JPH04280677A - 積層型固体撮像装置 - Google Patents
積層型固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04280677A JPH04280677A JP3069336A JP6933691A JPH04280677A JP H04280677 A JPH04280677 A JP H04280677A JP 3069336 A JP3069336 A JP 3069336A JP 6933691 A JP6933691 A JP 6933691A JP H04280677 A JPH04280677 A JP H04280677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensor
- imaging device
- state imaging
- semiconductor substrate
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置に関し、特
に基板同士を貼り合わせた構造のいわゆる積層型固体撮
像装置に関する。
に基板同士を貼り合わせた構造のいわゆる積層型固体撮
像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＨＤＴＶ（高精細度テレビジョン）用の
固体撮像装置では、２００万画素程度の多画素化が必要
とされる。この多画素化に伴う諸問題を解決する構造と
して、画素単位の複数個のフォトセンサ部が２次元的に
配列されて形成された半導体基板と、フォトセンサ部で
発生した信号電荷を転送するための電荷転送部が形成さ
れた半導体基板とを貼り合わせた構造の積層型固体撮像
装置が、本願出願人により特願平２−２１９９８５号明
細書にて提案されている。
固体撮像装置では、２００万画素程度の多画素化が必要
とされる。この多画素化に伴う諸問題を解決する構造と
して、画素単位の複数個のフォトセンサ部が２次元的に
配列されて形成された半導体基板と、フォトセンサ部で
発生した信号電荷を転送するための電荷転送部が形成さ
れた半導体基板とを貼り合わせた構造の積層型固体撮像
装置が、本願出願人により特願平２−２１９９８５号明
細書にて提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この基板同士の貼合わ
せによる積層型固体撮像装置においては、単位画素のフ
ォトセンサ部に入射した光により発生したフォトキャリ
アを、そのフォトセンサ部内に閉じ込める構造であるた
めに、トレンチ（溝）あるいはＰＮ接合により画素間を
アイソレーションする必要がある。このアイソレーショ
ンを絶縁膜あるいはフローティングのＰＮ接合によって
行うと、画素間に寄生容量による電荷の結合が生じ、あ
る画素に光が入射しその隣りの画素に光が入射しない場
合を考えると、画素間の寄生容量による容量結合によっ
て光が入射していない画素のフォトセンサ部にも電荷が
誘起され、偽信号が発生されるという問題がある。
せによる積層型固体撮像装置においては、単位画素のフ
ォトセンサ部に入射した光により発生したフォトキャリ
アを、そのフォトセンサ部内に閉じ込める構造であるた
めに、トレンチ（溝）あるいはＰＮ接合により画素間を
アイソレーションする必要がある。このアイソレーショ
ンを絶縁膜あるいはフローティングのＰＮ接合によって
行うと、画素間に寄生容量による電荷の結合が生じ、あ
る画素に光が入射しその隣りの画素に光が入射しない場
合を考えると、画素間の寄生容量による容量結合によっ
て光が入射していない画素のフォトセンサ部にも電荷が
誘起され、偽信号が発生されるという問題がある。
【０００４】そこで、本発明は、画素間の寄生容量をな
くし、この寄生容量による容量結合に起因する偽信号の
発生を防止した積層型固体撮像装置を提供することを目
的とする。
くし、この寄生容量による容量結合に起因する偽信号の
発生を防止した積層型固体撮像装置を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、画素単位の複数個のフォトセンサ部が２
次元的に配列されて形成された第１の半導体基板と、フ
ォトセンサ部で発生した信号電荷を転送するための電荷
転送部が形成された第２の半導体基板とを貼り合わせた
構造の積層型固体撮像装置において、複数個のフォトセ
ンサ部の各々を導電材で囲み、この導電材を一定の電位
に保つ構成を採っている。
に、本発明は、画素単位の複数個のフォトセンサ部が２
次元的に配列されて形成された第１の半導体基板と、フ
ォトセンサ部で発生した信号電荷を転送するための電荷
転送部が形成された第２の半導体基板とを貼り合わせた
構造の積層型固体撮像装置において、複数個のフォトセ
ンサ部の各々を導電材で囲み、この導電材を一定の電位
に保つ構成を採っている。
【０００６】
【作用】本発明による積層型固体撮像装置では、画素単
位で配された複数個のフォトセンサ部の各々が導電材に
よって囲まれており、この導電材を一定の電位に保つこ
とで、各画素間をシールドできる。これにより、画素間
の寄生容量をなくすことができる。その結果、画素間の
寄生容量による容量結合がないため、画素間の容量結合
に起因する偽信号の発生（混色）を防止できる。
位で配された複数個のフォトセンサ部の各々が導電材に
よって囲まれており、この導電材を一定の電位に保つこ
とで、各画素間をシールドできる。これにより、画素間
の寄生容量をなくすことができる。その結果、画素間の
寄生容量による容量結合がないため、画素間の容量結合
に起因する偽信号の発生（混色）を防止できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。本発明による積層型固体撮像装置は、図１
の断面構造図に示すように、２枚のシリコン基板１，２
を貼り合わせて積層した構造を有し、一方のシリコン基
板１にフォトセンサ部３が配され、他方のシリコン基板
２に電荷転送部４が配される。シリコン基板１は単結晶
の半導体基板であり、このシリコン基板１には画素単位
の複数個のフォトセンサ部３が水平及び垂直方向にて２
次元的に配列されて形成される。フォトセンサ部３は、
表面側のＰ＋ 型領域５及びその下部に配されるＮ型領
域６からなるフォトダイオード構成となっており、入射
光に応じた信号電荷を発生し蓄積する。フォトセンサ部
３間には、各フォトセンサ部３の周囲を囲むようにシリ
コン酸化膜７が形成されて画素毎の分離がなされ、さら
には導電性材料である例えばアルミニウムからなるシー
ルド材８が埋め込まれかつ一定の電位Ｖに保たれること
で画素間のシールドがなされている。シールド材８は、
各画素間の遮光をなすアルミニウムからなる遮光膜１０
と一体に形成されている。図２に示すように、遮光膜１
０の平面パターンは格子状とされ、その格子の目の部分
に各フォトセンサ部３が位置することになる。これら遮
光膜１０とフォトセンサ部３の表面側には、保護膜９が
形成される。
に説明する。本発明による積層型固体撮像装置は、図１
の断面構造図に示すように、２枚のシリコン基板１，２
を貼り合わせて積層した構造を有し、一方のシリコン基
板１にフォトセンサ部３が配され、他方のシリコン基板
２に電荷転送部４が配される。シリコン基板１は単結晶
の半導体基板であり、このシリコン基板１には画素単位
の複数個のフォトセンサ部３が水平及び垂直方向にて２
次元的に配列されて形成される。フォトセンサ部３は、
表面側のＰ＋ 型領域５及びその下部に配されるＮ型領
域６からなるフォトダイオード構成となっており、入射
光に応じた信号電荷を発生し蓄積する。フォトセンサ部
３間には、各フォトセンサ部３の周囲を囲むようにシリ
コン酸化膜７が形成されて画素毎の分離がなされ、さら
には導電性材料である例えばアルミニウムからなるシー
ルド材８が埋め込まれかつ一定の電位Ｖに保たれること
で画素間のシールドがなされている。シールド材８は、
各画素間の遮光をなすアルミニウムからなる遮光膜１０
と一体に形成されている。図２に示すように、遮光膜１
０の平面パターンは格子状とされ、その格子の目の部分
に各フォトセンサ部３が位置することになる。これら遮
光膜１０とフォトセンサ部３の表面側には、保護膜９が
形成される。
【０００８】シリコン基板２もシリコン基板１と同様に
単結晶の半導体基板であり、このシリコン基板２にはＣ
ＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）
構造の電荷転送部４が形成される。すなわち、Ｎ型基
板１１上にはＰ型のウェル領域１２が形成され、このウ
ェル領域１２の表面には埋め込みチャネルとして機能す
るＮ− 型領域１３が形成され、さらに基板主面には各
垂直列を分離するためのチャネルストップ１４が形成さ
れる。Ｎ− 型領域１３上には、絶縁膜１６を介して２
層の転送電極１５ａ，１５ｂが形成される。この転送電
極１５ａ，１５ｂに例えば４相の駆動パルスを印加する
ことにより、図１の断面に垂直な方向に信号電荷の転送
が行われる。転送電極１５ａ，１５ｂは絶縁膜１６によ
って被覆されている。この絶縁膜１６を貫通するように
コンタクトホール１７が形成され、このコンタクトホー
ル１７の底部には電荷供給用のＮ＋ 型領域１８が形成
される。このＮ＋ 型領域１８はＮ− 型領域１３と離
間した位置に設けられている。そして、領域１８，１３
間の領域上に延在する転送電極１５ａの電位によって、
両領域１８，１３は導通する。コンタクトホール１７内
にはＮ型の不純物を含有するポリシリコンが充填されて
おり、そのポリシリコン層１９は絶縁膜１６上まで延在
する。フォトセンサ部３をマトリクス状に配設したシリ
コン基板１は、そのポリシリコン層１９の面１９ａで貼
着されており、このポリシリコン層１９により結局２つ
のシリコン基板１，２が貼り合わせられている。
単結晶の半導体基板であり、このシリコン基板２にはＣ
ＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）
構造の電荷転送部４が形成される。すなわち、Ｎ型基
板１１上にはＰ型のウェル領域１２が形成され、このウ
ェル領域１２の表面には埋め込みチャネルとして機能す
るＮ− 型領域１３が形成され、さらに基板主面には各
垂直列を分離するためのチャネルストップ１４が形成さ
れる。Ｎ− 型領域１３上には、絶縁膜１６を介して２
層の転送電極１５ａ，１５ｂが形成される。この転送電
極１５ａ，１５ｂに例えば４相の駆動パルスを印加する
ことにより、図１の断面に垂直な方向に信号電荷の転送
が行われる。転送電極１５ａ，１５ｂは絶縁膜１６によ
って被覆されている。この絶縁膜１６を貫通するように
コンタクトホール１７が形成され、このコンタクトホー
ル１７の底部には電荷供給用のＮ＋ 型領域１８が形成
される。このＮ＋ 型領域１８はＮ− 型領域１３と離
間した位置に設けられている。そして、領域１８，１３
間の領域上に延在する転送電極１５ａの電位によって、
両領域１８，１３は導通する。コンタクトホール１７内
にはＮ型の不純物を含有するポリシリコンが充填されて
おり、そのポリシリコン層１９は絶縁膜１６上まで延在
する。フォトセンサ部３をマトリクス状に配設したシリ
コン基板１は、そのポリシリコン層１９の面１９ａで貼
着されており、このポリシリコン層１９により結局２つ
のシリコン基板１，２が貼り合わせられている。
【０００９】かかるＣＣＤ固体撮像装置において、その
受光面（撮像面）に光が照射されると、先ず、シリコン
基板１の各フォトセンサ部３で入射光に応じて信号電荷
が発生する。発生した信号電荷はポリシリコン層１９を
介してシリコン基板２のＮ＋ 型領域１８に送られる。 例えば、転送電極１５ａ，１５ｂを３値レベルで駆動す
る場合、転送電極１５ａの電位が最も高くなるときにＮ
＋ 型領域１８とＮ− 型領域１３の間にチャネルが形
成されるようにすることで、Ｎ＋ 型領域１８の信号電
荷を埋め込みチャネル層であるＮ− 型領域１３に転送
できる。そして、転送電極１５ａ，１５ｂに例えば４相
の駆動パルスを印加することで、Ｎ− 型領域１３の信
号電荷が垂直方向（図１の断面に垂直な方向）に転送さ
れ、しかる後水平方向に転送されて最終的に読み出され
ることになる。
受光面（撮像面）に光が照射されると、先ず、シリコン
基板１の各フォトセンサ部３で入射光に応じて信号電荷
が発生する。発生した信号電荷はポリシリコン層１９を
介してシリコン基板２のＮ＋ 型領域１８に送られる。 例えば、転送電極１５ａ，１５ｂを３値レベルで駆動す
る場合、転送電極１５ａの電位が最も高くなるときにＮ
＋ 型領域１８とＮ− 型領域１３の間にチャネルが形
成されるようにすることで、Ｎ＋ 型領域１８の信号電
荷を埋め込みチャネル層であるＮ− 型領域１３に転送
できる。そして、転送電極１５ａ，１５ｂに例えば４相
の駆動パルスを印加することで、Ｎ− 型領域１３の信
号電荷が垂直方向（図１の断面に垂直な方向）に転送さ
れ、しかる後水平方向に転送されて最終的に読み出され
ることになる。
【００１０】また、上記構造のＣＣＤ固体撮像装置では
、画素単位でマトリクス状に配された複数個のフォトセ
ンサ部３の各々がシールド材８によって囲まれており、
このシールド材８を一定の電位Ｖ、例えば接地レベルに
保つことで、各画素間をシールドできるため、画素間の
寄生容量をなくすことができる。これにより、寄生容量
による画素間の容量結合がないため、画素間の容量結合
に起因する偽信号の発生（混色）を防止できることにな
る。
、画素単位でマトリクス状に配された複数個のフォトセ
ンサ部３の各々がシールド材８によって囲まれており、
このシールド材８を一定の電位Ｖ、例えば接地レベルに
保つことで、各画素間をシールドできるため、画素間の
寄生容量をなくすことができる。これにより、寄生容量
による画素間の容量結合がないため、画素間の容量結合
に起因する偽信号の発生（混色）を防止できることにな
る。
【００１１】なお、上記実施例では、シールド材８の材
料としてアルミニウムを用い、このシールド材８を各画
素間の遮光をなす遮光膜１０と一体に形成した場合につ
いて説明したが、シールド材８の材料としてアルミニウ
ム以外にポリシリコン（ｄｏｐｅｄ−Ｐｏｌｙｓｉｌｉ
ｃｏｎ） 等の導電性材料を用いることも可能であり、
また図３に示すように、例えばポリシリコンからなるシ
ールド材８を遮光膜１０と別体で形成するようにしても
良い。
料としてアルミニウムを用い、このシールド材８を各画
素間の遮光をなす遮光膜１０と一体に形成した場合につ
いて説明したが、シールド材８の材料としてアルミニウ
ム以外にポリシリコン（ｄｏｐｅｄ−Ｐｏｌｙｓｉｌｉ
ｃｏｎ） 等の導電性材料を用いることも可能であり、
また図３に示すように、例えばポリシリコンからなるシ
ールド材８を遮光膜１０と別体で形成するようにしても
良い。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板同士を貼り合わせた構造の積層型固体撮像装置にお
いて、複数個のフォトセンサ部の各々を導電材（シール
ド材）で囲み、この導電材を一定の電位に保つ構成とし
たことにより、画素間の寄生容量がなくなるため、画素
間の寄生容量による容量結合に起因する偽信号の発生を
防止できる効果がある。
基板同士を貼り合わせた構造の積層型固体撮像装置にお
いて、複数個のフォトセンサ部の各々を導電材（シール
ド材）で囲み、この導電材を一定の電位に保つ構成とし
たことにより、画素間の寄生容量がなくなるため、画素
間の寄生容量による容量結合に起因する偽信号の発生を
防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による積層型固体撮像装置の一実施例を
示す断面構造図である。
示す断面構造図である。
【図２】図１の平面構造図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す要部の断面構造図で
ある。
ある。
１，２ シリコン基板
３ フォトセンサ部
４ 電荷転送部
８ シールド材
１０ 遮光膜
１４ チャネルストップ
１５ａ，１５ｂ 転送電極
１７ コンタクトホール
Claims (1)
- 【請求項１】 画素単位の複数個のフォトセンサ部が
２次元的に配列されて形成された第１の半導体基板と、
前記フォトセンサ部で発生した信号電荷を転送するため
の電荷転送部が形成された第２の半導体基板とを貼り合
わせた構造の積層型固体撮像装置において、前記複数個
のフォトセンサ部の各々を導電材で囲み、この導電材を
一定の電位に保つことを特徴とする積層型固体撮像装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069336A JPH04280677A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 積層型固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069336A JPH04280677A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 積層型固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280677A true JPH04280677A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=13399611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3069336A Pending JPH04280677A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 積層型固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280677A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6028577A (en) * | 1997-01-24 | 2000-02-22 | Nec Corporation | Active-matrix type liquid-crystal display |
| EP1122790A3 (en) * | 2000-02-03 | 2003-12-03 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | A conductive mesh bias connection for an array of elevated active pixel sensors |
| JP2008028057A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2008259244A (ja) * | 2001-03-13 | 2008-10-23 | Ecchandesu:Kk | イメージセンサ |
| JP2008263119A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Powerchip Semiconductor Corp | イメージセンサー及びその製作方法 |
| JP2009065167A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2009158957A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサーの製造方法 |
| JP2009164603A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサー及びその製造方法 |
| JP2013175494A (ja) * | 2011-03-02 | 2013-09-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
| US9602743B2 (en) | 2014-10-23 | 2017-03-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and image acquisition device |
| JP2017168869A (ja) * | 2017-06-19 | 2017-09-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
| EP3306666A1 (en) * | 2016-10-04 | 2018-04-11 | Omnivision Technologies, Inc. | Stacked image sensor with shield bumps between interconnects |
| US10141365B2 (en) | 2009-02-10 | 2018-11-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device having improved light-collection, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP3069336A patent/JPH04280677A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6028577A (en) * | 1997-01-24 | 2000-02-22 | Nec Corporation | Active-matrix type liquid-crystal display |
| EP1122790A3 (en) * | 2000-02-03 | 2003-12-03 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | A conductive mesh bias connection for an array of elevated active pixel sensors |
| JP2008259244A (ja) * | 2001-03-13 | 2008-10-23 | Ecchandesu:Kk | イメージセンサ |
| JP2008028057A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2008263119A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Powerchip Semiconductor Corp | イメージセンサー及びその製作方法 |
| JP2009065167A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2009158957A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサーの製造方法 |
| JP2009164603A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサー及びその製造方法 |
| US11735620B2 (en) | 2009-02-10 | 2023-08-22 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging device having optical black region, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US10141365B2 (en) | 2009-02-10 | 2018-11-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device having improved light-collection, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US9595557B2 (en) | 2011-03-02 | 2017-03-14 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
| US9673235B2 (en) | 2011-03-02 | 2017-06-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
| US9923010B2 (en) | 2011-03-02 | 2018-03-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
| US10128291B2 (en) | 2011-03-02 | 2018-11-13 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
| US9502450B2 (en) | 2011-03-02 | 2016-11-22 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
| JP2022046719A (ja) * | 2011-03-02 | 2022-03-23 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
| JP2013175494A (ja) * | 2011-03-02 | 2013-09-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
| US9602743B2 (en) | 2014-10-23 | 2017-03-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and image acquisition device |
| US10057518B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-08-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and image acquisition device |
| US10142570B1 (en) | 2014-10-23 | 2018-11-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device and image acquisition device |
| EP3306666A1 (en) * | 2016-10-04 | 2018-04-11 | Omnivision Technologies, Inc. | Stacked image sensor with shield bumps between interconnects |
| JP2017168869A (ja) * | 2017-06-19 | 2017-09-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2594992B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR20180038148A (ko) | 이미지 센서 | |
| KR0149734B1 (ko) | 복수의 배선으로 분리되어 있는 급전 배선을 구비한 고체 촬상 소자 | |
| JPH04280677A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JPH0666914B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US7667183B2 (en) | Image sensor with high fill factor pixels and method for forming an image sensor | |
| JPH0518465B2 (ja) | ||
| JPH0778959A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0799297A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04103168A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH05291549A (ja) | 積層型固体撮像デバイス | |
| US4908684A (en) | Solid-state imaging device | |
| EP0238343B1 (en) | Solid state image pick-up device | |
| JP3238160B2 (ja) | 積層形固体撮像装置 | |
| JPH10209417A (ja) | 固体放射線検出装置 | |
| JP2901649B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いたカメラ | |
| US7538811B2 (en) | Solid-state image pickup device that suppresses crosstalk between pixels | |
| EP0487989A2 (en) | Solid-state imaging device | |
| US5066994A (en) | Image sensor | |
| JPH0425714B2 (ja) | ||
| JPS6255961A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2666684B2 (ja) | 電荷転送撮像装置およびその製造方法 | |
| JPS6251254A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0395976A (ja) | 光電変換素子 | |
| WO2025121265A1 (ja) | 光検出装置、電子機器、及び光検出装置の製造方法 |