JPH04287320A - 光励起エッチング方法 - Google Patents
光励起エッチング方法Info
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- JPH04287320A JPH04287320A JP5177991A JP5177991A JPH04287320A JP H04287320 A JPH04287320 A JP H04287320A JP 5177991 A JP5177991 A JP 5177991A JP 5177991 A JP5177991 A JP 5177991A JP H04287320 A JPH04287320 A JP H04287320A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光励起エッチング方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子デバイスの高速化、高周波動
作等の要請に伴い、半導体材料はＳｉからＧａＡｓへ、
更にＩｎＧａＡｓへと変遷し、化合物半導体材料、特に
Ｉｎを含む化合物半導体材料を用いたデバイス開発が重
要になっていきている。その典型的なものとして、Ｉｎ
ＧａＡｓをチャネルとした電子デバイスが提供されてい
るが、その製造に際して、ヘテロ接合を利用したゲート
部リセスエッチングを高選択比、高制御性、高スループ
ットで行う必要がある。
作等の要請に伴い、半導体材料はＳｉからＧａＡｓへ、
更にＩｎＧａＡｓへと変遷し、化合物半導体材料、特に
Ｉｎを含む化合物半導体材料を用いたデバイス開発が重
要になっていきている。その典型的なものとして、Ｉｎ
ＧａＡｓをチャネルとした電子デバイスが提供されてい
るが、その製造に際して、ヘテロ接合を利用したゲート
部リセスエッチングを高選択比、高制御性、高スループ
ットで行う必要がある。
【０００３】例えばｎ─ＩｎＧａＡｓ／Ｎ─ＩｎＡｌＡ
ｓ／ｉ─ＩｎＧａＡｓを用いたＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）のゲート部リセスエッチングを行うには、光励起
エッチングによりキャップ層であるｎ─ＩｎＧａＡｓを
エッチングし、その下層であるＮ─ＩｎＡｌＡｓでエッ
チングを停止させる、いわゆる選択リセスエッチングを
行う。その際、従来はエッチングガスとしてハロゲン化
メタン（ＣＨ３ Ｂｒ等）を用い、光励起用光源として
低圧水銀ランプを用いていた。
ｓ／ｉ─ＩｎＧａＡｓを用いたＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）のゲート部リセスエッチングを行うには、光励起
エッチングによりキャップ層であるｎ─ＩｎＧａＡｓを
エッチングし、その下層であるＮ─ＩｎＡｌＡｓでエッ
チングを停止させる、いわゆる選択リセスエッチングを
行う。その際、従来はエッチングガスとしてハロゲン化
メタン（ＣＨ３ Ｂｒ等）を用い、光励起用光源として
低圧水銀ランプを用いていた。
【０００４】ところが、エッチングガスのハロゲンと被
エッチング材料のＩｎとはエッチング中に化合物を生成
し易い。生成したＩｎハロゲン化物は被エッチング材料
の表面に残渣として堆積するが、蒸気圧が低いため蒸発
除去されず、ＩｎＧａＡｓ表面を被覆した状態で残留す
る。そのため、エッチングレートが遅くなり、ＩｎＧａ
ＡｓとＩｎＡｌＡｓのエッチング選択比を低下し、また
ＩｎＧａＡｓ表面のモホロジーも悪化するという問題が
あった。
エッチング材料のＩｎとはエッチング中に化合物を生成
し易い。生成したＩｎハロゲン化物は被エッチング材料
の表面に残渣として堆積するが、蒸気圧が低いため蒸発
除去されず、ＩｎＧａＡｓ表面を被覆した状態で残留す
る。そのため、エッチングレートが遅くなり、ＩｎＧａ
ＡｓとＩｎＡｌＡｓのエッチング選択比を低下し、また
ＩｎＧａＡｓ表面のモホロジーも悪化するという問題が
あった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解消し、エッチングレートおよび選択比を高め、ウェ
ハ面内でのエッチング制御性を向上させて良好な表面モ
ホロジーを確保できる光励起エッチング方法を提供する
ことを目的とする。
を解消し、エッチングレートおよび選択比を高め、ウェ
ハ面内でのエッチング制御性を向上させて良好な表面モ
ホロジーを確保できる光励起エッチング方法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光励起エッチング方法は、エッチングガ
スに光を照射して光励起反応を生起させ、これにより生
成した反応種を被エッチング材料と反応させてエッチン
グを行う光励起エッチング方法において、実質的にアル
カンから成るエッチングガスに紫外光を照射し、反応種
としてメチル基を生成させることを特徴とする。
めに、本発明の光励起エッチング方法は、エッチングガ
スに光を照射して光励起反応を生起させ、これにより生
成した反応種を被エッチング材料と反応させてエッチン
グを行う光励起エッチング方法において、実質的にアル
カンから成るエッチングガスに紫外光を照射し、反応種
としてメチル基を生成させることを特徴とする。
【０００７】
【作用】図１を参照して、本発明の原理を説明する。エ
ッチングチャンバ１内に、エッチングガス２としてアル
カン（＝メタン系列：一般式Ｃｎ Ｈ２ｎ＋２）のガス
を導入し、これに紫外光３を照射して光励起反応により
反応種としてメチル基（ＣＨ３ ）を生成させ、これを
ウェハ（被エッチング材料）４と反応させてウェハ表面
をエッチングする。
ッチングチャンバ１内に、エッチングガス２としてアル
カン（＝メタン系列：一般式Ｃｎ Ｈ２ｎ＋２）のガス
を導入し、これに紫外光３を照射して光励起反応により
反応種としてメチル基（ＣＨ３ ）を生成させ、これを
ウェハ（被エッチング材料）４と反応させてウェハ表面
をエッチングする。
【０００８】例えば、エッチングガスであるアルカンと
してメタン（ＣＨ４）を用いた場合、これに紫外光を照
射すると、光励起によりＣＨ４ →ＣＨ３ ＋Ｈの反応
が生起され、発生した反応種としてのメチル基（ＣＨ３
）が被エッチング材料と反応し、被エッチング材料の
メチル化生成物が生じる。メチル化生成物は一般に蒸気
圧が高く、これが蒸発することによりエッチングが行わ
れる。
してメタン（ＣＨ４）を用いた場合、これに紫外光を照
射すると、光励起によりＣＨ４ →ＣＨ３ ＋Ｈの反応
が生起され、発生した反応種としてのメチル基（ＣＨ３
）が被エッチング材料と反応し、被エッチング材料の
メチル化生成物が生じる。メチル化生成物は一般に蒸気
圧が高く、これが蒸発することによりエッチングが行わ
れる。
【０００９】例えば、被エッチング材料がＩｎを含む化
合物半導体である場合、これと反応種ＣＨ３ とが被エ
ッチング材料表面でＩｎ＋３ＣＨ３→Ｉｎ（ＣＨ３ ）
３ なる反応をし、生成したメチル化生成物であるトリ
メチルインジウムＩｎ（ＣＨ３ ）３ が蒸発してエッ
チングが行われる。このように、本発明では、エッチン
グ反応によって生成するメチル化生成物が蒸気圧が高く
、エッチング中に速やかに蒸発するので被エッチング材
料表面に残渣として堆積することがない。これにより、
高いエッチングレートおよびエッチング選択比を確保し
、且つ良好な表面モホロジーを得ることができる。
合物半導体である場合、これと反応種ＣＨ３ とが被エ
ッチング材料表面でＩｎ＋３ＣＨ３→Ｉｎ（ＣＨ３ ）
３ なる反応をし、生成したメチル化生成物であるトリ
メチルインジウムＩｎ（ＣＨ３ ）３ が蒸発してエッ
チングが行われる。このように、本発明では、エッチン
グ反応によって生成するメチル化生成物が蒸気圧が高く
、エッチング中に速やかに蒸発するので被エッチング材
料表面に残渣として堆積することがない。これにより、
高いエッチングレートおよびエッチング選択比を確保し
、且つ良好な表面モホロジーを得ることができる。
【００１０】エッチングガスであるアルカンとしてメタ
ンを用いることが最も簡易である。光励起反応を効率良
く生起させるための紫外光としては、１６０ｎｍ以下の
波長のものが適している。この波長域の光源としては、
重水素ランプ、稀ガス共鳴線等を用いることできる。本
発明の方法は、被エッチング材料が、Ｉｎを含む化合物
半導体である場合に用いると特に有利である。
ンを用いることが最も簡易である。光励起反応を効率良
く生起させるための紫外光としては、１６０ｎｍ以下の
波長のものが適している。この波長域の光源としては、
重水素ランプ、稀ガス共鳴線等を用いることできる。本
発明の方法は、被エッチング材料が、Ｉｎを含む化合物
半導体である場合に用いると特に有利である。
【００１１】本発明の光励起エッチング方法は、半導体
装置の製造に用いるのに非常に好適であり、例えばＩｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系ヘテロ接合電界効果トランジ
スタのゲート部リセスエッチングに用いると非常に良好
な結果が得られる。以下に、添付図面を参照し実施例に
よって本発明を更に詳細に説明する。
装置の製造に用いるのに非常に好適であり、例えばＩｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系ヘテロ接合電界効果トランジ
スタのゲート部リセスエッチングに用いると非常に良好
な結果が得られる。以下に、添付図面を参照し実施例に
よって本発明を更に詳細に説明する。
【００１２】
【実施例】〔実施例１〕図２に示した装置を用い、本発
明に従って光励起エッチングを行う一例を説明する。エ
ッチングチャンバー２１内の、加熱ヒータ２２を備えた
基板ホルダー（図示せず）上に、基板２３をセットし、
１×１０−７Ｔｏｒｒまで排気した。基板２３は、ｎ─
ＩｎＧａＡｓ／Ｎ─ＩｎＡｌＡｓ／ｉ─ＩｎＧａＡｓを
ＩｎＰ基板上に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分
子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）等により形成した
後、その上に所定エッチングパターンのレジスト層を形
成したものである。
明に従って光励起エッチングを行う一例を説明する。エ
ッチングチャンバー２１内の、加熱ヒータ２２を備えた
基板ホルダー（図示せず）上に、基板２３をセットし、
１×１０−７Ｔｏｒｒまで排気した。基板２３は、ｎ─
ＩｎＧａＡｓ／Ｎ─ＩｎＡｌＡｓ／ｉ─ＩｎＧａＡｓを
ＩｎＰ基板上に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分
子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）等により形成した
後、その上に所定エッチングパターンのレジスト層を形
成したものである。
【００１３】メタン２４を１００ＳＣＣＭの流量で導入
し、メカニカルブースターポンプ（ＭＢＰ）により３０
０Ｐａに調圧した。重水素ランプ（Ｄ２ランプ）２５か
らの光２６をフッ化マグネシウムの透過窓２７を通して
チャンバー２１内に照射した。この照射によってチャン
バー２１内のメタンが分解され、反応種としてのメチル
基が生成する。そして基板２３表面のｎ─ＩｎＧａＡｓ
と反応し、生成したトリメチルインジウムＩｎ（ＣＨ３
）３ が蒸気としてチャンバ２１外へ排気され（２８
）、基板２１表面のＩｎＧａＡｓがエッチングされる。 エッチング中、基板２１の温度は８０℃に維持した。
し、メカニカルブースターポンプ（ＭＢＰ）により３０
０Ｐａに調圧した。重水素ランプ（Ｄ２ランプ）２５か
らの光２６をフッ化マグネシウムの透過窓２７を通して
チャンバー２１内に照射した。この照射によってチャン
バー２１内のメタンが分解され、反応種としてのメチル
基が生成する。そして基板２３表面のｎ─ＩｎＧａＡｓ
と反応し、生成したトリメチルインジウムＩｎ（ＣＨ３
）３ が蒸気としてチャンバ２１外へ排気され（２８
）、基板２１表面のＩｎＧａＡｓがエッチングされる。 エッチング中、基板２１の温度は８０℃に維持した。
【００１４】このエッチングにおいて、ＩｎＧａＡｓの
エッチングレートは約５００Å／分であり、エッチング
後の基板２１表面には残渣物は全く認められなかった。 エッチングの進行状況を図３に示す。同図（ａ）はエッ
チング時間に対するエッチング深さの推移を示し、同図
（ｂ）はキャップ層であるｎ─ＩｎＧａＡｓ層３０、そ
の下にあるエッチングストッパーとしてのＩｎＡｌＡｓ
層３１、ＩｎＧａＡｓ層３０上のレジストマスク３２、
およびエッチング深さｄの関係を示す。
エッチングレートは約５００Å／分であり、エッチング
後の基板２１表面には残渣物は全く認められなかった。 エッチングの進行状況を図３に示す。同図（ａ）はエッ
チング時間に対するエッチング深さの推移を示し、同図
（ｂ）はキャップ層であるｎ─ＩｎＧａＡｓ層３０、そ
の下にあるエッチングストッパーとしてのＩｎＡｌＡｓ
層３１、ＩｎＧａＡｓ層３０上のレジストマスク３２、
およびエッチング深さｄの関係を示す。
【００１５】ＩｎＧａＡｓ層内で約５００Å／分であっ
たエッチングレートが、その下層のＮ─ＩｎＡｌＡｓ層
では１０Å／分と極端に遅くなり、実質的にエッチング
が停止することが分かる。 〔比較例〕図２と同様な装置を用いて、実施例１と同様
な手順で光励起エッチングを行った。ただし、エッチン
グガスとして臭化メチル（ＣＨ３ Ｂｒ）を用い、照射
光源として低圧水銀ランプを用いた。
たエッチングレートが、その下層のＮ─ＩｎＡｌＡｓ層
では１０Å／分と極端に遅くなり、実質的にエッチング
が停止することが分かる。 〔比較例〕図２と同様な装置を用いて、実施例１と同様
な手順で光励起エッチングを行った。ただし、エッチン
グガスとして臭化メチル（ＣＨ３ Ｂｒ）を用い、照射
光源として低圧水銀ランプを用いた。
【００１６】このエッチングにおいては、ＩｎＧａＡｓ
のエッチングレートは約２００Å／分であり、エッチン
グ後の基板２１表面には残渣物としてＩｎＢｒ３ が認
められた。本発明に従った実施例１の光励起エッチング
方法では、比較例に示した従来に比べて約２．５倍のエ
ッチングレートが得られた。
のエッチングレートは約２００Å／分であり、エッチン
グ後の基板２１表面には残渣物としてＩｎＢｒ３ が認
められた。本発明に従った実施例１の光励起エッチング
方法では、比較例に示した従来に比べて約２．５倍のエ
ッチングレートが得られた。
【００１７】なお、実施例１ではＣＨ４ を効率良く分
解するための波長１６０ｎｍ以下の光源として重水素ラ
ンプを用いたが、その代わりに稀ガス共鳴線等を用いて
もよい。また、エッチングガスとしてメタン（ＣＨ４
）を用いたが、その代わりにエタン（Ｃ２ Ｈ６ ）を
用いても同様の結果が得られた。 〔実施例２〕実施例１のエッチング方法を用いて、Ｉｎ
Ｐに格子整合したｎ─ＩｎＧａＡｓ（５００Å）／Ｎ─
ＩｎＡｌＡｓ（３００Å）／ｉ─ＩｎＧａＡｓ（１００
０Å）ＨＥＭＴのゲート部リセスエッチングを行った。 図４を参照して手順を説明する。同図（ａ）〜（ｃ）は
、以下で説明する工程（ａ）〜（ｃ）に対応する。 工程（ａ） ＩｎＰ基板４１上に、分子線エピタキシャル成長法によ
りｎ─ＩｎＧａＡｓ層４２（厚さ５００Å）、Ｎ─Ｉｎ
ＡｌＡｓ層４３（厚さ３００Å）、およびｉ─ＩｎＧａ
Ａｓ層４４（厚さ１０００Å）を順次形成した後、燐酸
系のウェットエッチングによりメサ構造４５を形成しア
イソレーションを行った。このとき、ｎ─ＩｎＧａＡｓ
層４２の上部には二次元電子ガスの層４２’が誘起され
ている。 工程（ｂ） ＡｕＧｅ（１０００Å）／Ａｕ（２０００Å）のオーミ
ックメタルの層４６を、真空蒸着により被着した後、リ
フトオフによって成形し、３５０℃、１分間のアロイ処
理を施した。レジスト層４７を形成し、これをマスクと
して実施例１と同様の光励起エッチングによりｎ─Ｉｎ
ＧａＡｓ層４２をエッチングした。エッチングがｎ─Ｉ
ｎＧａＡｓ層４２（５００Å）を貫通しＩｎＡｌＡｓ層
４３内に入ると、残留酸素による酸化により図３（ａ）
のようにエッチングレートが極端に低下し（１０Å／分
程度）、事実上エッチングが停止した。
解するための波長１６０ｎｍ以下の光源として重水素ラ
ンプを用いたが、その代わりに稀ガス共鳴線等を用いて
もよい。また、エッチングガスとしてメタン（ＣＨ４
）を用いたが、その代わりにエタン（Ｃ２ Ｈ６ ）を
用いても同様の結果が得られた。 〔実施例２〕実施例１のエッチング方法を用いて、Ｉｎ
Ｐに格子整合したｎ─ＩｎＧａＡｓ（５００Å）／Ｎ─
ＩｎＡｌＡｓ（３００Å）／ｉ─ＩｎＧａＡｓ（１００
０Å）ＨＥＭＴのゲート部リセスエッチングを行った。 図４を参照して手順を説明する。同図（ａ）〜（ｃ）は
、以下で説明する工程（ａ）〜（ｃ）に対応する。 工程（ａ） ＩｎＰ基板４１上に、分子線エピタキシャル成長法によ
りｎ─ＩｎＧａＡｓ層４２（厚さ５００Å）、Ｎ─Ｉｎ
ＡｌＡｓ層４３（厚さ３００Å）、およびｉ─ＩｎＧａ
Ａｓ層４４（厚さ１０００Å）を順次形成した後、燐酸
系のウェットエッチングによりメサ構造４５を形成しア
イソレーションを行った。このとき、ｎ─ＩｎＧａＡｓ
層４２の上部には二次元電子ガスの層４２’が誘起され
ている。 工程（ｂ） ＡｕＧｅ（１０００Å）／Ａｕ（２０００Å）のオーミ
ックメタルの層４６を、真空蒸着により被着した後、リ
フトオフによって成形し、３５０℃、１分間のアロイ処
理を施した。レジスト層４７を形成し、これをマスクと
して実施例１と同様の光励起エッチングによりｎ─Ｉｎ
ＧａＡｓ層４２をエッチングした。エッチングがｎ─Ｉ
ｎＧａＡｓ層４２（５００Å）を貫通しＩｎＡｌＡｓ層
４３内に入ると、残留酸素による酸化により図３（ａ）
のようにエッチングレートが極端に低下し（１０Å／分
程度）、事実上エッチングが停止した。
【００１８】エッチング終了後、簡単な表面浄化処理を
行って、上記の残留酸素によるＡｌ酸化物、エッチング
雰囲気として用いたＡｒ中の不純物Ｃ等を除去した。 工程（ｃ） 真空蒸着によるＡｌ被着後、リフトオフによってＡｌ電
極４８を形成した。ＨＥＭＴ構造のリセスエッチングに
おいては、形成される素子の均一性にとってエッチング
選択比が重要である。上記本発明による光励起エッチン
グでは、エッチング選択比として約５０が得られた。こ
れは、例えばエッチングガスとして臭化メチル（ＣＨ３
Ｂｒ）を、光励起用光源として低圧水銀ランプを用い
た従来の光励起エッチングにおけるエッチング選択比が
約２０であったのに比べて、約２．５倍の向上である。
行って、上記の残留酸素によるＡｌ酸化物、エッチング
雰囲気として用いたＡｒ中の不純物Ｃ等を除去した。 工程（ｃ） 真空蒸着によるＡｌ被着後、リフトオフによってＡｌ電
極４８を形成した。ＨＥＭＴ構造のリセスエッチングに
おいては、形成される素子の均一性にとってエッチング
選択比が重要である。上記本発明による光励起エッチン
グでは、エッチング選択比として約５０が得られた。こ
れは、例えばエッチングガスとして臭化メチル（ＣＨ３
Ｂｒ）を、光励起用光源として低圧水銀ランプを用い
た従来の光励起エッチングにおけるエッチング選択比が
約２０であったのに比べて、約２．５倍の向上である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ハロゲンを含まないエッチングガスを用いることによっ
て、蒸気圧の低いハロゲン化物の残渣堆積を回避できる
ため、エッチングレートおよびエッチング選択比を著し
く向上させ且つ良好な表面モホロジーを確保することが
できる。
ハロゲンを含まないエッチングガスを用いることによっ
て、蒸気圧の低いハロゲン化物の残渣堆積を回避できる
ため、エッチングレートおよびエッチング選択比を著し
く向上させ且つ良好な表面モホロジーを確保することが
できる。
【００２０】本発明は、特にゲート部リセス適用するこ
とにより、ウェハ面内のデバイス特性を均一化すること
ができ、例えばＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭＴの歩留り向上、
集積密度の一層の向上に寄与するところが極めて大きい
。
とにより、ウェハ面内のデバイス特性を均一化すること
ができ、例えばＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭＴの歩留り向上、
集積密度の一層の向上に寄与するところが極めて大きい
。
【図１】本発明の光励起エッチングの原理を説明するた
めの装置断面図である。
めの装置断面図である。
【図２】本発明に従って光励起エッチングを行うための
装置の配置例を示す断面図である。
装置の配置例を示す断面図である。
【図３】本発明の光励起エッチングの進行状況を示す（
ａ）グラフおよび（ｂ）断面図である。
ａ）グラフおよび（ｂ）断面図である。
【図４】本発明に従ってＨＥＭＴのゲート部リセスエッ
チングを行う半導体装置の製造工程の例を示す断面図で
ある。
チングを行う半導体装置の製造工程の例を示す断面図で
ある。
１…エッチングチャンバ
２…エッチングガス
３…紫外光
４…ウェハ（被エッチング材料）
２１…エッチングチャンバ
２２…加熱ヒータ
２３…基板（ＩｎＰ基板上にｎ─ＩｎＧａＡｓ／Ｎ─Ｉ
ｎＡｌＡｓ／ｉ─ＩｎＧ ａＡｓを形成後、その上にレジスト層を形成したもの）
２４…メタン ２５…重水素ランプ（Ｄ２ランプ） ２６…光 ２７…フッ化マグネシウムの透過窓 ２８…排気 ３０…ｎ─ＩｎＧａＡｓ層 ３１…ＩｎＡｌＡｓ層 ３２…レジストマスク ４１…ＩｎＰ基板 ４２…ｉ─ＩｎＧａＡｓ層 ４２’…二次元電子ガスの層 ４３…Ｎ─ＩｎＡｌＡｓ層 ４４…ｎ─ＩｎＧａＡｓ層 ４５…メサ構造 ４６…ＡｕＧｅ（１０００Å）／Ａｕ（２０００Å）オ
ーミックメタル層 ４７…レジスト層 ４８…Ａｌ電極 ｄ…エッチング深さ
ｎＡｌＡｓ／ｉ─ＩｎＧ ａＡｓを形成後、その上にレジスト層を形成したもの）
２４…メタン ２５…重水素ランプ（Ｄ２ランプ） ２６…光 ２７…フッ化マグネシウムの透過窓 ２８…排気 ３０…ｎ─ＩｎＧａＡｓ層 ３１…ＩｎＡｌＡｓ層 ３２…レジストマスク ４１…ＩｎＰ基板 ４２…ｉ─ＩｎＧａＡｓ層 ４２’…二次元電子ガスの層 ４３…Ｎ─ＩｎＡｌＡｓ層 ４４…ｎ─ＩｎＧａＡｓ層 ４５…メサ構造 ４６…ＡｕＧｅ（１０００Å）／Ａｕ（２０００Å）オ
ーミックメタル層 ４７…レジスト層 ４８…Ａｌ電極 ｄ…エッチング深さ
Claims (5)
- 【請求項１】 エッチングガスに光を照射して光励起
反応を生起させ、これにより生成した反応種を被エッチ
ング材料と反応させてエッチングを行う光励起エッチン
グ方法において、実質的にアルカンから成るエッチング
ガスに紫外光を照射し、反応種としてメチル基を生成さ
せることを特徴とする光励起エッチング方法。 - 【請求項２】 前記アルカンとしてメタンを用いるこ
とを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記紫外光が１６０ｎｍ以下の波長成
分を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方
法。 - 【請求項４】 前記紫外光の光源として重水素ランプ
または稀ガス共鳴線を用いることを特徴とする請求項１
から３までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項５】 前記被エッチング材料が、Ｉｎを含む
化合物半導体であることを特徴とする請求項１から４ま
でのいずれか１項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5177991A JPH04287320A (ja) | 1991-03-16 | 1991-03-16 | 光励起エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5177991A JPH04287320A (ja) | 1991-03-16 | 1991-03-16 | 光励起エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287320A true JPH04287320A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12896441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5177991A Withdrawn JPH04287320A (ja) | 1991-03-16 | 1991-03-16 | 光励起エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04287320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136210A (en) * | 1998-11-02 | 2000-10-24 | Xerox Corporation | Photoetching of acoustic lenses for acoustic ink printing |
-
1991
- 1991-03-16 JP JP5177991A patent/JPH04287320A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136210A (en) * | 1998-11-02 | 2000-10-24 | Xerox Corporation | Photoetching of acoustic lenses for acoustic ink printing |
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