JPH04284618A - 光学マスクの製造方法 - Google Patents
光学マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH04284618A JPH04284618A JP3049297A JP4929791A JPH04284618A JP H04284618 A JPH04284618 A JP H04284618A JP 3049297 A JP3049297 A JP 3049297A JP 4929791 A JP4929791 A JP 4929791A JP H04284618 A JPH04284618 A JP H04284618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- light
- mask
- film
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，光学マスクの製造方法
，特に半導体装置の製造工程において使用される位相シ
フトマスクの製造方法に関する。「マスク」は，マスタ
マスク（原寸マスク）およびレチクル（拡大マスク）の
総称として用いる。
，特に半導体装置の製造工程において使用される位相シ
フトマスクの製造方法に関する。「マスク」は，マスタ
マスク（原寸マスク）およびレチクル（拡大マスク）の
総称として用いる。
【０００２】近年，半導体集積回路装置の高集積化に伴
い，リソグラフィ工程の微細化が要求されている。この
ため，露光装置においては，縮小投影露光装置（ステッ
パ）の高ＮＡ化および光源の短波長化が進められ，レジ
ストにおいても高解像度化が図られてきた。また，光学
マスクの分野では，位相シフト法を用いた光学マスクの
開発が進められている。
い，リソグラフィ工程の微細化が要求されている。この
ため，露光装置においては，縮小投影露光装置（ステッ
パ）の高ＮＡ化および光源の短波長化が進められ，レジ
ストにおいても高解像度化が図られてきた。また，光学
マスクの分野では，位相シフト法を用いた光学マスクの
開発が進められている。
【０００３】
【従来の技術】図５および図６は，従来例を示す図であ
り，従来の位相シフトマスクの製造方法の各工程を示し
ている。以下，工程順に説明する。 ［工程１，図５（ａ）］石英基板５１上にクロム（Ｃｒ
）膜５２を付着させる。
り，従来の位相シフトマスクの製造方法の各工程を示し
ている。以下，工程順に説明する。 ［工程１，図５（ａ）］石英基板５１上にクロム（Ｃｒ
）膜５２を付着させる。
【０００４】［工程２，図５（ｂ）］全面にレジスト５
３を塗布した後，パターニングを行う。 ［工程３，図５（ｃ）］レジスト５３をマスクとし，ク
ロム（Ｃｒ）膜５２および石英基板５１をエッチングし
て開口部５４ａ，５４ｂを形成する。
３を塗布した後，パターニングを行う。 ［工程３，図５（ｃ）］レジスト５３をマスクとし，ク
ロム（Ｃｒ）膜５２および石英基板５１をエッチングし
て開口部５４ａ，５４ｂを形成する。
【０００５】［工程４，図５（ｃ），図６（ｄ）］開口
部５４ａ，５４ｂの側壁に露出したクロム（Ｃｒ）膜５
２をサイドエッチングして所定の幅だけ除去する。 ［工程５，図６（ｄ），（ｅ）］レジスト５３を剥離す
る。
部５４ａ，５４ｂの側壁に露出したクロム（Ｃｒ）膜５
２をサイドエッチングして所定の幅だけ除去する。 ［工程５，図６（ｄ），（ｅ）］レジスト５３を剥離す
る。
【０００６】以上の各工程を経て位相シフトマスクが完
成する。
成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】位相シフトマスクは，
露光用放射光が図６（ｅ）に示す開口部５４ａ，５４ｂ
を透過するとき，部分Ａを透過した光と部分Ｂを透過し
た光との位相差が１８０度となるようにして解像度を高
めるものである。この条件を満たすためには，開口部５
４ａ，５４ｂの部分Ａのエッチング深さｔを次式で表さ
れる値にする必要がある。
露光用放射光が図６（ｅ）に示す開口部５４ａ，５４ｂ
を透過するとき，部分Ａを透過した光と部分Ｂを透過し
た光との位相差が１８０度となるようにして解像度を高
めるものである。この条件を満たすためには，開口部５
４ａ，５４ｂの部分Ａのエッチング深さｔを次式で表さ
れる値にする必要がある。
【０００８】ｔ＝λ／２（ｎ−１）
ここで，λは露光波長，ｎは石英の屈折率したがって，
開口部５４ａ，５４ｂの部分Ａのエッチング深さがマス
ク面内において均一であることが要求される。また，開
口部５４ａ，５４ｂの部分Ｂの幅も解像度の点で重要で
あり，マスク面内において均一であることが要求される
。
開口部５４ａ，５４ｂの部分Ａのエッチング深さがマス
ク面内において均一であることが要求される。また，開
口部５４ａ，５４ｂの部分Ｂの幅も解像度の点で重要で
あり，マスク面内において均一であることが要求される
。
【０００９】従来，開口部５４ａ，５４ｂの部分Ａのエ
ッチング，すなわち石英基板５１のエッチングには，反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を使用していた。また
，開口部５４ａ，５４ｂの部分Ｂを形成するためのクロ
ム（Ｃｒ）膜５２のサイドエッチングには，ウエットエ
ッチングを使用していた。エッチング量は，ＲＩＥ時お
よびウエットエッチング時の環境ないし雰囲気，および
エッチングに要する時間を制御して決めていた。
ッチング，すなわち石英基板５１のエッチングには，反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を使用していた。また
，開口部５４ａ，５４ｂの部分Ｂを形成するためのクロ
ム（Ｃｒ）膜５２のサイドエッチングには，ウエットエ
ッチングを使用していた。エッチング量は，ＲＩＥ時お
よびウエットエッチング時の環境ないし雰囲気，および
エッチングに要する時間を制御して決めていた。
【００１０】ところが，エッチング時の環境ないし雰囲
気，およびエッチング時間を予め定めた通りに制御する
ことは難しい。このため，エッチング時に環境ないし雰
囲気が予め定めたものと異なったり，エッチング時間の
制御性が悪かったりすると，エッチング量は，所定の値
からずれたものとなる。その結果，開口部５４ａ，５４
ｂの部分Ａのエッチング深さおよび部分Ｂの幅がマスク
面内において不均一になってしまう。また，マスクを製
造する毎に異なったものができてしまい，再現性が悪い
。
気，およびエッチング時間を予め定めた通りに制御する
ことは難しい。このため，エッチング時に環境ないし雰
囲気が予め定めたものと異なったり，エッチング時間の
制御性が悪かったりすると，エッチング量は，所定の値
からずれたものとなる。その結果，開口部５４ａ，５４
ｂの部分Ａのエッチング深さおよび部分Ｂの幅がマスク
面内において不均一になってしまう。また，マスクを製
造する毎に異なったものができてしまい，再現性が悪い
。
【００１１】以上のように，従来の位相シフトマスクの
製造方法には，透過部をマスク面内に均一に形成するこ
とができない，再現性が悪い，という問題があった。本
発明は，この問題点を解決して，面内の均一性を高め，
再現性を良好にし，解像度を高くすることのできる光学
マスクの製造方法，特に半導体装置の製造工程において
使用される位相シフトマスクの製造方法を提供すること
を目的とする。
製造方法には，透過部をマスク面内に均一に形成するこ
とができない，再現性が悪い，という問題があった。本
発明は，この問題点を解決して，面内の均一性を高め，
再現性を良好にし，解像度を高くすることのできる光学
マスクの製造方法，特に半導体装置の製造工程において
使用される位相シフトマスクの製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，本発明は，次のように構成する。 （１）半導体装置の製造工程において使用される位相シ
フトマスクの製造方法であって，透明ガラス基板の全面
に遮光膜を付着させる工程と，全面にレジストを塗布し
た後，該レジストを露光・現像して選択的に開口を形成
する工程と，レジストをマスクとし，遮光膜をエッチン
グして開口部を形成する工程と，開口部の側壁に露出し
た遮光膜を酸化して透過膜に変化させる工程と，レジス
トを剥離する工程とを含むように構成する。
めに，本発明は，次のように構成する。 （１）半導体装置の製造工程において使用される位相シ
フトマスクの製造方法であって，透明ガラス基板の全面
に遮光膜を付着させる工程と，全面にレジストを塗布し
た後，該レジストを露光・現像して選択的に開口を形成
する工程と，レジストをマスクとし，遮光膜をエッチン
グして開口部を形成する工程と，開口部の側壁に露出し
た遮光膜を酸化して透過膜に変化させる工程と，レジス
トを剥離する工程とを含むように構成する。
【００１３】（２）半導体装置の製造工程において使用
される位相シフトマスクの製造方法であって，透明ガラ
ス基板の全面に遮光膜を付着させる工程と，全面に遮光
膜を構成する物質の酸化物から成る透過膜を付着させる
工程と，全面にレジストを塗布した後，該レジストを露
光・現像して選択的に開口を形成する工程と，レジスト
をマスクとし，前記透過膜および遮光膜をエッチングし
て開口部を形成する工程と，開口部の側壁に露出した遮
光膜を酸化して透過膜に変化させる工程と，レジストを
剥離する工程とを含むように構成する。
される位相シフトマスクの製造方法であって，透明ガラ
ス基板の全面に遮光膜を付着させる工程と，全面に遮光
膜を構成する物質の酸化物から成る透過膜を付着させる
工程と，全面にレジストを塗布した後，該レジストを露
光・現像して選択的に開口を形成する工程と，レジスト
をマスクとし，前記透過膜および遮光膜をエッチングし
て開口部を形成する工程と，開口部の側壁に露出した遮
光膜を酸化して透過膜に変化させる工程と，レジストを
剥離する工程とを含むように構成する。
【００１４】
【作用】本発明では，透明ガラス基板の全面に遮光膜を
付着させた後，遮光膜を選択的に酸化して透過膜に変化
させることにより，位相シフト部を形成している。これ
により，従来のように制御の困難なエッチングを行うこ
となく，面内均一で再現性良好な位相シフトマスクを製
造することが可能になる。したがって，本発明は，容易
に酸化することができ，かつ酸化することによって透過
率が向上する物質を遮光膜として用いることがポイント
になる。
付着させた後，遮光膜を選択的に酸化して透過膜に変化
させることにより，位相シフト部を形成している。これ
により，従来のように制御の困難なエッチングを行うこ
となく，面内均一で再現性良好な位相シフトマスクを製
造することが可能になる。したがって，本発明は，容易
に酸化することができ，かつ酸化することによって透過
率が向上する物質を遮光膜として用いることがポイント
になる。
【００１５】以上の条件を満たす物質として，ポリシリ
コン，アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），マグネ
シウム（Ｍｇ）などがある。これらの物質は容易に酸化
することができ，酸化すると，それぞれＳｉＯ２ ，Ａ
ｌ２Ｏ３ ，ＴｉＯ２ ，ＭｇＯと成る。
コン，アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），マグネ
シウム（Ｍｇ）などがある。これらの物質は容易に酸化
することができ，酸化すると，それぞれＳｉＯ２ ，Ａ
ｌ２Ｏ３ ，ＴｉＯ２ ，ＭｇＯと成る。
【００１６】
【実施例】（第１実施例）図１および図２は，本発明の
第１の実施例の各工程を示す図である。以下，工程順に
説明する。
第１の実施例の各工程を示す図である。以下，工程順に
説明する。
【００１７】［工程１，図１（ａ）］石英基板１１上に
，スパッタ法を用いて，ポリシリコン１２を全面に付着
させた。 ［工程２，図１（ｂ）］全面にレジスト１３を塗布した
後，ＥＢ（電子ビーム）露光法を用いて，パターニング
を行った。
，スパッタ法を用いて，ポリシリコン１２を全面に付着
させた。 ［工程２，図１（ｂ）］全面にレジスト１３を塗布した
後，ＥＢ（電子ビーム）露光法を用いて，パターニング
を行った。
【００１８】［工程３，図１（ｃ）］レジスト１３をマ
スクとし，ポリシリコン膜１２をＲＩＥ法を用いてエッ
チングして開口部１４ａ，１４ｂを形成した。 ［工程４，図１（ｃ），図２（ｄ）］開口部１４ａ，１
４ｂの側壁に露出したポリシリコン膜１２を陽極酸化し
てＳｉＯ２ １５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄに変化さ
せた。
スクとし，ポリシリコン膜１２をＲＩＥ法を用いてエッ
チングして開口部１４ａ，１４ｂを形成した。 ［工程４，図１（ｃ），図２（ｄ）］開口部１４ａ，１
４ｂの側壁に露出したポリシリコン膜１２を陽極酸化し
てＳｉＯ２ １５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄに変化さ
せた。
【００１９】［工程５，図２（ｄ），（ｅ）］レジスト
１３を剥離した。 以上の各工程を経て完成した位相シフトマスクは，ポリ
シリコン膜１２から成る遮光部，開口部１４ａ，１４ｂ
から成る透過部，およびＳｉＯ２ 膜１５ａ，１５ｂ，
１５ｃ，１５ｄから成る位相シフト部から構成される。
１３を剥離した。 以上の各工程を経て完成した位相シフトマスクは，ポリ
シリコン膜１２から成る遮光部，開口部１４ａ，１４ｂ
から成る透過部，およびＳｉＯ２ 膜１５ａ，１５ｂ，
１５ｃ，１５ｄから成る位相シフト部から構成される。
【００２０】本実施例において，位相シフト部（ＳｉＯ
２ 膜１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ）の厚さｔが，
ｔ＝λ／２（ｎ−１） ここで，λは露光波長，ｎはＳｉＯ２ の屈折率を満足
するとき，透過部を透過した光と位相シフト部を透過し
た光の位相差が１８０度となるので，パターン部の光強
度が最も強くなる。
２ 膜１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ）の厚さｔが，
ｔ＝λ／２（ｎ−１） ここで，λは露光波長，ｎはＳｉＯ２ の屈折率を満足
するとき，透過部を透過した光と位相シフト部を透過し
た光の位相差が１８０度となるので，パターン部の光強
度が最も強くなる。
【００２１】位相シフト部の厚さｔは，ポリシリコン膜
１２の厚さと同一であるから，上記の条件を満たすため
には，工程１〔図１（ａ）〕において，石英基板１１上
に付着させるポリシリコン膜１２の厚さをｔにすればよ
い。一例として，ｇ線（波長λ＝４３６ｎｍ）による露
光の場合，ＳｉＯ２ の屈折率ｎ≒１．４５であるから
，ポリシリコン膜１２の厚さｔ≒４８００Åとなる。
１２の厚さと同一であるから，上記の条件を満たすため
には，工程１〔図１（ａ）〕において，石英基板１１上
に付着させるポリシリコン膜１２の厚さをｔにすればよ
い。一例として，ｇ線（波長λ＝４３６ｎｍ）による露
光の場合，ＳｉＯ２ の屈折率ｎ≒１．４５であるから
，ポリシリコン膜１２の厚さｔ≒４８００Åとなる。
【００２２】（第２実施例）図３および図４は，本発明
の第２の実施例の各工程を示す図である。以下，工程順
に説明する。 ［工程１，図３（ａ）］石英基板２１上に，スパッタ法
を用いて，ポリシリコン膜２２を全面に付着させた。
の第２の実施例の各工程を示す図である。以下，工程順
に説明する。 ［工程１，図３（ａ）］石英基板２１上に，スパッタ法
を用いて，ポリシリコン膜２２を全面に付着させた。
【００２３】全面に，スパッタ法を用いて，ＳｉＯ２
膜２３を付着させた。 ［工程２，図３（ｂ）］全面にレジスト２４を塗布した
後，ＥＢ露光法を用いて，パターニングを行った。
膜２３を付着させた。 ［工程２，図３（ｂ）］全面にレジスト２４を塗布した
後，ＥＢ露光法を用いて，パターニングを行った。
【００２４】［工程３，図３（ｃ）］レジスト２４をマ
スクとし，ＳｉＯ２膜２３およびポリシリコン膜２２を
ＲＩＥ法を用いてエッチングして開口部２５ａ，２５ｂ
を形成した。 ［工程４，図３（ｃ），図４（ｄ）］開口部２５ａ，２
５ｂの側壁に露出したポリシリコン膜２２を陽極酸化し
てＳｉＯ２ ２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに変化さ
せた。
スクとし，ＳｉＯ２膜２３およびポリシリコン膜２２を
ＲＩＥ法を用いてエッチングして開口部２５ａ，２５ｂ
を形成した。 ［工程４，図３（ｃ），図４（ｄ）］開口部２５ａ，２
５ｂの側壁に露出したポリシリコン膜２２を陽極酸化し
てＳｉＯ２ ２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄに変化さ
せた。
【００２５】［工程５，図４（ｄ），（ｅ）］レジスト
２４を剥離した。以上の各工程を経て完成した位相シフ
トマスクは，ポリシリコン膜２２から成る遮光部，開口
部２５ａ，２５ｂから成る透過部，および開口部２５ａ
，２５ｂの側壁に形成されたＳｉＯ２ 膜２６ａ，２６
ｂ，２６ｃ，２６ｄおよびその上のＳｉＯ２ 膜２３か
ら成る位相シフト部から構成される。ポリシリコン膜２
２上のＳｉＯ２ 膜２３は，保護膜として機能する。
２４を剥離した。以上の各工程を経て完成した位相シフ
トマスクは，ポリシリコン膜２２から成る遮光部，開口
部２５ａ，２５ｂから成る透過部，および開口部２５ａ
，２５ｂの側壁に形成されたＳｉＯ２ 膜２６ａ，２６
ｂ，２６ｃ，２６ｄおよびその上のＳｉＯ２ 膜２３か
ら成る位相シフト部から構成される。ポリシリコン膜２
２上のＳｉＯ２ 膜２３は，保護膜として機能する。
【００２６】本実施例において，位相シフト部（ＳｉＯ
２ 膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄおよびその上の
ＳｉＯ２ 膜２３）の厚さｔが， ｔ＝λ／２（ｎ−１） ここで，λは露光波長，ｎはＳｉＯ２ の屈折率を満足
するとき，透過部を透過した光と位相シフト部を透過し
た光の位相差が１８０度となるので，パターン部の光強
度が最も強くなる。
２ 膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄおよびその上の
ＳｉＯ２ 膜２３）の厚さｔが， ｔ＝λ／２（ｎ−１） ここで，λは露光波長，ｎはＳｉＯ２ の屈折率を満足
するとき，透過部を透過した光と位相シフト部を透過し
た光の位相差が１８０度となるので，パターン部の光強
度が最も強くなる。
【００２７】位相シフト部の厚さｔは，ＳｉＯ２ 膜２
６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄの厚さをｔ１ ，ＳｉＯ
２ 膜２３の厚さをｔ２ とすると， ｔ＝ｔ１ ＋ｔ２ と表される。ＳｉＯ２ 膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２
６ｄの厚さは，ポリシリコン膜２２の厚さと同一である
から，この条件を満たすためには，工程１〔図３（ａ）
〕において，石英基板２１上に付着させるポリシリコン
膜２２の厚さをｔ１ とし，ＳｉＯ２ 膜２３の厚さを
ｔ２ にすればよい。一例として，ｇ線（波長λ＝４３
６ｎｍ）による露光の場合，ＳｉＯ２ の屈折率ｎ≒１
．４５であるから，ポリシリコン膜２２の厚さｔ１ ，
ＳｉＯ２ 膜２３の厚さｔ２ とすると，ｔ＝ｔ１ ＋
ｔ２ ≒４８００Åとなるように，ポリシリコン膜２２
およびＳｉＯ２ 膜２３の厚さを制御すればよい。
６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄの厚さをｔ１ ，ＳｉＯ
２ 膜２３の厚さをｔ２ とすると， ｔ＝ｔ１ ＋ｔ２ と表される。ＳｉＯ２ 膜２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２
６ｄの厚さは，ポリシリコン膜２２の厚さと同一である
から，この条件を満たすためには，工程１〔図３（ａ）
〕において，石英基板２１上に付着させるポリシリコン
膜２２の厚さをｔ１ とし，ＳｉＯ２ 膜２３の厚さを
ｔ２ にすればよい。一例として，ｇ線（波長λ＝４３
６ｎｍ）による露光の場合，ＳｉＯ２ の屈折率ｎ≒１
．４５であるから，ポリシリコン膜２２の厚さｔ１ ，
ＳｉＯ２ 膜２３の厚さｔ２ とすると，ｔ＝ｔ１ ＋
ｔ２ ≒４８００Åとなるように，ポリシリコン膜２２
およびＳｉＯ２ 膜２３の厚さを制御すればよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば，面内均一性が高く，再
現性が良好で，解像度の高い，位相シフトマスクを製造
することが可能になる。
現性が良好で，解像度の高い，位相シフトマスクを製造
することが可能になる。
【図１】第１実施例（その１）を示す図である。
【図２】第１実施例（その２）を示す図である。
【図３】第２実施例（その１）を示す図である。
【図４】第２実施例（その２）を示す図である。
【図５】従来例（その１）を示す図である。
【図６】従来例（その２）を示す図である。
１１ 石英基板
１２ ポリシリコン膜
１３ レジスト
１４ 開口部
１５ ＳｉＯ２ 膜
２１ 石英基板
２２ ポリシリコン膜
２３ ＳｉＯ２ 膜
２４ レジスト
２５ 開口部
２６ ＳｉＯ２ 膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置の製造工程において使用さ
れる位相シフトマスクの製造方法であって，透明ガラス
基板の全面に遮光膜を付着させる工程と，全面にレジス
トを塗布した後，該レジストを露光・現像して選択的に
開口を形成する工程と，レジストをマスクとし，遮光膜
をエッチングして開口部を形成する工程と，開口部の側
壁に露出した遮光膜を酸化して透過膜に変化させる工程
と，レジストを剥離する工程とを含むことを特徴とする
光学マスクの製造方法。 - 【請求項２】 半導体装置の製造工程において使用さ
れる位相シフトマスクの製造方法であって，透明ガラス
基板の全面に遮光膜を付着させる工程と，全面に遮光膜
を構成する物質の酸化物から成る透過膜を付着させる工
程と，全面にレジストを塗布した後，該レジストを露光
・現像して選択的に開口を形成する工程と，レジストを
マスクとし，前記透過膜および遮光膜をエッチングして
開口部を形成する工程と，開口部の側壁に露出した遮光
膜を酸化して透過膜に変化させる工程と，レジストを剥
離する工程とを含むことを特徴とする光学マスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3049297A JPH04284618A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 光学マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3049297A JPH04284618A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 光学マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04284618A true JPH04284618A (ja) | 1992-10-09 |
Family
ID=12826991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3049297A Withdrawn JPH04284618A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 光学マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04284618A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030023453A (ko) * | 2001-06-20 | 2003-03-19 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 하프톤 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP2013254098A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびその製造方法 |
| JP2016181008A (ja) * | 2016-07-09 | 2016-10-13 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク |
| US11194245B2 (en) * | 2020-02-14 | 2021-12-07 | Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | Method of manufacturing phase-shifting photomask |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP3049297A patent/JPH04284618A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030023453A (ko) * | 2001-06-20 | 2003-03-19 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 하프톤 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP2013254098A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびその製造方法 |
| JP2016181008A (ja) * | 2016-07-09 | 2016-10-13 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク |
| US11194245B2 (en) * | 2020-02-14 | 2021-12-07 | Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | Method of manufacturing phase-shifting photomask |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5358808A (en) | Exposure mask, method of manufacturing the same, and exposure method using the same | |
| JP2002189280A (ja) | グレートーンマスク及びその製造方法 | |
| JP3566042B2 (ja) | 露光量調節による位相反転マスクの製造方法 | |
| JP2715285B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP3351485B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH1124231A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスク、及びその製造方法 | |
| US5455131A (en) | Method for fabrication of lithography mask | |
| JPH07152140A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH04284618A (ja) | 光学マスクの製造方法 | |
| JP2002318449A (ja) | 位相シフト・マスク | |
| JP3202253B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法及び露光用マスク | |
| JPH04204653A (ja) | 露光用マスクおよびその製造方法 | |
| JP3485071B2 (ja) | フォトマスク及び製造方法 | |
| JP3257130B2 (ja) | エッジ強調型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2652341B2 (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
| JPH04223464A (ja) | フォトマスク | |
| JPH07281414A (ja) | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクとその製造方法 | |
| US6348288B1 (en) | Resolution enhancement method for deep quarter micron technology | |
| JPH06118615A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH03242648A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JP2681610B2 (ja) | リソグラフイマスクの製造方法 | |
| JP3173314B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| KR0127660B1 (ko) | 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법 | |
| JPH04258955A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH07152146A (ja) | 位相シフトマスクの作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |