JPH04284703A - Dielectric filter comprising multi-layer board - Google Patents
Dielectric filter comprising multi-layer boardInfo
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、多層基板による誘電体
フィルタに関し、更に詳しく言えば、各種通信機器等に
おいて、高周波フィルタとして用いられる多層基板によ
る誘電体フィルタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric filter using a multilayer substrate, and more particularly, to a dielectric filter using a multilayer substrate used as a high frequency filter in various communication devices.
【0002】0002
【従来の技術】図6は、従来の高周波回路例を示した図
であり、図中、1はフィルタ、2は入力側インピーダン
ス変換回路、3は出力側インピーダンス変換回路、4,
5は回路を示す。2. Description of the Related Art FIG. 6 is a diagram showing an example of a conventional high-frequency circuit. In the figure, 1 is a filter, 2 is an input-side impedance conversion circuit, 3 is an output-side impedance conversion circuit, 4,
5 indicates a circuit.
【0003】従来、高周波フィルタには各種のフィルタ
が使われていたが、その内例えば、多層基板による誘電
体フィルタが知られていた。誘電体フィルタの場合、フ
ィルタを構成する共振器が大きいため、フィルタ全体が
大型化してしまう。この共振器を小型化、薄型化するた
めに、多層基板の応用が考えられていた。Conventionally, various types of filters have been used as high frequency filters, and among them, for example, a dielectric filter using a multilayer substrate has been known. In the case of a dielectric filter, since the resonator that constitutes the filter is large, the entire filter becomes large. In order to make this resonator smaller and thinner, the use of multilayer substrates has been considered.
【0004】この多層基板による誘電体フィルタは、多
層基板にλ/4型共振器を内蔵したフィルタであり、フ
ィルタの小型化には有利な構造のフィルタである。This dielectric filter using a multilayer substrate is a filter in which a λ/4 type resonator is built into the multilayer substrate, and has a structure that is advantageous for miniaturization of the filter.
【0005】ところで、前記の多層基板による誘電体フ
ィルタを構成する場合、共振器の共振導体と、これを両
側で挟んだGND電極との間隔を所定の距離に設定する
には容易でなくまたは、小型化のため多層基板の誘電体
層に、高誘電率材料を使用することになるが、このよう
にすると、更に入出力のインピーダンスが低下する。By the way, when constructing a dielectric filter using the above-mentioned multilayer substrate, it is not easy to set the distance between the resonant conductor of the resonator and the GND electrodes sandwiching the resonant conductor on both sides to a predetermined distance, or For miniaturization, a high dielectric constant material is used for the dielectric layer of the multilayer substrate, but this further reduces the input/output impedance.
【0006】通常、高周波回路の設計に際しては、ライ
ンインピーダンスを適当な値に設定して(例えば50Ω
)として設計する。しかし、前記のようにフィルタの小
型をして行くと、入出力のインピーダンスが50Ωより
も小さくなる。Normally, when designing a high frequency circuit, the line impedance is set to an appropriate value (for example, 50Ω).
). However, as the filter is made smaller as described above, the input/output impedance becomes smaller than 50Ω.
【0007】そこで、多層基板による誘電体フィルタを
用いて高周波回路を設計する場合、図6のように構成す
る必要がある。Therefore, when designing a high frequency circuit using a dielectric filter made of a multilayer substrate, it is necessary to configure it as shown in FIG.
【0008】この回路では、フィルタ1(多層基板によ
る誘電体フィルタ)の入力側に、入力側インピーダンス
変換回路2を設け、出力側に、出力側インピーダンス変
換回路3を設けることにより、回路間のインピーダンス
整合設計を行い、ラインインピーダンス50Ωに整合さ
せる。In this circuit, an input impedance conversion circuit 2 is provided on the input side of the filter 1 (a dielectric filter made of a multilayer substrate), and an output impedance conversion circuit 3 is provided on the output side, thereby changing the impedance between the circuits. Perform a matching design and match the line impedance to 50Ω.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。
(1)図6のように、フィルタの入力側及び出力側に、
それぞれインピーダンス変換回路を設けた整合設計の場
合、フィルタを小型化しても、高周波回路全体としては
あまり小型化できない(インピーダンス変換回路の分だ
け大型となる)。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional devices as described above have the following problems. (1) As shown in Figure 6, on the input and output sides of the filter,
In the case of a matching design in which each impedance conversion circuit is provided, even if the filter is made smaller, the high frequency circuit as a whole cannot be made much smaller (it becomes larger due to the impedance conversion circuit).
【0010】(2)多層基板による誘電体フィルタで、
入出力のインピーダンスをラインインピーダンスに整合
させて設計するためには、GNDと共振導体の間の誘電
体層を厚くする必要がある。(2) A dielectric filter using a multilayer substrate,
In order to design the input/output impedance to match the line impedance, it is necessary to thicken the dielectric layer between GND and the resonant conductor.
【0011】しかし、厚くするには、グリーンシートの
積層回数を増加しなければならず、製造上も困難をとも
なう。また厚くすることで、フィルタ、特に共振器の小
型化も困難となる。[0011] However, in order to increase the thickness, it is necessary to increase the number of times the green sheets are laminated, which is also difficult to manufacture. Furthermore, increasing the thickness also makes it difficult to downsize the filter, especially the resonator.
【0012】(3)多層基板による誘電体フィルタを小
型化するため、グリーンシートの積層回数を少なくする
と、誘電体層が薄くなり、入出力のインピーダンスが低
下する。(3) In order to miniaturize a dielectric filter using a multilayer substrate, if the number of stacking of green sheets is reduced, the dielectric layer becomes thinner and the input/output impedance decreases.
【0013】従って、入出力のインピーダンスを低下さ
せないで小型のフィルタを作るのは困難である。[0013] Therefore, it is difficult to make a small filter without lowering the input/output impedance.
【0014】(4)図6のように、フィルタの入出力側
に、インピーダンス変換回路を設けた設計では、高周波
回路を基板へ実装する際の工数が多くなり、かつ作業も
めんどうになる。(4) As shown in FIG. 6, in a design in which an impedance conversion circuit is provided on the input/output side of the filter, the number of steps required to mount the high frequency circuit on the board increases and the work becomes troublesome.
【0015】本発明は、このような従来の課題を解決し
、多層基板による誘電体フィルタの小型化を図り、かつ
製造を容易にすると共に、前記フィルタを用いた高周波
回路全体の小型化をも達成できるようにすることを目的
とする。The present invention solves these conventional problems, reduces the size of a dielectric filter using a multilayer substrate, facilitates manufacturing, and also reduces the size of the entire high frequency circuit using the filter. The aim is to make it achievable.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するため、多層基板に共振器を内蔵させた多層基板に
よる誘電体フィルタにおいて、前記誘電体フィルタの入
出力部に、それぞれインピーダンス変換部を付加すると
共に、これらのインピーダンス変換部を、多層基板に設
けて一体化した。[Means for Solving the Problems] In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a dielectric filter using a multilayer substrate in which a resonator is built into the multilayer substrate. In addition, these impedance converting sections were integrated by providing them on a multilayer substrate.
【0017】[0017]
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を説明する。[Operation] The operation of the present invention based on the above configuration will be explained.
【0018】多層基板による誘電体フィルタ(多層基板
に共振器を内蔵させたフィルタ)を小型化して行くと、
誘電体フィルタ(フィルタ部)の入出力インピーダンス
が低下する。As dielectric filters using multilayer substrates (filters with resonators built into multilayer substrates) are miniaturized,
The input/output impedance of the dielectric filter (filter section) decreases.
【0019】このインピーダンス低下は、誘電体フィル
タの(フィルタ部)の入出力部に付加されたインピーダ
ンス変換部によってインピーダンス変換される。This impedance reduction is converted into impedance by an impedance conversion section added to the input/output section of the dielectric filter (filter section).
【0020】従って、インピーダンス変換部を一体化し
た、本発明の多層基板による誘電体フィルタでは、入出
力のインピーダンスは、常にラインインピーダンス(通
常は50Ω)に整合させることができる。Therefore, in the dielectric filter using the multilayer substrate of the present invention in which the impedance conversion section is integrated, the input and output impedances can always be matched to the line impedance (usually 50Ω).
【0021】このようにすれば、多層基板による誘電体
フィルタを小型化した場合に生じる、入出力インピーダ
ンス低下があっても、内部のインピーダンス変換部で調
整できるから、誘電体フィルタの小型化が十分に行える
。[0021] In this way, even if there is a drop in input/output impedance that occurs when a dielectric filter using a multilayer substrate is miniaturized, it can be adjusted by the internal impedance conversion section, so that the dielectric filter can be sufficiently miniaturized. can be done.
【0022】また、フィルタの小型化、特に共振器の薄
型化ができれば、製造時において、グリーンシートの積
層回数も減らすことが可能となり、この点でも製造が容
易となる。[0022] Furthermore, if the filter can be made smaller, and in particular the resonator can be made thinner, it will be possible to reduce the number of times green sheets are laminated during manufacturing, which will also facilitate manufacturing.
【0023】更に、従来のように、フィルタの外部にイ
ンピーダンス変換回路を設けなくて済むので、その分、
本発明の誘電体フィルタを用いた高周波回路全体が小型
化される。Furthermore, since there is no need to provide an impedance conversion circuit outside the filter as in the conventional case,
The entire high frequency circuit using the dielectric filter of the present invention is miniaturized.
【0024】[0024]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be explained based on the drawings.
【0025】(第1実施例の説明)図1〜図3は、本発
明の第1実施例を示した図であり、図1は、多層基板に
よる誘電体フィルタの分解斜視図、図2は、図1のX−
Y線における断面図、図3は、図1に示した多層基板に
よる誘電体フィルタの回路を示した図である。(Description of the first embodiment) FIGS. 1 to 3 are diagrams showing the first embodiment of the present invention. FIG. 1 is an exploded perspective view of a dielectric filter using a multilayer substrate, and FIG. , X- in Figure 1
FIG. 3, a cross-sectional view taken along the Y line, is a diagram showing a dielectric filter circuit using the multilayer substrate shown in FIG.
【0026】図中、C1 ,C2 ,C3 ,C11,
C12,C21,C22はコンデンサ、L1 ,L2
はコイル、st1 ,st2 はλ/4型共振器、IN
は入力端子、OUTは出力端子、GNDはGND電極を
示す。In the figure, C1, C2, C3, C11,
C12, C21, C22 are capacitors, L1, L2
is a coil, st1 and st2 are λ/4 type resonators, IN
indicates an input terminal, OUT indicates an output terminal, and GND indicates a GND electrode.
【0027】また、10は多層基板による誘電体フィル
タ、11は入力側インピーダンス変換部、12は出力側
インピーダンス変換部、13は第1の誘電体層、14は
第2の誘電体層、15は第3の誘電体層、16〜18は
コンデンサ電極、19はブラインドスルーホール(内部
が導体で満たされたスルーホール)による接続を示す線
(説明用の線)である。Further, 10 is a dielectric filter made of a multilayer substrate, 11 is an input side impedance conversion section, 12 is an output side impedance conversion section, 13 is a first dielectric layer, 14 is a second dielectric layer, and 15 is a In the third dielectric layer, 16 to 18 are capacitor electrodes, and 19 is a line (explanatory line) indicating connection by a blind through hole (through hole filled with a conductor).
【0028】第1実施例においては、多層基板による誘
電体フィルタ回路10を、図3のように構成した。図3
において、λ/4型共振器st1,st2 とコンデン
サC3 がフィルタ部(2段構成)であり、このフィル
タ部の入力側に、入力側インピーダンス変換部11を接
続し、出力側に、出力側インピーダンス変換部12を接
続し、全体で誘電体フィルタ回路10を構成している。In the first embodiment, a dielectric filter circuit 10 using a multilayer substrate was constructed as shown in FIG. Figure 3
, the λ/4 type resonators st1, st2 and the capacitor C3 constitute a filter section (two-stage configuration), and the input side impedance conversion section 11 is connected to the input side of this filter section, and the output side impedance conversion section 11 is connected to the output side of the filter section. The conversion section 12 is connected to constitute a dielectric filter circuit 10 as a whole.
【0029】入力側インピーダンス変換部11は、一端
を接地したコンデンサC1 と、コイルL1 とを入力
端子INに接続した構成となっており、出力側インピー
ダンス変換部12は、一端を接地したコンデンサC2
と、コイルL2 とを出力端子OUTに接続した構成と
なっている。The input side impedance conversion unit 11 has a configuration in which a capacitor C1 with one end grounded and a coil L1 are connected to the input terminal IN, and the output side impedance conversion unit 12 has a capacitor C2 with one end grounded.
and the coil L2 are connected to the output terminal OUT.
【0030】通常、図3のような構成のフィルタは、高
周波成分(特に奇数次の高周波)の対策がやっかいであ
り、入力側と出力側をコンデンサで接地してやることに
より、通過帯より高周波側の帯域の減衰量を改善するこ
とができる。従って、前記のような点で理想的な回路構
成となっている。Normally, with a filter configured as shown in FIG. 3, it is difficult to deal with high frequency components (especially odd-order high frequencies), and by grounding the input and output sides with capacitors, it is possible to reduce the high frequency components beyond the pass band. Band attenuation can be improved. Therefore, it has an ideal circuit configuration in the above-mentioned respects.
【0031】そして、上記の入力側インピーダンス変換
回路11と出力側インピーダンス変換回路12は、それ
ぞれ多層基板によって誘電体フィルタを構成したことに
より、低くなった入出力インピーダンスの整合をとる回
路である。The input-side impedance conversion circuit 11 and the output-side impedance conversion circuit 12 described above are circuits that match the lowered input and output impedances by constructing dielectric filters using multilayer substrates.
【0032】従って、ラインインピーダンス(通常は5
0Ω)との整合がとれるように、その素子定数等を決め
る必要がある。なお、前記のインピーダンスは、通過帯
の周波数に調整される。Therefore, the line impedance (usually 5
It is necessary to determine the element constants etc. so that matching can be achieved with 0Ω). Note that the impedance is adjusted to the frequency of the passband.
【0033】以下、図3の回路を多層基板に実装した、
多層基板による誘電体フィルタの例を、図1、図2に基
づいて説明する。Below, the circuit of FIG. 3 is mounted on a multilayer board.
An example of a dielectric filter using a multilayer substrate will be explained based on FIGS. 1 and 2.
【0034】この例では、多層基板を、第1の誘電体層
13、第2の誘電体層14、第3の誘電体層15の3層
で構成した。In this example, the multilayer substrate is composed of three layers: a first dielectric layer 13, a second dielectric layer 14, and a third dielectric layer 15.
【0035】第1の誘電体層13上には、GND電極G
ND、入力端子IN、出力端子OUT、コイルL1 、
コイルL2 をそれぞれ厚膜導体パターン(厚膜導体の
印刷によるパターン)で形成する。A GND electrode G is provided on the first dielectric layer 13.
ND, input terminal IN, output terminal OUT, coil L1,
Each coil L2 is formed with a thick film conductor pattern (a pattern formed by printing a thick film conductor).
【0036】また第2の誘電体層14上には、2つのλ
/4型共振器st1,st2 とGND電極GNDとを
、厚膜導体パターンで一体に形成すると共に、コンデン
サ電極16,17を厚膜導体パターンで形成する。[0036] Also, on the second dielectric layer 14, there are two λ
The /4 type resonators st1, st2 and the GND electrode GND are integrally formed with a thick film conductor pattern, and the capacitor electrodes 16, 17 are formed with a thick film conductor pattern.
【0037】更に、第3の誘電体層15上には、GND
電極GNDと、コンデンサ電極18とを、厚膜導体パタ
ーンで形成する。Further, on the third dielectric layer 15, a GND
The electrode GND and the capacitor electrode 18 are formed with a thick film conductor pattern.
【0038】そして、コイルL1 の一端とλ/4型共
振器st1の一端間、入力端子INとコンデンサ電極1
6間、コイルL2 の一端とλ/4型共振器st2 の
一端間、出力端子OUTとコンデンサ電極17間、及び
λ/4型共振器st1 の一端と、コンデンサ電極18
間を、それぞれブラインドスルーホール(内部が導体で
満たされたスルーホール)により接続する(接続を示す
線19参照)。[0038] Then, between one end of the coil L1 and one end of the λ/4 type resonator st1, the input terminal IN and the capacitor electrode 1
6, between one end of the coil L2 and one end of the λ/4 type resonator st2, between the output terminal OUT and the capacitor electrode 17, and between one end of the λ/4 type resonator st1 and the capacitor electrode 18.
These are connected by blind through holes (through holes whose insides are filled with a conductor) (see line 19 indicating the connection).
【0039】このようにすると、第1の誘電体層13上
のGND電極GNDと、コンデンサ電極パターン16間
にコンデンサC11が形成され、コンデンサ電極16と
、第3の誘電体層15上のGND電極GNDとの間にコ
ンデンサC12が形成されるから、この2つのコンデン
サC11,C12の合成したものを、コンデンサC1
(C1 =C11+C12)として用いる。In this way, the capacitor C11 is formed between the GND electrode GND on the first dielectric layer 13 and the capacitor electrode pattern 16, and the capacitor C11 is formed between the GND electrode GND on the first dielectric layer 13 and the GND electrode on the third dielectric layer 15. Since a capacitor C12 is formed between the capacitor C12 and GND, the combination of these two capacitors C11 and C12 is the
(C1=C11+C12) is used.
【0040】また、第1の誘電体層13上のGND電極
GNDと、コンデンサ電極17との間にコンデンサC2
1が形成され、コンデンサ電極17と、第3の誘電体層
15上のGND電極GNDとの間にコンデンサC22が
形成されるから、この2つのコンデンサC21,C22
の合成したものを、コンデンサC2 (C2 =C21
+C22)として用いる。Further, a capacitor C2 is connected between the GND electrode GND on the first dielectric layer 13 and the capacitor electrode 17.
1 is formed, and a capacitor C22 is formed between the capacitor electrode 17 and the GND electrode GND on the third dielectric layer 15, so these two capacitors C21 and C22
The composite of the capacitor C2 (C2 = C21
+C22).
【0041】上記構成の誘電体フィルタを製造する際は
、誘電体フィルタを構成するフィルタ部と、入出力のイ
ンピーダンス整合をとるためのインピーダンス変換回路
とを、多層基板の同一誘電体層上に、同時に厚膜導体パ
ターンとして作り込む。[0041] When manufacturing the dielectric filter having the above structure, the filter section constituting the dielectric filter and the impedance conversion circuit for matching input and output impedances are placed on the same dielectric layer of a multilayer substrate. At the same time, it is fabricated as a thick film conductor pattern.
【0042】この場合、入出力側のインピーダンス変換
部の素子定数等も、所定の値となるように調整しながら
作り込む。In this case, the element constants of the impedance conversion section on the input/output side are also adjusted to predetermined values.
【0043】(第2実施例の説明)図4は第2実施例の
多層基板による誘電体フィルタの回路を示した図であり
、図3と同符号は同一のものを示す。また、L21,L
22はコイル、C21,C22はコンデンサを示す。(Description of Second Embodiment) FIG. 4 is a diagram showing a circuit of a dielectric filter using a multilayer substrate according to a second embodiment, and the same reference numerals as in FIG. 3 indicate the same parts. Also, L21,L
22 is a coil, and C21 and C22 are capacitors.
【0044】第2実施例においては、多層基板による誘
電体フィルタ回路10を、図4のように構成した。図4
では、入力側インピーダンス変換部11は、一端を接地
したコイルL21と、コンデンサC21とを入力端子I
Nに接続した構成となっており、出力側インピーダンス
変換部12は、一端を接地したコイルL22とコンデン
サC22とを出力端子OUTに接続した構成となってい
る。In the second embodiment, a dielectric filter circuit 10 using a multilayer substrate was constructed as shown in FIG. Figure 4
In this case, the input side impedance conversion section 11 connects the coil L21 whose one end is grounded and the capacitor C21 to the input terminal I.
The output side impedance conversion section 12 has a configuration in which a coil L22 whose one end is grounded and a capacitor C22 are connected to the output terminal OUT.
【0045】また、λ/4型共振器st1 ,st2
、コンデンサC3 から成るフィルタ部(2段構成)は
、図3と同じ構成である。[0045] Furthermore, the λ/4 type resonators st1, st2
, and a capacitor C3 (two-stage configuration) has the same configuration as in FIG.
【0046】この誘電体フィルタ回路も、第1実施例と
同様に、多層基板に実装して誘電体フィルタとする。Similar to the first embodiment, this dielectric filter circuit is also mounted on a multilayer substrate to form a dielectric filter.
【0047】(第3実施例の説明)図5は、第3実施例
の多層基板による誘電体フィルタ回路を示した図であり
、図3と同符号は同一のものを示す。またT1 ,T2
はトランスを示す。(Description of Third Embodiment) FIG. 5 is a diagram showing a dielectric filter circuit using a multilayer substrate according to a third embodiment, and the same reference numerals as in FIG. 3 indicate the same parts. Also T1, T2
indicates a transformer.
【0048】第3実施例においては、多層基板による誘
電体フィルタ回路を、図5のように構成した。図5では
、入力側インピーダンス変換部11に、トランスT1
を使用し、出力側インピーダンス変換部12に、トラン
スT2 を用いた例であり、他の構成は、図3と同じで
ある。In the third embodiment, a dielectric filter circuit using a multilayer substrate was constructed as shown in FIG. In FIG. 5, the input side impedance conversion section 11 includes a transformer T1.
This is an example in which a transformer T2 is used in the output side impedance conversion section 12, and the other configurations are the same as in FIG.
【0049】この例では、各トランスT1 ,T2 の
巻数比を調整することにより、インピーダンス整合を行
う。
また、誘電体フィルタ回路も、第1実施例と同様にして
、多層基板に実装する。In this example, impedance matching is performed by adjusting the turns ratio of each transformer T1, T2. Further, the dielectric filter circuit is also mounted on the multilayer substrate in the same manner as in the first embodiment.
【0050】(他の実施例)以上実施例について説明し
たが、本発明は次のようにしても実施可能である。(Other Embodiments) Although the embodiments have been described above, the present invention can also be practiced as follows.
【0051】(1)多層基板を構成する誘電体層の層数
は、上記実施例のように3層でもよいが、これ以外の任
意の層数でよい。(1) The number of dielectric layers constituting the multilayer substrate may be three as in the above embodiment, but any other number may be used.
【0052】(2)λ/4型共振器は、2段構成に限ら
ず、任意の段数でよい。(2) The λ/4 type resonator is not limited to a two-stage configuration, but may have an arbitrary number of stages.
【0053】(3)入出力側のインピーダンス変換部を
構成する回路素子は、厚膜パターンで形成して、多層基
板に内蔵してもよく、また、一部の素子を多層基板の外
表面に形成してもよい。(3) The circuit elements constituting the impedance conversion section on the input/output side may be formed with a thick film pattern and built into the multilayer board, or some of the elements may be formed on the outer surface of the multilayer board. may be formed.
【0054】(4)インピーダンス変換部は、上記実施
例の回路に限らず、他の回路を用いてもよい。(4) The impedance conversion section is not limited to the circuit of the above embodiment, but other circuits may be used.
【0055】[0055]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。[Effects of the Invention] As explained above, the present invention has the following effects.
【0056】(1)多層基板による誘電体フィルタ内に
、入力側及び出力側のインピーダンス整合を行うための
インピーダンス変換部を一体化して設けたので、前記フ
ィルタの小型化により、フィルタ部のインピーダンスが
低くなった場合でも、常にラインインピーダンスに整合
させることができる。(1) Since the impedance conversion section for performing impedance matching on the input side and output side is integrated into the dielectric filter made of a multilayer substrate, the impedance of the filter section can be reduced by making the filter smaller. Even if the impedance becomes low, it can always be matched to the line impedance.
【0057】(2)本発明の多層基板による誘電体フィ
ルタを、高周波回路に用いた場合、図6に示した従来例
のように、インピーダンス変換回路を別回路として設け
る必要がなくなる。このため、高周波回路全体として小
型化できる。(2) When the dielectric filter using the multilayer substrate of the present invention is used in a high frequency circuit, there is no need to provide an impedance conversion circuit as a separate circuit as in the conventional example shown in FIG. Therefore, the entire high frequency circuit can be miniaturized.
【0058】(3)フィルタ回路を多層基板に実装する
際、フィルタ部と入出力側のインピーダンス変換部とを
同時に厚膜導体パターンとして作り込むことができるの
で、フィルタの製造が容易になる。(3) When mounting a filter circuit on a multilayer substrate, the filter section and the impedance conversion section on the input/output side can be simultaneously formed as a thick film conductor pattern, making it easy to manufacture the filter.
【0059】(4)フィルタ部を多層基板に形成する際
、グリーンシートの積層回数を少なくしてインピーダン
スが低下しても、その分インピーダンス変換回路で補う
ことができるから、より一層フィルタの小型化薄型化が
可能となる。(4) When forming the filter part on a multilayer substrate, even if the impedance decreases by reducing the number of times the green sheets are laminated, it can be compensated for by the impedance conversion circuit, making the filter even more compact. It becomes possible to make it thinner.
【0060】しかも、グリーンシートの積層回数を少な
くすれば、その分製造工程が少なくなり、作業も容易と
なる。Moreover, if the number of times the green sheets are stacked is reduced, the number of manufacturing steps will be reduced accordingly, and the work will be easier.
【図1】本発明の第1実施例における多層基板による誘
電体フィルタの分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a dielectric filter using a multilayer substrate according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1のX−Y線における断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the X-Y line in FIG. 1;
【図3】第1実施例の多層基板による誘電体フィルタ回
路を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing a dielectric filter circuit using a multilayer substrate according to the first embodiment.
【図4】第2実施例の多層基板による誘電体フィルタ回
路を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a dielectric filter circuit using a multilayer substrate according to a second embodiment.
【図5】第3実施例の多層基板による誘電体フィルタ回
路を示した図である。FIG. 5 is a diagram showing a dielectric filter circuit using a multilayer substrate according to a third embodiment.
【図6】従来の高周波回路例である。FIG. 6 is an example of a conventional high frequency circuit.
13 第1の誘電体層
14 第2の誘電体層
15 第3の誘電体層
16〜18 コンデンサ電極
19 ブラインドスルーホール
st1 ,st2 λ/4型共振器GND GN
D電極
C11,C12,C21,C22,C3 コンデンサ
L1 ,L2 コイル13 First dielectric layer 14 Second dielectric layer 15 Third dielectric layer 16 to 18 Capacitor electrode 19 Blind through hole st1, st2 λ/4 type resonator GND GN
D electrode C11, C12, C21, C22, C3 Capacitor L1, L2 Coil
Claims (1)
)を内蔵させた多層基板による誘電体フィルタにおい
て、前記誘電体フィルタの入力部に、それぞれインピー
ダンス変換部(11,12)を付加すると共に、これら
のインピーダンス変換部(11,12)を、前記多層基
板に設けて一体化したことを特徴とする多層基板による
誘電体フィルタ。Claim 1: Resonators (st1, st2
), impedance converters (11, 12) are added to the input parts of the dielectric filter, and these impedance converters (11, 12) are connected to the multilayer substrate. A dielectric filter using a multilayer substrate, characterized in that it is integrated with a substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7407391A JPH04284703A (en) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | Dielectric filter comprising multi-layer board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7407391A JPH04284703A (en) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | Dielectric filter comprising multi-layer board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04284703A true JPH04284703A (en) | 1992-10-09 |
Family
ID=13536639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7407391A Withdrawn JPH04284703A (en) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | Dielectric filter comprising multi-layer board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04284703A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268407A (en) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method for laminated filter |
| US6064281A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Industrial Technology Research Institute | Semi-lumped bandpass filter |
| US6091312A (en) * | 1998-06-26 | 2000-07-18 | Industrial Technology Research Institute | Semi-lumped bandstop filter |
| US8040208B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-10-18 | Soshin Electric Co., Ltd. | Module and passive part |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP7407391A patent/JPH04284703A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268407A (en) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method for laminated filter |
| US6064281A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Industrial Technology Research Institute | Semi-lumped bandpass filter |
| US6091312A (en) * | 1998-06-26 | 2000-07-18 | Industrial Technology Research Institute | Semi-lumped bandstop filter |
| US8040208B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-10-18 | Soshin Electric Co., Ltd. | Module and passive part |
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