JPH04280960A - 組成均一性に優れる光学式記録媒体の反射膜用Al合金薄膜形成用溶製Al合金スパッタリングターゲット - Google Patents

組成均一性に優れる光学式記録媒体の反射膜用Al合金薄膜形成用溶製Al合金スパッタリングターゲット

Info

Publication number
JPH04280960A
JPH04280960A JP3041651A JP4165191A JPH04280960A JP H04280960 A JPH04280960 A JP H04280960A JP 3041651 A JP3041651 A JP 3041651A JP 4165191 A JP4165191 A JP 4165191A JP H04280960 A JPH04280960 A JP H04280960A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alloy
thin film
film
alloy thin
thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3041651A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2898112B2 (ja
Inventor
Takashi Onishi
隆 大西
Kazuo Yoshikawa
一男 吉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Priority to JP3041651A priority Critical patent/JP2898112B2/ja
Publication of JPH04280960A publication Critical patent/JPH04280960A/ja
Priority to US08/273,961 priority patent/US5500301A/en
Priority to US08/888,784 priority patent/US5976641A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2898112B2 publication Critical patent/JP2898112B2/ja
Priority to US09/385,889 priority patent/US6206985B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、Al合金薄膜及びAl
合金スパッタリングターゲットに関し、詳細には、光磁
気ディスク等の光学式記録媒体の反射膜等に用いられる
アルミニウム合金薄膜(Al合金薄膜)、及び、Al合
金薄膜形成用Al合金スパッタリングターゲットに関す
る。
【0002】
【従来の技術】光学式記録媒体は、磁気記録媒体に比し
、情報の記録密度が高く、しかも該情報の再生を非接触
で行い得るという特性を有しているため、近年その用途
が拡大されつつある。
【0003】光学式記録媒体の中、再生専用光ディスク
では従来より光反射層(反射膜)が設けられており、近
年は光磁気ディスク等の書き換え可能な光学式記録媒体
においても信号品質向上(即ち C/N比向上)等の目
的から反射膜を設けたものが提案され、反射膜の使用は
年々増大する傾向にある。
【0004】かかる反射膜には、反射率が高いことが要
求されるため、従来より基板上に純Al薄膜を形成した
ものが用いられている。しかし、純Al薄膜は耐食性に
劣り、大気中での長時間放置により腐食し、反射率の低
下や孔食発生を起こし、情報(信号)再生時の読み取り
誤り率(エラレート)の増加を生じるという難点がある
。 又、純Al薄膜には熱伝導率が高く、光磁気記録媒体に
用いた場合、記録感度の大幅な低下を引き起こすという
難点がある。
【0005】このような難点を改善するための策として
、種々の組成のAl合金薄膜が提案されている。例えば
、Si, Mg及び/又はCuを含有するAl合金薄膜
、Pt又はPdを含有するAl合金薄膜が提案されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記提案さ
れている従来のAl合金薄膜においては、純Al薄膜よ
りは耐食性に優れているものの、まだまだ耐食性の点で
充分でなくて光学式記録媒体の情報記録再生に関する長
期信頼性を確保し得ないという問題点がある。又、純A
l薄膜よりは熱伝導率が低下するものの、光磁気記録媒
体に用いた場合の記録感度は充分でないという問題点が
ある。
【0007】又、Al合金薄膜を形成するに際し、膜の
合金組成の均一性を確保する必要があり、そのためには
蒸着法よりもスパッタリング法を採用することが望まし
い。しかし、スパッタリング法は、蒸着法の場合に比し
膜形成速度が低く、薄膜形成に長時間を要するので、量
産において薄膜形成プロセスのスループットが低下し、
生産性向上の障害となり易い。従って、前記従来のAl
合金薄膜においては、その薄膜形成に長時間を要し、生
産性が低いという問題点もある。
【0008】そこで、更に上記問題点の改善策が検討さ
れ、その結果 IVa族、Va族遷移元素を添加した2
元系又は3元系のAl合金薄膜が開発され、提案されて
いる。しかし、これらには下記問題点がある。
【0009】即ち、かかるAl合金薄膜は、次のいづれ
かのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング
により基板上に形成される。 ■  純Alターゲット上に添加元素(金属)の小片を
置いたターゲット。 ■  純Alと添加金属の小片のブロックをモザイク状
に配列したターゲット。 ■  純Alと添加金属の粉末を混合し、焼結してなる
ターゲット。 ■  純Alと添加金属を溶解し鋳造(又は更に鍛造)
してなる溶製Al合金スパッタリングターゲット。
【0010】ところが、■及び■による場合には、Al
と添加元素とのスパッタ収率及び出射角度が異なるため
、スパッタリング条件や装置により膜組成が様々に変化
し、組成調整が難しく、所定のAl合金薄膜を安定して
得るのが極めて困難である。
【0011】■による場合には、Alと添加金属との比
重が大きく異なるため、均一混合が難しく、ターゲット
の組成が不均一になり、その結果Al合金薄膜の組成が
不均一になり易い。又、両粉末とも活性であって酸素を
吸収し易いので、Al合金薄膜は多量の酸素を含有し、
そのため反射率が低下するという問題点もある。
【0012】■による場合は、Alと添加元素との融点
が大きく異なるため、添加元素濃度が高いとき、溶解自
体が難しく、又、溶湯の組成制御が難しく、Al合金薄
膜の組成均一性が確保し難い。又、鋳造時に金属間化合
物が晶出分散するため、所定の組成及びその均一性を有
するAl合金薄膜を安定して得るのが難しく、製造歩留
が低下して経済性の低下を招くという問題点がある。
【0013】本発明はこの様な事情に着目してなされた
ものであって、その目的は従来のものがもつ以上のよう
な問題点を解消し、反射率が高く、耐食性に優れ、熱伝
導率が低く、又、組成の均一性に優れて生産性に優れた
Al合金薄膜及びAl合金薄膜形成用Al合金スパッタ
リングターゲットを提供しようとするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係るAl合金薄膜及びAl合金薄膜形成
用Al合金スパッタリングターゲットは、次のような構
成としている。
【0015】即ち、請求項1に記載のAl合金薄膜は、
合金成分としてMnを 0.1〜15at%含有するこ
とを特徴とするAl合金薄膜である。
【0016】請求項2に記載のAl合金薄膜は、合金成
分としてMnを 0.1〜15at%含有し、且つHf
,Taのうちの1種又は2種以上を 0.1〜10at
%含有すると共に、これらの合金成分の総量が 0.2
〜20at%であることを特徴とするAl合金薄膜であ
る。
【0017】請求項3に記載のAl合金薄膜は、再生専
用型又は追記型の光ディスク等の光学式記録媒体の反射
膜として用いる請求項1又は請求項2に記載のAl合金
薄膜である。
【0018】請求項4に記載のAl合金薄膜は、スパッ
タリングにより形成されている請求項1又は請求項2に
記載のAl合金薄膜である。
【0019】請求項5に記載のスパッタリングターゲッ
トは、合金成分としてMnを 0.1〜15at%含有
するAl合金薄膜形成用溶製Al合金スパッタリングタ
ーゲットである。
【0020】請求項6に記載のスパッタリングターゲッ
トは、合金成分としてMnを 0.1〜15at%含有
し、且つHf,Taのうちの1種又は2種以上を 0.
1〜10at%含有すると共に、これらの合金成分の総
量が 0.2〜20at%であるAl合金薄膜形成用溶
製Al合金スパッタリングターゲットである。
【0021】
【作用】本発明は、種々の組成の溶製Al合金ターゲッ
トを製作し、その合金組成均一性を調べると共に、これ
らターゲットを使用して、スパッタリング法によりAl
合金薄膜を形成し、それらAl合金薄膜の組成、反射率
、耐食性及び熱伝導率を調べ、その結果得られた下記知
見に基づくものである。
【0022】即ち、合金成分としてMnを含有するAl
合金薄膜は、純Al薄膜と同等の高反射率を有し、又、
他のAl合金薄膜に比して極めて耐食性に優れると共に
熱伝導率が低いという知見が得られた。このとき、Mn
の含有量は0.1 at%以上にすることが必要であり
、0.1 at%未満では耐食性が不充分になると共に
熱伝導率が高くて良くない。しかし、Mn含有量が15
at%を超えると、反射率が低下すると共に、高温条件
下での保存中に記録ビットを超える大きさの析出物を生
じて情報の読み取りエラーを招く可能性があり、又、合
金の融点及び塑性が上昇するために溶製Al合金ターゲ
ットの製造の際に組成均一性の低下や鋳塊加工の割れ発
生等の問題が生じるようになる。 従ってMnの含有量は 0.1〜15at%にすること
が必要である。
【0023】尚、Mnはスパッタリングの際の膜形成速
度に影響を及ぼさないので、上記Mn含有Al合金薄膜
の生産性は純Al薄膜の生産性と同等である。又、Al
とMnとの融点差が比較的小さいため、前記IVa族、
Va族遷移元素添加の場合に比し、溶解及び溶湯の組成
制御が容易であり、従って、溶製Al合金ターゲットの
組成均一性に優れ、所定の組成及び優れた組成均一性を
有するAl合金薄膜を安定して得易い。
【0024】故に、Mnを 0.1〜15at%含有す
るAl合金薄膜は、反射率が高く、耐食性に優れ、熱伝
導率が低く、又、組成の均一性に優れて生産性に優れて
いる。
【0025】更に、Hf,Taのうちの1種又は2種以
上(以降、Hf等という)を 0.1〜10at%含有
すると、スパッタリングの際の膜形成速度がより著しく
向上する。該向上効果はHf等:0.1 at%未満で
は殆ど認められず、Hf等:0.1 at%以上にする
必要がある。しかし、Hf等:10at%超及び/又は
Mn及びHf等の含有量の総量:20at%超では反射
率の低下及び析出物に起因する読み取りエラーを招くよ
うになる。従って、Hf等: 0.1〜10at%にす
ると共にMn及びHf等の総量:20at%以下にする
ことが必要であるという知見が得られた。
【0026】そこで、本発明に係るAl合金薄膜は、前
述の如く、合金成分としてMnを 0.1〜15at%
含有するようにしており、従って、前記知見よりして、
反射率が高く、耐食性に優れ、熱伝導率が低く、又、組
成の均一性に優れて生産性に優れたものになり得る(請
求項1記載のAl合金薄膜)。
【0027】又、Mnを 0.1〜15at%含有し、
更にHf等を 0.1〜10at%含有すると共に、こ
れらの合金成分の総量が 0.2〜20at%になるよ
うにしている。このようにすると、スパッタリングの際
の膜形成速度がより著しく向上して生産性がさらに優れ
たものになる(請求項2記載のAl合金薄膜)。
【0028】本発明に係るAl合金薄膜は上記の如く優
れた特性を有するので、再生専用型又は追記型の光ディ
スク等の光学式記録媒体の反射膜として好適に用いるこ
とができ、高記録感度と高 C/N比とを両立した記録
媒体を構成し得る。
【0029】上記Al合金薄膜は、スパッタリングによ
り形成されている方が膜の合金組成の均一性がより優れ
ていて望ましい(請求項4記載のAl合金薄膜)。
【0030】一方、本発明に係るAl合金スパッタリン
グターゲットは、前述の如く、合金成分としてMnを 
0.1〜15at%含有する溶製Al合金スパッタリン
グターゲット、又は、Mnを 0.1〜15at%含有
し且つHf等を 0.1〜10at%含有すると共に、
これらの合金成分の総量が 0.2〜20at%である
溶製Al合金ターゲットである(請求項5又は請求項6
記載のスパッタリングターゲット)。
【0031】かかる溶製Al合金スパッタリングターゲ
ットは溶製過程を経て製されたAl合金であるので組成
的に均一であり、そのため使用中の組成の経時変化が生
じず、又、スパッタ率及び出射角度が均一であるので、
ターゲットの組成と得られる合金膜の組成とが略一致す
る。故に、前記組成を有する本発明に係るAl合金薄膜
(請求項1、2に記載のもの)を確実に安定して得るこ
とができるようになる。
【0032】又、上記ターゲット材は溶製過程を経て製
されるので酸素含有量を低水準にし得、そのため低酸素
量で、高反射率のAl合金薄膜膜が確実に得られる。
【0033】
【実施例】(実施例1)合金4Kgを真空下で誘導溶解
し、水冷銅鋳型内に鋳造し、Mnを2〜15at%含有
する2元系Al合金鋳塊を得た。該鋳塊よりスパッタリ
ングターゲットを採取し、これを用いてDCマグネトロ
ンスパッタリング法により厚さ:1.27mmの透明ポ
リカーボネート樹脂基板上に厚さ:500ÅのAl合金
薄膜(反射膜)を形成した。該反射膜の上にアクリル樹
脂よりなる保護膜(厚さ:10μm)をスピンコートに
より塗布し、試料を作成した。
【0034】上記試料について、波長:780nmのレ
ーザー光による反射率を透明ポリカーボネート樹脂基板
側から測定した。その結果、図1に示す如くいづれの試
料も60%以上の高い反射率(初期反射率)を示した。
【0035】次に、上記試料について、環境加速試験と
して PCT(Pressure Cooker Te
st;温度 105℃,圧力 1.2atm,  湿度
 100%RH )を行ない、反射膜の耐食性を評価し
た。耐食性は波長:780nmのレーザー光による反射
率の減少量より評価した。PCT:30時間後における
反射率減少量を図2に示す。Mn:0.1at%以上の
添加により反射率減少量が著しく少なくなり、耐食性に
優れることが判る。
【0036】(実施例2)実施例1の場合と同様のター
ゲットを用いて同様のスパッタリング法により、厚さ:
150μm のガラス基板上に厚さ:10μm のAl
合金薄膜を形成した。この試料について光交流法による
熱伝導率測定を行った。図3に示す如く、Mnを添加す
ることにより熱伝導率が著しく低下した。
【0037】又、更にTaを3at%添加した場合につ
いても実施したところ、図3に示す如く熱伝導率がさら
に低下した。このようにTaも熱伝導率を低下させる効
果があり、Mn及びTaを含有する3元系Al合金薄膜
ではMn及びTaの相乗効果により熱伝導率を大幅に低
下させ得る。
【0038】(実施例3)合金4Kgを真空下で誘導溶
解し、水冷銅鋳型内に鋳造し、Mnを2at%含有する
板状のAl合金鋳塊を得た。又、比較のためMoを2a
t%含有する板状Al合金鋳塊を得た。これら鋳塊の種
々の位置より分析試料を採取し ICP法により分析し
、鋳塊内の合金組成分布を調べた。その結果、Moの最
大、最小及び平均濃度は2.53、1.82及び2.0
40at%、Mnの最大、最小及び平均濃度は2.22
、2.05及び2.096at%であり、Mo含有Al
合金に比してMn含有Al合金は組成均一性に優れてい
ることが判った。
【0039】(実施例4)蒸発源として、Mnを2at
%含有する溶製Al合金ターゲット上に 5mm×5m
m のTaチップ(純度:99.9%)を所定量設置し
た複合ターゲット、又は、Mnを2at%及びTaを所
定量含有する溶製Al合金ターゲットを使用し、DCマ
グネトロンスパッタリング法により一定時間スパッタリ
ングを行い、ガラス基板上に種々のAl−Mn−Ta合
金薄膜を形成した。
【0040】上記薄膜について、ICP により組成分
析し、又、膜厚測定により膜形成速度を算出した。その
結果得られた薄膜中Ta量と膜形成速度との関係を図4
に示す。複合ターゲット、溶製Al合金ターゲットとも
、Al−Mn 合金に更にTaを添加することにより、
スパッタリング時の膜形成速度が著しく増大し、Ta量
の増加に伴って膜形成速度が増大している。又、溶製A
l合金ターゲットは、複合ターゲットに比し膜形成速度
に及ぼすTa添加の効果が大きい。この理由は、溶製A
l合金ターゲットは、ターゲット材全体にわたってTa
が均一に分散しているためである。
【0041】尚、上記Taに代えてHfを用いた場合も
上記と同様の効果が得られる。又、かかるTaやHfの
効果はMn濃度の大小にかかわらず認められるものであ
る。
【0042】(実施例5)Al−0.6at%Mn 、
Al−0.6at%Mn−2.0at%Taの組成を有
する溶製Al合金ターゲットを使用し、実施例1と同様
のスパッタリングをしてAl合金薄膜を形成した後、該
薄膜について実施例1と同様のPCT による耐食性試
験を行った。その結果得られたPCT の試験時間と反
射率減少量との関係を図5に示す。Al−0.6at%
Mn−2.0at%Ta合金薄膜は、Al−0.6at
%Mn 合金薄膜に比し反射率減少量が少なく、耐食性
に優れ、Mn及びTa添加効果の加成性により、Mnを
単独添加した合金薄膜よりも耐食性に優れることが判る
。尚、耐食性の向上に及ぼす元素添加効果の加成性は、
本発明における合金組成及びその成分範囲の全てにおい
て成立する。
【0043】
【発明の効果】本発明に係るAl合金薄膜は、反射率が
高く、耐食性に優れ、熱伝導率が低く、又、組成の均一
性に優れて生産性に優れている。従って、光学式記録媒
体の反射膜として好適に使用し得、 C/N比、記録感
度及び耐久性に優れ、又、長期間にわたって反射率低下
や孔食発生が生じ難くてエラレートが増加し難い記録媒
体を、安定して経済性良く構成し得るようになる。
【0044】又、本発明に係るAl合金薄膜形成用溶製
Al合金スパッタリングターゲットによれば、上記本発
明に係るAl合金薄膜を確実に安定して製造し得るよう
になる。更には、生産性を大幅に向上し得るので経済性
が高まり、又、酸素量が低くて高反射率のAl合金薄膜
膜が確実に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1に係るAl合金薄膜のMn量と反射率
との関係を示す図である。
【図2】実施例1に係るAl合金薄膜のMn量と環境加
速試験での反射率減少量との関係を示す図である。
【図3】実施例2に係るAl合金薄膜のMn量と熱伝導
率との関係を示す図である。
【図4】実施例4に係る Al−2at%Mn合金のT
a量とスパッタリング時の膜形成速度との関係を示す図
である。
【図5】実施例5に係るAl合金薄膜についての環境加
速試験時間と反射率の減少量との関係を示す図である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  合金成分としてMnを 0.1〜15
    at%含有することを特徴とするAl合金薄膜。
  2. 【請求項2】  合金成分としてMnを 0.1〜15
    at%含有し、且つHf,Taのうちの1種又は2種以
    上を 0.1〜10at%含有すると共に、これらの合
    金成分の総量が0.2〜20at%であることを特徴と
    するAl合金薄膜。
  3. 【請求項3】  再生専用型又は追記型の光ディスク等
    の光学式記録媒体の反射膜として用いる請求項1又は請
    求項2に記載のAl合金薄膜。
  4. 【請求項4】  スパッタリングにより形成されている
    請求項1又は請求項2に記載のAl合金薄膜。
  5. 【請求項5】  合金成分としてMnを 0.1〜15
    at%含有するAl合金薄膜形成用溶製Al合金スパッ
    タリングターゲット。
  6. 【請求項6】  合金成分としてMnを 0.1〜15
    at%含有し、且つHf,Taのうちの1種又は2種以
    上を 0.1〜10at%含有すると共に、これらの合
    金成分の総量が0.2〜20at%であるAl合金薄膜
    形成用溶製Al合金スパッタリングターゲット。
JP3041651A 1991-03-07 1991-03-07 組成均一性に優れる光学式記録媒体の反射膜用Al合金薄膜形成用溶製Al合金スパッタリングターゲット Expired - Fee Related JP2898112B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3041651A JP2898112B2 (ja) 1991-03-07 1991-03-07 組成均一性に優れる光学式記録媒体の反射膜用Al合金薄膜形成用溶製Al合金スパッタリングターゲット
US08/273,961 US5500301A (en) 1991-03-07 1994-07-12 A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films
US08/888,784 US5976641A (en) 1991-03-07 1997-07-07 A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films
US09/385,889 US6206985B1 (en) 1991-03-07 1999-08-30 A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3041651A JP2898112B2 (ja) 1991-03-07 1991-03-07 組成均一性に優れる光学式記録媒体の反射膜用Al合金薄膜形成用溶製Al合金スパッタリングターゲット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04280960A true JPH04280960A (ja) 1992-10-06
JP2898112B2 JP2898112B2 (ja) 1999-05-31

Family

ID=12614267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3041651A Expired - Fee Related JP2898112B2 (ja) 1991-03-07 1991-03-07 組成均一性に優れる光学式記録媒体の反射膜用Al合金薄膜形成用溶製Al合金スパッタリングターゲット

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2898112B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4559490B2 (ja) 2005-12-22 2010-10-06 パイオニア株式会社 光記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2898112B2 (ja) 1999-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7413618B2 (en) Silver alloy for reflective film
US6451402B1 (en) Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6764735B2 (en) Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
EP1094934B1 (en) Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6790503B2 (en) Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
JP4007702B2 (ja) 薄膜形成用スパッタリングターゲット材およびそれを用いて形成されて成る薄膜、および光学記録媒体
JP3772972B2 (ja) 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット
WO2005056851A1 (ja) 反射率維持特性に優れた銀合金
JPH04280960A (ja) 組成均一性に優れる光学式記録媒体の反射膜用Al合金薄膜形成用溶製Al合金スパッタリングターゲット
US7198700B2 (en) Thin film formation use sputtering target material, thin film formed using same, and optical recording medium
JP3765540B2 (ja) 光記録媒体の反射膜用の銀合金
JPH0426757A (ja) Al合金薄膜及び溶製Al合金スパッタリングターゲット
JP4186221B2 (ja) 光記録媒体用反射膜および半透明反射膜並びにこれら反射膜を形成するためのAg合金スパッタリングターゲット
JP4204183B2 (ja) 情報記録媒体並びに薄膜形成用母材及びその製造方法
JP4638015B2 (ja) 薄膜形成用スパッタリングターゲット材、それを用いて形成されて成る薄膜及び光学記録媒体
CN100446102C (zh) 光记录介质的反射层形成用的银合金溅射靶
JP4186224B2 (ja) 光記録媒体用反射膜およびその反射膜を形成するためのAg合金スパッタリングターゲット
JP2003030901A (ja) 光記録ディスク反射膜形成用アルミニウム合金
KR100652094B1 (ko) 박막 형성용 스퍼터링 타겟 재료, 그 타겟 재료를 이용하여 형성된 박막, 및 광학 기록 매체
JP2003027158A (ja) 光記録ディスク反射膜形成用金合金
JP4186222B2 (ja) 光記録媒体用反射膜および半透明反射膜並びにこれら反射膜を形成するためのAg合金スパッタリングターゲット
JPH0676360A (ja) 光ディスク用アルミニウム合金反射膜およびそのターゲット材
CN101346491A (zh) 光记录介质用半透明反射膜和反射膜、以及用于形成这些半透明反射膜和反射膜的Ag合金溅射靶
JP2003006927A (ja) 光記録ディスク反射膜形成用金合金
JP2006252746A (ja) 反射膜用の銀合金

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990216

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees