方向の速度成分は、5mm/秒
以下が好ましい。
【0132】図6〜図8には、ダイナミックローディン
グ方式と同様、ないしそれに属する方式であるランプ方
式の磁気記録再生装置の好適実施例が示される。
グ方式と同様、ないしそれに属する方式であるランプ方
式の磁気記録再生装置の好適実施例が示される。
【0133】図6および図8に示されるように、停止中
は、磁気ヘッド2は、ヘッド位置制御手段としてのラン
プロ−ド台63上に載置されている。
は、磁気ヘッド2は、ヘッド位置制御手段としてのラン
プロ−ド台63上に載置されている。
【0134】図7は、図6中のA−A線での断面図であ
り、図示されるようにランプロード台63には傾斜が付
けられている。
り、図示されるようにランプロード台63には傾斜が付
けられている。
【0135】起動時には、磁気ディスク1が回転すると
、磁気ヘッド2は、ランプロード台63の傾斜に沿って
移動し、回転中の磁気ディスク1上に浮上する。停止時
には、起動時と同様、磁気ヘッド2は、浮上中にソフト
コントロール制御により、ディスク1の外周側へ移動さ
れた後、ランプロード台63の傾斜面を昇りランプロー
ド台63上に載置固定される。
、磁気ヘッド2は、ランプロード台63の傾斜に沿って
移動し、回転中の磁気ディスク1上に浮上する。停止時
には、起動時と同様、磁気ヘッド2は、浮上中にソフト
コントロール制御により、ディスク1の外周側へ移動さ
れた後、ランプロード台63の傾斜面を昇りランプロー
ド台63上に載置固定される。
【0136】なお、磁気記録再生装置のダイナミックロ
ーディングないしランプローディングの機構には特に制
限がなく、前記のほか、従来公知の何れのものであって
もよい。
ーディングないしランプローディングの機構には特に制
限がなく、前記のほか、従来公知の何れのものであって
もよい。
【0137】ダイナミックローディング方式を採用する
ことによって、初期の摩擦係数が低い本発明の特徴を最
大限に発揮させることができるため、より一層優れたシ
ステムが実現する。
ことによって、初期の摩擦係数が低い本発明の特徴を最
大限に発揮させることができるため、より一層優れたシ
ステムが実現する。
【0138】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【0139】実施例1
〈磁気ディスクサンプルの作製〉外径65mm、厚さ0
.635mmのディスク状のアルミノケイ酸ガラス基板
を研磨し、さらに化学強化処理を施した。化学強化処理
は、450℃の溶融硝酸カリウムに10時間浸漬するこ
とにより行なった。
.635mmのディスク状のアルミノケイ酸ガラス基板
を研磨し、さらに化学強化処理を施した。化学強化処理
は、450℃の溶融硝酸カリウムに10時間浸漬するこ
とにより行なった。
【0140】次いで、このガラス基板表面をメカノケミ
カルポリッシングにより平滑化した。メカノケミカルポ
リッシングには、コロイダルシリカを含む研磨液を用い
た。
カルポリッシングにより平滑化した。メカノケミカルポ
リッシングには、コロイダルシリカを含む研磨液を用い
た。
【0141】研磨後の表面粗さ(Rmax )は20A
であった。
であった。
【0142】ガラス基板を洗浄後、ガラス基板上に、非
磁性中間層、磁性層、固体保護層および保護潤滑膜を順
次形成し、磁気ディスクを得た。
磁性中間層、磁性層、固体保護層および保護潤滑膜を順
次形成し、磁気ディスクを得た。
【0143】非磁性中間層はCr薄膜であり、Ar雰囲
気中でCrをターゲットとしてスパッタ法により100
0A厚に形成した。
気中でCrをターゲットとしてスパッタ法により100
0A厚に形成した。
【0144】磁性層はCo−Ni−Pt合金薄膜であり
、Ar雰囲気中でCo−20%(Ni−Pt)合金をタ
ーゲットとしてスパッタ法により500A厚に形成した
。
、Ar雰囲気中でCo−20%(Ni−Pt)合金をタ
ーゲットとしてスパッタ法により500A厚に形成した
。
【0145】固体保護層はカーボン薄膜であり、スパッ
タ法により100Aまたは200Aに形成した。
タ法により100Aまたは200Aに形成した。
【0146】保護潤滑膜を構成する化合物ならびに保護
潤滑膜の成膜方法および膜厚を、表1に示す。
潤滑膜の成膜方法および膜厚を、表1に示す。
【0147】なお、保護潤滑膜をLB法により成膜した
場合は、LB膜の累積数を併記した。また、膜厚の測定
は、ESCAにより行なった。
場合は、LB膜の累積数を併記した。また、膜厚の測定
は、ESCAにより行なった。
【0148】また、表1に示す保護潤滑膜成膜方法の詳
細は、下記の通りである。 (LB法)表1に示す化合物の10−4モル/lクロロ
ホルム溶液を調製し、展開溶液とした。
細は、下記の通りである。 (LB法)表1に示す化合物の10−4モル/lクロロ
ホルム溶液を調製し、展開溶液とした。
【0149】まず、水相中に被処理基板(磁気ディスク
)を浸漬した後、展開溶液を水相表面に均一に落し、単
分子膜を展開した。
)を浸漬した後、展開溶液を水相表面に均一に落し、単
分子膜を展開した。
【0150】次に、表面圧が所定圧となるまで界面を圧
縮し、被処理基板を一定の速度でほぼ垂直に上昇させて
被処理基板上に単分子膜を移し取り、さらに被処理基板
の下降および上昇を繰り返して単分子膜を累積し、保護
潤滑膜とした。
縮し、被処理基板を一定の速度でほぼ垂直に上昇させて
被処理基板上に単分子膜を移し取り、さらに被処理基板
の下降および上昇を繰り返して単分子膜を累積し、保護
潤滑膜とした。
【0151】(塗布法)表1に示す化合物の0.1wt
% イソプロピルアルコール溶液を塗布溶液とし、ディ
ップ法により塗布した。
% イソプロピルアルコール溶液を塗布溶液とし、ディ
ップ法により塗布した。
【0152】得られた磁気ディスクの表面粗さRmax
は80Aであった。
は80Aであった。
【0153】
【表1】
【0154】〈浮上型磁気ヘッドサンプルの作製〉Al
2 O3−TiC基体上に薄膜磁気ヘッド素子を形成し
た後、磁気ヘッド形状に加工し、支持バネ(ジンバル)
に取りつけ、図2に示されるような空気ベアリング型の
浮上型磁気ヘッドを得た。スライダのディスク対向面の
全投影面積は、1.4mm2 とした。
2 O3−TiC基体上に薄膜磁気ヘッド素子を形成し
た後、磁気ヘッド形状に加工し、支持バネ(ジンバル)
に取りつけ、図2に示されるような空気ベアリング型の
浮上型磁気ヘッドを得た。スライダのディスク対向面の
全投影面積は、1.4mm2 とした。
【0155】また、この場合も前記磁気ディスクサンプ
ルと同様にして、下記表2に示される保護潤滑膜を、少
なくとも浮揚面(フロント面)に成膜した。
ルと同様にして、下記表2に示される保護潤滑膜を、少
なくとも浮揚面(フロント面)に成膜した。
【0156】
【表2】
【0157】得られた磁気ディスクと、浮上型磁気ヘッ
ドとを表3に示すように組み合わせて、下記の評価を行
なった。なお、ディスク最内周での浮上量は0.08μ
m とした。
ドとを表3に示すように組み合わせて、下記の評価を行
なった。なお、ディスク最内周での浮上量は0.08μ
m とした。
【0158】(1)初期摩擦係数
1rpm 回転時の動摩擦係数を求めた。
【0159】(2)シーク特性
磁気ディスクを3600rpm で回転させ、シーク試
験を10万回繰り返し行なった。 評価基準 〇:ヘッドクラッシュなし ×:ヘッドクラッシュ発生
験を10万回繰り返し行なった。 評価基準 〇:ヘッドクラッシュなし ×:ヘッドクラッシュ発生
【0160】なお、ヘッドクラッシュが生じた場合、ヘ
ッドクラッシュ時のシーク試験回数を併記した。
ッドクラッシュ時のシーク試験回数を併記した。
【0161】また、10万回シ−ク試験後のヘッド附着
の発生を確認した。ただし、10万回未満でヘッドクラ
ッシュした場合には、ヘッドクラッシュ時に確認した。 評価基準 〇 : ヘッド附着なし × : ヘッド附着あり
の発生を確認した。ただし、10万回未満でヘッドクラ
ッシュした場合には、ヘッドクラッシュ時に確認した。 評価基準 〇 : ヘッド附着なし × : ヘッド附着あり
【0162】結果は表3に示されるとおりである。
【0163】
【表3】
【0164】表3に示される結果から本発明の効果が明
らかである。
らかである。
【0165】なお、ディスクサンプルNo. 1および
No. 5の表面性は良好であった。これに対し、No
. 2およびNo. 6は初期摩擦係数は低いが、本保
護潤滑膜材料はLB法での累積比が悪いために配性が良
くなく、膜に表面ムラを生じた。摩擦的には低い良好な
特性を有するが、シーク特性では表面性のムラが問題と
なりヘッドクラッシュとなった。
No. 5の表面性は良好であった。これに対し、No
. 2およびNo. 6は初期摩擦係数は低いが、本保
護潤滑膜材料はLB法での累積比が悪いために配性が良
くなく、膜に表面ムラを生じた。摩擦的には低い良好な
特性を有するが、シーク特性では表面性のムラが問題と
なりヘッドクラッシュとなった。
【0166】また、ディスクサンプルNo. 1やNo
. 5とヘッドサンプルNo. 1とをそれぞれ組み合
せて前記と同様の評価を行なったところ前記本発明と同
等の結果が得られた。
. 5とヘッドサンプルNo. 1とをそれぞれ組み合
せて前記と同様の評価を行なったところ前記本発明と同
等の結果が得られた。
【0167】実施例2
実施例1の組み合せNo. 1において、磁気ディスク
の表面粗さRmax 、カ−ボン保護層の膜厚、磁気ヘ
ッドのスライダ面積、浮上量をそれぞれ表4に示される
ようにかえ、ダイナミックロ−ディング方式を採用し、
組み合せNo. 7〜14を得た。そして、No. 1
と同様、(1)初期摩擦係数および(2)シ−ク特性の
評価を行なったところ同等の結果が得られた。次いで、
ディスクの回転数3300rpm にて、下記の評価を
行なった。
の表面粗さRmax 、カ−ボン保護層の膜厚、磁気ヘ
ッドのスライダ面積、浮上量をそれぞれ表4に示される
ようにかえ、ダイナミックロ−ディング方式を採用し、
組み合せNo. 7〜14を得た。そして、No. 1
と同様、(1)初期摩擦係数および(2)シ−ク特性の
評価を行なったところ同等の結果が得られた。次いで、
ディスクの回転数3300rpm にて、下記の評価を
行なった。
【0168】(3)耐久性
20℃、60%RHにてダイナミックロ−ディングによ
り、磁気ヘッドの起動、停止を10万回繰り返し行なっ
て、耐久信頼性試験を行ない、磁気ディスクの磁性層に
傷が発生する程度を調べ、1〜5(数が大きい程良好)
の5段階で評価した。この場合、10万回でヘッドクラ
ッシュが発生しないときは「OK」と記載する。 評価基準 5・・・ 傷ごく微小 4・・・ 傷微小 3・・・ 傷小 2・・・ 傷中 1・・・ 傷大
り、磁気ヘッドの起動、停止を10万回繰り返し行なっ
て、耐久信頼性試験を行ない、磁気ディスクの磁性層に
傷が発生する程度を調べ、1〜5(数が大きい程良好)
の5段階で評価した。この場合、10万回でヘッドクラ
ッシュが発生しないときは「OK」と記載する。 評価基準 5・・・ 傷ごく微小 4・・・ 傷微小 3・・・ 傷小 2・・・ 傷中 1・・・ 傷大
【0169】なお、1は使用不能であり、2以上は使用
可能である。
可能である。
【0170】(4)AE出力
起動、停止を10万回繰り返し行なった後、ア−コステ
ィック・エミッション(AE)センサにて、ダイナミッ
クロ−ディングにより、磁気ヘッドをディスク上に浮上
させる際の磁気ヘッドと、磁気ディスクとの衝突音を検
出し1〜5(数が大きい程良好)の5段階で評価した。 評価基準 5・・・ 衝突音微小 4・・・ 衝突音小 3・・・ 衝突音小〜中 2・・・ 衝突音中 1・・・ 衝突音大
ィック・エミッション(AE)センサにて、ダイナミッ
クロ−ディングにより、磁気ヘッドをディスク上に浮上
させる際の磁気ヘッドと、磁気ディスクとの衝突音を検
出し1〜5(数が大きい程良好)の5段階で評価した。 評価基準 5・・・ 衝突音微小 4・・・ 衝突音小 3・・・ 衝突音小〜中 2・・・ 衝突音中 1・・・ 衝突音大
【0171】なお、1は使用不能、2はやや問題がある
が使用可能であり、3以上は使用可能である。
が使用可能であり、3以上は使用可能である。
【0172】(5)D70
再生出力が70%になる記録密度D70を求め、組み合
せNo.9において、カ−ボン保護層の膜厚を200A
としたときのD70を100としたときの相対値(%)
を算出した。
せNo.9において、カ−ボン保護層の膜厚を200A
としたときのD70を100としたときの相対値(%)
を算出した。
【0173】結果は表4に示されるとおりである。
【0174】
【表4】
【0175】また、組み合せNo. 7〜9、10およ
び14において、磁気ディスクにカ−ボン保護層を設層
しないほかは同様にして、前記の評価を行なったところ
、耐久性については5万回パス時までは前記と同等であ
り、D70が向上した。
び14において、磁気ディスクにカ−ボン保護層を設層
しないほかは同様にして、前記の評価を行なったところ
、耐久性については5万回パス時までは前記と同等であ
り、D70が向上した。
【0176】実施例3
実施例1および2において、非磁性中間層および磁性層
のかわりに下記の軟磁性膜および垂直磁化膜の磁性層を
形成したほかは同様にして垂直記録用の磁気ディスクサ
ンプルを作製した。
のかわりに下記の軟磁性膜および垂直磁化膜の磁性層を
形成したほかは同様にして垂直記録用の磁気ディスクサ
ンプルを作製した。
【0177】〈軟磁性膜〉2%O2 を含む2×10−
1PaのAr雰囲気中にてDCマグネトロンスパッタ法
により80at% Ni−Fe合金を厚さ2000Aに
成膜して形成した。軟磁性膜の面内方向の保磁力は、9
Oe であった。
1PaのAr雰囲気中にてDCマグネトロンスパッタ法
により80at% Ni−Fe合金を厚さ2000Aに
成膜して形成した。軟磁性膜の面内方向の保磁力は、9
Oe であった。
【0178】〈垂直磁化膜〉DCマグネトロンスパッタ
法により20at% Cr−Co合金を厚さ1500A
に成膜して形成した。成膜時の雰囲気は、軟磁性膜形成
の際と同様とした。垂直磁化膜の垂直方向の保磁力は、
720 Oe であった。
法により20at% Cr−Co合金を厚さ1500A
に成膜して形成した。成膜時の雰囲気は、軟磁性膜形成
の際と同様とした。垂直磁化膜の垂直方向の保磁力は、
720 Oe であった。
【0179】また、実施例1および2と同様にして、垂
直記録用の浮上型磁気ヘッドとして、図3に示されるよ
うな薄膜型の主磁極励磁型単磁極ヘッドサンプルを作製
した。
直記録用の浮上型磁気ヘッドとして、図3に示されるよ
うな薄膜型の主磁極励磁型単磁極ヘッドサンプルを作製
した。
【0180】そして、得られた磁気ディスクと、浮上型
磁気ヘッドとを組み合わせて、実施例1および2と同様
の評価を行なったところ、同等の結果が得られた。
磁気ヘッドとを組み合わせて、実施例1および2と同様
の評価を行なったところ、同等の結果が得られた。
【0181】実施例4
〈磁気ディスクの作製〉Feタ−ゲット表面の酸化膜を
除去した。次いで、O2 ガスを導入して反応性スパッ
タを行ない、実施例1と同一のディスク基板上にFe3
O4 膜を成膜した。なお、O2 ガスは、基板に吹き
つけるように導入した。
除去した。次いで、O2 ガスを導入して反応性スパッ
タを行ない、実施例1と同一のディスク基板上にFe3
O4 膜を成膜した。なお、O2 ガスは、基板に吹き
つけるように導入した。
【0182】Fe3O4 膜形成後、空気中で熱処理を
行ない、γ−Fe2O3 磁性層とした。なお、磁性層
の厚さは、1500Aとした。
行ない、γ−Fe2O3 磁性層とした。なお、磁性層
の厚さは、1500Aとした。
【0183】次いで、実施例1と同様にして、保護潤滑
膜を形成し、表5に示される磁気ディスクサンプルを作
製した。
膜を形成し、表5に示される磁気ディスクサンプルを作
製した。
【0184】得られた磁気ディスクの表面粗さRmax
は、90Aであった。
は、90Aであった。
【0185】
【表5】
【0186】得られた磁気ディスクと、表2に示される
浮上型磁気ヘッドとを表6に示すように組み合わせて、
実施例1と同様の評価を行なった。
浮上型磁気ヘッドとを表6に示すように組み合わせて、
実施例1と同様の評価を行なった。
【0187】
【表6】
【0188】表6に示される結果から本発明の効果が明
らかである。
らかである。
【0189】また、組み合せNo. 15において、磁
気ディスクの表面粗さRmax を150Aとして組み
合せNo. 16を作製した。
気ディスクの表面粗さRmax を150Aとして組み
合せNo. 16を作製した。
【0190】そして、表4に示される組み合せNo.
8およびNo. 16に対し、シ−ク試験を30万回繰
り返し行なったところ、No. 8は30万回でヘッド
クラッシュが発生したのに対し、No. 16はヘッド
クラッシュが発生しなかった。このように、γ−Fe2
O3 磁性層は硬い膜であるため、No. 16の分岐
アルキル脂肪酸保護潤滑膜(液体)と、γ−Fe2O3
磁性層との組み合せにおいて、本発明のシ−ク特性で
の利点がより一層生かされることが判る。
8およびNo. 16に対し、シ−ク試験を30万回繰
り返し行なったところ、No. 8は30万回でヘッド
クラッシュが発生したのに対し、No. 16はヘッド
クラッシュが発生しなかった。このように、γ−Fe2
O3 磁性層は硬い膜であるため、No. 16の分岐
アルキル脂肪酸保護潤滑膜(液体)と、γ−Fe2O3
磁性層との組み合せにおいて、本発明のシ−ク特性で
の利点がより一層生かされることが判る。
【0191】
【発明の効果】本発明の磁気ディスクおよび浮上型磁気
ヘッドには、所定の保護潤滑膜が形成されているため、
膜面の初期の摩擦係数が低く、良好な摩擦特性を有する
。
ヘッドには、所定の保護潤滑膜が形成されているため、
膜面の初期の摩擦係数が低く、良好な摩擦特性を有する
。
【0192】このため、本発明の磁気記録再生方法によ
れば、安定したシ−クを行なうことができ、ヘッドクラ
ッシュを防止でき、信頼性が向上する。
れば、安定したシ−クを行なうことができ、ヘッドクラ
ッシュを防止でき、信頼性が向上する。
【0193】そして、特にダイナミックローディング方
式ないしランプローディング方式では、磁気ディスクと
磁気ヘッドとの接触時間を短縮できるため、摩擦係数を
初期の低い値のまま保持できる。このため、ハードディ
スクシステムの耐久信頼性が格段と向上する。
式ないしランプローディング方式では、磁気ディスクと
磁気ヘッドとの接触時間を短縮できるため、摩擦係数を
初期の低い値のまま保持できる。このため、ハードディ
スクシステムの耐久信頼性が格段と向上する。
【図1】本発明の磁気ディスクの1例が示される部分断
面図である。
面図である。
【図2】本発明の面内記録用の浮上型磁気ヘッドの1例
が示される部分断面図である。
が示される部分断面図である。
【図3】本発明の垂直記録用の浮上型磁気ヘッドの1例
が示される部分断面図である。
が示される部分断面図である。
【図4】本発明の磁気記録再生方法を説明するための磁
気記録再生装置が示される部分正面図である。
気記録再生装置が示される部分正面図である。
【図5】図4に示される磁気記録再生装置の部分平面図
である。
である。
【図6】本発明の磁気記録再生方法を説明するための磁
気記録再生装置が示される部分正面図である。
気記録再生装置が示される部分正面図である。
【図7】図6中のA−A線での断面図である。
【図8】図6に示される磁気記録再生装置の部分平面図
である。
である。
1 磁気ディスク
12 ディスク基板
13 磁性層
14 固体保護層
15 保護潤滑膜
2、3 浮上型磁気ヘッド
20、30 保護潤滑膜
21、31 基体
22、23、24、35 絶縁層
25 下部磁極層
26 上部磁極層
27 ギャップ層
28、34 コイル層
29 保護層
32 第1磁性層
33 第2磁性層
37 接着剤層
39 磁性体
4 ヘッド支持部
5 スピンドル
61 リフター
63 ランプロード台
65 リフター駆動装置
Claims (5)
- 【請求項1】 剛性のディスク基板上に連続薄膜の磁
性層を有する磁気ディスクであって、前記磁性層上に、
化1で示され、常温で液体の化合物の保護潤滑膜を有す
ることを特徴とする磁気ディスク。 【化1】 - 【請求項2】 少なくとも浮揚面側に、化2で示され
、常温で液体の化合物の保護潤滑膜を有することを特徴
とする浮上型磁気ヘッド。 【化2】 - 【請求項3】 剛性のディスク基板上に連続薄膜の磁
性層を有する磁気ディスクを回転させ、前記磁気ディス
ク上に浮上型磁気ヘッドを浮上させて記録再生を行なう
磁気記録再生方法であって、前記磁気ディスクの磁性層
上および/または前記浮上型磁気ヘッドの少なくとも浮
揚面側に、化3で示され、常温で液体の化合物の保護潤
滑膜を有することを特徴とする磁気記録再生方法。 【化3】 - 【請求項4】 前記磁気ディスクの表面と前記浮上型
磁気ヘッドの表面とが非接触状態で起動、停止を行なう
請求項3に記載の磁気記録再生方法。 - 【請求項5】 前記浮上型磁気ヘッドのディスク最内
周での浮上量が0.10μm 以下である請求項3また
は4に記載の磁気記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6392391A JPH04278220A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 磁気ディスク、浮上型磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6392391A JPH04278220A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 磁気ディスク、浮上型磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278220A true JPH04278220A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=13243351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6392391A Withdrawn JPH04278220A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 磁気ディスク、浮上型磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04278220A (ja) |
-
1991
- 1991-03-05 JP JP6392391A patent/JPH04278220A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2816472B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US6677105B2 (en) | Self-lubricating layer for data storage devices | |
| KR970005351B1 (ko) | 박막 금속합금 자기기록 디스크 및 그의 제조방법 | |
| JPH07111772B2 (ja) | 磁気デイスク記録装置 | |
| JPH0660368A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2840966B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 | |
| US6430114B1 (en) | Self-lubricating layer for a data storage disk | |
| JPH04278220A (ja) | 磁気ディスク、浮上型磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 | |
| US6335080B1 (en) | Magnetic disk media and disk drives utilizing polymeric disk substrates | |
| JPH04251402A (ja) | 磁気記録再生方法および磁気記録再生装置 | |
| JPH04311810A (ja) | 磁気記録再生方法および磁気記録再生装置 | |
| EP1136987A1 (en) | Magnetic recording and reproducing device | |
| JP2873702B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 | |
| JPH04251404A (ja) | 磁気記録再生方法および磁気記録再生装置 | |
| JPH04251403A (ja) | 磁気記録再生方法および磁気記録再生装置 | |
| JP3492908B2 (ja) | 磁気記録再生方法 | |
| JP2983053B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 | |
| JPH04251401A (ja) | 磁気記録再生方法および磁気記録再生装置 | |
| JPH04324174A (ja) | 磁気記録再生方法 | |
| JP2001028117A (ja) | ディスク媒体 | |
| JP3037702B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 | |
| JP2829524B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 | |
| JPH02198001A (ja) | 磁気記録再生方法、磁気記録媒体および浮上型磁気ヘッド | |
| JPH04109427A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2784935B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |