JPH04286181A - セラミック基板用組成物 - Google Patents
セラミック基板用組成物Info
- Publication number
- JPH04286181A JPH04286181A JP3049518A JP4951891A JPH04286181A JP H04286181 A JPH04286181 A JP H04286181A JP 3049518 A JP3049518 A JP 3049518A JP 4951891 A JP4951891 A JP 4951891A JP H04286181 A JPH04286181 A JP H04286181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- glass frit
- glass
- tcc
- titanate
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導体，抵抗体等の電子
回路を多層に形成する多層配線基板に良好なセラミック
基板用組成物に関するものである。
回路を多層に形成する多層配線基板に良好なセラミック
基板用組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、多層に回路を形成する電子部品と
しては、焼成したアルミナ基板上に回路、絶縁層を交互
に印刷しこれを焼成することによって製造する第１の方
法と、未焼成のセラミック基板に回路を印刷し、互いに
回路が接触しないようにこれを積層しプレスした後、焼
成して製造する第２の方法がある。第１の方法のものは
、回路の影響によってその上に形成する絶縁層に凹凸が
生じ、それは上層ほど大きくなる。この凹凸が大きくな
ると、この上に次の回路を印刷することは難しく、通常
１０層前後が限度とされている。これに対し、第２の方
法のものは、回路の印刷は常に平面に近い状態の基板に
対して行なうため、積層数の多いものを製造することが
でき、高密度の集積回路形成が行なえる。この第２の方
法の基板に使用するセラミック組成物としては、Ａｌ２
Ｏ３粉末と１５ｗｔ％以下のガラス粉末を有機バインダ
ーで固定したものや、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系にＰｂや
Ｂを混入させ低温で焼成したものがあり、これらは、加
藤正利、大岩誠五「工業材料」ｖｏｌ．３５，Ｎｏ．１
６，Ｐ５１−５８，１９８７、杉下信行「日本科学情報
」ＨＩＣペースト材料と印刷焼成技術，Ｐ１３−２１，
１９８９等に開示されている。
しては、焼成したアルミナ基板上に回路、絶縁層を交互
に印刷しこれを焼成することによって製造する第１の方
法と、未焼成のセラミック基板に回路を印刷し、互いに
回路が接触しないようにこれを積層しプレスした後、焼
成して製造する第２の方法がある。第１の方法のものは
、回路の影響によってその上に形成する絶縁層に凹凸が
生じ、それは上層ほど大きくなる。この凹凸が大きくな
ると、この上に次の回路を印刷することは難しく、通常
１０層前後が限度とされている。これに対し、第２の方
法のものは、回路の印刷は常に平面に近い状態の基板に
対して行なうため、積層数の多いものを製造することが
でき、高密度の集積回路形成が行なえる。この第２の方
法の基板に使用するセラミック組成物としては、Ａｌ２
Ｏ３粉末と１５ｗｔ％以下のガラス粉末を有機バインダ
ーで固定したものや、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系にＰｂや
Ｂを混入させ低温で焼成したものがあり、これらは、加
藤正利、大岩誠五「工業材料」ｖｏｌ．３５，Ｎｏ．１
６，Ｐ５１−５８，１９８７、杉下信行「日本科学情報
」ＨＩＣペースト材料と印刷焼成技術，Ｐ１３−２１，
１９８９等に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の第２の方法の内、Ａｌ２Ｏ３粉末と１５ｗｔ％以下の
ガラス粉末を有機バインダーで固定したものは、焼成温
度が１４５０°〜１６００℃と極めて高いので、回路を
構成する材料もこの焼成温度で劣化しないＭｏ，Ｗ等の
高価なものを使用しなければならず、又還元雰囲気で焼
成する必要があるので生産性，作業性が悪いという問題
点があった。Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系にＰｂやＢを混入
させたものは低温で焼成できる利点があるが、温度変化
に対する静電容量の変化率（以下、ＴＣＣと記す）が大
きすぎ、品質の安定性に欠けるという問題点があった。
の第２の方法の内、Ａｌ２Ｏ３粉末と１５ｗｔ％以下の
ガラス粉末を有機バインダーで固定したものは、焼成温
度が１４５０°〜１６００℃と極めて高いので、回路を
構成する材料もこの焼成温度で劣化しないＭｏ，Ｗ等の
高価なものを使用しなければならず、又還元雰囲気で焼
成する必要があるので生産性，作業性が悪いという問題
点があった。Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系にＰｂやＢを混入
させたものは低温で焼成できる利点があるが、温度変化
に対する静電容量の変化率（以下、ＴＣＣと記す）が大
きすぎ、品質の安定性に欠けるという問題点があった。
【０００４】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、極めて低い温度、即ち７５０°〜９５０℃で焼成で
き、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペーストを内部
電極として使用することも可能で、しかも体積固有抵抗
率，誘電率，誘電正接，絶縁破壊強度等，電子回路を多
層に形成する多層配線基板としての諸要求特性を充足し
、さらに、ＴＣＣが±０ｐｐｍ／℃〜±１００ｐｐｍ／
℃の範囲で調整が可能なセラミック基板用組成物を提供
することを目的とする。
で、極めて低い温度、即ち７５０°〜９５０℃で焼成で
き、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペーストを内部
電極として使用することも可能で、しかも体積固有抵抗
率，誘電率，誘電正接，絶縁破壊強度等，電子回路を多
層に形成する多層配線基板としての諸要求特性を充足し
、さらに、ＴＣＣが±０ｐｐｍ／℃〜±１００ｐｐｍ／
℃の範囲で調整が可能なセラミック基板用組成物を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を解決するため
の本発明のセラミック基板用組成物は、６０〜９５ｗｔ
％のガラスフリットと４０〜５ｗｔ％のチタン酸塩とか
らなり、具体的には、前記チタン酸塩は、ＳｒＴｉＯ３
，ＣａＴｉＯ３，ＭｇＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３、又は、
これらチタン酸塩の固溶体の組成物である。又、前記ガ
ラスフリットは、重量％で本質的に、ＳｉＯ２が３０〜
４０、Ａｌ２Ｏ３が１０〜２０、ＣａＯ＋ＭｇＯが５〜
２０、ＺｎＯが５〜１５、ＴｉＯ２が１０〜２０、Ｂ２
Ｏ３が０．５〜２、ＺｒＯ２が０．２〜１からなる構成
を有している。
の本発明のセラミック基板用組成物は、６０〜９５ｗｔ
％のガラスフリットと４０〜５ｗｔ％のチタン酸塩とか
らなり、具体的には、前記チタン酸塩は、ＳｒＴｉＯ３
，ＣａＴｉＯ３，ＭｇＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３、又は、
これらチタン酸塩の固溶体の組成物である。又、前記ガ
ラスフリットは、重量％で本質的に、ＳｉＯ２が３０〜
４０、Ａｌ２Ｏ３が１０〜２０、ＣａＯ＋ＭｇＯが５〜
２０、ＺｎＯが５〜１５、ＴｉＯ２が１０〜２０、Ｂ２
Ｏ３が０．５〜２、ＺｒＯ２が０．２〜１からなる構成
を有している。
【０００６】ガラスフリットが、６０ｗｔ％未満では焼
成温度が高くなり、本発明の目的である低温度での焼成
を行なうことが困難である。一方、ガラスフリットが９
５ｗｔ％を越えると焼成体の曲げ強度、及び耐湿性が低
下し、好ましくない。また、ＴＣＣの調整も困難となる
。 ガラスフリットは、上記範囲中６５ｗｔ％〜９４ｗｔ％
の範囲がより望ましい。
成温度が高くなり、本発明の目的である低温度での焼成
を行なうことが困難である。一方、ガラスフリットが９
５ｗｔ％を越えると焼成体の曲げ強度、及び耐湿性が低
下し、好ましくない。また、ＴＣＣの調整も困難となる
。 ガラスフリットは、上記範囲中６５ｗｔ％〜９４ｗｔ％
の範囲がより望ましい。
【０００７】ＳｉＯ２は３０ｗｔ％未満では軟化温度が
低くなり焼成時に大きな変形を生じ、４０ｗｔ％を越え
ると焼成温度が高くなり過ぎ、いずれも好ましくない。
低くなり焼成時に大きな変形を生じ、４０ｗｔ％を越え
ると焼成温度が高くなり過ぎ、いずれも好ましくない。
【０００８】Ａｌ２Ｏ３は、１０ｗｔ％未満では焼成体
の曲げ強度が劣り、２０ｗｔ％を越えるとガラスの軟化
温度が高くなり、高い焼成温度を必要とするので、いず
れも好ましくない。
の曲げ強度が劣り、２０ｗｔ％を越えるとガラスの軟化
温度が高くなり、高い焼成温度を必要とするので、いず
れも好ましくない。
【０００９】ＣａＯ，ＭｇＯは、ガラスフリット製造時
の溶融性の向上、及びガラスの熱膨張係数を調整する目
的で添加する。これらの総量が５ｗｔ％未満では上記溶
融性が充分に向上せず、フリット製造時に失透を生じや
すく、２０ｗｔ％を越えると熱膨張係数が大きくなり過
ぎるので、いずれも好ましくない。
の溶融性の向上、及びガラスの熱膨張係数を調整する目
的で添加する。これらの総量が５ｗｔ％未満では上記溶
融性が充分に向上せず、フリット製造時に失透を生じや
すく、２０ｗｔ％を越えると熱膨張係数が大きくなり過
ぎるので、いずれも好ましくない。
【００１０】ＺｎＯは、ガラスの溶融性を向上させるた
めに５ｗｔ％以上の添加が望ましい。１５ｗｔ％を越え
るとガラスの軟化温度が低くなり過ぎ、焼成時に大きな
変形を生じやすく好ましくない。
めに５ｗｔ％以上の添加が望ましい。１５ｗｔ％を越え
るとガラスの軟化温度が低くなり過ぎ、焼成時に大きな
変形を生じやすく好ましくない。
【００１１】ＴｉＯ２は、ガラスの溶融性や化学的安定
性を向上させるために１０ｗｔ％以上の添加が望ましい
。 ２０ｗｔ％を越えるとガラスの軟化温度が高くなり、高
い焼成温度を必要とするので好ましくない。
性を向上させるために１０ｗｔ％以上の添加が望ましい
。 ２０ｗｔ％を越えるとガラスの軟化温度が高くなり、高
い焼成温度を必要とするので好ましくない。
【００１２】Ｂ２Ｏ３は、フラックスであり、０．５ｗ
ｔ％未満では焼成温度が高くなり過ぎ、２ｗｔ％を越え
るとガラスの化学的安定性が低下し、いずれも好ましく
ない。
ｔ％未満では焼成温度が高くなり過ぎ、２ｗｔ％を越え
るとガラスの化学的安定性が低下し、いずれも好ましく
ない。
【００１３】ＺｒＯ２は、ガラスの化学的安定性を向上
させるために、０．２ｗｔ％以上の添加が望ましいが、
１ｗｔ％を越えるとガラスフリット製造時の溶融性を悪
くするので好ましくない。
させるために、０．２ｗｔ％以上の添加が望ましいが、
１ｗｔ％を越えるとガラスフリット製造時の溶融性を悪
くするので好ましくない。
【００１４】
【作用】この構成によって、従来に比べ極めて低い温度
、すなわち７５０°〜９５０℃で焼成でき、厚膜技術で
広く使用されているＡｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等の
ペーストを内部電極として適用を可能とし、又、その焼
成体は、曲げ強度が大きく、熱伝導率に優れ、誘電率が
小さく、絶縁抵抗が大きく、耐湿性に優れており、特に
、正のＴＣＣ特性を持つガラスフリットと負のＴＣＣ特
性を持つチタン酸塩系の焼成反応により、ＴＣＣの調整
を容易にすることができる。
、すなわち７５０°〜９５０℃で焼成でき、厚膜技術で
広く使用されているＡｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等の
ペーストを内部電極として適用を可能とし、又、その焼
成体は、曲げ強度が大きく、熱伝導率に優れ、誘電率が
小さく、絶縁抵抗が大きく、耐湿性に優れており、特に
、正のＴＣＣ特性を持つガラスフリットと負のＴＣＣ特
性を持つチタン酸塩系の焼成反応により、ＴＣＣの調整
を容易にすることができる。
【００１５】
【実施例】以下本発明の一実施例について説明する。
【００１６】ガラスフリットは、重量％で、ＳｉＯ２が
３８、Ａｌ２Ｏ３が１９、ＣａＯ＋ＭｇＯが１８、Ｚｎ
Ｏが１３、ＴｉＯ２が１０、Ｂ２Ｏ３が１．５、ＺｒＯ
２が０．５の組成になるように、各原料を調合し、１４
００°〜１５００℃の温度にて攪拌しながら溶融し、溶
融後、水砕又は、フレーク状としガラスフリットを製造
した。
３８、Ａｌ２Ｏ３が１９、ＣａＯ＋ＭｇＯが１８、Ｚｎ
Ｏが１３、ＴｉＯ２が１０、Ｂ２Ｏ３が１．５、ＺｒＯ
２が０．５の組成になるように、各原料を調合し、１４
００°〜１５００℃の温度にて攪拌しながら溶融し、溶
融後、水砕又は、フレーク状としガラスフリットを製造
した。
【００１７】次に、このガラスフリットとチタン酸塩と
してＳｒＴｉＯ３を用い、それぞれ８５ｗｔ％，１５ｗ
ｔ％になるように秤量し、ボールミルにて粉砕、混合し
本発明の組成物を得た。
してＳｒＴｉＯ３を用い、それぞれ８５ｗｔ％，１５ｗ
ｔ％になるように秤量し、ボールミルにて粉砕、混合し
本発明の組成物を得た。
【００１８】この粉砕混合した組成物に、バインダーを
１０％添加し、造粒，成型後、８５０℃にて１５分焼成
した。この焼成体を直径３０ｍｍ，厚み０．３５ｍｍに
加工後、Ａｇ電極を焼き付け、ＴＣＣを測定したところ
、−２５℃〜８５℃にて±０ｐｐｍ／℃であった。
１０％添加し、造粒，成型後、８５０℃にて１５分焼成
した。この焼成体を直径３０ｍｍ，厚み０．３５ｍｍに
加工後、Ａｇ電極を焼き付け、ＴＣＣを測定したところ
、−２５℃〜８５℃にて±０ｐｐｍ／℃であった。
【００１９】次に、この粉砕、混合した組成物に種々の
バインダーや可塑剤、溶剤を添加，混練して粘度１０ｐ
ｓ〜３０ｐｓのペーストを作製した。このペーストを常
法のドクターブレード法により、厚み約０．１ｍｍのグ
リーンシートとした。このグリーンシートを５０枚重ね
、その後、３５℃にて約５０トンの圧力にて熱圧着させ
、８５０℃にて３０分焼成した。焼成したシートの各種
特性を測定したところ、体積固有抵抗率１０１４〜１０
１６Ωｃｍ、誘電率１２〜１４、誘電正接≦５×１０−
４、絶縁破壊強度７５０〜９００ＫＶ／ｃｍ、曲げ強度
２０００〜２５００ｋｇ／ｃｍ 、ＴＣＣ（−２５℃〜
８５℃）±０ｐｐｍ／℃であった。すなわち、導体，抵
抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線基板として
良好なセラミック基板の要求特性を満足する結果を得た
。
バインダーや可塑剤、溶剤を添加，混練して粘度１０ｐ
ｓ〜３０ｐｓのペーストを作製した。このペーストを常
法のドクターブレード法により、厚み約０．１ｍｍのグ
リーンシートとした。このグリーンシートを５０枚重ね
、その後、３５℃にて約５０トンの圧力にて熱圧着させ
、８５０℃にて３０分焼成した。焼成したシートの各種
特性を測定したところ、体積固有抵抗率１０１４〜１０
１６Ωｃｍ、誘電率１２〜１４、誘電正接≦５×１０−
４、絶縁破壊強度７５０〜９００ＫＶ／ｃｍ、曲げ強度
２０００〜２５００ｋｇ／ｃｍ 、ＴＣＣ（−２５℃〜
８５℃）±０ｐｐｍ／℃であった。すなわち、導体，抵
抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線基板として
良好なセラミック基板の要求特性を満足する結果を得た
。
【００２０】次いで、このガラスフリットとチタン酸塩
としてＳｒＴｉＯ３を用い、それぞれ９４ｗｔ％，６ｗ
ｔ％になるように秤量し、ボールミルにて粉砕、混合し
上記方法にてグリーンシートの焼成体を得た。この場合
の焼成温度は７８０℃であった。焼成したシートの各種
特性を測定したところ、体積固有抵抗率，誘電率，誘電
正接，絶縁破壊強度，曲げ強度等は、上記と同等の値を
得た。ＴＣＣは＋５０ｐｐｍ／℃であった。
としてＳｒＴｉＯ３を用い、それぞれ９４ｗｔ％，６ｗ
ｔ％になるように秤量し、ボールミルにて粉砕、混合し
上記方法にてグリーンシートの焼成体を得た。この場合
の焼成温度は７８０℃であった。焼成したシートの各種
特性を測定したところ、体積固有抵抗率，誘電率，誘電
正接，絶縁破壊強度，曲げ強度等は、上記と同等の値を
得た。ＴＣＣは＋５０ｐｐｍ／℃であった。
【００２１】ガラスフリットとチタン酸塩としてＣａＴ
ｉＯ３を用い、それぞれ７０ｗｔ％，３０ｗｔ％混合し
た組成物の場合は、焼成温度８７０℃にて、体積固有抵
抗率，誘電率，誘電正接，絶縁破壊強度，曲げ強度等は
、上記と同等の値を得た。ＴＣＣは−１５ｐｐｍ／℃で
あった。
ｉＯ３を用い、それぞれ７０ｗｔ％，３０ｗｔ％混合し
た組成物の場合は、焼成温度８７０℃にて、体積固有抵
抗率，誘電率，誘電正接，絶縁破壊強度，曲げ強度等は
、上記と同等の値を得た。ＴＣＣは−１５ｐｐｍ／℃で
あった。
【００２２】チタン酸塩としてＳｒＣａＴｉ２Ｏ６固溶
体を用いた場合は、ＳｒＣａＴｉ２Ｏ６の混合量が６０
ｗｔ％の時、焼成温度８９０℃で上記方法にてグリーン
シートの焼成体を得たところ、体積固有抵抗率，誘電率
，誘電正接，絶縁破壊強度，曲げ強度等は、上記と同等
の値を得た。ＴＣＣは−３０ｐｐｍ／℃であった。
体を用いた場合は、ＳｒＣａＴｉ２Ｏ６の混合量が６０
ｗｔ％の時、焼成温度８９０℃で上記方法にてグリーン
シートの焼成体を得たところ、体積固有抵抗率，誘電率
，誘電正接，絶縁破壊強度，曲げ強度等は、上記と同等
の値を得た。ＴＣＣは−３０ｐｐｍ／℃であった。
【００２３】その他、チタン酸塩としてＭｇＴｉＯ３，
ＢａＴｉＯ３、及びこれらチタン酸塩の固溶体を使用し
ても同様の結果を得た。
ＢａＴｉＯ３、及びこれらチタン酸塩の固溶体を使用し
ても同様の結果を得た。
【００２４】さらに、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等
のペーストを内部電極とし、積層した焼成体についても
同様の結果を得た。以上の結果を（表１）に示す。
のペーストを内部電極とし、積層した焼成体についても
同様の結果を得た。以上の結果を（表１）に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】次に（表２）に示す本発明の組成範囲外で
焼成体を作り、各特性を調べた。その結果を（表２）に
示す。
焼成体を作り、各特性を調べた。その結果を（表２）に
示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】この（表１），（表２）から明らかなよう
に本発明の組成物は、従来不可能であった極めて低い温
度で焼成が実現でき、かつ、ＴＣＣの調整が容易に行な
えることがわかった。
に本発明の組成物は、従来不可能であった極めて低い温
度で焼成が実現でき、かつ、ＴＣＣの調整が容易に行な
えることがわかった。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明は、所定量のガラス
フリットとチタン酸塩との組成物からなり、チタン酸塩
としては、ＳｒＴｉＯ３，ＣａＴｉＯ３，ＭｇＴｉＯ３
，ＢａＴｉＯ３、又は、これらチタン酸塩の固溶体であ
り、前記ガラスフリットとしては、所定量のＳｉＯ２，
Ａｌ２Ｏ３，ＣａＯ＋ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＴｉＯ２，Ｂ２
Ｏ３，ＺｒＯ２の混合物からなるセラミック基板用組成
物とすることにより、従来不可能であった極めて低い温
度、すなわち７５０〜９５０℃で焼成が実現できるよう
になり、また、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペー
ストを内部電極として使用することも可能となった。更
に焼成体の各種要求特性、すなわち、体積固有抵抗率，
誘電率，誘電正接，絶縁破壊強度，曲げ強度等、電子回
路を多層に形成する多層配線基板としての良好なセラミ
ック基板の特性を満足し、更に、ＴＣＣも±０ｐｐｍ／
℃〜±１００ｐｐｍ／℃の範囲で容易に調整を行なうこ
とができ、かつ、低原価で量産が可能なセラミック基板
用組成物を実現できるものである。
フリットとチタン酸塩との組成物からなり、チタン酸塩
としては、ＳｒＴｉＯ３，ＣａＴｉＯ３，ＭｇＴｉＯ３
，ＢａＴｉＯ３、又は、これらチタン酸塩の固溶体であ
り、前記ガラスフリットとしては、所定量のＳｉＯ２，
Ａｌ２Ｏ３，ＣａＯ＋ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＴｉＯ２，Ｂ２
Ｏ３，ＺｒＯ２の混合物からなるセラミック基板用組成
物とすることにより、従来不可能であった極めて低い温
度、すなわち７５０〜９５０℃で焼成が実現できるよう
になり、また、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペー
ストを内部電極として使用することも可能となった。更
に焼成体の各種要求特性、すなわち、体積固有抵抗率，
誘電率，誘電正接，絶縁破壊強度，曲げ強度等、電子回
路を多層に形成する多層配線基板としての良好なセラミ
ック基板の特性を満足し、更に、ＴＣＣも±０ｐｐｍ／
℃〜±１００ｐｐｍ／℃の範囲で容易に調整を行なうこ
とができ、かつ、低原価で量産が可能なセラミック基板
用組成物を実現できるものである。
Claims (3)
- 【請求項１】６０〜９５重量％のガラスフリットと４０
〜５重量％のチタン酸塩と、からなることを特徴とする
セラミック基板用組成物。 - 【請求項２】前記チタン酸塩がＳｒＴｉＯ３，ＣａＴｉ
Ｏ３，ＭｇＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３、又は、これらチタ
ン酸塩の固溶体の１種以上からなることを特徴とする請
求項１記載のセラミック基板用組成物。 - 【請求項３】前記ガラスフリットが、重量％でＳｉＯ２
が３０〜４０、Ａｌ２Ｏ３が１０〜２０、ＣａＯ＋Ｍｇ
Ｏが５〜２０、ＺｎＯが５〜１５、ＴｉＯ２が１０〜２
０、Ｂ２Ｏ３が０．５〜２、ＺｒＯ２が０．２〜１から
なることを特徴とする請求項１記載のセラミック基板用
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3049518A JPH04286181A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | セラミック基板用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3049518A JPH04286181A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | セラミック基板用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286181A true JPH04286181A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12833360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3049518A Pending JPH04286181A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | セラミック基板用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286181A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121174A (en) * | 1996-09-26 | 2000-09-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric material with low temperature coefficient and high quality |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP3049518A patent/JPH04286181A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121174A (en) * | 1996-09-26 | 2000-09-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric material with low temperature coefficient and high quality |
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