JPH04280603A - 積層バリスタ - Google Patents
積層バリスタInfo
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- JPH04280603A JPH04280603A JP4364791A JP4364791A JPH04280603A JP H04280603 A JPH04280603 A JP H04280603A JP 4364791 A JP4364791 A JP 4364791A JP 4364791 A JP4364791 A JP 4364791A JP H04280603 A JPH04280603 A JP H04280603A
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Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910016264 Bi2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体磁器層を介して
複数の内部電極が積層された積層バリスタに関し、特に
、チップ型ノイズフィルタとして好適に用いられる積層
バリスタに関する。
複数の内部電極が積層された積層バリスタに関し、特に
、チップ型ノイズフィルタとして好適に用いられる積層
バリスタに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、バリスタは、異常電圧を吸収する
ためのノイズ吸収素子として広く用いられてきている。 近年、電子部品のチップ化が進むに連れて、バリスタに
おいても高密度実装を果たすために素子の超小型化が求
めらており、また回路の集積化に伴って低電圧化の要求
も強くなってきている。
ためのノイズ吸収素子として広く用いられてきている。 近年、電子部品のチップ化が進むに連れて、バリスタに
おいても高密度実装を果たすために素子の超小型化が求
めらており、また回路の集積化に伴って低電圧化の要求
も強くなってきている。
【0003】上記のような要求に対応するものとして、
積層バリスタが提案されている(特公昭58−2392
1号公報等)。図2及び図3を参照して、従来の積層バ
リスタの一例を説明する。まず、図2に示すように、バ
リスタ特性を示す材料を主体とする矩形のセラミックグ
リーンシート1,2の上面に、電極ペースト3,4を印
刷する。次に、電極ペースト3,4が印刷されたセラミ
ックグリーンシート1,2を交互に複数枚積層し、さら
に、上方及び下方にセラミックグリーンシート5,6及
びセラミックグリーンシート7,8を積層し、積層体を
得る。得られた積層体を厚み方向に圧着した後焼結する
ことにより、図3に示されている焼結体10を得る。焼
結体10内では、上記電極ペーストに基づく内部電極3
,4が半導体磁器層を介して重なり合うように配置され
ている。
積層バリスタが提案されている(特公昭58−2392
1号公報等)。図2及び図3を参照して、従来の積層バ
リスタの一例を説明する。まず、図2に示すように、バ
リスタ特性を示す材料を主体とする矩形のセラミックグ
リーンシート1,2の上面に、電極ペースト3,4を印
刷する。次に、電極ペースト3,4が印刷されたセラミ
ックグリーンシート1,2を交互に複数枚積層し、さら
に、上方及び下方にセラミックグリーンシート5,6及
びセラミックグリーンシート7,8を積層し、積層体を
得る。得られた積層体を厚み方向に圧着した後焼結する
ことにより、図3に示されている焼結体10を得る。焼
結体10内では、上記電極ペーストに基づく内部電極3
,4が半導体磁器層を介して重なり合うように配置され
ている。
【0004】なお、本明細書においては、内部電極用電
極ペーストと焼成後に形成される内部電極とは、同一の
参照番号を付して説明することとする。焼結体10の両
端面に外部電極11,12を付与することにより、積層
バリスタ13が得られる。上記積層バリスタ13では、
複数の内部電極3,4が半導体磁器層を介して重なり合
うように積層されているが、この構造において50A〜
100A程度のサージ耐量を得るには、内部電極3,4
の数を合計で10〜20程度としなければならない。
極ペーストと焼成後に形成される内部電極とは、同一の
参照番号を付して説明することとする。焼結体10の両
端面に外部電極11,12を付与することにより、積層
バリスタ13が得られる。上記積層バリスタ13では、
複数の内部電極3,4が半導体磁器層を介して重なり合
うように積層されているが、この構造において50A〜
100A程度のサージ耐量を得るには、内部電極3,4
の数を合計で10〜20程度としなければならない。
【0005】他方、内部電極3,4の積層数が増加する
と静電容量が増大し、信号ライン用ノイズフィルタとし
て用いることができなくなる。そこで、従来の積層バリ
スタでは、静電容量を低めるためには、内部電極を塗布
したセラミックグリーンシート1,2の積層数、すなわ
ち内部電極の積層数を低減していた。例えば、数10p
Fの静電容量を実現するために、内部電極間で挟まれる
半導体磁器層の数を一層、すなわち内部電極3,4を合
計で二層としていた。
と静電容量が増大し、信号ライン用ノイズフィルタとし
て用いることができなくなる。そこで、従来の積層バリ
スタでは、静電容量を低めるためには、内部電極を塗布
したセラミックグリーンシート1,2の積層数、すなわ
ち内部電極の積層数を低減していた。例えば、数10p
Fの静電容量を実現するために、内部電極間で挟まれる
半導体磁器層の数を一層、すなわち内部電極3,4を合
計で二層としていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように内部電極3,4の積層数を少なくすればする程、
焼結体10内に位置している内部電極3,4の端縁にお
ける電流集中が強くなり、サージ耐量が大幅に低下せざ
るを得なかった。その結果、積層バリスタ13をノイズ
フィルタとして使用することが困難になっていた。
ように内部電極3,4の積層数を少なくすればする程、
焼結体10内に位置している内部電極3,4の端縁にお
ける電流集中が強くなり、サージ耐量が大幅に低下せざ
るを得なかった。その結果、積層バリスタ13をノイズ
フィルタとして使用することが困難になっていた。
【0007】よって、本発明の目的は、内部電極間に挟
まれる半導体磁器層の数すなわち積層数を増加させるこ
となくサージ耐量を高め得る構造を備えた積層バリスタ
を提供することにある。
まれる半導体磁器層の数すなわち積層数を増加させるこ
となくサージ耐量を高め得る構造を備えた積層バリスタ
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、焼結体内にお
いてバリスタ特性を有する半導体磁器層を介して複数の
内部電極が積層された積層バリスタにおいて、下記の構
成を備えることを特徴とする。すなわち、本発明では、
焼結体内に位置する内部電極端縁部分のうち、少なくと
も、焼結体内に延ばされた内部電極先端部分の端縁が絶
縁被膜で覆われていることを特徴とする。
いてバリスタ特性を有する半導体磁器層を介して複数の
内部電極が積層された積層バリスタにおいて、下記の構
成を備えることを特徴とする。すなわち、本発明では、
焼結体内に位置する内部電極端縁部分のうち、少なくと
も、焼結体内に延ばされた内部電極先端部分の端縁が絶
縁被膜で覆われていることを特徴とする。
【0009】
【作用】サージ耐量を低下させる要因の一つである電流
集中が内部電極端縁部分において発生するものであるこ
とに鑑み、本発明では、該内部電極の端縁が絶縁被膜で
覆われている。すなわち、内部電極の少なくとも先端部
分端縁を絶縁被膜で覆うことにより、電流集中が防止さ
れ、それによってサージ耐量が大幅に高められる。
集中が内部電極端縁部分において発生するものであるこ
とに鑑み、本発明では、該内部電極の端縁が絶縁被膜で
覆われている。すなわち、内部電極の少なくとも先端部
分端縁を絶縁被膜で覆うことにより、電流集中が防止さ
れ、それによってサージ耐量が大幅に高められる。
【0010】
【実施例の説明】図1、図4及び図5を参照して、本発
明の一実施例の積層バリスタを説明する。本実施例の積
層バリスタを得るにあたっては、まず、図4に示す矩形
のセラミックグリーンシート21,22の上面に、内部
電極を構成するための電極ペースト23,24を印刷す
る。セラミックグリーンシート21,22としては、バ
リスタ特性を有する半導体セラミック材料粉末を主体と
し、これに有機バインダ及びビヒクル等を添加したもの
が用いられる。このようなバリスタ特性を有する半導体
セラミックスとしては、ZnOを主体とし、これに適宜
の半導体化剤を添加したものが用いられる。また、電極
ペースト23,24としては、Ag,Pdのような金属
またはAg−Pdのような合金の粉末に、有機ビヒクル
を混合してなる材料を用いることができ、スクリーン印
刷法等の公知の方法により印刷される。
明の一実施例の積層バリスタを説明する。本実施例の積
層バリスタを得るにあたっては、まず、図4に示す矩形
のセラミックグリーンシート21,22の上面に、内部
電極を構成するための電極ペースト23,24を印刷す
る。セラミックグリーンシート21,22としては、バ
リスタ特性を有する半導体セラミック材料粉末を主体と
し、これに有機バインダ及びビヒクル等を添加したもの
が用いられる。このようなバリスタ特性を有する半導体
セラミックスとしては、ZnOを主体とし、これに適宜
の半導体化剤を添加したものが用いられる。また、電極
ペースト23,24としては、Ag,Pdのような金属
またはAg−Pdのような合金の粉末に、有機ビヒクル
を混合してなる材料を用いることができ、スクリーン印
刷法等の公知の方法により印刷される。
【0011】本実施例の積層バリスタの作製にあたって
は、上記電極ペースト23,24を印刷した後に、セラ
ミックグリーンシート21,22内に位置している電極
ペースト23,24の端縁部分を被覆するように絶縁ペ
ースト25,26が印刷される。絶縁ペースト25,2
6としては、ガラス粉末に有機ビヒクル及びバインダを
塗布し、混練したものが用いられるが、ガラス粉末に代
えて、後述の焼成工程に耐え得るものである限り、他の
絶縁性材料を用いることもできる。
は、上記電極ペースト23,24を印刷した後に、セラ
ミックグリーンシート21,22内に位置している電極
ペースト23,24の端縁部分を被覆するように絶縁ペ
ースト25,26が印刷される。絶縁ペースト25,2
6としては、ガラス粉末に有機ビヒクル及びバインダを
塗布し、混練したものが用いられるが、ガラス粉末に代
えて、後述の焼成工程に耐え得るものである限り、他の
絶縁性材料を用いることもできる。
【0012】次に、セラミックグリーンシート21,2
2を積層し、上方及び下方に適宜の枚数のセラミックグ
リーンシート27,28及び29,30を積層し、厚み
方向に圧着して積層体を得る。得られた積層体を所定の
温度で焼成することにより、図1に示す焼結体31が得
られる。この焼結体31内には、上記電極ペースト23
,24に基づく内部電極23,24が形成されている。 なお、焼結体31内に位置する内部電極23,24の先
端部分には、上記絶縁ペースト25,26が焼き付けら
れて絶縁被膜25,26が形成されている。すなわち、
焼結体31内に位置する内部電極23,24の端縁が絶
縁被膜25,26で覆われている。
2を積層し、上方及び下方に適宜の枚数のセラミックグ
リーンシート27,28及び29,30を積層し、厚み
方向に圧着して積層体を得る。得られた積層体を所定の
温度で焼成することにより、図1に示す焼結体31が得
られる。この焼結体31内には、上記電極ペースト23
,24に基づく内部電極23,24が形成されている。 なお、焼結体31内に位置する内部電極23,24の先
端部分には、上記絶縁ペースト25,26が焼き付けら
れて絶縁被膜25,26が形成されている。すなわち、
焼結体31内に位置する内部電極23,24の端縁が絶
縁被膜25,26で覆われている。
【0013】なお、本明細書において、絶縁ペースト2
5,26を焼き付けることにより形成された絶縁被膜に
ついては、絶縁ペーストと同一の参照番号を付与して説
明することにする。最後に、焼結体31の両端面31a
,31bに、外部電極32,33を付与することにより
、本実施例の積層バリスタ34を得る。外部電極32,
33は、従来より積層バリスタを得るのに用いられてい
る公知・慣用の方法により形成することができる。 図5に、得られた積層バリスタ34の外観を示す。
5,26を焼き付けることにより形成された絶縁被膜に
ついては、絶縁ペーストと同一の参照番号を付与して説
明することにする。最後に、焼結体31の両端面31a
,31bに、外部電極32,33を付与することにより
、本実施例の積層バリスタ34を得る。外部電極32,
33は、従来より積層バリスタを得るのに用いられてい
る公知・慣用の方法により形成することができる。 図5に、得られた積層バリスタ34の外観を示す。
【0014】本実施例の積層バリスタ34では、絶縁被
膜25,26により、焼結体31内の内部電極23,2
4の端縁が覆われているため、後述の実験例から明らか
なようにサージ耐量が効果的に高められる。なお、上記
実施例では、二層の内部電極23,24が形成された積
層バリスタ34を説明したが、図6に示すように、内部
電極23,24を、それぞれ、複数層配置し、すなわち
合計で3以上の内部電極を焼結体31内に形成してもよ
い。この場合においても、焼結体31内に配置される内
部電極23,24の端縁が絶縁被膜25,26で覆われ
ているため、上記実施例と同様にサージ耐量が大幅に高
められる。
膜25,26により、焼結体31内の内部電極23,2
4の端縁が覆われているため、後述の実験例から明らか
なようにサージ耐量が効果的に高められる。なお、上記
実施例では、二層の内部電極23,24が形成された積
層バリスタ34を説明したが、図6に示すように、内部
電極23,24を、それぞれ、複数層配置し、すなわち
合計で3以上の内部電極を焼結体31内に形成してもよ
い。この場合においても、焼結体31内に配置される内
部電極23,24の端縁が絶縁被膜25,26で覆われ
ているため、上記実施例と同様にサージ耐量が大幅に高
められる。
【0015】また、図4に示したように、絶縁ペースト
25,26は、セラミックグリーンシート21,22内
に位置する内部電極23,24の端縁のすべての部分に
渡って塗布されていたが、絶縁ペーストの塗布される端
縁部分すなわち絶縁被膜で覆われる内部電極端縁部分は
図4に示した実施例のパターンのものに限定されない。 すなわち、図7に示すように、焼結体31内に延びる内
部電極23の先端部分の端縁23aを少なくとも被覆す
るように絶縁被膜25が形成されておりさえすれば、サ
ージ耐量を大幅に高めることができる。
25,26は、セラミックグリーンシート21,22内
に位置する内部電極23,24の端縁のすべての部分に
渡って塗布されていたが、絶縁ペーストの塗布される端
縁部分すなわち絶縁被膜で覆われる内部電極端縁部分は
図4に示した実施例のパターンのものに限定されない。 すなわち、図7に示すように、焼結体31内に延びる内
部電極23の先端部分の端縁23aを少なくとも被覆す
るように絶縁被膜25が形成されておりさえすれば、サ
ージ耐量を大幅に高めることができる。
【0016】次に、具体的な実験例につき説明する。Z
nO粉末を97.8モル%、CoO粉末を0.5モル%
、MnO粉末を0.5モル%、Sb2 O3 粉末を0
.7モル%及びBi2 O3 粉末を0.5モル%の割
合で含有するように各粉末を秤量し、原料とした。なお
、使用した各酸化物粉末としては、いずれも純度99.
9%以上のものを使用した。用意した原料を純水を用い
ボールミルで24時間混合した。混合後、混合物を濾過
し、乾燥し、800℃の温度で2時間仮焼した。
nO粉末を97.8モル%、CoO粉末を0.5モル%
、MnO粉末を0.5モル%、Sb2 O3 粉末を0
.7モル%及びBi2 O3 粉末を0.5モル%の割
合で含有するように各粉末を秤量し、原料とした。なお
、使用した各酸化物粉末としては、いずれも純度99.
9%以上のものを使用した。用意した原料を純水を用い
ボールミルで24時間混合した。混合後、混合物を濾過
し、乾燥し、800℃の温度で2時間仮焼した。
【0017】次に、仮焼された原料を粉砕し、ポリビニ
ルブチラール樹脂と共にアルコール中に分散させ、スラ
リーを得た。得られたスラリーを用い、ドクターブレー
ド法によりセラミックグリーンシートを成形した。次に
、得られたセラミックグリーンシートを所定の大きさの
矩形形状に打抜き、図4に示したセラミックグリーンシ
ート21,22を用意した。セラミックグリーンシート
21,22の上面に、Ag−Pd合金及び有機ビヒクル
からなる電極ペースト23,24を印刷し、乾燥した。 次に、電極ペースト23,24の乾燥後に、絶縁ペース
ト25,26を図4に示したように印刷し、しかる後セ
ラミックグリーンシート21,22及び電極ペーストの
印刷されていないセラミックグリーンシート27〜30
を図4に示すように積層し、厚み方向に圧着して積層体
を得た。
ルブチラール樹脂と共にアルコール中に分散させ、スラ
リーを得た。得られたスラリーを用い、ドクターブレー
ド法によりセラミックグリーンシートを成形した。次に
、得られたセラミックグリーンシートを所定の大きさの
矩形形状に打抜き、図4に示したセラミックグリーンシ
ート21,22を用意した。セラミックグリーンシート
21,22の上面に、Ag−Pd合金及び有機ビヒクル
からなる電極ペースト23,24を印刷し、乾燥した。 次に、電極ペースト23,24の乾燥後に、絶縁ペース
ト25,26を図4に示したように印刷し、しかる後セ
ラミックグリーンシート21,22及び電極ペーストの
印刷されていないセラミックグリーンシート27〜30
を図4に示すように積層し、厚み方向に圧着して積層体
を得た。
【0018】次に、得られた積層体を950℃の温度で
2時間焼成した。しかる後、得られた焼結体の両端面に
Agを主体とする外部電極ペーストを塗布し、700℃
の温度で焼き付けることにより、図1に示した外部電極
32,33を形成した。上記のようにして得られた実施
例の積層バリスタに、5分間隔で2回、8/20μ秒の
衝撃電流を印加し、バリスタ電圧(V1mA )が10
%以上変化しない限界電流値(サージ耐量)を調べた。
2時間焼成した。しかる後、得られた焼結体の両端面に
Agを主体とする外部電極ペーストを塗布し、700℃
の温度で焼き付けることにより、図1に示した外部電極
32,33を形成した。上記のようにして得られた実施
例の積層バリスタに、5分間隔で2回、8/20μ秒の
衝撃電流を印加し、バリスタ電圧(V1mA )が10
%以上変化しない限界電流値(サージ耐量)を調べた。
【0019】また、比較のために、絶縁ペーストによる
絶縁被膜が形成されていないことを除いては、上記実施
例とまったく同様にして製作された積層バリスタを比較
例1として用意し、上記実施例と同様にサージ耐量を調
べた。さらに、比較例1と同一材料を用いて、但し、内
部電極総数を10枚とした構造の積層バリスタを作製し
比較例2とし、そのサージ耐量を実施例の積層バリスタ
と同様に測定した。
絶縁被膜が形成されていないことを除いては、上記実施
例とまったく同様にして製作された積層バリスタを比較
例1として用意し、上記実施例と同様にサージ耐量を調
べた。さらに、比較例1と同一材料を用いて、但し、内
部電極総数を10枚とした構造の積層バリスタを作製し
比較例2とし、そのサージ耐量を実施例の積層バリスタ
と同様に測定した。
【0020】実施例及び比較例1,2の各積層バリスタ
の特性を表1に示す。
の特性を表1に示す。
【0021】
【表1】
【0022】表1から明らかなように、実施例の積層バ
リスタでは、同一内部電極数の比較例1の積層バリスタ
に比べて、サージ耐量が1.5倍程度高められることが
わかる。また、内部電極の総数が10枚とされた比較例
2の積層バリスタに比べて、静電容量が大幅に低められ
ており、かつサージ耐量も大幅に高められていることが
わかる。
リスタでは、同一内部電極数の比較例1の積層バリスタ
に比べて、サージ耐量が1.5倍程度高められることが
わかる。また、内部電極の総数が10枚とされた比較例
2の積層バリスタに比べて、静電容量が大幅に低められ
ており、かつサージ耐量も大幅に高められていることが
わかる。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、少なくとも、焼結体内
に延ばされた内部電極先端部分の端縁が絶縁被膜で覆わ
れているため、内部電極で挟まれている半導体磁器層の
積層数ひいては内部電極数を増加させることなく、サー
ジ耐量を大幅に高めることが可能となる。よって、小型
でありながら大きなサージ耐量を有する積層バリスタを
提供することができる。本発明の積層バリスタは、超小
型化が要求されているチップ型ノイズフィルタとして好
適に用いられる。
に延ばされた内部電極先端部分の端縁が絶縁被膜で覆わ
