JPH04285159A - スパッタ装置 - Google Patents

スパッタ装置

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JPH04285159A
JPH04285159A JP4717891A JP4717891A JPH04285159A JP H04285159 A JPH04285159 A JP H04285159A JP 4717891 A JP4717891 A JP 4717891A JP 4717891 A JP4717891 A JP 4717891A JP H04285159 A JPH04285159 A JP H04285159A
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JP
Japan
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target
backing plate
sputtering
electrode
holding
Prior art date
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Pending
Application number
JP4717891A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuhiro Kamei
亀井 光浩
Hidetsugu Setoyama
英嗣 瀬戸山
Yasuo Taguchi
田口 康雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ装置に関し、
特に、厚い絶縁膜を形成するのに好適なスパッタ装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】スパッタ装置は、種々の材料の成膜装置
として、各方面でニーズが高まっている。例えば、薄膜
磁気ヘッド等の保護膜としての絶縁膜を形成するときに
使用され、このときには、数十ミクロンと比較的厚い膜
をつける。このように厚い膜を形成するときは、成膜時
間が十数時間にも及ぶため、ウエハの単位時間当たりの
処理枚数を示すスループットの向上が強く望まれている
。スループットを向上するためには、成膜レートの増加
か、または、ターゲットサイズの大型化による基板処理
枚数の増加が必要となる。勿論、両者をともに増加すれ
ば、さらによい。
【0003】成膜レートは、ターゲットへの投入パワー
に比例するので、成膜レートの増加のためには、この投
入パワーを増やしている。また、基板処理枚数を増加す
るために、例えば、従来は、φ15”ターゲットサイズ
で、φ3”の基板8枚を同時に処理していたものに対し
て、ターゲットサイズをφ21”にして、基板の同時処
理枚数を8枚から16枚にする等の対策を講じている。
【0004】ところで、一般に、保護膜として使用され
る絶縁膜は、Al2O3やSiO2等のように金属の酸
化物であることが多く、このため、ターゲットはこれら
の焼結体であることが多い。また、ターゲットは、スパ
ッタ中の温度上昇を防ぐために冷却されている。一方、
焼結体は比較的もろいために、焼結体をターゲットとす
る場合は、ターゲットをバッキングプレートと呼ばれる
金属板にメタルボンデイングで固定し、スパッタ中は、
このバッキングプレートを冷却することによって、間接
的に、ターゲットを冷却する。
【0005】バッキングプレートにターゲットが固定さ
れた状態を図5に示す。図5は、バッキングプレートに
ターゲットが固定された状態を示す断面図である。同図
に示すように、ターゲット2はその周囲を放電防止リン
グ61で囲われ、メタル62を介して、バッキングプレ
ート3に固定されている。また、放電防止リング61は
、複数のボルト31によってバッキングプレート3に固
定されている。
【0006】放電防止リング61を設ける理由を説明す
る。ターゲット2は、例えば、In等のメタル62によ
って、バッキングプレート3に固定されている。メタル
62は常温で固体であり、はり合せる時には、バッキン
グプレート3及びターゲット2を加熱する。また、メタ
ル62の厚さは1/100mm程度である。はり合せ時
において、メタル62のターゲット周辺からのはみ出し
を完全になくすことはできない。このために、放電防止
リング61を使用し、メタル62のはみ出しをかくして
、スパッタ放電時の、メタル62部での異常放電を防止
するのである。
【0007】上記構造の場合においては、ターゲット2
は、メタル62を介して、バッキングプレート3に完全
に固定された状態である。スパッタ放電中は、ターゲッ
ト表面から数w/cm2程度の入熱がある。このため、
バッキングプレート3のメタル62と反対側の面を水冷
することによって、ターゲット2を冷却している。しか
し、ターゲット2とバッキングプレート3との熱伝導率
の差、および、それぞれの厚みのために、ターゲット2
の表面とバッキングプレート3との間には、かなりの温
度差を生じる。また、加熱されたターゲット2は加熱の
ため、膨張しようとする。しかし、図5に示す従来構造
では、ターゲット2は、メタル62を介して、バッキン
グプレート3に完全に固定されているため伸びることが
できず、熱応力が生じる。ターゲット2への入熱量が大
きくなると、熱応力も大きくなり、ターゲット2がこの
熱応力に耐えきれず、この結果、ターゲットに割れが生
じる。これは、特に、大型のターゲットになるほど顕著
になる。このように、同図に示す構成では、ボンディン
グ工程の途中や、スパッタ中の熱応力のために、ターゲ
ットが割れるという問題がある。
【0008】上記問題を解決するために、特開平1ー1
77368号公報、特開昭59ー170268号公報、
および特開昭61ー279672号公報に記載の技術が
ある。これらの技術は、ターゲットを、直接、冷却しよ
うとするものである。特開平1ー177368号公報に
は、スパッタ装置の陰極内に、静電チャック電極とこれ
に静電的にチャッキングしたターゲットとの間を冷却す
るガスを導入するガス導入孔を形成することにより、陰
極にターゲットを着脱自在に取り付け可能とする技術が
記載されている。また、特開昭59ー170268号公
報には、ターゲットとバッキングプレートとをねじ止め
し、その構成小間隙に減圧ガスを流して、ターゲットの
熱をガスを介してバッキングプレートの冷却水に吸収さ
せることによって、ターゲットの冷却と交換とを容易に
する技術が記載されている。また、特開昭61ー279
672号公報には、ターゲットのスパッタ面と反対側の
面に冷却流体を直接接触させて、ターゲットを冷却し、
高電圧の印加を可能としてスパッタの高速度化を図る技
術が記載されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術では、
スパッタ中においては、ターゲットを、直接、冷却して
いるが、ターゲットの昇温をゼロに抑えることはできな
い。一方、ねじ、ボンディング材あるいは静電力によっ
て、ターゲットは、完全にバッキングプレートに拘束さ
れている。従って、スループットをさらに向上するため
に、ターゲットへの単位面積当りのパワーを従来以上に
増加し、成膜レートをさらに増加させ、または、ターゲ
ットサイズの大型化によって基板処理枚数を従来以上に
増加させたい場合においては、ターゲットが今まで以上
に加熱され、膨張する。この場合に、上記従来技術では
、ターゲットの片面の全面、又は、片面の外周は、冷却
されほとんど膨張のないバッキングプレートに固定され
ているので、熱応力が生じ、この結果、ターゲットに割
れを生じる場合があるという問題がある。
【0010】また、ボンディング材を用いて、ターゲッ
トとバッキングプレートとを接合する場合は、ターゲッ
トの大型化とともに、ボンディング材の厚さにバラツキ
が生じやすい。ボンディング材の厚さにバラツキが生じ
、部分的にボンディング材がついていない箇所があると
、その部分だけ冷却効率が悪くなるので、ターゲット内
部の温度分布は不均一となり、その結果、ターゲット内
部に熱応力が生じ、ターゲット割れが発生するという問
題がある。
【0011】本発明の目的は、スパッタ中のターゲット
割れを防止し、スループットを向上できるターゲット電
極を備えたスパッタ装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ターゲット
電極を備えたスパッタ装置において、上記ターゲット電
極は、ターゲットのスパッタ面に対し、ターゲットを平
行に膨張可能に保持できるスパッタ装置によって達成で
きる。また、バッキングプレートが、熱伝導媒体を密封
する空間を有するようにすればさらによい。この熱伝導
媒体としては、液体金属や気体等を用いることができる
【0013】
【作用】スパッタ中は、イオン等の衝撃によって、ター
ゲットのスパッタ面の温度は上昇する。この温度上昇を
防止するために、ターゲットを、直接あるいは間接的に
冷却する。しかし、ターゲットへの投入パワーが増大し
、または、ターゲットが大型化すると、ターゲットの冷
却は充分に行えない。一方、ターゲットは、バッキング
ップレート等に固定されている。従って、ターゲットの
熱膨張のためにターゲットに熱応力が生じ、その結果、
ターゲットに割れが発生する場合がある。
【0014】本発明に係るスパッタ装置においては、タ
ーゲットは、ターゲットのスパッタ面に対し、水平方向
に移動可能に保持されるので、ターゲットが加熱されて
も、なんら拘束されずに自由に膨張でき、熱応力が生じ
ることはない。この移動可能な量は、ターゲットの外周
とターゲット押え手段とのギャップ分、あるいは、ター
ゲット押え手段を固定しているボルトの遊び穴分である
。この移動可能な量は、ターゲットの熱膨張に対して、
充分な量を確保する。
【0015】また、本発明によれば、ターゲット電極は
、ターゲットとバッキングプレートとの間に、流動体か
らなる密閉された熱伝導媒体を介在させて、ターゲット
を保持できるので、メタルボンディング工程が不要であ
る。その結果、メタルボンディング工程でのターゲット
の昇温工程が省略できるので、従来、この工程で発生し
ていたターゲット割れをなくすことができる。
【0016】さらに、バッキングプレートとターゲット
との間にはさみこむGa−In等の流動体からなる密閉
された熱伝導媒体は、常温で液体のために、従来のメタ
ルボンディングのように、部分的にかたよりが生じるこ
となく、ターゲットとバッキングプレートの間に、均一
にひろがる。このため、スパッタ中の熱負荷によって、
部分的にターゲットが加熱されるようなことがなく、ス
パッタ中の冷却効率の部分的なアンバランスが原因で生
じていたターゲット内部の不均一温度分布によるターゲ
ット割れを防止することができる。
【0017】以上のような効果は、液体金属を、ターゲ
ットとバッキングプレートとの間に介在させる熱伝導媒
体とする場合に限られるものではなく、熱伝導媒体とし
てはガスでもよい。
【0018】
【実施例】次に、本発明の実施例を図を用いて説明する
。図4は、本発明に係るスパッタ装置の概略構造を示す
断面図である。真空容器1内には、ターゲット2とバッ
キングプレート3等とを保持しスパッタ放電を行なう際
に陰極となるターゲット電極ホルダ5と、成膜される基
板9と基板ホルダ23とを保持しスパッタ放電を行なう
際に陽極となる基板電極8とが、それぞれ、絶縁物6ま
たは絶縁物11を介して設けられている。アースシール
ド7,10は、安定なスパッタ放電のために、それぞれ
、ターゲット電極ホルダホ5及び基板電極8の周囲に、
一定の間隔を保って、真空容器1に設けられている。
【0019】ターゲット電極ホルダ5には、高周波整合
回路16を通して、高周波電源18から高周波が印加さ
れる。また、基板電極8にも、同様に、高周波整合回路
17を通して、高周波電源19から高周波が印加される
。ターゲット電極ホルダ5の冷却水入口12並びに冷却
水出口13、及び、基板電極8の冷却水入口14並びに
冷却水出口15は、それぞれ、図示していない冷却水供
給装置と接続されていて、それぞれ、ターゲット2及び
基板9を冷却するための冷却水が流れる。
【0020】真空容器1は、ゲート弁20を介して、排
気装置21と接続されており、真空容器1内は、高真空
に保持可能である。また、ガス導入口24からは、Ar
等のスパッタガスを真空容器1内へ導入できる。
【0021】真空容器1内に設けられたシャッタ板22
は、図示していない駆動系によって水平方向に移動する
ことができる。プロセス条件によっては、シャッタ板2
2を移動することによって、基板ホルダ23またはター
ゲット2と、シャッタ板22との間で放電させることが
できる。ターゲット2は、ターゲット押え金具4等のタ
ーゲット押え手段とバッキングプレート3とによって保
持されており、このターゲット押え金具4とバッキング
プレート3とを、通常、ターゲット電極と呼ぶ。  次
に、図1を用いて、本発明に係るスパッタ装置のターゲ
ット電極の詳細構造の一例を示す。図1は、ターゲット
電極の断面図である。
【0022】図1に示すように、バッキングプレート3
には、液体金属33などの熱伝導媒体を満たすための凹
部が設けられている。その凹部に、例えば、Ga−In
等の常温で液体の金属33をすきまなく満たした状態で
、ターゲット2とバッキングプレート3とは密着接続さ
れる。ターゲット押え金具4は、ボルト31によって周
方向に複数箇所で固定される。なお、液体金属33のも
れを防止するために、Oリング32でシールする構造に
なっている。また、スパッタ放電時のターゲット2表面
への入熱によってターゲット2が膨張しても、その膨張
がターゲット押え金具4によって拘束されるのを防止す
るために、ターゲット2の外周とターゲット押え金具4
の内面との間には、1〜2mm程度のギャップ70が設
けられている。
【0023】次に、図6,図7を用いて、ターゲット押
え金具4の具体例を示す。図6は、ターゲット押え金具
4とターゲット2だけを示す断面図であり、図7は、そ
の平面図である。実際には、ターゲット押え金具4には
、ボルト孔が複数設けられているが、図6,7において
は、それらの孔は省略した。図6に示すように、ターゲ
ット押え金具4の断面は段部を有し、ターゲット2は、
その段部に支えられる形状である。このターゲット押え
金具4は一体に製作されているのではなく、図7に示す
ように、4つの構成部材4aからなる。このように4分
割した理由は、ターゲット押え金具4の熱膨張による、
ターゲットへの応力負荷と、一部だけを交換可能にする
ためである。なお、このターゲット押え金具4は、2分
割でもよく、また、それ以上に分割して製作もよい。
【0024】次に、上記のスパッタ装置が稼働する場合
を説明する。スパッタ中に、イオン等の衝撃により、タ
ーゲット2のスパッタ面の温度が上昇し、その熱のため
に、ターゲット2の一部または全体が加熱される。ター
ゲット2で生じた熱は、液体金属33等の熱伝導媒体に
よって、バッキングプレート3に伝導される。このバッ
キングプレート3は冷却されているので、ターゲット2
は、冷却されることになる。しかし、ターゲット2への
投入パワーが増大し、または、ターゲット2が大型化す
ると、ターゲットで発生する熱量が増大し、ターゲット
2の冷却は充分に行えない。その結果、ターゲット2に
は熱が蓄積され、ターゲット2は膨張する。上記構成で
は、ターゲット2に熱膨張が生じても、ギャップ70が
設けられておりターゲット2は拘束されることはないの
で、ターゲット2に熱応力が生じることはなく、その結
果、ターゲットに割れが発生することもない。
【0025】また、上記のように、ターゲット2をター
ゲット押え金具4に保持すれば、従来のようなメタルボ
ンディングの工程が不要となるので、この工程における
加熱の際に生じていたターゲット割れも防止することが
できる。
【0026】次に、図2を用いて、ターゲット電極の詳
細構造の他の例を示す。図2は、図1の液体の金属33
のかわりに、例えば、He等のガス41を封じこめたタ
ーゲット電極の構造を示す断面図である。
【0027】ガス導入口42からガス41を入れて、閉
止フランジ43によってガス41を封じ込める。図2に
示す例においては、ガス41を熱伝導媒体としてターゲ
ットを冷却することができる。
【0028】次に、図3を用いて、ターゲット電極の詳
細構造の他の例を示す。図3は、ターゲット電極とター
ゲット電極ホルダ5とを組合せた状態を示す断面図であ
る。ガスを利用する場合は、上記の液体金属の場合と同
様に、ターゲット2とバッキングプレート3との間に封
じこめて、ターゲット2表面からの熱をガスに伝えて、
バッキングプレート3の裏面を水冷することによってタ
ーゲット2を冷却する方法の他に、直接ガスによる冷却
方法も可能である。この方法は、バッキングプレート3
にガス配管を設けて、ガス圧を約10Torr程度に保
ちながらガスを流し、このガスによって、直接、ターゲ
ット2を冷却するものである。
【0029】図3に示すように、バッキングプレート3
は、ボルト55によって、ターゲット電極ホルダ5に固
定される。スパッタ放電中は、ガス導入口51及びガス
出口52と、図示していないガス供給装置とをつないで
、常に、内部の圧力を10Torr程度に保ちながら、
ターゲット2を冷却する。ガスは、Oリング53及び5
4により他にもれない構造になっている。本例によれば
、他の実施例のように、液体金属をはさみこむ工程が省
略できるので、さらに組立が容易になる。
【0030】また、ガス冷却においては、通常0.1w
/cm2・℃程度の冷却効果があり、スパッタ時のター
ゲットへの入熱量数w/cm2に対して、ターゲットの
温度上昇を数10度程度におさえることができる。水冷
方式の場合には、さらに大きな冷却効率が期待できる。 当然、ガス冷却構造の場合でも、上記の液体金属の場合
と同様に、ターゲットはバッキングプレートに拘束され
ることなく、スパッタ中の熱負荷によるターゲット割れ
を防止できる。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、ターゲットを完全に固
定することなく保持でき、ターゲットを効率良く冷却す
ることができるので、スパッタ放電中のターゲットの膨
張によって発生する熱応力をなくすことができ、スパッ
タ放電中のターゲット割れを防止できる。従って、ター
ゲットが大型化してもターゲット割れを防止することが
できるので、生産性の安定に寄与することができる。ま
た、従来のターゲットへの投入パワー密度に対して、数
倍のパワーを印加しても、ターゲットに熱応力は生じな
いので、成膜レートを上げて、生産性の向上が可能とな
る。さらに、従来のようなメタルボンディングの工程を
省略することができるので、メタルボンディング時の昇
温工程でのターゲット割れを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るスパッタ装置のターゲット電極の
断面図
【図2】He等のガスを封じこめたターゲット電極を示
す断面図
【図3】ターゲット電極とターゲット電極ホルダとを組
合せた状態を示す断面図
【図4】本発明に係るスパッタ装置の断面図
【図5】バ
ッキングプレートにターゲットが固定された状態を示す
断面図
【図6】ターゲット押え金具とターゲットだけを示す断
面図
【図7】図6に示すターゲット押え金具とターゲットの
平面図
【符号の説明】
2…ターゲット、3…バッキングプレート、4…ターゲ
ット押え金具、4a…ターゲット押え金具の構成部材、
32…Oリング、33…液体金属、41…ガス、70…
ギャップ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ターゲット電極を備えたスパッタ装置にお
    いて、上記ターゲット電極は、ターゲットのスパッタ面
    に対し、ターゲットを平行に膨張可能に保持できること
    を特徴とするスパッタ装置。
  2. 【請求項2】上記ターゲット電極は、ターゲットを保持
    するバッキングプレートと、ターゲットを押えるターゲ
    ット押え手段とからなり、このターゲット押え手段は、
    ターゲットを保持する係止状体であることを特徴とする
    請求項1記載のスパッタ装置。
  3. 【請求項3】上記ターゲット電極は、シール材を介して
    、バッキングプレートとターゲットとを固定し、このバ
    ッキングプレートとターゲットとの間に、流動体からな
    る熱伝導媒体を密閉保持することを特徴とする請求項2
    記載のスパッタ装置。
  4. 【請求項4】上記熱伝導媒体は、液体金属であることを
    特徴とする請求項3記載のスパッタ装置。
  5. 【請求項5】上記熱伝導媒体は、気体であることを特徴
    とする請求項3記載のスパッタ装置。
  6. 【請求項6】上記バッキングプレートは、ターゲットに
    、直接接触する冷却剤を流す凹部を備えていることを特
    徴とする請求項1または2記載のスパッタ装置。
  7. 【請求項7】ターゲットを保持するための、バッキング
    プレートとターゲット押え手段とからなるスパッタ装置
    のターゲット電極において、上記バッキングプレートは
    、このバッキングプレートとターゲットとの間に流動体
    からなる熱伝導媒体を密閉保持する凹部を備え、シール
    材を介して、バッキングプレートにターゲットを固定す
    ることを特徴とするターゲット電極。
  8. 【請求項8】上記ターゲット押え手段は、ターゲットを
    保持できる係止状体であるとともに、ターゲットのスパ
    ッタ面に対し、ターゲットを平行に膨張可能に保持でき
    ることを特徴とする請求項7記載のターゲット電極。
  9. 【請求項9】上記ターゲット押え手段は、ターゲットの
    外周に沿って、複数箇所に、このターゲット押え手段を
    構成する構成部材を配置して構成されていることを特徴
    とする請求項7または8記載のターゲット電極。
  10. 【請求項10】上記ターゲット押え手段は、隣接する構
    成部材の対向部が、互いに噛み合う歯部を有して構成さ
    れることを特徴とする請求項8または9記載のターゲッ
    ト電極。
JP4717891A 1991-03-13 1991-03-13 スパッタ装置 Pending JPH04285159A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009052094A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Sumitomo Metal Mining Co Ltd スパッタリングカソード及び成膜方法
JP2017002355A (ja) * 2015-06-09 2017-01-05 株式会社高純度化学研究所 スパッタリングターゲット組立体

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