JPH04288801A - 磁石材料およびその製造方法ならびにボンディッド磁石 - Google Patents
磁石材料およびその製造方法ならびにボンディッド磁石Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
れた希土類磁石材料およびその製造方法と、ボンディッ
ド磁石とに関する。
系磁石やNd−Fe−B系磁石が知られているが、近年
、新規な希土類磁石の開発が盛んに行なわれている。
であるSm2 Fe17N2.3 付近の組成で、4π
Is =15.4kG、Tc =470℃、HA =1
4Tの基本物性が得られること、Znをバインダとする
メタルボンディッド磁石として10.5MGOeの(B
H)max が得られること、また、Sm2 Fe17
金属間化合物へのNの導入により、キュリー温度が大幅
に向上して熱安定性が改良されたことが報告されている
(Paper No.S1.3 at the Six
th International Symposiu
m on Magnetic Anisotropy
and Coercivity in Rare Ea
rth−Transition Metal Allo
ys,Pittsburgh,PA,October2
5,1990.(Proceedings Book:
Carnegie Mellon Universit
y,Mellon Institute,Pittsb
urgh,PA 15213,USA) )。
A1 には、希土類金属、鉄、窒素および水素を含む磁
性材料が開示されている。この磁性材料は、合金インゴ
ットを80〜120μm 程度に粗粉砕し、さらにアン
モニアガス中あるいはこれと水素ガス等との混合ガス中
で熱処理することにより窒化および水素化されて製造さ
れる。
窒素を含む磁性材料は、一般に、希土類金属−鉄からな
る合金を、窒素ガス流中、高圧窒素ガス中または高圧ア
ンモニアガス中、あるいはこれらの混合雰囲気中で熱処
理することにより製造される。このような熱処理では、
ガスを固相中に侵入させなければならないため、反応面
積を広くする必要がある。このため、上記EP 0 3
69 097 A1 に示されるように、合金インゴッ
トを数μm から100μm 程度の粒径に粗粉砕した
後に窒化させることが必要であった。
いる磁石粒子は、ほぼ単結晶粒子となる程度の粒径を有
するものであり、その保磁力発生機構はニュークリエー
ションタイプである。このため、磁気特性が粒子の表面
状態の影響を受け易い。すなわち、粉砕時の機械的衝撃
や粒子の酸化等により磁石粒子表面には欠陥が生じ、こ
の欠陥により磁壁が発生するが、ニュークリエーション
タイプの磁石では結晶粒内に磁壁のピンニングサイトが
ないため容易に磁壁移動が起こるので、保磁力が劣化し
易い。このため、上記提案に示される磁石は高い磁気特
性が得られにくい。また、加熱により磁石粒子表面が酸
化すると保磁力が著しく劣化するため、キュリー温度が
高いにもかかわらず、実際に使用する際には加熱に対す
る安定性が低い。しかも、粒子表面状態の悪化による磁
気特性劣化は不可逆的であるため、高温下で使用された
場合、回復不能なダメージを受ける恐れがある。
石は、Znをバインダとして用いたメタルボンディッド
磁石である。メタルボンディッド磁石の磁石粒子は、成
形時に高温の溶融金属と接することにより表面が溶融す
るため、粒子表面が平滑化されて磁壁の発生が抑えられ
ると考えられ、このため上記報告ではメタルボンディッ
ド磁石を用いていると推察されるが、メタルボンディッ
ド磁石は樹脂ボンディッド磁石に比べ成形性に劣り、比
重が大きいため適用分野が狭い。また、バインダとして
メタルを用いた場合でも、ボンディッド磁石とした後に
生じた磁石粒子表面の欠陥、例えば酸化による表面状態
悪化は防止することができず、磁気特性劣化は抑えるこ
とができない。
合型ボンディッド磁石は、成形性に優れ、また、比重が
小さいため、各種用途に汎用されている。しかし、樹脂
結合型ボンディッド磁石では、成形時の温度が低いため
磁石粒子表面の平滑化を行なうことができず、粒子の表
面欠陥による保磁力の低下が避けられない。
上記したように磁石表面状態の影響を受け易い問題があ
るが、急冷法により作製されたNd−Fe−B磁石のよ
うに極めて微細な結晶粒をもつピンニングタイプの磁石
では、磁石粒子表面で発生した磁壁が結晶粒表面でピン
ニングされて移動が阻止されるため、磁石粒子の表面欠
陥の影響を受けない。そこで、Sm2 Fe17系合金
を急冷法により作製し、これを窒化させれば、磁石粒子
の表面欠陥の影響を受けず、しかも窒素添加により、飽
和磁化、キュリー温度、異方性エネルギーなどが改良さ
れた磁石が得られると考えられる。
Fe17系合金は、組織が極めて緻密であり、合金中に
空孔が少なく密度が高い。このため、窒素ガス流中や高
圧アンモニアガス中で熱処理しても、十分に窒化するこ
とは不可能である。
netism and Magnetic Mater
ials 61(1986)24−28 には、Nd2
(Fe,Si)17化合物が開示されている。この化
合物では、Si添加によりキュリー温度Tc が上昇し
ている。また、Journal of Magneti
sm and Magnetic Materials
88(1990)1−6 には、RFe17Cx (
R=Sm,Tm)化合物が開示されている。この化合物
では、C添加により結晶磁気異方性が向上し、キュリー
温度も上昇している。
高々300℃程度であり、熱安定性が十分とはいえない
。また、結晶磁気異方性は向上しているが、実際の保磁
力は測定されていない。そして、これらの化合物は鋳造
法などで作製されているため、粒子化した場合に上記し
たような粒子表面状態の影響を受け、保磁力が劣化する
ことは免れない。
情からなされたものであり、磁気特性および熱安定性が
高く、しかも酸化や粉砕による磁気特性劣化が防止され
た磁石材料およびその製造方法と、この磁石材料を用い
たボンディッド磁石とを提供することを目的とする。
(1)〜(8)の本発明により達成される。
0.5〜25原子%含有し、残部がFe、またはFeお
よびCoであり、前記残部中におけるFeの含有率が2
0原子%以上であって、急冷法を用いて作製され、ピン
ニングタイプの保磁力発生機構を有することを特徴とす
る磁石材料。
/またはSiを含有し、かつNの含有率が0.5原子%
以上である上記(1)に記載の磁石材料。
以上であり、Smを必須として含む。)およびT(Tは
Fe、またはFeおよびCoである)を含有する溶湯状
合金を急冷した後、水素ガス雰囲気中で水素吸蔵熱処理
を施して水素を吸蔵させ、次いで、窒素ガス雰囲気中で
窒化熱処理を施して窒化する工程を有することを特徴と
する磁石材料の製造方法。
たはSiを含有する上記(3)に記載の磁石材料の製造
方法。
持温度が350℃以下である上記(3)または(4)に
記載の磁石材料の製造方法。
度が、350〜650℃であってかつ前記水素吸蔵熱処
理における保持温度よりも高いものである上記(3)な
いし(5)のいずれかに記載の磁石材料の製造方法。
の磁石材料の製造に用いられる上記(3)ないし(6)
のいずれかに記載の磁石材料の製造方法。
の磁石材料の粉末とバインダとを含有することを特徴と
するボンディッド磁石。
作製されたSm−(Fe,Co)系合金またはSm−(
Fe,Co)−(C,Si)系合金に、窒素(N)を含
有させたものである。
ー温度が高く、熱安定性に優れる。また、Nを含有する
ことにより高い飽和磁化が得られ、異方性エネルギーも
向上して高い保磁力が得られる。磁気特性の向上は、N
の添加により侵入型の固溶体が形成され、Fe原子同士
や、Fe原子と希土類金属原子との距離が最適化される
ためであると考えられる。
窒化させることにより製造されるので、平均結晶粒径が
1μm 程度以下と極めて小さく、ほぼ単磁区に近い粒
径となっている。従って、焼結法により製造される従来
のSm−(Fe,Co)−N系磁石の単結晶磁石粒子と
同程度の粒子径にまで粉砕しても、磁石粒子内には多数
の結晶粒が含まれる。このため、磁石粒子内で磁壁がピ
ンニングされることになり、磁石粒子の表面欠陥による
逆磁区発生の影響は磁石粒子表面付近に留まる。
面欠陥による磁気特性劣化が抑えられ、樹脂結合型ボン
ディッド磁石に適用した場合でも高い保磁力が得られる
。また、高温環境で使用されたときの粒子表面の酸化に
よる磁気特性劣化を抑えることができるため、N添加に
よるキュリー温度の向上を有効に利用することができる
。
め、磁石粒子の径を大きくしても磁気特性が劣化するこ
とが少ない。このため、より高い耐酸化性を得ることが
でき、この意味からも熱安定性が高い。
び/またはSiの添加により一層向上する。CやSiは
、Nと同様に結晶格子間隙に固溶するため、Nと同様な
効果を有する。しかも、CやSiはガラス化元素である
ため、Cおよび/またはSiを含有させれば、急冷の際
の冷却速度を極端に高くしなくても微細な結晶粒が安定
して得られることになり、製造が容易となる。
ための熱処理に際しては、ガスを固相中に侵入させるの
で窒化する合金の表面積の割合を大きくする必要があり
、合金インゴットを粉砕した後、窒化している。しかし
、単ロール法などの急冷法により製造された合金は組織
が緻密であるため、粉砕しても十分に窒化することはで
きない。
熱処理を施して水素を吸蔵させた後、窒素ガス雰囲気中
で窒化熱処理を施すので、急冷合金を十分に窒化するこ
とが可能である。しかも、急冷合金を粉砕することなく
、薄帯状などのまま均質に窒化することができる。これ
は、水素吸蔵熱処理により急冷合金中に微細なガス通路
が形成され、続く窒化熱処理の際に、このガス通路を通
って窒素が急冷合金の深部まで侵入するためであると考
えられる。
A1 には、水素吸蔵および脱水素を繰り返すことに
より磁石材料を粗粉砕する旨が記載されているが、この
磁石材料は急冷法により製造されたものではなく、また
、粒径は例えば4μm と記載されているように極めて
小さいものであるので、前記記載は本発明の作用効果を
示唆するものではない。
する。
%、好ましくは7〜14原子%、Nを0.5〜25原子
%、好ましくは5〜20原子%含有し、残部が実質的に
Fe、またはFeおよびCoであり、前記残部中におけ
るFeの含有率が20原子%以上、好ましくは30原子
%以上である。
よび/またはSiを含有する構成としてもよい。この場
合、Nの含有率は0.5原子%以上であり、N、Cおよ
びSiの合計含有率は25原子%以下である。
力 iHc が低下し、前記範囲を超えると残留磁束密
度Br が低下してしまう。なお、本発明では、Smの
一部をY、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb
、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等の他の希土類
金属元素の1種以上で置換してもよい。置換量が多すぎ
ると結晶磁気異方性が低下するため、これらの元素の置
換量は、Smの70%以下とすることが好ましい。
リー温度の上昇と飽和磁化の向上が不十分であり、N、
CおよびSiの合計含有率が前記範囲を超えるとBr
が低下する。
たはSiは、飽和磁化、保磁力およびキュリー温度向上
効果を示す。また、ガラス化元素としてはたらくため、
これらを含有することにより、微細な結晶粒を形成する
ための冷却条件設定が容易となる。CおよびSiの合計
含有率の下限は特にないが、合計含有率が0.25原子
%以上であれば、前記した効果は十分に発揮される。
あるいはFeおよびCoであるが、残部中のFeの含有
率が前記範囲未満となるとBr が低下する。なお、前
記残部中のFe含有率の上限は特にないが、80原子%
を超えるとBr が低下する傾向にある。
i、Zn等の上記以外の元素が含有されていてもよい。 これらの元素の含有率は3重量%以下とすることが好ま
しい。また、B、O、P、S等の元素が含有されていて
もよいが、これらの元素の含有率は2重量%以下とする
ことが好ましい。
晶粒と結晶粒界とからなる組織構造を有する。結晶粒の
平均径は1μm 以下であり、通常、0.5μm 以下
、好ましくは0.015〜0.35μm 、特に好まし
くは0.02〜0.1μm である。また、十分な磁気
特性を得るためには、結晶粒の平均径が0.005μm
以上であることが好ましい。結晶粒径は、透過型電子
顕微鏡等により確認することができる。
以上、特に4〜20kOe の保磁力、8kG以上、特
に10〜15kGの飽和磁化が得られ、キュリー温度は
430〜470℃程度である。
法を説明する。
ス雰囲気中で水素吸蔵熱処理を施して水素を吸蔵させ、
次いで、窒素ガス雰囲気中で窒化熱処理を施して窒化す
る。
製造する。すなわち、R(Rは希土類金属元素の1種以
上であり、Smを必須として含む。)およびT(TはF
e、またはFeおよびCoである)を含有する溶湯状合
金を、105 ℃/秒程度以上の速度で急速に冷却する
ことにより急冷合金とする。なお、Cおよび/またはS
iを含有する磁石材料を製造する場合、これらの元素を
含有する溶湯状合金を用いる。
ール法、双ロール法、アトマイズ法等の各種方法から適
宜選択すればよいが、量産性が高く、急冷条件の再現性
が良好であることから、通常、単ロール法を用いること
が好ましい。
どに応じて適宜設定すればよいが、通常、ロール周速は
10〜40m/s 程度である。
、通常、薄帯状である。薄帯の厚さは特に限定されない
が、通常、20〜200μm であることが好ましい。 厚さが前記範囲未満の薄帯は作製することが困難であり
、厚さが前記範囲を超える薄帯では、十分な冷却速度を
得ることが困難である。
結晶粒が存在するが、急冷条件によってはアモルファス
状態あるいはこれに近い状態となっていることがあり、
特にCやSiを含有する合金では、冷却速度が比較的低
くてもアモルファス化し易い。この場合、急冷後に合金
を熱処理して再結晶させる。再結晶のための熱処理条件
は特に限定されず、上記したような結晶粒が出現するよ
うに適宜設定すればよいが、通常、350〜750℃に
て0.05〜1時間程度とする。なお、熱処理は、不活
性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気、還元性雰囲気、真空
中等で行なうことが好ましい。
。水素吸蔵熱処理では、水素ガス雰囲気中で熱処理する
ことにより急冷合金に水素を吸蔵させる。この際の熱処
理温度は350℃以下、特に100〜300℃とするこ
とが好ましく、温度保持時間は0.5〜24時間、特に
1〜10時間とすることが好ましい。また、水素ガスの
圧力は、0.1〜10気圧、特に0.5〜2気圧とする
ことが好ましい。
限らず、水素ガスと不活性ガスとの混合雰囲気であって
もよい。この場合の不活性ガスとしては、例えばHeま
たはAr、あるいはこれらの混合ガスが好ましい。
とが好ましい。水素吸蔵熱処理が1回だけであれば、合
金は殆ど微粉化せずに薄帯状に保たれる。なお、薄帯状
合金を粉砕してから水素吸蔵熱処理を施してもよい。
を施して本発明の磁石材料とする。窒化熱処理では、窒
素ガス雰囲気中で熱処理することにより、磁石材料を窒
化する。窒化熱処理の際の保持温度は350〜650℃
、特に400〜550℃とすることが好ましい。ただし
、この際の温度は水素吸蔵熱処理の温度よりも高いこと
が好ましい。また、温度保持時間は、0.5〜200時
間、特に2〜100時間程度とすることが好ましく、窒
素ガスの圧力は0.1気圧程度以上とすることが好まし
い。磁石材料中のN量は、ガス分析法により測定するこ
とができる。
熱処理後、急冷合金から水素を放出させずに続いて窒化
熱処理を施すことが好ましい。この場合、急冷合金中の
水素は窒化熱処理の際の加熱により放出され、窒化後の
磁石材料中に水素は実質的に含まれない。
水素を放出させ、次いで窒化熱処理を施してもよい。こ
の場合、水素を吸蔵している急冷合金に減圧雰囲気中で
熱処理を施すことにより水素を放出させることができる
。この場合の熱処理温度は200〜400℃とすること
が好ましく、温度保持時間は0.5〜2時間とすること
が好ましい。また、圧力は1×10−2Torr以下、
特に1×10−3Torr以下とすることが好ましく、
Arガス雰囲気中で熱処理することが好ましい。
、薄帯状や粒状等のいずれであってもよいが、ボンディ
ッド磁石等の磁石製品に適用される場合には、所定の粒
径にまで粉砕されて磁石粒子とされる。
子の平均粒子径は、通常、2μm 以上とすることが好
ましいが、十分な耐酸化性を得るためには、平均粒子径
を好ましくは20μm 以上、より好ましくは30μm
超、さらに好ましくは35μm 以上とすることがよ
い。また、この程度の粒子径とすることにより、高密度
のボンディッド磁石とすることができる。平均粒子径の
上限は特にないが、通常、1000μm 程度以下であ
り、好ましくは200μm 以下である。なお、この場
合の平均粒子径とは、篩別により求められた重量平均粒
子径D50を意味する。重量平均粒子径D50は、径の
小さな粒子から重量を加算していって、その合計重量が
全粒子の合計重量の50%となったときの粒子径である
。
で結合して作製される。本発明の磁石材料は、プレス成
形を用いるコンプレッションボンディッド磁石、あるい
は射出成形を用いるインジェクションボンディッド磁石
のいずれにも適用することができる。バインダとしては
、各種樹脂、各種金属等のいずれであってもよい。樹脂
バインダの種類は特に限定されず、エポキシ樹脂やナイ
ロン等の各種熱硬化性樹脂や各種熱可塑性樹脂から目的
に応じて適宜選択すればよい。金属バインダの種類も特
に限定されないが、亜鉛を用いることが好ましい。また
、磁石粒子に対するバインダの含有比率や成形時の圧力
等の各種条件にも特に制限はなく、通常の範囲から適当
に選択すればよい。
をさらに詳細に説明する。
製した。まず、原料合金のインゴットをアーク溶解によ
り作製し、インゴットを石英ノズルに入れて高周波誘導
加熱により溶解して溶湯状とし、単ロール法により急冷
して、厚さ80μm 、幅5mmの薄帯状急冷合金とし
た。 なお、冷却ロールの周速度は20〜32m/s の範囲
から選択した。また、サンプルNo. 5〜10の製造
に際しては、一部もしくは全体がアモルファス状態の急
冷合金が得られたため、急冷後にArガス雰囲気中で4
50〜600℃にて0.1〜1時間の熱処理を施し、再
結晶させた。
た。水素吸蔵熱処理は、1気圧の水素ガス雰囲気の真空
槽中で1時間行なった。処理時の保持温度を表1に示す
。
1気圧の窒素ガス雰囲気に換え、表1に示す温度で5時
間加熱することにより窒化熱処理を施し、磁石材料サン
プルを得た。
さずに窒化熱処理だけを施したサンプルも作製した。
顕微鏡により観察した結果、平均結晶粒径は0.015
〜0.35μm であった。また、X線回折の結果、こ
れらのサンプルがR2 T17型の結晶構造を有してい
ることが確認された。
粉砕し、平均粒径180μm の磁石粒子とした。
、組成、保磁力 iHc 、飽和磁化4πIs および
キュリー温度Tc の測定を行なった。
5%RHの空気中に500時間放置した後、保磁力 i
Hc を測定した。これを保存後の iHc として表
1に示す。
明らかである。すなわち、水素吸蔵熱処理後に窒化熱処
理を施したサンプルでは、十分に窒化されており、磁気
特性が良好でキュリー温度も高い。また、ピンニングタ
イプであるため、高温保存後の不可逆的な iHc 低
下が極めて少ない。
理した場合、窒化が不十分であり、磁気特性が低くキュ
リー温度も低い。なお、水素吸蔵熱処理を施さずに窒化
熱処理した薄帯状サンプルを切断し、断面の組成をオー
ジェ分析により測定したところ、サンプル中央付近の窒
素含有率は0.5%未満であった。また、表1に示され
るように、これらのサンプルでは、キュリー温度測定の
際の顕著な磁化減少が130℃付近および450℃付近
の2点で観察された。130℃付近の磁化減少は、窒化
されていない領域の存在を示すものである。
おいて、Feの一部をCoで置換した場合、Tc の上
昇、4πIs およびBr の向上ならびに iHc
の僅かな低下が認められた。
樹脂と混合した後、プレス成形し、さらに硬化のための
熱処理を施してコンプレッションボンディッド磁石とし
た。エポキシ樹脂は磁石粒子100重量部に対し2重量
部とした。プレス成形の圧力保持時間は10秒間とし、
印加圧力は8000kgf/cm2 とした。また、樹
脂硬化のための熱処理は、150℃にて1時間行なった
。
石粒子に応じた磁気特性が得られた。
させ、その後に窒化するので、緻密な組織をもつ急冷合
金を十分に窒化することができる。
れた熱安定性が得られ、また、高い飽和磁化が得られる
。特に、Cおよび/またはSiを含有する急冷合金では
、キュリー温度および磁気特性がさらに向上し、また、
結晶粒径の制御が容易なので、高性能な磁石材料が容易
に得られる。
磁力発生機構を有するので、粉砕時に生じた表面欠陥に
よる磁気特性劣化が抑えられる。このため、磁石粒子の
表面欠陥を改善することができない樹脂結合型ボンディ
ッド磁石に適用した場合でも、高い保磁力が得られる。 また、高温環境で使用されたときの粒子表面の酸化によ
る磁気特性劣化を抑えることができるため、窒素添加に
よるキュリー温度の向上を有効に利用することができる
。さらに、ボンディッド磁石などに適用するために粉砕
する際に、高い耐酸化性を得るために磁石粒子の径を大
きくしても保磁力が低下しない。
Claims (8)
- 【請求項1】 Smを5〜15原子%と、Nを0.5
〜25原子%含有し、残部がFe、またはFeおよびC
oであり、前記残部中におけるFeの含有率が20原子
%以上であって、急冷法を用いて作製され、ピンニング
タイプの保磁力発生機構を有することを特徴とする磁石
材料。 - 【請求項2】 前記Nの一部に換えてCおよび/また
はSiを含有し、かつNの含有率が0.5原子%以上で
ある請求項1に記載の磁石材料。 - 【請求項3】 R(Rは希土類金属元素の1種以上で
あり、Smを必須として含む。)およびT(TはFe、
またはFeおよびCoである)を含有する溶湯状合金を
急冷した後、水素ガス雰囲気中で水素吸蔵熱処理を施し
て水素を吸蔵させ、次いで、窒素ガス雰囲気中で窒化熱
処理を施して窒化する工程を有することを特徴とする磁
石材料の製造方法。 - 【請求項4】 前記溶湯状合金がCおよび/またはS
iを含有する請求項3に記載の磁石材料の製造方法。 - 【請求項5】 前記水素吸蔵熱処理における保持温度
が350℃以下である請求項3または4に記載の磁石材
料の製造方法。 - 【請求項6】 前記窒化熱処理における保持温度が、
350〜650℃であってかつ前記水素吸蔵熱処理にお
ける保持温度よりも高いものである請求項3ないし5の
いずれかに記載の磁石材料の製造方法。 - 【請求項7】 請求項1または2に記載の磁石材料の
製造に用いられる請求項3ないし6のいずれかに記載の
磁石材料の製造方法。 - 【請求項8】 請求項1または2に記載の磁石材料の
粉末とバインダとを含有することを特徴とするボンディ
ッド磁石。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP07854191A JP3357381B2 (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 磁石材料およびその製造方法ならびにボンディッド磁石 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716462A (en) * | 1995-06-30 | 1998-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic material and bonded magnet |
| JP2004260150A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-09-16 | Tdk Corp | 硬質磁性組成物 |
| CN115240946A (zh) * | 2022-08-16 | 2022-10-25 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种钐铁氮基各向异性永磁材料及其制备方法与应用 |
| CN118547235A (zh) * | 2024-07-25 | 2024-08-27 | 西安稀有金属材料研究院有限公司 | 一种钐铁合金渗氮的方法 |
| CN119480316A (zh) * | 2025-01-17 | 2025-02-18 | 安徽大学 | 一种制备各向异性钐铁氮磁粉的方法 |
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1991
- 1991-03-18 JP JP07854191A patent/JP3357381B2/ja not_active Expired - Fee Related
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