JPH04285919A - 光増幅回路 - Google Patents
光増幅回路Info
- Publication number
- JPH04285919A JPH04285919A JP3074494A JP7449491A JPH04285919A JP H04285919 A JPH04285919 A JP H04285919A JP 3074494 A JP3074494 A JP 3074494A JP 7449491 A JP7449491 A JP 7449491A JP H04285919 A JPH04285919 A JP H04285919A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical amplifier
- semiconductor optical
- light
- incident
- emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明の光増幅回路は半導体光ア
ンプの増幅率を一定にするのに適用されるものである。
ンプの増幅率を一定にするのに適用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体光アンプは偏波依存性があ
るため、ＴＥ波とＴＭ波のように偏波状態の異なる光で
は増幅率が異なるという性質がある。
るため、ＴＥ波とＴＭ波のように偏波状態の異なる光で
は増幅率が異なるという性質がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、半導体光アン
プは入射する入射光のパワ−が一定でも偏波状態が変化
すれば増幅率が変わり、出射光のパワ−が変動するとい
う問題があった。
プは入射する入射光のパワ−が一定でも偏波状態が変化
すれば増幅率が変わり、出射光のパワ−が変動するとい
う問題があった。
【０００４】
【発明の目的】本発明の目的は偏波状態が変化しても増
幅率が一定で、出射光のパワ−が安定する光増幅回路を
提供することにある。
幅率が一定で、出射光のパワ−が安定する光増幅回路を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光増幅回路は図
１のように、半導体光アンプ１の入射側と出射側に分岐
部２、３を設け、夫々の分岐部において同半導体光アン
プ１への入射光Ａと同半導体光アンプ１からの出射光Ｂ
の一部を分岐して受光素子４、５で検出し、フィ−ドバ
ック回路６において両光のパワ−比をモニタ−すると共
にそのパワ−比が一定となるように半導体光アンプ１へ
の電流供給を制御するものである。
１のように、半導体光アンプ１の入射側と出射側に分岐
部２、３を設け、夫々の分岐部において同半導体光アン
プ１への入射光Ａと同半導体光アンプ１からの出射光Ｂ
の一部を分岐して受光素子４、５で検出し、フィ−ドバ
ック回路６において両光のパワ−比をモニタ−すると共
にそのパワ−比が一定となるように半導体光アンプ１へ
の電流供給を制御するものである。
【０００６】
【作用】本発明の光増幅回路では図１のように半導体光
アンプ１の入射光Ａと出射光Ｂの一部を取り出し、フィ
−ドバック回路６においてその取り出した出力比が一定
になるように半導体光アンプ１に流す電流を制御するの
で、同半導体光アンプ１の増幅率が一定になる。
アンプ１の入射光Ａと出射光Ｂの一部を取り出し、フィ
−ドバック回路６においてその取り出した出力比が一定
になるように半導体光アンプ１に流す電流を制御するの
で、同半導体光アンプ１の増幅率が一定になる。
【０００７】
【実施例】本発明の光増幅回路の各種実施例を示す図１
〜図３において１は半導体光アンプであり、これには既
存のものや本発明用に改良したもの等が使用される。２
は半導体光アンプ１の入射側に設けられた入射側分岐部
、３は同半導体光アンプ１の出射側に設けられた出射側
分岐部である。４は入射側分岐部２から分岐された入射
光Ａを電気信号に変換して出力する入射側フォトダイオ
−ド、５は出射側分岐部４から分岐された出射光Ｂを電
気信号に変換して出力する出射側フォトダイオ−ド、６
は両フォトダイオ−ド４、５からの出力比が一定になる
ように前記半導体光アンプ１に流す電流を制御するフィ
−ドバック回路である。
〜図３において１は半導体光アンプであり、これには既
存のものや本発明用に改良したもの等が使用される。２
は半導体光アンプ１の入射側に設けられた入射側分岐部
、３は同半導体光アンプ１の出射側に設けられた出射側
分岐部である。４は入射側分岐部２から分岐された入射
光Ａを電気信号に変換して出力する入射側フォトダイオ
−ド、５は出射側分岐部４から分岐された出射光Ｂを電
気信号に変換して出力する出射側フォトダイオ−ド、６
は両フォトダイオ−ド４、５からの出力比が一定になる
ように前記半導体光アンプ１に流す電流を制御するフィ
−ドバック回路である。
【０００８】
【実施例１】本発明の光増幅回路の第１の実施例は図１
に示すように、前記入射側分岐部２、入射側フォトダイ
オ−ド４、出射側分岐部３、出射側フォトダイオ−ド５
をモノリシックに半導体光アンプ１と共に一つの基板７
に集積化したものである。この実施例に使用された半導
体光アンプ１は入射導波路１ａから入射した入射光Ａを
同半導体光アンプ１にて増幅して出射導波路１ｂに出射
するものである。また、入射側分岐部２及び出射側分岐
部３にはＹ分岐導波路が使用されており、それらは入射
光Ａ及び出射光Ｂの一部を取出して前記両フォトダイオ
−ド４、５に伝送するようにしてある。
に示すように、前記入射側分岐部２、入射側フォトダイ
オ−ド４、出射側分岐部３、出射側フォトダイオ−ド５
をモノリシックに半導体光アンプ１と共に一つの基板７
に集積化したものである。この実施例に使用された半導
体光アンプ１は入射導波路１ａから入射した入射光Ａを
同半導体光アンプ１にて増幅して出射導波路１ｂに出射
するものである。また、入射側分岐部２及び出射側分岐
部３にはＹ分岐導波路が使用されており、それらは入射
光Ａ及び出射光Ｂの一部を取出して前記両フォトダイオ
−ド４、５に伝送するようにしてある。
【０００９】
【実施例２】本発明の光増幅回路の第２の実施例は図２
に示すように前記入射側分岐部２、出射側分岐部３を半
導体光アンプ１と一つの基板７に集積化し、入射側フォ
トダイオ−ド４、出射側フォトダイオ−ド５は同基板７
の外においたものである。この実施例に使用された半導
体光アンプ１は実施例１に使用されたものと同様のもの
である。また、入射側分岐部２及び出射側分岐部３には
Ｙ分岐導波路が使用されており、同Ｙ分岐導波路により
取出された入射光Ａ及び出射光Ｂの一部が導波路８、９
を通って両フォトダイオ−ド４、５に伝送されるように
してある。
に示すように前記入射側分岐部２、出射側分岐部３を半
導体光アンプ１と一つの基板７に集積化し、入射側フォ
トダイオ−ド４、出射側フォトダイオ−ド５は同基板７
の外においたものである。この実施例に使用された半導
体光アンプ１は実施例１に使用されたものと同様のもの
である。また、入射側分岐部２及び出射側分岐部３には
Ｙ分岐導波路が使用されており、同Ｙ分岐導波路により
取出された入射光Ａ及び出射光Ｂの一部が導波路８、９
を通って両フォトダイオ−ド４、５に伝送されるように
してある。
【００１０】
【実施例３】本発明の光増幅回路の第３の実施例は図３
に示すように前記入射側分岐部２、出射側分岐部３にフ
ァイバ型カップラ−を用い、夫々のファイバ型カップラ
−により半導体光アンプ１、入射側フォトダイオ−ド４
、出射側フォトダイオ−ド５を接続して、半導体光アン
プ１の入射光Ａ及び出射光Ｂの一部が同ファイバ型カッ
プラ−により取出されて、夫々、フォトダイオ−ド４、
５に伝送されるようにしてある。
に示すように前記入射側分岐部２、出射側分岐部３にフ
ァイバ型カップラ−を用い、夫々のファイバ型カップラ
−により半導体光アンプ１、入射側フォトダイオ−ド４
、出射側フォトダイオ−ド５を接続して、半導体光アン
プ１の入射光Ａ及び出射光Ｂの一部が同ファイバ型カッ
プラ−により取出されて、夫々、フォトダイオ−ド４、
５に伝送されるようにしてある。
【００１１】なお、本発明の光増幅回路に使用される光
部品は前記以外のものを使用してもよく、例えば前記入
射側及び出射側分岐部２、３には図４に示すような方向
性結合器型導波路１０を使用してもよい。
部品は前記以外のものを使用してもよく、例えば前記入
射側及び出射側分岐部２、３には図４に示すような方向
性結合器型導波路１０を使用してもよい。
【００１２】
【発明の効果】本発明の光増幅回路では半導体光アンプ
１の入出射光Ａ、Ｂの出力の比が一定になるように自動
的に制御されるので、入射光Ａの偏波状態が変化しても
増幅率は一定に保持され、出射光Ｂのパワ−が安定する
。
１の入出射光Ａ、Ｂの出力の比が一定になるように自動
的に制御されるので、入射光Ａの偏波状態が変化しても
増幅率は一定に保持され、出射光Ｂのパワ−が安定する
。
【図１】本発明の光増幅回路の第１の実施例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】本発明の光増幅回路の第２の実施例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図３】本発明の光増幅回路の第３の実施例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】分岐部に使用される方向性結合器型導波路の説
明図である。
明図である。
１ 半導体光アンプ
２ 分岐部
３ 分岐部
４ 受光素子
５ 受光素子
６ フィ−ドバック回路
Ａ 入射光
Ｂ 出射光
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体光アンプ１の入射側と出射側に
分岐部２、３を設け、夫々の分岐部において同半導体光
アンプ１への入射光Ａと同半導体光アンプ１からの出射
光Ｂの一部を分岐して受光素子４、５で検出し、フィ−
ドバック回路６において両光のパワ−比をモニタ−する
と共にそのパワ−比が一定となるように半導体光アンプ
１への電流供給を制御することを特徴とする光増幅回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074494A JPH04285919A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 光増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074494A JPH04285919A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 光増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04285919A true JPH04285919A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=13548913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3074494A Pending JPH04285919A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 光増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04285919A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7110170B2 (en) * | 2003-08-20 | 2006-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor optical amplifier having photo detector and method of fabricating the same |
| CN108879321A (zh) * | 2018-09-12 | 2018-11-23 | 成都微泰光芯技术有限公司 | 一种集成soa的eml芯片 |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP3074494A patent/JPH04285919A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7110170B2 (en) * | 2003-08-20 | 2006-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor optical amplifier having photo detector and method of fabricating the same |
| CN108879321A (zh) * | 2018-09-12 | 2018-11-23 | 成都微泰光芯技术有限公司 | 一种集成soa的eml芯片 |
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