れているため、内部電極で挟まれている半導体磁器層の
積層数ひいては内部電極数を増加させることなく、サー
ジ耐量を大幅に高めることが可能となる。よって、小型
でありながら大きなサージ耐量を有する積層バリスタを
提供することができる。本発明の積層バリスタは、超小
型化が要求されているチップ型ノイズフィルタとして好
適に用いられる。
【図1】本発明の一実施例の積層バリスタを示す断面図
である。
である。
【図2】従来の積層バリスタを得るのに用いられるセラ
ミックグリーンシート及びその上に印刷された電極ペー
ストの印刷形状を説明するための分解斜視図である。
ミックグリーンシート及びその上に印刷された電極ペー
ストの印刷形状を説明するための分解斜視図である。
【図3】従来の積層バリスタの一例を示す断面図である
。
。
【図4】本発明の一実施例の積層バリスタを得るのに用
いられるセラミックグリーンシート並びにその上に印刷
された電極ペースト及び絶縁ペーストの形状を示す分解
斜視図である。
いられるセラミックグリーンシート並びにその上に印刷
された電極ペースト及び絶縁ペーストの形状を示す分解
斜視図である。
【図5】実施例の積層バリスタの外観を示す斜視図であ
る。
る。
【図6】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図7】絶縁被膜が形成される端縁部分の他の例を説明
するための平面断面図である。
するための平面断面図である。
23,24…内部電極
25,26…絶縁被膜
31…焼結体
34…積層バリスタ
Claims (1)
- 【請求項1】 焼結体内においてバリスタ特性を有す
る半導体磁器層を介して複数の内部電極が積層された積
層バリスタにおいて、前記内部電極の焼結体内に位置す
る端縁部分のうち、少なくも、焼結体内に延ばされた内
部電極先端部分の端縁が絶縁被膜で覆われていることを
特徴とする積層バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4364791A JPH04280603A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 積層バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4364791A JPH04280603A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 積層バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280603A true JPH04280603A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12669661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4364791A Pending JPH04280603A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 積層バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280603A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088173A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタ及び電子機器の製造方法 |
| JP2008252150A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタ |
| JP2008263236A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-10-30 | Tdk Corp | 電子機器 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP4364791A patent/JPH04280603A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088173A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタ及び電子機器の製造方法 |
| JP2008252150A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 積層型チップバリスタ |
| JP2008263236A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-10-30 | Tdk Corp | 電子機器 |
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