JPH04281236A - 光ディスクの製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＣＤ−ＲＯＭ等に用いら
れる光ディスクの製造方法及びその製造装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】透明基板の上に、記録情報に対応する符
号化反射膜パターンを有し、前記透明基板の前記パター
ン面上に保護膜を備えた構成を有する光ディスクの従来
の製造方法としては、特願昭６３−２６８６２８に開示
されているものがある。図４をもとにその製造方法を説
明する。まず強化ガラスからなる透明基板２５の上に金
属膜２０を０．１５μｍの厚さに形成する（同図（ａ）
）。この金属膜２０の形成には電子ビーム蒸着法を用い
る。次に記録情報に対応したパターンを有するフォトレ
ジスト膜２１を金属膜２０上に形成し（同図（ｂ））、
このフォトレジスト膜２１をマスクにして、金属膜２０
をイオンビーム２２の照射により部分的に除去し、符号
化パターンを有する反射膜パターン２３を透明基板２５
上に形成する（同図（ｃ））。その後、フォトレジスト
膜２１を除去し反射膜パターン２３上に保護膜２４を形
成する（同図（ｄ））。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の光ディスクの製造方法においては、以下に述べ
るようないくつかの問題点があった。すなわち、透明基
板全面に形成した金属膜をイオンビームエッチング法に
より除去する際に、イオンビームのビーム流量の面内分
布の存在により、イオンビームによって除去されるべき
反射膜の一部が除去されずに残留したり、あるいは残留
するべき記録情報に対応した反射膜パターンが部分的に
オーバーエッチングにたり失われるということがあった
。このような情報パターンの不備は、そのまま光ディス
ク再生時の電気信号特性の不良につながる。このような
イオンビーム流量の面内分布の存在は、イオンビーム装
置を用いる限りは避けられないものであり、それを軽減
するためには装置の大型化が必要である。つまり、ビー
ムの均一性を高めるために光ディスクよりもさらに大き
なビーム径が必要であるということである。（本発明者
の試算ではビーム開口部の径として、作製した光ディス
ク径より少なくとも４０％以上大きな開口部が必要であ
る。）たとえば、画像ファイル等に用いられている直径
３０ｃｍ程度の大型光ディスクを製造する様な場合には
、４２ｃｍ以上のビーム開口部を有するイオン源が必要
である。しかし、そのような大型イオン源は現在、宇宙
船のサイドスラスターのような製造コストや設置コスト
のほとんど問題にならない分野でしか用いられておらず
、民生品である光ディスク量産のための装置構築はほと
んど不可能である。

【０００４】さらに大きな問題として、上記従来の製造
方法においては、符号化反射膜パターンを有する光ディ
スクが完成するまでの製造工程において、（１）反射膜
成膜装置、（２）フォトレジスト塗布装置、（３）光デ
ィスク露光装置、（４）フォトレジスト現像装置、（５
）イオンビームエッチング装置、（６）レジスト剥離装
置、と少なくとも６台もの装置を要していたため、装置
の維持管理、設置面積、所要人員の面から非常にコスト
がかかることが問題であった。

【０００５】また特にフォトレジストによるパターン形
成工程は、レジストの現像等の液中処理が含まれるため
処理の連続化が原理的に不可能であり、製品の生産性向
上に限界があるということ、あるいは気温、湿度等の影
響を受け易く、常に同一の品質を実現するのに周辺環境
を整備する設備が必要であるというような問題点も有し
ていた。

【０００６】本発明の目的は、従来の製造工程中におこ
る記録情報に対応した透明基板上の反射膜パターンの消
失を防ぎ、かつ前記構成の光ディスク作製工程の大幅な
簡便化を可能とし、さらに工程の連続性を保ちつつ、従
来の製造工程数よりも総工程数を減少して装置費用、所
要人員を削減しつつ迅速に光ディスクの製造を行うこと
の可能な、光ディスクの製造方法と、そのための装置を
提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は透明基板の上に
符号化記録情報に対応した反射膜の有無によるピットパ
ターンを有し、前記透明基板の前記ピットパターンを有
する面上に保護膜を備えた構成を有する光ディスクの製
造方法において、光励起ＣＶＤ法、熱励起ＣＶＤ法、電
子ビーム励起ＣＶＤ法のうちの少なくとも一種を用い、
前記各励起手法による励起をピット形状に応じて前記透
明基板表面に集束して行いつつ、符号化記録情報に対応
してパルス化することにより、前記符号化記録情報に対
応した反射膜ピットパターンを前記透明基板に直接形成
することを特徴としている。また、本発明の光ディスク
の製造装置は、符号化記録情報に対応した反射膜の有無
によるピットパターンを形成すべき透明基板と、励起Ｃ
ＶＤ法により分解され前記透明基板上に遊離析出する金
属を前記ピットパターンに成膜するための有機金属ガス
と、この有機金属ガスを導入ならびに排出するガス導入
機構ならびに排気機構と、前記透明基板を回転させる基
板回転機構と、前記透明基板と前記基板回転機構を内部
に収納し且つ前記ガス導入機構と前記排気機構に接続し
て前記有機金属ガスを導入するチャンバーと、前記励起
ＣＶＤ法を実施するための励起用のビーム源と、このビ
ーム源からのビームを前記ピットパターンに対応してパ
ルス化する情報符号化装置ならびにビーム変調器と、前
記ビームを前記透明基板上に導く光学系と、前記ビーム
を前記透明基板の半径方向に運動させる機構と、これら
の構成要素のうち防振を要するものを搭載する除振台と
を有し、そして場合によっては、前記チャンバーに接続
部分を介して隣接して設けられ、あるいは前記チャンバ
ー内に設けられる保護膜形成装置を備えている。

【０００８】

【作用】トリメチルアルミニウム等の有機金属分子は、
常温で気体状のものが多い。しかしそれらの多くは不安
定であり、加熱や光照射等により分子に対してエネルギ
ーを加えると分解して金属を遊離する。この現象を利用
して成膜が行われており、これら励起ＣＶＤ法に関して
は、例えば、明石和夫、服部秀三、松本修編「光・プラ
ズマプロセシング」第１４０頁（日刊工業新聞社、１９
８６年）に詳しく開示されている。

【０００９】そこで本発明者は、有機金属ガスを分解し
て生成した金属を、符号化した記録情報に対応して透明
基板上に特定の部分に付着堆積させ、これをもって光デ
ィスクの符号化反射膜パターンとすることを試みた。こ
のような基板上での局所的な成膜の可能性については、
レーザー光を集光してその光、あるいは熱エネルギーに
より有機金属を分解し、基板上のレーザー光照射位置に
金属膜を形成する方法が知られている。この技術につい
ては、たとえば、岸田俊二他著、高橋清、小長井誠監修
「光励起プロセスハンドブック」第２４７頁（サイエン
スフォーラム、１９８７年）、あるいは梶川俊和「レー
ザーによるマイクロ加工」（表面技術誌、４０巻、第８
号、８７４ページ、１９８９年）に開示されている。ま
たレーザー光でなく、電子ビーム等の粒子ビームによる
局所的な成膜方法についても、マツイシンジ他、アプラ
イド・フィジクス・レター誌、１９８８年、９月号、第
５３巻、第１０号、８４２ページに開示されているよう
に、近年実用化されている。

【００１０】このような光励起、熱励起あるいは電子ビ
ーム励起によるＣＶＤ法を利用すれば、符号化反射膜パ
ターンを透明基板上に直接形成可能なため、従来技術で
は先に述べたように、（１）反射膜成膜装置、（２）フ
ォトレジスト塗布装置、（３）光ディスク露光（マスタ
ーライター）装置、（４）フォトレジスト現像装置、（
５）イオンビームエッチング装置、（６）レジスト剥離
装置、と６台もの装置で反射膜パターンを形成していた
ところを、（１）符号化反射膜パターン形成用局所励起
型ＣＶＤ装置、１台だけで符号化反射膜パターンが形成
可能となり、装置作製維持費用、設置面積、光ディスク
製造工程数、製造時間、所要人数の大幅な削減が可能と
なる。

【００１１】さらに、上述の符号化反射膜パターン形成
用局所励起ＣＶＤ装置に隣接して接続するか、あるいは
内包する形で、保護膜を形成するための成膜装置を設け
た場合には、さらに光ディスク製造のための装置設置面
積、光ディスク製造工程数、所要人員、製造時間の削減
が可能である。但しその場合には、保護膜の品質（例え
ば屈折率）が反射膜パターン形成用の有機金属ガスの混
入により、若干劣化する危険性があるので、光ディスク
に対する要求品質や精度に応じて、保護膜形成装置の有
無を選択する必要がある。

【００１２】また、光（あるいは熱）励起ＣＶＤ法では
なく、電子ビーム励起ＣＶＤ法を用いた場合は、電子ビ
ームの集束径がレーザー光を集光する場合よりも小さく
することが可能なため、光（あるいは熱）励起ＣＶＤ法
を採用した場合よりも細かく反射膜パターンを形成可能
である。従って、情報の記録密度をあげることができ、
将来の高記録密度光ディスクに対応することが可能であ
る。しかし、本発明者の検討では有機金属ガスに対する
エネルギーの付与がレーザー光の場合より小さいため、
パターン形成時の回転数を落として、有機金属の解離に
充分なエネルギーを基板に集中させる必要がある。その
ため光ディスクの製造にレーザー光の場合よりも若干時
間がかかるという問題がある。この場合も、光ディスク
に対する要求に応じて装置構成を選べばよい。

【００１３】

【実施例】次に、本発明の光ディスク製造方法及び光デ
ィスク製造装置について図面を参照して説明する。

【００１４】図１及び図３は本発明の第１及び第３の実
施例を示す一部断面を含む平面図、図２は本発明の第２
の実施例を示す一部断面を含む側面図である。

【００１５】第１の実施例を示す図１は、光ディスク製
造装置を上方から見たものである。装置は大きく分けて
、基板回転機構１を含むレーザー励起ＣＶＤ用のチャン
バー２、レーザー３、フォーマッター４（情報符号化装
置）から成っている。また光ディスク用の透明基板５は
チャンバー２中の基板回転機構１にセットする。チャン
バー２の基板を望む位置には窓が設けられており、そこ
からレーザー光６をレンズ７で集光して導入する。また
同じくチャンバー２には、有機金属ガス８を任意の量チ
ャンバー２に導入するガス導入機構９、排気機構１０が
設けられており、透明基板５の表面に有機金属ガス８を
導入することができる。なお、前記レーザー光６はレー
ザー３から出た後、変調器１１を通過するときにフォー
マッター４からのデジタル信号に応じてパルス化され、
レーザー光路系１２を通り、レンズ７に達する。このレ
ンズ７とレーザー光路系１２はステージ１３上に載って
おり、基板回転機構１と合わせて、透明基板５上に任意
の位置にレーザー光６を集光可能である。そしてこれら
の構成装置のうち、基板回転機構１を含むチャンバー２
、レーザー３、透明基板５、レンズ７、変調器１１、レ
ーザー光路系１２、ステージ１３は、振動を防ぐため除
振台１４上に搭載されている。

【００１６】このような第１の実施例の装置を用いて、
記録情報に対応した符号化反射膜パターンを有する光デ
ィスクの製造を行った。用いた装置、材料を次に示す。

【００１７】 　　レーザー３………………アルゴンレーザー　　透明
基板５………………φ１２０ソーダライムガラス基板　
　レーザー光６……………レーザー３の第２高調波　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（波長
２５７ｎｍ）　　有機金属ガス８…………トリメチルア
ルミニウム次にこれらの装置、材料を用いた光ディスク
の製造手順を示す。まず、透明基板５をセットしたチャ
ンバー２を排気機構１０を用いて１×１０−４Ｔｏｒｒ
に減圧する。 次に、透明基板５を基板回転機構１により回転させ、ガ
ス導入機構９を介して有機金属ガス８をチャンバー２内
に導入し、ガス圧を１Ｔｏｒｒに保つ。レーザー３から
のレーザー光６は、変調器１１を通ってフォーマッター
４からの符号化情報に対応した長さのパルスに変換され
、レンズ７により集光されチャンバー２中の透明基板５
上に集光される。この時の透明基板５上でのレーザービ
ーム径は約０．７μｍである。このレーザー光６のエネ
ルギーにより、有機金属ガス８は励起され分解し、集光
部の透明基板５上に金属（本実施例においては金属アル
ミニウム）を遊離析出する。同時に、レンズ７とレーザ
ー光路系１２を載せたステージ１３は、レーザー光集光
部が透明基板５の半径方向に移動する。その結果、透明
基板上にはスパイラル状に金属アルミニウムパターンが
形成されていく。ここでステージ１３は、スパイラルの
間隔が常に１．６μｍになるように移動させた。なお、
透明基板５の単位時間当たりの回転数は一定でなく、レ
ーザー光集光部での透明基板５上でのスパイラルの接線
方向移動速度が一定になるように（線速度が一定になる
ように）、基板回転機構１により決められる。従って、
透明基板５の外周部にレーザー光が集光されている場合
は回転数が小さく、内周部に集光されている場合は回転
数が大きい。この機構は、従来光ディスク露光装置にお
いて実現していたものである。なお、本実施例において
は、線速度が１．３ｍ／ｓｅｃとなるように回転速度を
調節した。

【００１８】このような工程を経た透明基板５をチャン
バー２から取り出し、その表面を走査型電子顕微鏡で観
察した結果、記録情報に対応したアルミニウム反射膜パ
ターンが、厚さ約３００ｎｍ、幅約５００ｎｍで形成さ
れていることが確認された。また、従来のイオンビーム
エッチング法で作製した場合に見られた反射膜パターン
の部分的な欠落等は観察されなかった。さらに、透明基
板５上に析出したアルミニウムをマイクロオージェ分光
分析器で深さ方向に分析した結果、不純物として予想さ
れる炭素等は非常に少なく、製品の長期信頼性にも問題
はないことが明らかとなった。

【００１９】上述のような反射膜パターンを有する透明
基板５は、この後有機溶媒により洗浄し残留する有機金
属を除去し、続いてアルゴンスパッタリング装置により
反射膜パターン上に厚さ２μｍの酸化シリコンの保護膜
を形成し全製造工程を終えた。そして本光ディスクの記
録信号特性を調べた結果、部分的な反射膜パターンの欠
落がないために、従来技術で作製された製品と比較して
、全体で３０％程度エラーの少ないことを確認した。 特に光ディスクの内周側では、従来パターンの欠損によ
るエラーレートの上昇がみられたものが、非常に低減さ
れていた。

【００２０】また、保護膜形成までの全体の光ディスク
製造工程が大幅に単純化されたため、従来技術で約２０
時間を要していた光ディスクの製造時間が大幅に短縮さ
れ、約９時間で製品作製が可能になった。さらに工程の
単純化にともない、作業に必要な人の数、必要装置数も
従来と比べて大幅に少なくて済むようになり、全体とし
て製造コストを押さえることができた。

【００２１】第２の実施例を示す図２は光ディスク製造
装置を側方から見たもので、一部断面を描いている。装
置は大きく分けて、基板回転機構１、ステージ１３を含
む電子ビーム励起ＣＶＤ用のチャンバー２、電子ビーム
源１５、電磁レンズ系１７、フォーマッター４（情報符
号化装置）、除振台１４、保護膜形成装置１８、ゲート
バルブ１９、排気機構１０，１０′から成っている。光
ディスク用の透明基板５はチャンバー２中の基板回転機
構１にセットする。チャンバー２中では、電子ビーム源
１５、電磁レンズ系１７、透明基板５、基板回転機構１
が直線上に接続されており、電子ビーム１６を電磁レン
ズ系１７で集光して透明基板５上に照射する。また同じ
くチャンバー２には、有機金属ガス８を任意の量チャン
バー２に導入するガス導入機構９、排気機構１０が設け
られており、透明基板５上の電子ビーム１６の集光され
る付近に有機金属ガス８を導入することができる。なお
、電子ビーム１６は電子ビーム源１５から出た後、電磁
レンズ系１７を通過するときにフォーマッター４からの
デジタル信号に応じてパルス化される。基板回転機構１
はステージ１３上に載っており、透明基板５上の任意の
位置に電子ビーム１６を集光可能である。そしてこれら
の構成装置のうち、基板回転機構１、ステージ１３を含
むチャンバー２、電子ビーム源１５、電磁レンズ系１７
、透明基板５は、振動を防ぐため除振台１４上に搭載さ
れている。そしてこれらの装置の側方にゲートバルブ１
９を介して、排気機構１０′を内部に有する保護膜形成
装置１８が接続されている。チャンバー２から保護膜形
成装置１８へは、真空を破らずに透明基板５の搬送が可
能である。

【００２２】このような第２実施例の装置を用いて、記
録情報に対応した符号化反射膜パターンを有する光ディ
スクの製造を行った。用いた材料及び装置を次に示す。

【００２３】 　　透明基板５………………φ１２０ソーダライムガラ
ス基板　　有機金属ガス８…………トリメチルアルミニ
ウム　　保護膜形成装置１８……アルゴンスパッタリン
グ装置　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　（ターゲットは酸化シリコン）次に光ディスクの製
造手順を示す。まず、透明基板５をセットしたチャンバ
ー２を排気機構１０を用いて１×１０−６Ｔｏｒｒに減
圧する。次に、透明基板５を基板回転機構１により回転
させ、ガス導入機構９を介して有機金属ガス８をチャン
バー２内の透明基板５近傍に導入する。この際ガス流量
としては、３ＳＣＣＭを採用した。 その時のガス圧は５×１０−４Ｔｏｒｒである。電子ビ
ーム源１５からの電子ビーム１６は、電磁レンズ系１７
によりフォーマッター４からの符号化情報に対応した長
さのパルスに変換され、同じく電磁レンズ系１７により
集束されチャンバー２中の透明基板５上に集束照射され
る。この時の透明基板５上での電子ビーム径は約０．５
μｍである。この電子ビーム１６のエネルギーにより、
有機金属ガス８は励起され分解し、集束部の透明基板５
上に金属（本実施例においては金属アルミニウム）を遊
離析出する。同時に、基板回転機構１を載せたステージ
１３は、電子ビーム集束部が透明基板５の半径方向に移
動する。その結果、透明基板上にはスパイラル状に金属
アルミニウムパターンが形成されていく。ここでステー
ジ１３は、スパイラルの間隔が常に１．６μｍになるよ
うに移動させた。なお、透明基板５の単位時間当たりの
回転数は一定ではなく、電子ビーム集束部での透明基板
５上でのスパイラルの接線方向移動速度が一定になるよ
うに（線速度が一定になるように）、基板回転機構１に
より決められる。従って、透明基板５の外周部に電子ビ
ームが集束している場合は回転数は小さく、内周部に集
束している場合は回転数が大きい。なお、本実施例にお
いては、線速度が０．５ｍ／ｓｅｃとなるように回転速
度を調節した。なお本実施例とは別に、本実施例と同条
件でアルミニウム反射膜パターンを形成した基板を調査
した結果、厚さ約５０ｎｍ、幅約５００ｎｍのアルミニ
ウムが基板上に形成されること、従来問題となっていた
アルミニウム反射膜パターンの部分的な欠落等は発生し
ないこと、アルミニウム中に不純物として存在すること
が予想される炭素等は非常に少ないことが確認されてい
る。

【００２４】以上の工程を経てアルミニウムの符号化反
射パターンを形成した透明基板５を、ゲートバルブ１９
を通して保護膜形成装置１８に搬送し、保護膜を形成し
た。保護膜の形成条件を次に示す。

【００２５】到達真空度………………５×１０−６Ｔｏ
ｒｒ アルゴンガス圧…………２×１０−２Ｔｏｒｒ投入電力
…………………６００Ｗ 形成膜厚…………………５００ｎｍ このようにして光ディスクの製造工程を終えた透明基板
５をチャンバー２から取り出し、記録信号特性を調べた
結果、部分的な反射膜パターンの欠落がないために、従
来技術で作製された製品と比較して、全体で３０％程度
エラーの少ないことを確認した。特に光ディスクの内周
側では、従来はパターンの欠損によるエラーレートの上
昇がみられたものが、非常に低減されていた。

【００２６】また、保護膜形成までの全体の光ディスク
製造工程が大幅に単純化されたため、従来技術で約２０
時間を要していた光ディスクの製造時間が大幅に短縮さ
れ、約１０時間で製品作製が可能になった。さらに工程
の単純化にともない、作業に必要な人の数、必要装置数
も従来と倉がて大幅に少なくて済むようになり、製造コ
ストを押さえることができた。

【００２７】以上本発明の実施例として２例を挙げたが
、この２例には記載しなかったものの、以下に示すよう
な別の構成の装置あるいは方法、材料を用いても、本実
施例と同様の効果が得られる。

【００２８】（１）　　有機金属ガスとしてトリメチル
アルミニウムを用いた例を示したが、他の有機アルミニ
ウムガス（例えばトリイソブチルアルミニウム、ジメチ
ルアルミニウムハイドライド等）や、他の高反射率金属
を遊離する有機金属ガス（例えばクロムヘキサカルボニ
ル）あるいは高反射率化合物を遊離するガス系（チタン
クロライド−水素−窒素系）を用いても同様の効果が得
られることは当然である。

【００２９】（２）　　第２の実施例では、電子ビーム
励起ＣＶＤ法を用いる本発明の光ディスク製造装置に、
保護膜形成装置を接続した例を示したが、図３に示す第
３の実施例のように、第１の実施例に示した光（あるい
は熱）励起ＣＶＤ法を用いる本発明の光ディスク製造装
置に、保護膜形成装置１８を接続することも可能である
。

【００３０】（３）　　第２の実施例では、保護膜形成
装置１８としてアルゴンスパッタリング装置に酸化シリ
コン製ターゲットを装着した装置の例を述べたが、もち
ろんターゲット材料種（つまり保護膜の種類）は符号化
反射膜パターンを有する光ディスクの特性を損なわない
材料であれば何でもよい。例えば、酸化シリコンと酸化
ジルコニウムの混合膜のような膜でも構わない。さらに
保護膜としてスパッタリング法による膜を用いる必然性
はなく、ＣＶＤ、蒸着、樹脂塗布等の他の手法を用いて
保護膜を形成しても、本発明の効果が損なわれることが
ないのは当然である。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように本発明の光ディスク
の製造方法及び製造装置を用いることにより、従来の製
造工程中におこる記録情報に対応した透明基板上の反射
膜パターンの消失を防ぎ、かつ前記構成の光ディスク作
製工程の大幅な簡便化を可能とし、さらに工程の連続性
を保ちつつ、従来の製造工程数よりも総工程数を減少し
て装置費用、所要人員を削減しつつ迅速に光ディスクの
製造を行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を説明するための光ディ
スク製造装置を示す一部断面を含む平面図である。

【図２】本発明の第２の実施例を説明するための光ディ
スク製造装置を示す一部断面を含む側面図である。

【図３】本発明の第３の実施例を説明するための光ディ
スク製造装置を示す一部断面を含む平面図である。

【図４】従来の光ディスクの製造方法を説明するための
分図（ａ）から（ｄ）に工程順に示した光ディスクの半
径方向の断面図である。

【符号の説明】

１　　　　基板回転機構 ２　　　　チャンバー ３　　　　レーザー ４　　　　フォーマッター ５，２５　　　　透明基板 ６　　　　レーザー光 ７　　　　レンズ ８　　　　有機金属ガス ９　　　　ガス導入機構 １０，１０′　　　　排気機構 １１　　　　変調器 １２　　　　レーザー光路系 １３　　　　ステージ １４　　　　除振台 １５　　　　電子ビーム源 １６　　　　電子ビーム １７　　　　電磁レンズ系 １８　　　　保護膜形成装置 １９　　　　ゲートバルブ ２０　　　　金属膜 ２１　　　　フォトレジスト膜 ２２　　　　イオンビーム ２３　　　　反射膜パターン ２４　　　　保護膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　透明基板の上に符号化記録情報に対応
   した反射膜の有無によるピットパターンを有し、前記透
   明基板の前記ピットパターンを有する面上に保護膜を備
   えた構成を有する光ディスクの製造方法において、光励
   起ＣＶＤ法、熱励起ＣＶＤ法、電子ビーム励起ＣＶＤ法
   のうちの少なくとも一種を用い、前記各励起手法による
   励起をピット形状に応じて前記透明基板表面に集束して
   行いつつ、符号化記録情報に対応してパルス化すること
   により、前記符号化記録情報に対応した反射膜ピットパ
   ターンを前記透明基板に直接形成することを特徴とする
   光ディスクの製造方法。
2. 【請求項２】　　符号化記録情報に対応した反射膜の有
   無によるピットパターンを形成すべき透明基板と、励起
   ＣＶＤ法により分解され前記透明基板上に遊離析出する
   金属を前記ピットパターンに成膜するための有機金属ガ
   スと、この有機金属ガスを導入ならびに排出するガス導
   入機構ならびに排気機構と、前記透明基板を回転させる
   基板回転機構と、前記透明基板と前記基板回転機構を内
   部に収納し且つ前記ガス導入機構と前記排気機構に接続
   して前記有機金属ガスを導入するチャンバーと、前記励
   起ＣＶＤ法を実施するための励起用のビーム源と、この
   ビーム源からのビームを前記ピットパターンに対応して
   パルス化する情報符号化装置ならびにビーム変調器と、
   前記ビームを前記透明基板上に導く光学系と、前記ビー
   ムを前記透明基板の半径方向に運動させる機構と、これ
   らの構成要素のうち防振を要するものを搭載する除振台
   とを備えることを特徴とする光ディスク製造装置。
3. 【請求項３】　　前記チャンバーに接続部分を介して隣
   接して設けられ、あるいは前記チャンバー内に設けられ
   る保護膜形成装置を備えることを特徴とする請求項２記
   載の光ディスク製造装置。