JPH0428239B2 - - Google Patents
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- JPH0428239B2 JPH0428239B2 JP61015779A JP1577986A JPH0428239B2 JP H0428239 B2 JPH0428239 B2 JP H0428239B2 JP 61015779 A JP61015779 A JP 61015779A JP 1577986 A JP1577986 A JP 1577986A JP H0428239 B2 JPH0428239 B2 JP H0428239B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/25—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing liquid crystals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G69/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
- C08G69/02—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids
- C08G69/08—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from amino-carboxylic acids
- C08G69/10—Alpha-amino-carboxylic acids
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/38—Polymers
- C09K19/3833—Polymers with mesogenic groups in the side chain
- C09K19/389—Polypeptides
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光記録材料に関するものであり、さら
に詳しくはレーザー光を用いて画像、文字などの
情報を高密度、高感度に記録できる書き換え可能
な記録媒体に関する。 従来技術 近年、レーザー技術の進歩によりレーザー光に
よる書き込み、読み出しを行う光デイスクが実用
化され、また活発に研究されている。光デイスク
はその非接触、高記録密度、記録保存の安定性な
どの特徴により、まず再生専用のデイジタルオー
デイオデイスク、ビデオデイスクとして実用化さ
れ、次にユーザーで自由に書き込みのできる追記
型が文書フアイル用などに実用化された。一方ユ
ーザーで自由に書き込み、消去がくり返せる書き
換え可能型は盛んに研究開発がなされ様々な提案
がなされている。追記型の記録材料として主に用
いられているものはTe化合物、アモルフアス希
土類・遷移金属磁性合金などの無機系材料である
が、これらはメモリー特性がすぐれ、信頼性が高
く、量産が可能で安価であるという記録材料とし
ての要請を必ずしも満しておらず、毒性などの点
で大きな問題がある。また有機色素などの有機系
材料を用いる試みも各所でなされているがこれら
は耐光性（耐紫外線性）などに問題があり実用化
にはいたつていない。これらはいずれも記録材料
として用いるときには、基盤上に薄膜として形成
させて用いるがそのために蒸着などの手法が必要
であり、原材料のコストの高さと相まつてデイス
クとしてのコストが高くなる重大な欠点を有す
る。また大部分は記録時に金属の溶融、色素の分
解、蒸発などにより小孔を形成させる方式である
ために記録に必要とされる熱量が大きいという欠
点を有する。 書き換え可能型光記録材料としてはTe−Ｏ−
Ge−Sn系、Sn−Te−Se系、Ga−Te−Se系など
の無機系およびスピロピランなどのホトクロミツ
ク材料を用いる有機系が盛んに研究されている
が、無機系の場合には毒性、薄膜加工の難かしさ
およびコストの高さなどの問題点のほかに記録状
態の安定性と高速消去性とが両立し難いという欠
点がある。ホトクロミツク材料を用いる有機系の
場合には生ずる副反応のためにくり返し安定性が
悪いという大きな問題があり、有機系、無機系と
もに実用化にはいたつていないのが現状である。 発明が解決しようとする問題点 本発明の目的はこれら欠点のない新規記録媒体
を提供することにある。特に比較的安価な材料を
用いた簡便な方法で製造可能であり、レーザー光
による熱を必要部分に供給することにより、その
熱によりコレステリツク液晶構造を形成せしめ、
コレステリツク液晶に特有の特定波長の光を選択
的に反射する選択反射現象に由来する反射率ある
いは透過率の差を利用してレーザー光による読み
出しを行うものであつて、記録の保存が半永久的
であり、かつ書き換えが可能な新規な記録媒体を
提供することにある。 問題点を解決するための手段 本発明は下記一般式で示されるサーモトロピツ
クコレステリツク液晶性グルタミン酸エステル共
重合体を記録層とする記録媒体に関する。 （ここでR1は炭素数１から10の、またR2は炭素
数６から30のアルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基およびアリールアルキル基より成る群か
ら選ばれ、（ただしR1とR2は同一でない）ｍおよ
びｎは50≦ｍ＋ｎ≦2000、ｍ／ｎ＝80〜10／20〜
90である。） すなわち本発明は支持体と該支持体上に設けら
れた記録層被膜とを有する記録媒体に於て、該記
録層被覆がサーモトロピツクコレステリツク液晶
性ポリグルタミン酸エステル共重合体から成り、
常温付近においてはほとんど液晶構造を形成して
おらず、特定の光を選択的に反射する能力をもた
ないが、レーザー光の照射による温度上昇により
液晶形成温度領域でコレステリツク液晶を形成
し、レーザー光が移動したあとは照射された微小
領域は急激に冷却されてコレステリツク液晶構造
が固定され記録が保持される。一度コレステリツ
ク構造が形成されるとそのコレステリツクピツチ
に応じて特定の波長の光を選択的に反射する能力
を有するから、この波長を読み出しレーザー光の
波長に合うように記録条件を設定しておくことに
より反射率あるいは透過率の差により容易に読み
出しを行うことができる。また消去を行うときに
はデイスクの一部または全部を加熱し徐冷するこ
とによりコレステリツク構造の緩和がおこり選択
反射能力がなくなり記録が消去され、書き換えが
可能となる。 本発明の記録媒体の支持体としては、例えばポ
リカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテ
ルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ（４−メチ
ル−１−ペンテン）等のプラスチツクフイルムも
しくはシートやガラス板等、あるいはこれらのフ
イルムもしくはシート等に蒸着、メツキ等の方法
によつて反射層を設けたものまたは鏡面を有する
金属等のフイルムもしくはシート等を用いること
ができる。また逆に記録層の読み出し光をあてる
側の反対側に黒色もしくは濃色の光を反射しにく
い層を設けることによつて、記録層の記録のない
部分は光をほぼ完全に透過し黒色層に吸収されほ
とんど反射せず、記録された部分は選択的に光を
反射するために、より明瞭、高感度で読み出しが
行え、高Ｓ／Ｎ比が達成される。 該支持体上に設けられる記録層被膜はサーモト
ロピツクコレステリツク液晶性グルタミン酸エス
テル共重合体であつて公知の方法で0.1〜100μｍ、
好ましくは１〜50μｍの膜厚で該支持体上に被膜
を形成することができる。記録媒体上にはさらに
これを保護すべく透明フイルムでおおうことも可
能である。 本発明で記録層として用いられるグルタミン酸
エステル共重合体がサーモトロピツクコレステリ
ツク液晶性を示すためには、前記一般式における
R1とR2の炭素数の差が５以上あることが必要で、
差が４以下の共重合体はサーモトロピツクコレス
テリツク液晶性を示さないか示してもその度合は
わずかである。R1に用いられるアルキル基とし
てはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オ
クチル基、デシル基およびこれらと炭素数が同じ
で枝分れした構造のものが好ましい。なかでもメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、分枝
ブチル基などが好適に用いられる。シクロアルキ
ル基としてはシクロペンチル基、シクロペンチル
メチル基、メチルシクロペンチル基、エチルシク
ロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、エチルシ
クロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、シク
ロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、
シクロヘキシルプロピル基、シクロヘキシルブチ
ル基などが用いられ、なかでもシクロペンチル
基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル
基、シクロヘキシルメチル基などが好ましい。ア
リール基としてはフエニル基、メトキシフエニル
基、トルイル基、ジメチルトルイル基などが用い
られる。アリールアルキル基としてはベンジル
基、メチルベンジル基、フエニルエチル基、メチ
ルフエニルエチル基、フエニルプロピル基、フエ
ニルブチル基などが用いられ、なかでもベンジル
基、メチルベンジル基などが好適である。また
R2に用いられるアルキル基としてはヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル
基、オクタデシル基、ヘキサデシル基、エイコサ
ニル基およびこれらと炭素数が同一で分枝れした
構造のものなどが好ましく用いられ、なかでもヘ
キシル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル
基などが特に好ましい。シクロアルキル基として
はシクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、
エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル
基、ヘキシルシクロヘキシル基、シクロオクチル
基、メチルシクロオクチル基、シクロドデシル基
などが用いられる。アリール基としてはフエニル
基、トルイル基、ブチルフエニル基、デシルフエ
ニル基、ドデシルフエニル基が用いられる。アリ
ールアルキル基としてはベンジル基、フエニルエ
チル基、フエニルプロピル基、フエニルブチル
基、フエニルヘキシル基、フエニルオクチル基、
フエニルドデシル基、メチルフエニルブチル基、
エチルフエニルヘキシル基、メチルフエニルドデ
シル基などが用いられ、なかでもフエニルヘキシ
ル基、フエニルドデシル基、フエニルオクチル基
などが特に好ましく用いられる。また式中ｍとと
ｎの比は80〜10／20〜90、好ましくは70〜40／30
〜60のものである。この範囲外ではサーモトロピ
ツク コレステリツク液晶性が明確に出現しな
い。またｍ＋ｎ、すなわち、重合度は50〜2000、
好ましくは100〜1500である。重合度が50未満で
は液晶構造が発現しにくく、重合度が大きすぎる
ものは成形性の悪化やコレステリツク構造の成長
が遅くなるなどして実用的でなくなる。 本発明で用いられる共重合体は様々な方法によ
つて得ることができる。たとえば当該分野で公知
のNCA法による方法がある。所定の２種のＮ−
カルボキシグルタミン酸−γ−エステル無水物
（NCA）の共重合によつて本発明の共重合体を得
ることができる。またポリ（γ−メチル−Ｌ−グ
ルタメート）あるいはポリ（γ−ベンジル−Ｌ−
グルタメート）のようなポリマーをまず合成し、
次に所定のアルコールを用いてポリマーのエステ
ル基の１部をエステル交換する方法も好ましく採
用される。 本発明のサーモトロピツクコレステリツク液晶
性を有するグルタミン酸エステル共重合体は記録
媒体として最適な次の特徴を有する。 (1) 工業的入手容易なグルタミン酸を原料として
合成されるポリマーであるために製造が容易で
安価であり、また毒性がない。 (2) 容易に薄膜が得られる。 (3) 記録が小孔を生成させる方式でなく、単にラ
ンダム構造からコレステリツク構造への分子配
向の変化を利用するもので、書き込みに要する
エネルギーが小さい。 (4) したがつて少ないエネルギーで容易に記録を
消去できる。 (5) コレステリツク構造に特有の光の選択反射を
利用するために、記録部分と記録のない部分と
の反射率の差が大きく、また読み出し感度も大
きくＳ／Ｎ比が高い。 (6) 液晶転位温度以上に加熱しない限りコレステ
リツク構造は半永久的に保持され、したがつて
記録は安定に保存される。 本発明の共重合体は記録層として0.01〜10μｍ、
好ましくは0.1〜5μｍの膜厚で使用される。コレ
ステリツク液晶を形成する温度は共重合体の重合
度、組成あるいはエステル基の種類により室温か
ら250℃まで変化するが、記録の保存の点から100
℃〜200℃に液晶形成領域が存在するべく重合度、
組成あるいはエステル基の種類を選ぶことが望ま
しい。 またコレステリツク液晶の選択反射波長λは、
コレステリツクピツチをｐ、平均屈折率をｎとし
たとき、光が面に垂直に入射する場合λ＝ｎ・ｐ
であらわされる。ｐはエステル基の種類、組成お
よび温度によつて決るから、読み出しに用いるレ
ーザー光の波長と同じ波長の光を選択反射させる
ためには、エステル基の種類および組成を選びか
つ書き込みのレーザー光の出力、パルスなどの照
射条件を適当に設定することにより達成すること
ができる。 以上説明したサーモトロピツクコレステリツク
液晶性グルタミン酸エステル共重合体を記録材料
とする記録媒体は、He−Neレーザー、半導体レ
ーザーなどのレーザー光を用いて書き込みおよび
読み出しを行う光デイスクメモリーに最適で、追
記型光デイスク用記録媒体としてはもちろん、書
き換え可能型光デイスク用記録媒体としても用い
られる。 実施例 参考例 １ NCA法により合成したポリ（γ−ベンジル−
Ｌ−グルタメート）（分子量15000、平均重合度
69）20ｇを１，２−ジクロロエタン300mlに溶解
し、ｎ−ドデシルアルコール150ml、ｐ−トルエ
ンスホン酸５ｇを加えて60℃で15時間反応を行つ
た。反応液を大量のメタノール中に投入してポリ
マーを析出させたのち、過、乾燥を行つた。次
に１，２−ジクロロエタンに再溶解してメタノー
ルで再沈を行つたのち過、乾燥して精製γ−ベ
ンジル−Ｌ−グルタメート−γ−ドデシル−Ｌ−
グルタメート共重合体を得た。NMR測定の結果
ベンジルエステルとドデシルエステルの比は61：
39であつた。 実施例 １ 参考例１で合成したポリマーの５％１，２−ジ
クロロエタン溶液を用いてポリ（４−メチル−１
−ペンテン）基盤上にスピナーで乾燥後の厚さが
1μｍになるように塗付し、室温で風乾後さらに
同温度で2hr真空乾燥して記録層とした。次に記
録層の上に黒色シートをのせ、その上にポリエチ
レンテレフタレートフイルムをのせ、外周部をエ
ポキシ系封止剤で封じた４層構造のデイスクを作
製した。 次に発振波長0.83μｍの半導体レーザー（強度
５ｍＷ）をレンズで1μｍのスポツトとなるよう
に集光し、基盤を１ｍ／secの線速度となるよう
に回転させながら、基盤を通して書き込みを行つ
た。 記録された部分に小孔は形成されずに直径1μ
ｍの大きさで0.83μｍの波長の光を39％反射し、
記録のない部分の反射率は５％であつた。次にレ
ーザー光強度を１ｍＷに減少し基盤を通して再生
を行つたところ、Ｓ／Ｎ比56dBという値が得ら
れた。 実施例 ２ 実施例１で書き込みを行つたデイスクに、He
−Neレーザー光をレンズにより長軸10μｍ、短軸
1μｍの長円形に集光して同様に照射したところ、
記録部分の0.83μｍの光の反射率も５％となり記
録は完全に消去された。次に消去されたデイスク
に実施例１と同様にして再度書き込みを行い、温
度80℃、相対湿度80％で３ケ月保存したのち再生
実験を行つたところＳ／Ｎ比56dBの値が得られ
劣化はまつたく観察されなかつた。 実施例 ３〜８ 参考例１と同様の手法で各種グルタミン酸エス
テル共重合体を合成し、実施例１と同様にしてデ
イスクを作製し、実施例１および実施例２で述べ
た再生実験、消去実験および保存性試験を行い表
１の結果を得た。これ結果は本実施例の記録媒体
がすぐれた性能を有することを示す。
に詳しくはレーザー光を用いて画像、文字などの
情報を高密度、高感度に記録できる書き換え可能
な記録媒体に関する。 従来技術 近年、レーザー技術の進歩によりレーザー光に
よる書き込み、読み出しを行う光デイスクが実用
化され、また活発に研究されている。光デイスク
はその非接触、高記録密度、記録保存の安定性な
どの特徴により、まず再生専用のデイジタルオー
デイオデイスク、ビデオデイスクとして実用化さ
れ、次にユーザーで自由に書き込みのできる追記
型が文書フアイル用などに実用化された。一方ユ
ーザーで自由に書き込み、消去がくり返せる書き
換え可能型は盛んに研究開発がなされ様々な提案
がなされている。追記型の記録材料として主に用
いられているものはTe化合物、アモルフアス希
土類・遷移金属磁性合金などの無機系材料である
が、これらはメモリー特性がすぐれ、信頼性が高
く、量産が可能で安価であるという記録材料とし
ての要請を必ずしも満しておらず、毒性などの点
で大きな問題がある。また有機色素などの有機系
材料を用いる試みも各所でなされているがこれら
は耐光性（耐紫外線性）などに問題があり実用化
にはいたつていない。これらはいずれも記録材料
として用いるときには、基盤上に薄膜として形成
させて用いるがそのために蒸着などの手法が必要
であり、原材料のコストの高さと相まつてデイス
クとしてのコストが高くなる重大な欠点を有す
る。また大部分は記録時に金属の溶融、色素の分
解、蒸発などにより小孔を形成させる方式である
ために記録に必要とされる熱量が大きいという欠
点を有する。 書き換え可能型光記録材料としてはTe−Ｏ−
Ge−Sn系、Sn−Te−Se系、Ga−Te−Se系など
の無機系およびスピロピランなどのホトクロミツ
ク材料を用いる有機系が盛んに研究されている
が、無機系の場合には毒性、薄膜加工の難かしさ
およびコストの高さなどの問題点のほかに記録状
態の安定性と高速消去性とが両立し難いという欠
点がある。ホトクロミツク材料を用いる有機系の
場合には生ずる副反応のためにくり返し安定性が
悪いという大きな問題があり、有機系、無機系と
もに実用化にはいたつていないのが現状である。 発明が解決しようとする問題点 本発明の目的はこれら欠点のない新規記録媒体
を提供することにある。特に比較的安価な材料を
用いた簡便な方法で製造可能であり、レーザー光
による熱を必要部分に供給することにより、その
熱によりコレステリツク液晶構造を形成せしめ、
コレステリツク液晶に特有の特定波長の光を選択
的に反射する選択反射現象に由来する反射率ある
いは透過率の差を利用してレーザー光による読み
出しを行うものであつて、記録の保存が半永久的
であり、かつ書き換えが可能な新規な記録媒体を
提供することにある。 問題点を解決するための手段 本発明は下記一般式で示されるサーモトロピツ
クコレステリツク液晶性グルタミン酸エステル共
重合体を記録層とする記録媒体に関する。 （ここでR1は炭素数１から10の、またR2は炭素
数６から30のアルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基およびアリールアルキル基より成る群か
ら選ばれ、（ただしR1とR2は同一でない）ｍおよ
びｎは50≦ｍ＋ｎ≦2000、ｍ／ｎ＝80〜10／20〜
90である。） すなわち本発明は支持体と該支持体上に設けら
れた記録層被膜とを有する記録媒体に於て、該記
録層被覆がサーモトロピツクコレステリツク液晶
性ポリグルタミン酸エステル共重合体から成り、
常温付近においてはほとんど液晶構造を形成して
おらず、特定の光を選択的に反射する能力をもた
ないが、レーザー光の照射による温度上昇により
液晶形成温度領域でコレステリツク液晶を形成
し、レーザー光が移動したあとは照射された微小
領域は急激に冷却されてコレステリツク液晶構造
が固定され記録が保持される。一度コレステリツ
ク構造が形成されるとそのコレステリツクピツチ
に応じて特定の波長の光を選択的に反射する能力
を有するから、この波長を読み出しレーザー光の
波長に合うように記録条件を設定しておくことに
より反射率あるいは透過率の差により容易に読み
出しを行うことができる。また消去を行うときに
はデイスクの一部または全部を加熱し徐冷するこ
とによりコレステリツク構造の緩和がおこり選択
反射能力がなくなり記録が消去され、書き換えが
可能となる。 本発明の記録媒体の支持体としては、例えばポ
リカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテ
ルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ（４−メチ
ル−１−ペンテン）等のプラスチツクフイルムも
しくはシートやガラス板等、あるいはこれらのフ
イルムもしくはシート等に蒸着、メツキ等の方法
によつて反射層を設けたものまたは鏡面を有する
金属等のフイルムもしくはシート等を用いること
ができる。また逆に記録層の読み出し光をあてる
側の反対側に黒色もしくは濃色の光を反射しにく
い層を設けることによつて、記録層の記録のない
部分は光をほぼ完全に透過し黒色層に吸収されほ
とんど反射せず、記録された部分は選択的に光を
反射するために、より明瞭、高感度で読み出しが
行え、高Ｓ／Ｎ比が達成される。 該支持体上に設けられる記録層被膜はサーモト
ロピツクコレステリツク液晶性グルタミン酸エス
テル共重合体であつて公知の方法で0.1〜100μｍ、
好ましくは１〜50μｍの膜厚で該支持体上に被膜
を形成することができる。記録媒体上にはさらに
これを保護すべく透明フイルムでおおうことも可
能である。 本発明で記録層として用いられるグルタミン酸
エステル共重合体がサーモトロピツクコレステリ
ツク液晶性を示すためには、前記一般式における
R1とR2の炭素数の差が５以上あることが必要で、
差が４以下の共重合体はサーモトロピツクコレス
テリツク液晶性を示さないか示してもその度合は
わずかである。R1に用いられるアルキル基とし
てはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オ
クチル基、デシル基およびこれらと炭素数が同じ
で枝分れした構造のものが好ましい。なかでもメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、分枝
ブチル基などが好適に用いられる。シクロアルキ
ル基としてはシクロペンチル基、シクロペンチル
メチル基、メチルシクロペンチル基、エチルシク
ロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、エチルシ
クロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、シク
ロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、
シクロヘキシルプロピル基、シクロヘキシルブチ
ル基などが用いられ、なかでもシクロペンチル
基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル
基、シクロヘキシルメチル基などが好ましい。ア
リール基としてはフエニル基、メトキシフエニル
基、トルイル基、ジメチルトルイル基などが用い
られる。アリールアルキル基としてはベンジル
基、メチルベンジル基、フエニルエチル基、メチ
ルフエニルエチル基、フエニルプロピル基、フエ
ニルブチル基などが用いられ、なかでもベンジル
基、メチルベンジル基などが好適である。また
R2に用いられるアルキル基としてはヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル
基、オクタデシル基、ヘキサデシル基、エイコサ
ニル基およびこれらと炭素数が同一で分枝れした
構造のものなどが好ましく用いられ、なかでもヘ
キシル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル
基などが特に好ましい。シクロアルキル基として
はシクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、
エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル
基、ヘキシルシクロヘキシル基、シクロオクチル
基、メチルシクロオクチル基、シクロドデシル基
などが用いられる。アリール基としてはフエニル
基、トルイル基、ブチルフエニル基、デシルフエ
ニル基、ドデシルフエニル基が用いられる。アリ
ールアルキル基としてはベンジル基、フエニルエ
チル基、フエニルプロピル基、フエニルブチル
基、フエニルヘキシル基、フエニルオクチル基、
フエニルドデシル基、メチルフエニルブチル基、
エチルフエニルヘキシル基、メチルフエニルドデ
シル基などが用いられ、なかでもフエニルヘキシ
ル基、フエニルドデシル基、フエニルオクチル基
などが特に好ましく用いられる。また式中ｍとと
ｎの比は80〜10／20〜90、好ましくは70〜40／30
〜60のものである。この範囲外ではサーモトロピ
ツク コレステリツク液晶性が明確に出現しな
い。またｍ＋ｎ、すなわち、重合度は50〜2000、
好ましくは100〜1500である。重合度が50未満で
は液晶構造が発現しにくく、重合度が大きすぎる
ものは成形性の悪化やコレステリツク構造の成長
が遅くなるなどして実用的でなくなる。 本発明で用いられる共重合体は様々な方法によ
つて得ることができる。たとえば当該分野で公知
のNCA法による方法がある。所定の２種のＮ−
カルボキシグルタミン酸−γ−エステル無水物
（NCA）の共重合によつて本発明の共重合体を得
ることができる。またポリ（γ−メチル−Ｌ−グ
ルタメート）あるいはポリ（γ−ベンジル−Ｌ−
グルタメート）のようなポリマーをまず合成し、
次に所定のアルコールを用いてポリマーのエステ
ル基の１部をエステル交換する方法も好ましく採
用される。 本発明のサーモトロピツクコレステリツク液晶
性を有するグルタミン酸エステル共重合体は記録
媒体として最適な次の特徴を有する。 (1) 工業的入手容易なグルタミン酸を原料として
合成されるポリマーであるために製造が容易で
安価であり、また毒性がない。 (2) 容易に薄膜が得られる。 (3) 記録が小孔を生成させる方式でなく、単にラ
ンダム構造からコレステリツク構造への分子配
向の変化を利用するもので、書き込みに要する
エネルギーが小さい。 (4) したがつて少ないエネルギーで容易に記録を
消去できる。 (5) コレステリツク構造に特有の光の選択反射を
利用するために、記録部分と記録のない部分と
の反射率の差が大きく、また読み出し感度も大
きくＳ／Ｎ比が高い。 (6) 液晶転位温度以上に加熱しない限りコレステ
リツク構造は半永久的に保持され、したがつて
記録は安定に保存される。 本発明の共重合体は記録層として0.01〜10μｍ、
好ましくは0.1〜5μｍの膜厚で使用される。コレ
ステリツク液晶を形成する温度は共重合体の重合
度、組成あるいはエステル基の種類により室温か
ら250℃まで変化するが、記録の保存の点から100
℃〜200℃に液晶形成領域が存在するべく重合度、
組成あるいはエステル基の種類を選ぶことが望ま
しい。 またコレステリツク液晶の選択反射波長λは、
コレステリツクピツチをｐ、平均屈折率をｎとし
たとき、光が面に垂直に入射する場合λ＝ｎ・ｐ
であらわされる。ｐはエステル基の種類、組成お
よび温度によつて決るから、読み出しに用いるレ
ーザー光の波長と同じ波長の光を選択反射させる
ためには、エステル基の種類および組成を選びか
つ書き込みのレーザー光の出力、パルスなどの照
射条件を適当に設定することにより達成すること
ができる。 以上説明したサーモトロピツクコレステリツク
液晶性グルタミン酸エステル共重合体を記録材料
とする記録媒体は、He−Neレーザー、半導体レ
ーザーなどのレーザー光を用いて書き込みおよび
読み出しを行う光デイスクメモリーに最適で、追
記型光デイスク用記録媒体としてはもちろん、書
き換え可能型光デイスク用記録媒体としても用い
られる。 実施例 参考例 １ NCA法により合成したポリ（γ−ベンジル−
Ｌ−グルタメート）（分子量15000、平均重合度
69）20ｇを１，２−ジクロロエタン300mlに溶解
し、ｎ−ドデシルアルコール150ml、ｐ−トルエ
ンスホン酸５ｇを加えて60℃で15時間反応を行つ
た。反応液を大量のメタノール中に投入してポリ
マーを析出させたのち、過、乾燥を行つた。次
に１，２−ジクロロエタンに再溶解してメタノー
ルで再沈を行つたのち過、乾燥して精製γ−ベ
ンジル−Ｌ−グルタメート−γ−ドデシル−Ｌ−
グルタメート共重合体を得た。NMR測定の結果
ベンジルエステルとドデシルエステルの比は61：
39であつた。 実施例 １ 参考例１で合成したポリマーの５％１，２−ジ
クロロエタン溶液を用いてポリ（４−メチル−１
−ペンテン）基盤上にスピナーで乾燥後の厚さが
1μｍになるように塗付し、室温で風乾後さらに
同温度で2hr真空乾燥して記録層とした。次に記
録層の上に黒色シートをのせ、その上にポリエチ
レンテレフタレートフイルムをのせ、外周部をエ
ポキシ系封止剤で封じた４層構造のデイスクを作
製した。 次に発振波長0.83μｍの半導体レーザー（強度
５ｍＷ）をレンズで1μｍのスポツトとなるよう
に集光し、基盤を１ｍ／secの線速度となるよう
に回転させながら、基盤を通して書き込みを行つ
た。 記録された部分に小孔は形成されずに直径1μ
ｍの大きさで0.83μｍの波長の光を39％反射し、
記録のない部分の反射率は５％であつた。次にレ
ーザー光強度を１ｍＷに減少し基盤を通して再生
を行つたところ、Ｓ／Ｎ比56dBという値が得ら
れた。 実施例 ２ 実施例１で書き込みを行つたデイスクに、He
−Neレーザー光をレンズにより長軸10μｍ、短軸
1μｍの長円形に集光して同様に照射したところ、
記録部分の0.83μｍの光の反射率も５％となり記
録は完全に消去された。次に消去されたデイスク
に実施例１と同様にして再度書き込みを行い、温
度80℃、相対湿度80％で３ケ月保存したのち再生
実験を行つたところＳ／Ｎ比56dBの値が得られ
劣化はまつたく観察されなかつた。 実施例 ３〜８ 参考例１と同様の手法で各種グルタミン酸エス
テル共重合体を合成し、実施例１と同様にしてデ
イスクを作製し、実施例１および実施例２で述べ
た再生実験、消去実験および保存性試験を行い表
１の結果を得た。これ結果は本実施例の記録媒体
がすぐれた性能を有することを示す。
本発明の記録媒体は安価で、毒性がなく容易に
薄膜加工でき、レーザー光を用いて低エネルギー
で書き込みができ、再生のＳ／Ｎ比が高く保存性
にすぐれ、かつ書き換え可能なすぐれた記録材料
であり、追記型光デイスクメモリーおよび書き換
え型光メモリーに好適に用いられるものである。
薄膜加工でき、レーザー光を用いて低エネルギー
で書き込みができ、再生のＳ／Ｎ比が高く保存性
にすぐれ、かつ書き換え可能なすぐれた記録材料
であり、追記型光デイスクメモリーおよび書き換
え型光メモリーに好適に用いられるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体と該支持体上に設けられた記録層とを
有する記録媒体に於て、該記録層が下記一般式で
表わされるサーモトロピツクコレステリツク液晶
性グルタミン酸エステル共重合体より成ることを
特徴とする記録媒体。 （ここでR1は炭素数１から10の、またR2は炭素
数６から30のアルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基およびアリールアルキル基より成る群か
ら選ばれ、（ただしR1とR2は同一でない）ｍおよ
びｎは50≦ｍ＋ｎ≦2000、ｍ／ｎ＝80〜10／20〜
90である。）
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61015779A JPS62175939A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 記録媒体 |
| EP87300703A EP0232113A3 (en) | 1986-01-29 | 1987-01-28 | Recording medium including a glutamate copolymer |
| US07/236,338 US4857427A (en) | 1986-01-29 | 1988-08-19 | Recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61015779A JPS62175939A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62175939A JPS62175939A (ja) | 1987-08-01 |
| JPH0428239B2 true JPH0428239B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=11898298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61015779A Granted JPS62175939A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4857427A (ja) |
| EP (1) | EP0232113A3 (ja) |
| JP (1) | JPS62175939A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5272552A (en) * | 1988-05-11 | 1993-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device and method using modulation layer of helical polymer liquid crystal having a helical chiral smectic C phase |
| US5019476A (en) * | 1988-11-16 | 1991-05-28 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US5138026A (en) * | 1989-02-15 | 1992-08-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Polypeptide thin film |
| US5117297A (en) * | 1990-08-09 | 1992-05-26 | Western Publishing Company | Liquid crystal writing slate with DC imaging system |
| US5111316A (en) * | 1990-08-09 | 1992-05-05 | Western Publishing Company | Liquid crystal writing state |
| US5136404A (en) * | 1990-08-09 | 1992-08-04 | Western Publishing Company | Liquid crystal writing slate with improved light-transmission retention |
| US5115330A (en) * | 1990-08-09 | 1992-05-19 | Western Publishing Company | Liquid crystal writing slate |
| JP2763263B2 (ja) * | 1992-12-31 | 1998-06-11 | 第一合纖株式會社 | 光記録媒体 |
| US5786123A (en) * | 1996-03-19 | 1998-07-28 | Eastman Kodak Company | Optical recording elements comprising a polymeric dye |
| AU1722700A (en) * | 1998-11-16 | 2000-06-05 | Cambridge Scientific, Inc. | Biopolymer-based holographic optical element |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3119794A (en) * | 1960-09-06 | 1964-01-28 | California Research Corp | Poly-gamma-esters of optically active glutamic acid |
| US3655971A (en) * | 1969-08-12 | 1972-04-11 | Xerox Corp | Imaging system |
| JPS62116629A (ja) * | 1985-06-10 | 1987-05-28 | Nippon Oil Co Ltd | サ−モトロピツク・コレステリツク液晶性ポリペプチド |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP61015779A patent/JPS62175939A/ja active Granted
-
1987
- 1987-01-28 EP EP87300703A patent/EP0232113A3/en not_active Ceased
-
1988
- 1988-08-19 US US07/236,338 patent/US4857427A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4857427A (en) | 1989-08-15 |
| EP0232113A2 (en) | 1987-08-12 |
| JPS62175939A (ja) | 1987-08-01 |
| EP0232113A3 (en) | 1989-08-09 |
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