JPH04290001A - 電子回路板 - Google Patents
電子回路板Info
- Publication number
- JPH04290001A JPH04290001A JP5451391A JP5451391A JPH04290001A JP H04290001 A JPH04290001 A JP H04290001A JP 5451391 A JP5451391 A JP 5451391A JP 5451391 A JP5451391 A JP 5451391A JP H04290001 A JPH04290001 A JP H04290001A
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- JP
- Japan
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- signal transmission
- transmission line
- circuit board
- electronic circuit
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、電子回路板に係り、特
に高周波回路装置の構成に適する電子回路板に関する。
に高周波回路装置の構成に適する電子回路板に関する。
【０００３】
【従来の技術】情報の高度化ないし情報量の増加に伴い
、信号周波数も高域化され、たとえば移動電話など移動
体通信分野では、高周波（マイクロ波）帯での高周波回
路装置が使用されつつある。また、高周波回路装置の軽
薄短小化などを目的として、たとえばセラミックを基材
とした絶縁性基板面に、所要の高周波回路を配設する構
成が採られている。
、信号周波数も高域化され、たとえば移動電話など移動
体通信分野では、高周波（マイクロ波）帯での高周波回
路装置が使用されつつある。また、高周波回路装置の軽
薄短小化などを目的として、たとえばセラミックを基材
とした絶縁性基板面に、所要の高周波回路を配設する構
成が採られている。
【０００４】ところで、この種の高周波回路装置の構成
には、一般に次のような構成の電子回路板が使用されて
いる。すなわち、図５に要部構成を斜視的に示すごとく
、たとえばアルミナなど誘電率が１０程度の絶縁性基板
本体１の一主面に、たとえばマイクロストリップライン
構造の膜型信号伝送線路２が形設され、絶縁性基板本体
１の他主面に接地用導体層３が一体的に形設された構成
を成した電子回路板が使用されている。しかして、この
種の電子回路板においては、特性インピーダンス５０Ω
の膜型信号伝送線路２とする場合、膜型の信号伝送線路
２幅Ｗを０．６３５ μｍ程度、絶縁性基板本体１の厚
さを０．６３５ｍｍ 程度に設定しており、特性インピ
ーダンスを１ｋΩとしようとすると、前記膜型の信号伝
送線路２幅Ｗをさらに狭く設定する必要がある。また、
所要の回路機能をもたせるため、たとえば図６〜図８に
それぞれ要部構成を平面的示すごとく、マイクロストリ
ップライン構造の膜型信号伝送線路２ａ，２ｂ間に、抵
抗体チップ４（厚膜回路基板の場合）もしくは膜型抵抗
５（薄膜回路基板の場合）を挿入・配置し、またマイク
ロストリップライン構造の信号伝送線路２ａにバイアス
をかける構成の場合は、膜型リアクタンス素子６を配設
している。図８において７はベアチップを、８は接地用
導体層３に接続するパッド部を、９はリード線をそれぞ
れ示す。
には、一般に次のような構成の電子回路板が使用されて
いる。すなわち、図５に要部構成を斜視的に示すごとく
、たとえばアルミナなど誘電率が１０程度の絶縁性基板
本体１の一主面に、たとえばマイクロストリップライン
構造の膜型信号伝送線路２が形設され、絶縁性基板本体
１の他主面に接地用導体層３が一体的に形設された構成
を成した電子回路板が使用されている。しかして、この
種の電子回路板においては、特性インピーダンス５０Ω
の膜型信号伝送線路２とする場合、膜型の信号伝送線路
２幅Ｗを０．６３５ μｍ程度、絶縁性基板本体１の厚
さを０．６３５ｍｍ 程度に設定しており、特性インピ
ーダンスを１ｋΩとしようとすると、前記膜型の信号伝
送線路２幅Ｗをさらに狭く設定する必要がある。また、
所要の回路機能をもたせるため、たとえば図６〜図８に
それぞれ要部構成を平面的示すごとく、マイクロストリ
ップライン構造の膜型信号伝送線路２ａ，２ｂ間に、抵
抗体チップ４（厚膜回路基板の場合）もしくは膜型抵抗
５（薄膜回路基板の場合）を挿入・配置し、またマイク
ロストリップライン構造の信号伝送線路２ａにバイアス
をかける構成の場合は、膜型リアクタンス素子６を配設
している。図８において７はベアチップを、８は接地用
導体層３に接続するパッド部を、９はリード線をそれぞ
れ示す。
【０００５】なお、前記電子回路板の構成において、膜
型信号伝送線路２は一般にＡｕ導体、Ａｇ−Ｐｄ導体も
しくはＣｕ導体で構成され、また膜型抵抗体は市販のペ
ーストで形成されている。
型信号伝送線路２は一般にＡｕ導体、Ａｇ−Ｐｄ導体も
しくはＣｕ導体で構成され、また膜型抵抗体は市販のペ
ーストで形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記構成の電
子回路板の場合は、実用上次のような不都合な問題があ
る。先ず第１に、電子回路板においてマイクロストリッ
プライン構造の膜型信号伝送線路２に高いインピーダン
スをもたせる場合、その信号伝送線路２の幅Ｗを狭くす
る必要がある。しかし、膜型信号伝送線路２幅Ｗの狭小
化には限度があるため、絶縁性基板本体１として誘電率
εの小さいものを用いるか、絶縁性基板本体１の厚さを
厚くせざるを得ない。ここで、膜型信号伝送線路２幅Ｗ
の狭小化した場合、抵抗体などとの接続を保持するため
膨大化させた被接続端部のコーナ分から電磁波が放散さ
れ易いという問題もある。
子回路板の場合は、実用上次のような不都合な問題があ
る。先ず第１に、電子回路板においてマイクロストリッ
プライン構造の膜型信号伝送線路２に高いインピーダン
スをもたせる場合、その信号伝送線路２の幅Ｗを狭くす
る必要がある。しかし、膜型信号伝送線路２幅Ｗの狭小
化には限度があるため、絶縁性基板本体１として誘電率
εの小さいものを用いるか、絶縁性基板本体１の厚さを
厚くせざるを得ない。ここで、膜型信号伝送線路２幅Ｗ
の狭小化した場合、抵抗体などとの接続を保持するため
膨大化させた被接続端部のコーナ分から電磁波が放散さ
れ易いという問題もある。
【０００７】第２に、膜型信号伝送線路２の特性インピ
ーダンス（Ｚｏ ）と負荷抵抗（ＺＲ）とが整合しない
（異なった）場合、特定の周波数において等価的なリア
クタンス素子が形成される。たとえば、図９に模式的に
示すように膜型信号伝送線路２の特性インピーダンスＺ
ｏ ＝５０Ωのとき、膜型信号伝送線路２の長さＬは、
Ｌ＝（２ｎ＋１）λｇ ／４ （ただしｎは整数）となる周波数に対してＺｉｎ＝０（
Ω）となるが、膜型信号伝送線路２の長さＬは常に一定
であり、短くすることができない。つまり、膜型信号伝
送線路２の面からは高密度化を図り得ない。
ーダンス（Ｚｏ ）と負荷抵抗（ＺＲ）とが整合しない
（異なった）場合、特定の周波数において等価的なリア
クタンス素子が形成される。たとえば、図９に模式的に
示すように膜型信号伝送線路２の特性インピーダンスＺ
ｏ ＝５０Ωのとき、膜型信号伝送線路２の長さＬは、
Ｌ＝（２ｎ＋１）λｇ ／４ （ただしｎは整数）となる周波数に対してＺｉｎ＝０（
Ω）となるが、膜型信号伝送線路２の長さＬは常に一定
であり、短くすることができない。つまり、膜型信号伝
送線路２の面からは高密度化を図り得ない。
【０００８】第３に、高周波信号を伝送する膜型信号伝
送線路２ａ，２ｂ 間に抵抗体４（５）を直列に配設す
る場合、パターンを整合するため膜型信号伝送線路２ａ
，２ｂ の幅Ｗと抵抗体４（５）の幅Ｗ１ とを等しく
すると、Ｒ＝ｌ／Ｗ１ ・Ｒｓ （シート抵抗値…ここ
でｌは抵抗体の長さ）によって、抵抗調整のため抵抗値
を高くしようとすると抵抗体４（５）の長さを長くする
必要があり、この点でも回路のコンパクト化が阻害され
ることになる。
送線路２ａ，２ｂ 間に抵抗体４（５）を直列に配設す
る場合、パターンを整合するため膜型信号伝送線路２ａ
，２ｂ の幅Ｗと抵抗体４（５）の幅Ｗ１ とを等しく
すると、Ｒ＝ｌ／Ｗ１ ・Ｒｓ （シート抵抗値…ここ
でｌは抵抗体の長さ）によって、抵抗調整のため抵抗値
を高くしようとすると抵抗体４（５）の長さを長くする
必要があり、この点でも回路のコンパクト化が阻害され
ることになる。
【０００９】本発明は上記事情に対処してなされたもの
で、膜型信号伝送線路２の特性インピーダンスを変える
ことができるばかりでなく、回路構成のコンパクト化な
ども容易に図り得る電子回路板の提供を目的とする。
で、膜型信号伝送線路２の特性インピーダンスを変える
ことができるばかりでなく、回路構成のコンパクト化な
ども容易に図り得る電子回路板の提供を目的とする。
【００１０】［発明の構成］
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る電子回路板
は、絶縁性基板本体と、前記絶縁性基板本体の主面に設
けられた膜型の信号伝送線路とを具備する電子回路板に
おいて、前記膜型の信号伝送線路の少なくとも一部が抵
抗性材料で形成されていることを特徴とする。 すな
わち、本発明の電子回路板は、膜型の信号伝送線路間に
直列接続される抵抗体および側鎖的に配置されるリアク
タンス素子やインダクタンス調整部などを含めた膜型の
信号伝送線路全体もしくは主要部分をいわゆる抵抗性材
料で構成することを骨子とするものである。
は、絶縁性基板本体と、前記絶縁性基板本体の主面に設
けられた膜型の信号伝送線路とを具備する電子回路板に
おいて、前記膜型の信号伝送線路の少なくとも一部が抵
抗性材料で形成されていることを特徴とする。 すな
わち、本発明の電子回路板は、膜型の信号伝送線路間に
直列接続される抵抗体および側鎖的に配置されるリアク
タンス素子やインダクタンス調整部などを含めた膜型の
信号伝送線路全体もしくは主要部分をいわゆる抵抗性材
料で構成することを骨子とするものである。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、膜型の信号伝送線路の少な
くとも一部が、いわゆる抵抗性材料で構成ないし形成さ
れているため、通常の導体で形成した場合らに比べて、
容易に特性インピーダンスを高め得るとともに、軽薄短
小化も図り得る。つまり、膜型の信号伝送線路の幅や長
さを変化させたりすることなく、所要の特性インピーダ
ンスを保持させ得るし、また高密度回路化（パターンの
高密度化）も図られる一方、管内波長を小さくし得ると
いう機能を呈する。
くとも一部が、いわゆる抵抗性材料で構成ないし形成さ
れているため、通常の導体で形成した場合らに比べて、
容易に特性インピーダンスを高め得るとともに、軽薄短
小化も図り得る。つまり、膜型の信号伝送線路の幅や長
さを変化させたりすることなく、所要の特性インピーダ
ンスを保持させ得るし、また高密度回路化（パターンの
高密度化）も図られる一方、管内波長を小さくし得ると
いう機能を呈する。
【００１３】
【実施例】以下図１〜図４を参照して本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１４】図１は、本発明に係る電子回路板の要部構
成例を平面的に示したもので、１は絶縁性基板本体、２
は前記絶縁性基板本体１の一主面に設けられたマイクロ
ストリップライン構造の膜型の信号伝送線路である。し
かして、前記膜型の信号伝送線路２は、この膜型の信号
伝送線路２が、２分割された形になる膜型の信号伝送線
路２ａ，２ｂ 間に、抵抗体１０が直列接続された構成
を成しており、しかもこれらは全体的に抵抗性材料で形
成されている。たとえば、２分割された形になる膜型の
信号伝送線路２ａ，２ｂ は、抵抗値１〜１０Ω／□程
度の抵抗体材料で形成され、また直列接続する抵抗体１
０を抵抗値５０〜１００ Ω／□程度の抵抗体材料で形
成されている。
成例を平面的に示したもので、１は絶縁性基板本体、２
は前記絶縁性基板本体１の一主面に設けられたマイクロ
ストリップライン構造の膜型の信号伝送線路である。し
かして、前記膜型の信号伝送線路２は、この膜型の信号
伝送線路２が、２分割された形になる膜型の信号伝送線
路２ａ，２ｂ 間に、抵抗体１０が直列接続された構成
を成しており、しかもこれらは全体的に抵抗性材料で形
成されている。たとえば、２分割された形になる膜型の
信号伝送線路２ａ，２ｂ は、抵抗値１〜１０Ω／□程
度の抵抗体材料で形成され、また直列接続する抵抗体１
０を抵抗値５０〜１００ Ω／□程度の抵抗体材料で形
成されている。
【００１５】前記構成のように、直列接続されるいわゆ
る抵抗体１０を含めて膜型の信号伝送線路２を、抵抗体
材料で形成した構成の電子回路板においては、通常の導
体で形成した場合と異なり、膜型の信号伝送線路２の幅
を狭小化することなく、あるいは長さを長くすることな
く、特性インピーダンスの高い膜型の信号伝送線路２と
して機能させ得る。また、膜型信号伝送線路２の特性イ
ンピーダンスおよび負荷抵抗の相違に起因し、形成され
る特定周波数における等価的なリアクタンス素子として
も、前記Ｌ＝（２ｎ＋１）λｇ ／４において、膜型信
号伝送線路２の長さＬも、通常の導体で形成した場合に
比べて短くすることがでる。つまり、膜型信号伝送線路
２の面からλ長（管内波長）を変えることができるとと
もに、高密度化も容易に図り得ることになる。しかも、
直列接続されるいわゆる抵抗体１０を含めて膜型の信号
伝送線路２は、いわゆる厚膜プロセスによる製造過程で
、抵抗ペーストを任意のシート抵抗に調整して用いるこ
とにより、同一回路パターンで特性インピーダンスの異
なる電子回路板として機能する。
る抵抗体１０を含めて膜型の信号伝送線路２を、抵抗体
材料で形成した構成の電子回路板においては、通常の導
体で形成した場合と異なり、膜型の信号伝送線路２の幅
を狭小化することなく、あるいは長さを長くすることな
く、特性インピーダンスの高い膜型の信号伝送線路２と
して機能させ得る。また、膜型信号伝送線路２の特性イ
ンピーダンスおよび負荷抵抗の相違に起因し、形成され
る特定周波数における等価的なリアクタンス素子として
も、前記Ｌ＝（２ｎ＋１）λｇ ／４において、膜型信
号伝送線路２の長さＬも、通常の導体で形成した場合に
比べて短くすることがでる。つまり、膜型信号伝送線路
２の面からλ長（管内波長）を変えることができるとと
もに、高密度化も容易に図り得ることになる。しかも、
直列接続されるいわゆる抵抗体１０を含めて膜型の信号
伝送線路２は、いわゆる厚膜プロセスによる製造過程で
、抵抗ペーストを任意のシート抵抗に調整して用いるこ
とにより、同一回路パターンで特性インピーダンスの異
なる電子回路板として機能する。
【００１６】図２は他の要部構成例、つまりバイアス回
路のリアクタンス成分をを平面的に示したもので、この
例では膜型信号伝送線路２本体部が通常の導体で形成さ
れ、側鎖的に配設されるリアクタンス成分１１を、厚膜
プロセスあるいは薄膜プロセスによって形成したもので
ある。
路のリアクタンス成分をを平面的に示したもので、この
例では膜型信号伝送線路２本体部が通常の導体で形成さ
れ、側鎖的に配設されるリアクタンス成分１１を、厚膜
プロセスあるいは薄膜プロセスによって形成したもので
ある。
【００１７】さらに、図３（ａ） 、（ｂ） は他の要
部構成例を平面的に示したものでである。すなわち、膜
型の信号伝送線路２の特性インピーダンスを調整するた
め、膜型信号伝送線路２本体部に、側鎖的に配設したス
タブ１２を厚膜プロセスあるいは薄膜プロセスによって
抵抗ペーストで形成したものである。なお、図３（ａ）
はオープンスタブの場合を、図３（ｂ） はショート
スタブの場合をそれぞれ示す。
部構成例を平面的に示したものでである。すなわち、膜
型の信号伝送線路２の特性インピーダンスを調整するた
め、膜型信号伝送線路２本体部に、側鎖的に配設したス
タブ１２を厚膜プロセスあるいは薄膜プロセスによって
抵抗ペーストで形成したものである。なお、図３（ａ）
はオープンスタブの場合を、図３（ｂ） はショート
スタブの場合をそれぞれ示す。
【００１８】図４において曲線Ａは厚膜抵抗ペーストで
スタブを配設した場合での、λ長による共振状況を模式
的に示したもので、通常の導体でスタブを配設した場合
（曲線Ｂ）に較べ、共振点が急激にならないように容易
に調整し得るので、整合の帯域を広げ得ることになる。 しかも、前記スタブ１２を抵抗体材料で形成した場合は
、λ長を短くしえるので、高密度配線ないし高密度実装
も可能となる。
スタブを配設した場合での、λ長による共振状況を模式
的に示したもので、通常の導体でスタブを配設した場合
（曲線Ｂ）に較べ、共振点が急激にならないように容易
に調整し得るので、整合の帯域を広げ得ることになる。 しかも、前記スタブ１２を抵抗体材料で形成した場合は
、λ長を短くしえるので、高密度配線ないし高密度実装
も可能となる。
【００１９】なお、本発明において、膜型の伝送線路の
少なくとも一部を構成する抵抗体材料としては、前記例
示の抵抗値を有するものに限定されず、一般に抵抗体と
称される数Ω〜数ＭΩのものならいずれも使用し得る。
少なくとも一部を構成する抵抗体材料としては、前記例
示の抵抗値を有するものに限定されず、一般に抵抗体と
称される数Ω〜数ＭΩのものならいずれも使用し得る。
【００２０】
【発明の効果】上記説明から分かるように、本発明に係
る電子回路板によれば、高周波信号など伝送する膜型の
伝送線路の特性インピーダンスを大きく成し得る。つま
り、膜型の伝送線路の幅や長さ、あるいは絶縁性基板本
体の厚さや誘電率など選択・設定を変更せずに、特性イ
ンピーダンスのみを変更することができる。さらに、管
内波長が短縮され、実装密度を上げることができるため
、高周波回路装置を構成した場合、設計の自由度が向上
する。
る電子回路板によれば、高周波信号など伝送する膜型の
伝送線路の特性インピーダンスを大きく成し得る。つま
り、膜型の伝送線路の幅や長さ、あるいは絶縁性基板本
体の厚さや誘電率など選択・設定を変更せずに、特性イ
ンピーダンスのみを変更することができる。さらに、管
内波長が短縮され、実装密度を上げることができるため
、高周波回路装置を構成した場合、設計の自由度が向上
する。
【図１】本発明に係る電子回路板の要部構成例を示す平
面図。
面図。
【図２】本発明に係る電子回路板の他の要部構成例を示
す平面図。
す平面図。
【図３】ａおよびｂは本発明に係る電子回路板のさらに
他の事なる要部構成例を示す平面図。
他の事なる要部構成例を示す平面図。
【図４】本発明に係る電子回路板の特性例を従来の電子
回路板の特性例とを比較して示す曲線図。
回路板の特性例とを比較して示す曲線図。
【図５】従来の電子回路板の要部構成を示す斜視図。
【図６】従来の電子回路板の要部構成を示す平面図。
【図７】従来の電子回路板の他の要部構成を示す平面図
。
。
【図８】従来の電子回路板のさらに他の要部構成を示す
平面図。
平面図。
【図９】電子回路板における特性インピーダンスと負荷
抵抗に起因する周波数に対するリアクタンスの関係を説
明するための模式図。
抵抗に起因する周波数に対するリアクタンスの関係を説
明するための模式図。
１…絶縁性基板本体 ２、２ａ、２ｂ…マイクロ
ストリップライン構造の膜型伝送線路 ３…
接地用導体層 ４…チップ抵抗 ５…膜型
抵抗 ６…膜型リアクタンス ７…ベアチ
ップ ８…パッド ９…リード線
１０…抵抗体 １１…リアクタンス成分
１２…スタブ
ストリップライン構造の膜型伝送線路 ３…
接地用導体層 ４…チップ抵抗 ５…膜型
抵抗 ６…膜型リアクタンス ７…ベアチ
ップ ８…パッド ９…リード線
１０…抵抗体 １１…リアクタンス成分
１２…スタブ
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基板本体と、前記絶縁性基板本
体の主面に設けられた信号伝送線路とを具備する電子回
路板において、前記信号伝送線路の少なくとも一部が抵
抗性材料で形成されていることを特徴とする電子回路板
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5451391A JPH04290001A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 電子回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5451391A JPH04290001A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 電子回路板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290001A true JPH04290001A (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=12972730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5451391A Withdrawn JPH04290001A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 電子回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04290001A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008048445A (ja) * | 2007-09-21 | 2008-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 伝送線路基板および半導体パッケージ |
| JPWO2022091192A1 (ja) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP5451391A patent/JPH04290001A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008048445A (ja) * | 2007-09-21 | 2008-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 伝送線路基板および半導体パッケージ |
| JPWO2022091192A1 (ja) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |