JPH04280487A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH04280487A JPH04280487A JP4210691A JP4210691A JPH04280487A JP H04280487 A JPH04280487 A JP H04280487A JP 4210691 A JP4210691 A JP 4210691A JP 4210691 A JP4210691 A JP 4210691A JP H04280487 A JPH04280487 A JP H04280487A
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- diode element
- semiconductor laser
- laser
- laser diode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザダイオードチップ
を樹脂でモールドした半導体レーザ装置に関する。
を樹脂でモールドした半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置はレーザディスクプレ
イヤーやコンパクトディスクプレイヤー等の光ピックア
ップの光源として用いられることから、低価格であるこ
とが強く要求されている。しかし、従来の半導体レーザ
装置は、金属キャップ，ステム，ベース等を主たる構成
要素とするハーメチックシールタイプであり、これら部
材を組み立てる際には、例えば、リードはベースに絶縁
ガラスを介して貫通させて固定し、レーザダイオード素
子とサブマウントをボンディングしたステムにベースを
固着し、さらに透明板で形成した光透過孔を有する金属
キャップをステムに電気溶接しなければならないなど、
面倒な工程を避けることができず、製造工数も非常に多
くなり、このような半導体レーザ装置を低価格とするの
は非情に困難である。
イヤーやコンパクトディスクプレイヤー等の光ピックア
ップの光源として用いられることから、低価格であるこ
とが強く要求されている。しかし、従来の半導体レーザ
装置は、金属キャップ，ステム，ベース等を主たる構成
要素とするハーメチックシールタイプであり、これら部
材を組み立てる際には、例えば、リードはベースに絶縁
ガラスを介して貫通させて固定し、レーザダイオード素
子とサブマウントをボンディングしたステムにベースを
固着し、さらに透明板で形成した光透過孔を有する金属
キャップをステムに電気溶接しなければならないなど、
面倒な工程を避けることができず、製造工数も非常に多
くなり、このような半導体レーザ装置を低価格とするの
は非情に困難である。
【０００３】これに対して、例えば特開平２−１２５６
８７号公報に、レーザダイオード素子およびその接続導
体の一部を透光性樹脂により封止した構造とすることに
より、金属キャップ，ステム，ベース等が不要となり、
これら部材を組み立てる面倒な工程も不要となるので、
半導体レーザ装置の著しい低価格化が図れることが記載
されている。
８７号公報に、レーザダイオード素子およびその接続導
体の一部を透光性樹脂により封止した構造とすることに
より、金属キャップ，ステム，ベース等が不要となり、
これら部材を組み立てる面倒な工程も不要となるので、
半導体レーザ装置の著しい低価格化が図れることが記載
されている。
【０００４】図８にリードフレーム樹脂モールドタイプ
の半導体レーザ装置のモールド部透視模式図を示す。図
８において、レーザダイオード素子（以下ＬＤと称する
）はチップ１がサブマウント２上に半田付けされ、サブ
マウント２にはＬＤチップ１の他に、ＬＤチップ１の出
力パワーをモニターするためのフォトダイオード３が取
り付けられており、このサブマウント２はＬＤチップ１
とフォトダイオード３が設けられている面の裏面でリー
ドフレーム４ａに半田付けされている。ＬＤチップ１と
フォトダイオード３は、いずれも表面に形成されている
電極がリード線５により、それぞれリードフレーム４ｂ
と４ｃに接続されている。そして、これらＬＤチップ１
，サブマウント２，フォトダイオード３，リードフレー
ム４ａおよびリード線５が透光性樹脂６により一体にモ
ールドされ、リードフレーム４ｂと４ｃを含む一部の領
域で、透光性樹脂６には鍔状部７が形成される。この鍔
状部７はレーザ光を光源として利用する場合の光源位置
決めの基準となる部分である。このように構成された半
導体レーザ装置のＬＤチップ１の光出射端面１ａから出
射するレーザ光は、透光性樹脂６の円形面６ａのほぼ中
央から外部へ放射される。
の半導体レーザ装置のモールド部透視模式図を示す。図
８において、レーザダイオード素子（以下ＬＤと称する
）はチップ１がサブマウント２上に半田付けされ、サブ
マウント２にはＬＤチップ１の他に、ＬＤチップ１の出
力パワーをモニターするためのフォトダイオード３が取
り付けられており、このサブマウント２はＬＤチップ１
とフォトダイオード３が設けられている面の裏面でリー
ドフレーム４ａに半田付けされている。ＬＤチップ１と
フォトダイオード３は、いずれも表面に形成されている
電極がリード線５により、それぞれリードフレーム４ｂ
と４ｃに接続されている。そして、これらＬＤチップ１
，サブマウント２，フォトダイオード３，リードフレー
ム４ａおよびリード線５が透光性樹脂６により一体にモ
ールドされ、リードフレーム４ｂと４ｃを含む一部の領
域で、透光性樹脂６には鍔状部７が形成される。この鍔
状部７はレーザ光を光源として利用する場合の光源位置
決めの基準となる部分である。このように構成された半
導体レーザ装置のＬＤチップ１の光出射端面１ａから出
射するレーザ光は、透光性樹脂６の円形面６ａのほぼ中
央から外部へ放射される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図８に示す如く簡素化
された樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置も、組み
立てに関しては、次のような問題がある。
された樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置も、組み
立てに関しては、次のような問題がある。
【０００６】それは透光性樹脂６をモールドする場合、
トランスファモールドにせよ、キャスティングにせよ、
これらの金型とリードフレーム４ａ〜４ｃとの相対位置
精度を高くするのが困難なことである。即ち、図８に示
す構造の半導体レーザ装置で透光性樹脂６が正しくモー
ルドされるためには、ＬＤチップ１の光出射面１ａと透
光性樹脂６の円形端面６ａと鍔状部７の円形平面部とが
平行であり、鍔状部７の円形平面部の中心の法線上に発
光点がくるという条件が満たされるように樹脂モールド
を行なわねばならないが、これらの条件を満たすために
は、リードフレーム４ａ〜４ｃを金型に対して高精度に
位置決めする必要があり、これは極めて難しい。したが
って、光源位置決めの基準となる鍔状部７によって、レ
ーザ光位置精度、即ちＬＤチップ１の高い位置精度を確
保することができず、このことはこの半導体レーザ装置
を使用する装置側の調整幅が必然的に大きくなるという
不都合をもたらしている。
トランスファモールドにせよ、キャスティングにせよ、
これらの金型とリードフレーム４ａ〜４ｃとの相対位置
精度を高くするのが困難なことである。即ち、図８に示
す構造の半導体レーザ装置で透光性樹脂６が正しくモー
ルドされるためには、ＬＤチップ１の光出射面１ａと透
光性樹脂６の円形端面６ａと鍔状部７の円形平面部とが
平行であり、鍔状部７の円形平面部の中心の法線上に発
光点がくるという条件が満たされるように樹脂モールド
を行なわねばならないが、これらの条件を満たすために
は、リードフレーム４ａ〜４ｃを金型に対して高精度に
位置決めする必要があり、これは極めて難しい。したが
って、光源位置決めの基準となる鍔状部７によって、レ
ーザ光位置精度、即ちＬＤチップ１の高い位置精度を確
保することができず、このことはこの半導体レーザ装置
を使用する装置側の調整幅が必然的に大きくなるという
不都合をもたらしている。
【０００７】半導体レーザ装置は、例えばコンパクトデ
ィスク用光源等のように、点光源として使用され、ディ
スク上に点像を生じさせる。そのためＬＤチップ１の光
出射面１ａと点像との間に光波面を乱す不均一性が存在
しないことが必要である。この不均一性の限界はλ／１
０（λはレーザ光の波長）以下とされている。したがっ
て、透光性樹脂６の円形端面６ａの平滑度は重要である
が、円形端面６ａに上記の精度を持つ平面を作り込むの
は困難であり、また、これができたとしても樹脂は軟ら
かく傷つきやすいので、その平面精度を保持することが
困難であるという問題もある。
ィスク用光源等のように、点光源として使用され、ディ
スク上に点像を生じさせる。そのためＬＤチップ１の光
出射面１ａと点像との間に光波面を乱す不均一性が存在
しないことが必要である。この不均一性の限界はλ／１
０（λはレーザ光の波長）以下とされている。したがっ
て、透光性樹脂６の円形端面６ａの平滑度は重要である
が、円形端面６ａに上記の精度を持つ平面を作り込むの
は困難であり、また、これができたとしても樹脂は軟ら
かく傷つきやすいので、その平面精度を保持することが
困難であるという問題もある。
【０００８】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的はＬＤチップとモールド樹脂の位置決め
部との相対位置の精度向上と、レーザ光出射面の平滑度
が確保された半導体レーザ装置を提供することにある。
あり、その目的はＬＤチップとモールド樹脂の位置決め
部との相対位置の精度向上と、レーザ光出射面の平滑度
が確保された半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の半導体レーザ装置は、リードフレームの
一部をレーザ光出射方向と平行に両側から折り曲げて形
成した凹部内に、樹脂モールドされたＬＤが位置する、
またはＬＤチップ近傍でリードフレームの一部をレーザ
光出射方向と垂直な方向に折り曲げて形成したレーザ光
透過孔を持つ折り曲げ部の内側に、樹脂モールドされた
ＬＤが位置するという構造を基本とし、そのほか折り曲
げ部に高透過率のガラスを貼付した構造や、さらにＬＤ
位置からレーザ光出射方向に延長した部分のリードフレ
ームに形成した折り曲げ部に、別の光学素子の取り付け
を可能にした構造にもしている。
めに、本発明の半導体レーザ装置は、リードフレームの
一部をレーザ光出射方向と平行に両側から折り曲げて形
成した凹部内に、樹脂モールドされたＬＤが位置する、
またはＬＤチップ近傍でリードフレームの一部をレーザ
光出射方向と垂直な方向に折り曲げて形成したレーザ光
透過孔を持つ折り曲げ部の内側に、樹脂モールドされた
ＬＤが位置するという構造を基本とし、そのほか折り曲
げ部に高透過率のガラスを貼付した構造や、さらにＬＤ
位置からレーザ光出射方向に延長した部分のリードフレ
ームに形成した折り曲げ部に、別の光学素子の取り付け
を可能にした構造にもしている。
【００１０】
【作用】本発明の半導体レーザ装置は上記のように構成
したことにより、リードフレームに形成した折り曲げ部
を備えているので、この折り曲げ部を半導体レーザ装置
を使用する装置側に対する位置決めの基準として用いる
ことができる。即ち、リードフレーム自体がレーザ光出
射位置を正確に定める基準となり、その位置決めに関し
てはＬＤをモールドする透光性樹脂とは全く無関係であ
るから、従来のようにモールド樹脂の鍔状部に依存して
いた位置決めの不安定性を生ずることがなくなる。また
リードフレームを折り曲げて形成される凹部端面に高透
過率のガラスを貼付して、レーザ光出射面の平滑度を高
めるとともに樹脂が傷つくのを防ぐこともできる。しか
も、樹脂モールド作業は極めて簡単であり、リードフレ
ームの折り曲げ部にガラスを貼付してないものは、単純
なＬ字金型を用いればよく、リードフレームの折り曲げ
部にガラスを貼付したものは、金型なしで済ませること
ができる。さらに、リードフレームの延長部分に複数個
所の折り曲げ部を形成し、ここに別の光学素子を取り付
けることにより、それらの組み合わせによって多用途の
装置とすることが可能である。
したことにより、リードフレームに形成した折り曲げ部
を備えているので、この折り曲げ部を半導体レーザ装置
を使用する装置側に対する位置決めの基準として用いる
ことができる。即ち、リードフレーム自体がレーザ光出
射位置を正確に定める基準となり、その位置決めに関し
てはＬＤをモールドする透光性樹脂とは全く無関係であ
るから、従来のようにモールド樹脂の鍔状部に依存して
いた位置決めの不安定性を生ずることがなくなる。また
リードフレームを折り曲げて形成される凹部端面に高透
過率のガラスを貼付して、レーザ光出射面の平滑度を高
めるとともに樹脂が傷つくのを防ぐこともできる。しか
も、樹脂モールド作業は極めて簡単であり、リードフレ
ームの折り曲げ部にガラスを貼付してないものは、単純
なＬ字金型を用いればよく、リードフレームの折り曲げ
部にガラスを貼付したものは、金型なしで済ませること
ができる。さらに、リードフレームの延長部分に複数個
所の折り曲げ部を形成し、ここに別の光学素子を取り付
けることにより、それらの組み合わせによって多用途の
装置とすることが可能である。
【００１１】
【実施例】本発明の半導体レーザ装置が図８に示す従来
の半導体レーザ装置と基本的に異なる所は、リードフレ
ームを折り曲げてリードフレーム自体を位置決め部材と
しても利用したことである。以下、本発明を種々の実施
例に基づき説明する。
の半導体レーザ装置と基本的に異なる所は、リードフレ
ームを折り曲げてリードフレーム自体を位置決め部材と
しても利用したことである。以下、本発明を種々の実施
例に基づき説明する。
【００１２】図１は本発明の半導体レーザ装置の一実施
例を示す模式図であり、図８と共通部分を同一符号で表
わしてある。図１において、この半導体レーザ装置は、
ＬＤチップ１からのレーザ光出射方向に平行で正面から
みて左右対称となるように、リードフレーム８の二つの
側辺の一部を折り曲げ、折り曲げられた両側辺部により
形成されリードフレーム８の凹部底面となるリードフレ
ーム８の主平面上に、サブマウント２，チップ１，フォ
トダイオード３からなるＬＤを半田付けしてある。この
ときレーザ光出射方向に関してＬＤとリードフレーム８
は互いに中心線が一致するように配置しなければならな
い。ＬＤチップ１とフォトダイオード３は、サブマウン
ト２の近傍からリードフレーム８の主平面上の折り曲げ
てない領域まで延びる二つの電極９に、それぞれリード
線５により接続される。１０は絶縁層である。モールド
される透光性樹脂６は、ＬＤ，リード線５の一部をシー
ルし、リードフレーム８の凹部ほぼ全体を満たしている
。透光性樹脂６のレーザ光出射面は高精度平面を形成し
てあるが、この面と透光性樹脂６のリードフレーム８に
接する面以外の２面、即ち上部自由面およびレーザ光出
射面と反対側の自由面は、必ずしも整形されていなくて
もよい。
例を示す模式図であり、図８と共通部分を同一符号で表
わしてある。図１において、この半導体レーザ装置は、
ＬＤチップ１からのレーザ光出射方向に平行で正面から
みて左右対称となるように、リードフレーム８の二つの
側辺の一部を折り曲げ、折り曲げられた両側辺部により
形成されリードフレーム８の凹部底面となるリードフレ
ーム８の主平面上に、サブマウント２，チップ１，フォ
トダイオード３からなるＬＤを半田付けしてある。この
ときレーザ光出射方向に関してＬＤとリードフレーム８
は互いに中心線が一致するように配置しなければならな
い。ＬＤチップ１とフォトダイオード３は、サブマウン
ト２の近傍からリードフレーム８の主平面上の折り曲げ
てない領域まで延びる二つの電極９に、それぞれリード
線５により接続される。１０は絶縁層である。モールド
される透光性樹脂６は、ＬＤ，リード線５の一部をシー
ルし、リードフレーム８の凹部ほぼ全体を満たしている
。透光性樹脂６のレーザ光出射面は高精度平面を形成し
てあるが、この面と透光性樹脂６のリードフレーム８に
接する面以外の２面、即ち上部自由面およびレーザ光出
射面と反対側の自由面は、必ずしも整形されていなくて
もよい。
【００１３】図２は同じくリードフレーム８ａを折り曲
げたものであるが、図１とは異なり折り曲げ部分をレー
ザ光出射方向に対して垂直方向とした場合の半導体レー
ザ装置の模式図である。なお、図２以後に挙げる各図に
は、図１に示したリード線５、絶縁層１０の図示を省略
する。この半導体レーザ装置は、リードフレーム８ａに
対するＬＤの取り付け方などは、基本的に図１の場合と
同じであるが、折り曲げ部分をレーザ光出射方向に対し
て垂直方向としているために、レーザ光を外部に取り出
す光出射孔１１をリードフレーム８ａの折り曲げ部分に
あけてある。レーザ光の外部への取り出しは、光出射孔
１１の代わりに、リードフレーム８ａの折り曲げ部分に
切り欠きを形成してもよい。
げたものであるが、図１とは異なり折り曲げ部分をレー
ザ光出射方向に対して垂直方向とした場合の半導体レー
ザ装置の模式図である。なお、図２以後に挙げる各図に
は、図１に示したリード線５、絶縁層１０の図示を省略
する。この半導体レーザ装置は、リードフレーム８ａに
対するＬＤの取り付け方などは、基本的に図１の場合と
同じであるが、折り曲げ部分をレーザ光出射方向に対し
て垂直方向としているために、レーザ光を外部に取り出
す光出射孔１１をリードフレーム８ａの折り曲げ部分に
あけてある。レーザ光の外部への取り出しは、光出射孔
１１の代わりに、リードフレーム８ａの折り曲げ部分に
切り欠きを形成してもよい。
【００１４】次に図１，図２に示す構造の半導体レーザ
装置に透光性樹脂６をモールドする方法について述べる
。図３はその方法を説明するために必要な部分のみ示し
た模式図である。ここでは図１の半導体レーザ装置をモ
ールドする場合を示し、使用するＬ字状金型１２とリー
ドフレーム８の位置関係を表わしている。図３において
、ＬＤとリード線５の取り付けが終了したリードフレー
ム８のＬＤチップ１側の端面を、Ｌ字状金型１２の一方
の内壁面１３に当接させ、折り曲げられた両側辺部によ
り形成されたリードフレーム８の凹部開口部に、樹脂液
溜め１４から樹脂液滴１５を矢印で示した重力方向に滴
下する。このときＬ字状金型１２は樹脂液滴１５の滴下
方向側面からみてＶ字状となるように傾けて保持する。 ＬＤ部が完全に樹脂で覆われた後、樹脂の種類により熱
硬化または紫外線硬化させて、透光性樹脂６のモールド
部を形成する。この方法によれば、Ｌ字状金型１２に接
していない部分の透光性樹脂６は自由表面となるが、そ
の形状は半導体レーザ装置の性能に影響を及ぼすことは
ない。
装置に透光性樹脂６をモールドする方法について述べる
。図３はその方法を説明するために必要な部分のみ示し
た模式図である。ここでは図１の半導体レーザ装置をモ
ールドする場合を示し、使用するＬ字状金型１２とリー
ドフレーム８の位置関係を表わしている。図３において
、ＬＤとリード線５の取り付けが終了したリードフレー
ム８のＬＤチップ１側の端面を、Ｌ字状金型１２の一方
の内壁面１３に当接させ、折り曲げられた両側辺部によ
り形成されたリードフレーム８の凹部開口部に、樹脂液
溜め１４から樹脂液滴１５を矢印で示した重力方向に滴
下する。このときＬ字状金型１２は樹脂液滴１５の滴下
方向側面からみてＶ字状となるように傾けて保持する。 ＬＤ部が完全に樹脂で覆われた後、樹脂の種類により熱
硬化または紫外線硬化させて、透光性樹脂６のモールド
部を形成する。この方法によれば、Ｌ字状金型１２に接
していない部分の透光性樹脂６は自由表面となるが、そ
の形状は半導体レーザ装置の性能に影響を及ぼすことは
ない。
【００１５】同様にして図２に示す構造の半導体レーザ
装置もＬ字状金型１２を用いることにより、透光性樹脂
６をモールドすることが可能であり、その方法は図２に
示したリードフレーム８ａの折り曲げ部分を、Ｌ字状金
型１２の内壁面１３に当接させればよく、その他は基本
的に上述の方法と同じであるからこれ以上の記載を省略
する。図３から、図１，図２に示す構造の半導体レーザ
装置に対して，いずれも極めて簡単な形状の金型により
、樹脂モールドが可能になることがわかる。
装置もＬ字状金型１２を用いることにより、透光性樹脂
６をモールドすることが可能であり、その方法は図２に
示したリードフレーム８ａの折り曲げ部分を、Ｌ字状金
型１２の内壁面１３に当接させればよく、その他は基本
的に上述の方法と同じであるからこれ以上の記載を省略
する。図３から、図１，図２に示す構造の半導体レーザ
装置に対して，いずれも極めて簡単な形状の金型により
、樹脂モールドが可能になることがわかる。
【００１６】図４は図１に示す構造の半導体レーザ装置
に対して、レーザ出射方向に垂直に、高透過率で平面精
度の高い平行平板ガラス１６を、リードフレーム８のＬ
Ｄチップ１側の端面に貼付した場合の模式図である。こ
のようにすると、最も外側のレーザ出射面に軟らかい透
光性樹脂６が露出することなく、その表面は平行平板ガ
ラス１６によって保護されているので、透光性樹脂６が
傷つくのを防ぐことができるとともに、表面平滑性の精
度自体が向上するだけでなく、その精度を容易に維持す
ることができる。また、透光性樹脂６をモールドすると
き、図３に示すようなＬ字状金型１２を使用する必要が
なくなり、透光性樹脂６のモールド工程が極めて簡素化
されるという大きな利点もある。
に対して、レーザ出射方向に垂直に、高透過率で平面精
度の高い平行平板ガラス１６を、リードフレーム８のＬ
Ｄチップ１側の端面に貼付した場合の模式図である。こ
のようにすると、最も外側のレーザ出射面に軟らかい透
光性樹脂６が露出することなく、その表面は平行平板ガ
ラス１６によって保護されているので、透光性樹脂６が
傷つくのを防ぐことができるとともに、表面平滑性の精
度自体が向上するだけでなく、その精度を容易に維持す
ることができる。また、透光性樹脂６をモールドすると
き、図３に示すようなＬ字状金型１２を使用する必要が
なくなり、透光性樹脂６のモールド工程が極めて簡素化
されるという大きな利点もある。
【００１７】図５は図４の変形例として、３ビーム方式
のコンパクトディスク用の半導体レーザ装置の模式図を
示したものである。図５ではリードフレーム８ｂの折り
曲げ部の最外側端面にレーザ光を３ビームに分けるため
の回折格子１７を取り付け、折り曲げ部のもう一方の端
面に平行平板ガラス１６ａを取り付けてあり、ＬＤは平
行平板ガラス１６ａと回折格子１７の間にあるのではな
く、平行平板ガラス１６ａ近傍で回折格子１７とは反対
側にあって、折り曲げてない領域のリードフレーム８ｂ
の主平面上に位置する。この半導体レーザ装置も透光性
樹脂６のモールドについては、図４の場合と同様金型は
不要である。但し、ＬＤ周辺が拘束されていないので、
樹脂液滴の粘度を高めに調節するとか、ＬＤ側面部に当
て物を置くなどして、余分の樹脂がＬＤの周囲に流れ出
さないようにする配慮は場合に応じて必要である。この
半導体レーザ装置は、リードフレームの一部に折り曲げ
部を有する本発明の基本的構成を活用したものであり、
平行平板ガラス１６ａと回折格子１７を取り付ける部分
をあらかじめリードフレーム８ｂに作っておくことが容
易にでき、このため多用途の半導体レーザ装置が得られ
るようになった。
のコンパクトディスク用の半導体レーザ装置の模式図を
示したものである。図５ではリードフレーム８ｂの折り
曲げ部の最外側端面にレーザ光を３ビームに分けるため
の回折格子１７を取り付け、折り曲げ部のもう一方の端
面に平行平板ガラス１６ａを取り付けてあり、ＬＤは平
行平板ガラス１６ａと回折格子１７の間にあるのではな
く、平行平板ガラス１６ａ近傍で回折格子１７とは反対
側にあって、折り曲げてない領域のリードフレーム８ｂ
の主平面上に位置する。この半導体レーザ装置も透光性
樹脂６のモールドについては、図４の場合と同様金型は
不要である。但し、ＬＤ周辺が拘束されていないので、
樹脂液滴の粘度を高めに調節するとか、ＬＤ側面部に当
て物を置くなどして、余分の樹脂がＬＤの周囲に流れ出
さないようにする配慮は場合に応じて必要である。この
半導体レーザ装置は、リードフレームの一部に折り曲げ
部を有する本発明の基本的構成を活用したものであり、
平行平板ガラス１６ａと回折格子１７を取り付ける部分
をあらかじめリードフレーム８ｂに作っておくことが容
易にでき、このため多用途の半導体レーザ装置が得られ
るようになった。
【００１８】図６は図２の変形例として、他の光学素子
を追加した半導体レーザ装置の模式図を示したものであ
る。図６ではリードフレーム８ｃの折り曲げ部の中央部
付近を切り欠いた開口部１８を形成し、その端面に回折
格子１７ａを取り付けてあり、さらに、リードフレーム
８ｃの開口部１８から光出射方向へ延びる延長部の先端
を、光出射方向に対して４５°傾斜させて縦方向に折り
曲げた部分に光出射孔１１ａをあけ、この先端の折り曲
げ部に平行平板ビームスプリッタ１９を取り付けたもの
である。このとき、ビームスプリットされたレーザ光の
光軸は、リードフレーム８ｃの主表面に平行な面と同一
平面内にある。この半導体レーザ装置も透光性樹脂６を
モールドする際、金型なしで行なうことができる。
を追加した半導体レーザ装置の模式図を示したものであ
る。図６ではリードフレーム８ｃの折り曲げ部の中央部
付近を切り欠いた開口部１８を形成し、その端面に回折
格子１７ａを取り付けてあり、さらに、リードフレーム
８ｃの開口部１８から光出射方向へ延びる延長部の先端
を、光出射方向に対して４５°傾斜させて縦方向に折り
曲げた部分に光出射孔１１ａをあけ、この先端の折り曲
げ部に平行平板ビームスプリッタ１９を取り付けたもの
である。このとき、ビームスプリットされたレーザ光の
光軸は、リードフレーム８ｃの主表面に平行な面と同一
平面内にある。この半導体レーザ装置も透光性樹脂６を
モールドする際、金型なしで行なうことができる。
【００１９】リードフレーム８ｃの先端の折り曲げ部に
取り付ける平行平板ビームスプリッタ１９はレーザ光出
射方向に対して４５°の傾きを必要とするので、リード
フレーム８ｃの先端は２方向の折り曲げ方があり、図６
の他にビームスプリットされたレーザ光の光軸が、リー
ドフレーム８ｃの主表面に対して垂直な面と同一平面内
にあるように、リードフレーム８ｃの先端を折り曲げ、
これに平行平板ビームスプリッタ１９を取り付けた半導
体レーザ装置の模式図を図７に示した。その他の装置構
成については、図６の場合と全く同じである。
取り付ける平行平板ビームスプリッタ１９はレーザ光出
射方向に対して４５°の傾きを必要とするので、リード
フレーム８ｃの先端は２方向の折り曲げ方があり、図６
の他にビームスプリットされたレーザ光の光軸が、リー
ドフレーム８ｃの主表面に対して垂直な面と同一平面内
にあるように、リードフレーム８ｃの先端を折り曲げ、
これに平行平板ビームスプリッタ１９を取り付けた半導
体レーザ装置の模式図を図７に示した。その他の装置構
成については、図６の場合と全く同じである。
【００２０】以上述べてきたように、本発明の半導体レ
ーザ装置は、リードフレームを折り曲げて用いることに
より、そこに形成される凹みでモールド樹脂を保持し位
置精度を高めることができるから、金型も簡単なもので
済み、高度の樹脂注形機などは不要となり経済的にも大
きな効果が得られる。
ーザ装置は、リードフレームを折り曲げて用いることに
より、そこに形成される凹みでモールド樹脂を保持し位
置精度を高めることができるから、金型も簡単なもので
済み、高度の樹脂注形機などは不要となり経済的にも大
きな効果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】従来、樹脂モールドタイプの半導体レー
ザ装置は、使用される装置側の光源位置決めの基準をモ
ールド樹脂の形状によって行なっていたので、非常に不
安定であったが、本発明では実施例で述べたように、レ
ーザ光出射方向と平行または垂直な方向に、リードフレ
ームに折り曲げ部を形成し、この折り曲げ部を位置決め
の基準として用い、即ち、リードフレーム自体を光源位
置決めの基準として使用することができるので、ＬＤを
モールドする樹脂とは無関係に位置決め精度を大幅に向
上させることができる。またリードフレームを折り曲げ
て形成される凹部端面に高透過率のガラスを貼付して、
レーザ光出射面の平滑度を高めるとともにモールド樹脂
が傷つくのを防ぐこともできる。樹脂モールドに際して
は、簡単な金型または金型なしで行なうことができるの
で、樹脂モールド工程が極めて簡素化される。さらに、
本発明によれば、他の光学素子との組み合わせも容易に
可能であるから、多用途の半導体レーザ装置を得ること
ができる。
ザ装置は、使用される装置側の光源位置決めの基準をモ
ールド樹脂の形状によって行なっていたので、非常に不
安定であったが、本発明では実施例で述べたように、レ
ーザ光出射方向と平行または垂直な方向に、リードフレ
ームに折り曲げ部を形成し、この折り曲げ部を位置決め
の基準として用い、即ち、リードフレーム自体を光源位
置決めの基準として使用することができるので、ＬＤを
モールドする樹脂とは無関係に位置決め精度を大幅に向
上させることができる。またリードフレームを折り曲げ
て形成される凹部端面に高透過率のガラスを貼付して、
レーザ光出射面の平滑度を高めるとともにモールド樹脂
が傷つくのを防ぐこともできる。樹脂モールドに際して
は、簡単な金型または金型なしで行なうことができるの
で、樹脂モールド工程が極めて簡素化される。さらに、
本発明によれば、他の光学素子との組み合わせも容易に
可能であるから、多用途の半導体レーザ装置を得ること
ができる。
【図１】リードフレームを折り曲げた本発明の半導体レ
ーザ装置の模式図
ーザ装置の模式図
【図２】図１とはリードフレームの折り曲げ方向の異な
る半導体レーザ装置の模式図
る半導体レーザ装置の模式図
【図３】樹脂モールド方法を説明するためのモールド状
態を示す模式図
態を示す模式図
【図４】高透過率ガラスを取り付けた本発明の半導体レ
ーザ装置の模式図
ーザ装置の模式図
【図５】高透過率ガラスと回折格子を取り付けた本発明
の半導体レーザ装置の模式図
の半導体レーザ装置の模式図
【図６】回折格子とビームスプリッタを取り付けた本発
明の半導体レーザ装置の模式図
明の半導体レーザ装置の模式図
【図７】図６とはリードフレームの折り曲げ角度の異な
る半導体レーザ装置の模式図
る半導体レーザ装置の模式図
【図８】従来の樹脂モールドタイプの半導体レーザ装置
の模式図
の模式図
１ ＬＤチップ
１ａ 光出射面
２ サブマウント
３ フォトダイオード
４ａ リードフレーム
４ｂ リードフレーム
４ｃ リードフレーム
５ リード線
６ 透光性樹脂
６ａ 円形端面
７ 鍔状部
８ リードフレーム
８ａ リードフレーム
８ｂ リードフレーム
８ｃ リードフレーム
９ 電極
１０ 絶縁層
１１ 光出射孔
１２ Ｌ字状金型
１３ 内壁面
１４ 樹脂液溜め
１５ 樹脂液滴
１６ 平行平板ガラス
１６ａ 平行平板ガラス
１７ 回折格子
１７ａ 回折格子
Claims (7)
- 【請求項１】リードフレームの主平面上に取り付けたレ
ーザダイオード素子と、このレーザダイオード素子に接
続したリード線とを透光性樹脂によりモールドした半導
体レーザ装置であって、前記リードフレームのレーザ光
出射方向に平行な両側端部を一部両側から内側に所定の
高さに折り曲げて形成した前記リードフレームの凹部、
この凹部底面上に設けた前記レーザダイオード素子と前
記リード線をこの凹部内でモールドした前記透光性樹脂
、を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】リードフレームの主平面上に取り付けたレ
ーザダイオード素子と、このレーザダイオード素子に接
続したリード線を透光性樹脂によりモールドした半導体
レーザ装置であって、前記レーザダイオード素子内のレ
ーザチップ側にある前記リードフレーム先端部を一部前
記チップ方向に向かって所定の高さに折り曲げて形成し
たレーザ光出射方向と垂直な方向の折り曲げ部、この折
り曲げ部の中央にあけ、前記レーザチップと対応するレ
ーザ光出射孔またはスリット、前記レーザダイオード素
子の位置する前記リードフレーム主平面上で前記レーザ
光出射孔またはスリットとともに前記レーザダイオード
素子と前記リード線をモールドした前記透光性樹脂、を
有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体レーザ装置の前記リ
ードフレーム凹部のレーザ光出射側先端面に平行平板ガ
ラスを取り付けたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】リードフレームの主平面上に取り付けたレ
ーザダイオード素子とこのレーザダイオード素子に接続
したリード線を透光性樹脂によりモールドした半導体レ
ーザ装置であって、前記リードフレームを前記レーザダ
イオード素子設置個所からレーザ光出射方向に延長した
領域に、前記レーザ光出射方向に平行な両側端部を一部
内側に所定の高さに折り曲げて形成した前記リードフレ
ームの凹部、この凹部のレーザ光出射方向と垂直方向の
両端面に取り付けた互いに異なる光学素子、を有するこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】請求項４記載の半導体レーザ装置において
、互いに異なる光学素子は平行平板ガラスおよび回折格
子であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項６】リードフレームの主平面上に取り付けたレ
ーザダイオード素子とこのレーザダイオード素子に接続
したリード線を透光性樹脂によりモールドした半導体レ
ーザ装置であって、前記リードフレームを前記レーザダ
イオード素子設置個所からレーザ光出射方向に延長した
領域に、レーザ光出射方向と垂直な方向に所定距離を隔
てて形成した複数個の所定高さの折り曲げ部、これらの
うち最先端に位置し前記レーザ光出射方向に対して４５
°の傾斜面を持つ折り曲げ部と、前記傾斜面にあけたレ
ーザ光出射孔、前記傾斜面の前記レーザダイオード素子
側に取り付けたビームスプリッタ、を有することを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項７】請求項５記載の半導体レーザ装置の前記最
先端に位置する折り曲げ部がレーザ光出射方向と垂直な
方向に対して４５°の傾斜面を有することを特徴とする
半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4210691A JPH04280487A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4210691A JPH04280487A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280487A true JPH04280487A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12626719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4210691A Pending JPH04280487A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280487A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004034529A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 発光素子 |
| US6816522B2 (en) | 2001-12-10 | 2004-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2007012979A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| JP2007322815A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体モジュール |
| US7622750B2 (en) | 2006-03-28 | 2009-11-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical device package and optical semiconductor device using the same |
| JP2010192785A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP4210691A patent/JPH04280487A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6816522B2 (en) | 2001-12-10 | 2004-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus and method for manufacturing the same |
| WO2004034529A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 発光素子 |
| US7531844B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-05-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting element |
| JP2007012979A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| US7622750B2 (en) | 2006-03-28 | 2009-11-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical device package and optical semiconductor device using the same |
| US7875901B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-01-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical device package and optical semiconductor device using the same |
| JP2007322815A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体モジュール |
| JP2010192785A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
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