JPH04290983A - 放射線検出器用シンチレータブロック - Google Patents
放射線検出器用シンチレータブロックInfo
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- JPH04290983A JPH04290983A JP3055249A JP5524991A JPH04290983A JP H04290983 A JPH04290983 A JP H04290983A JP 3055249 A JP3055249 A JP 3055249A JP 5524991 A JP5524991 A JP 5524991A JP H04290983 A JPH04290983 A JP H04290983A
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- chip
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- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
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- G—PHYSICS
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- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば陽電子放出核種
断層撮影装置（ポジトロンＣＴ）のような放射線医療診
断装置に用いる放射線検出器に用いられるシンチレータ
ブロックに関するものである。
断層撮影装置（ポジトロンＣＴ）のような放射線医療診
断装置に用いる放射線検出器に用いられるシンチレータ
ブロックに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポジトロンＣＴは、陽電子を放出する放
射線源を被検体に投与し、被検体の周囲にリング状に配
置された放射線検出器にて、陽電子が消滅した時に出る
消滅γ線を回転走査して多方向からの情報を採取し、こ
れを計算機処理して被検体の断層像を得る撮影装置であ
る。
射線源を被検体に投与し、被検体の周囲にリング状に配
置された放射線検出器にて、陽電子が消滅した時に出る
消滅γ線を回転走査して多方向からの情報を採取し、こ
れを計算機処理して被検体の断層像を得る撮影装置であ
る。
【０００３】ポジトロンＣＴに用いられる放射線検出器
は、光電子増倍管１の入射窓に、複数のシンチレータチ
ップに区画されたシンチレータを連結したものが用いら
れている。被検体中の放射線源から照射されたγ線は、
放射線検出器のシンチレータチップに順次入射してシン
チレーション光を発する。これらのシンチレーション光
を光電子増倍管で光電変換することにより経時的な電気
信号として出力される。断層像の空間分解能は、各シン
チレータチップが細分化しているほど高くすることがで
きる。
は、光電子増倍管１の入射窓に、複数のシンチレータチ
ップに区画されたシンチレータを連結したものが用いら
れている。被検体中の放射線源から照射されたγ線は、
放射線検出器のシンチレータチップに順次入射してシン
チレーション光を発する。これらのシンチレーション光
を光電子増倍管で光電変換することにより経時的な電気
信号として出力される。断層像の空間分解能は、各シン
チレータチップが細分化しているほど高くすることがで
きる。
【０００４】このようなシンチレータを製造するには、
複数の小さなシンチレータチップを作成した後、ＢａＳ
Ｏ４ 粉末やポリテトラフルオロエチレンテープ（テフ
ロンテープ）のような反射材を介して貼り合わせ、複数
のシンチレータチップからなるシンチレータを得る方法
と、図３に示すように、ブロック状に切り出したシンチ
レータ結晶２に一定間隔で深い切込み溝５を形成し、そ
の切込み溝５に反射材６を挿入して実質的に複数のシン
チレータチップ２１・２２・・・に区画されたシンチレ
ータ２０を得る方法とがある。光電子増倍管１を有効に
利用して放射線信号のロスを低減するには光電子増倍管
１の光電面１ａ全体を使う方が好ましく、光電面１ａ全
体を覆う大きさのシンチレータ２０が必要である。この
ようなシンチレータ２０の大きさは５０ｍｍ以上必要で
あるが、一個のシンチレータ結晶でこのように大きな結
晶は得られない。 従って、一個のシンチレータ結晶を加工して光電面１ａ
全体を覆うシンチレータを作成することは不可能である
。
複数の小さなシンチレータチップを作成した後、ＢａＳ
Ｏ４ 粉末やポリテトラフルオロエチレンテープ（テフ
ロンテープ）のような反射材を介して貼り合わせ、複数
のシンチレータチップからなるシンチレータを得る方法
と、図３に示すように、ブロック状に切り出したシンチ
レータ結晶２に一定間隔で深い切込み溝５を形成し、そ
の切込み溝５に反射材６を挿入して実質的に複数のシン
チレータチップ２１・２２・・・に区画されたシンチレ
ータ２０を得る方法とがある。光電子増倍管１を有効に
利用して放射線信号のロスを低減するには光電子増倍管
１の光電面１ａ全体を使う方が好ましく、光電面１ａ全
体を覆う大きさのシンチレータ２０が必要である。この
ようなシンチレータ２０の大きさは５０ｍｍ以上必要で
あるが、一個のシンチレータ結晶でこのように大きな結
晶は得られない。 従って、一個のシンチレータ結晶を加工して光電面１ａ
全体を覆うシンチレータを作成することは不可能である
。
【０００５】そこで、図３のようにシンチレータ２０を
複数のブロックに分けて作成する方法が採られた。ブロ
ック状のシンチレータ結晶２に切込み溝５を形成して反
射材６を挿入し、複数のシンチレータチップ２１・２２
・・・に区画されたシンチレータブロック２を作成する
。このシンチレータブロック２を、同様にして作成した
シンチレータブロック３と反射材７を介して接合すれば
、大きなシンチレータ２０が得られる。
複数のブロックに分けて作成する方法が採られた。ブロ
ック状のシンチレータ結晶２に切込み溝５を形成して反
射材６を挿入し、複数のシンチレータチップ２１・２２
・・・に区画されたシンチレータブロック２を作成する
。このシンチレータブロック２を、同様にして作成した
シンチレータブロック３と反射材７を介して接合すれば
、大きなシンチレータ２０が得られる。
【０００６】しかし、このシンチレータ２０には、シン
チレータブロック２とブロック３との接合面近傍のシン
チレータチップ２１ や３１ から光電子増倍管１への
入射光量が少ないという問題がある。
チレータブロック２とブロック３との接合面近傍のシン
チレータチップ２１ や３１ から光電子増倍管１への
入射光量が少ないという問題がある。
【０００７】例えば、シンチレータブロック２のなかほ
どにあるシンチレータチップ２３ にγ線が入射した場
合、このγ線で発生したシンチレーション光は、シンチ
レータチップ２３ の直下を中心としてほぼ左右対称に
光電子増倍管１に入射し、γ線量に応じた位置検出信号
量が与えられる。一方、シンチレータブロック３に隣接
するシンチレータチップ２１ にγ線が入射した場合、
シンチレーション光は、シンチレータチップ２１ の直
下およびシンチレータチップ２２ の下方からは光電子
増倍管１へ入射するものの、シンチレータブロック２と
ブロック３との接合面全体に反射材７が設けてあるため
、シンチレータチップ３１ の下方からは入射しない。 そのシンチレーション光は、ロスされてしまい、光電子
増倍管１により位置検出信号量を測定すると、図４に示
すようにグラフ中央部にカウント数が小さい部分が発生
し、放射線検出器として不適当である。
どにあるシンチレータチップ２３ にγ線が入射した場
合、このγ線で発生したシンチレーション光は、シンチ
レータチップ２３ の直下を中心としてほぼ左右対称に
光電子増倍管１に入射し、γ線量に応じた位置検出信号
量が与えられる。一方、シンチレータブロック３に隣接
するシンチレータチップ２１ にγ線が入射した場合、
シンチレーション光は、シンチレータチップ２１ の直
下およびシンチレータチップ２２ の下方からは光電子
増倍管１へ入射するものの、シンチレータブロック２と
ブロック３との接合面全体に反射材７が設けてあるため
、シンチレータチップ３１ の下方からは入射しない。 そのシンチレーション光は、ロスされてしまい、光電子
増倍管１により位置検出信号量を測定すると、図４に示
すようにグラフ中央部にカウント数が小さい部分が発生
し、放射線検出器として不適当である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の課題を
解決するためなされたもので、放射線によるシンチレー
ション光を効率良く光電変換するとともに、シンチレー
タの全ての部分において放射線を同一条件で検知できる
放射線検出器用シンチレータブロックを提供することを
目的とする。
解決するためなされたもので、放射線によるシンチレー
ション光を効率良く光電変換するとともに、シンチレー
タの全ての部分において放射線を同一条件で検知できる
放射線検出器用シンチレータブロックを提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めになされた、本発明の放射線検出器用シンチレータブ
ロックを、一実施例に対応する図１を用いて説明する。
めになされた、本発明の放射線検出器用シンチレータブ
ロックを、一実施例に対応する図１を用いて説明する。
【００１０】同図に示すように本発明の放射線検出器用
シンチレータブロックは、放射線の入射面から切込み溝
５により区画されているシンチレータブロック２・３を
複数個接合したシンチレータブロック２０である。シン
チレータブロック２０は光電子増倍管１の入射窓１ａに
連結されている。シンチレータブロック２とシンチレー
タブロック３との接合面の光電子増倍管１側は、シンチ
レーション光が透過可能な透明樹脂４を介して接合され
ている。
シンチレータブロックは、放射線の入射面から切込み溝
５により区画されているシンチレータブロック２・３を
複数個接合したシンチレータブロック２０である。シン
チレータブロック２０は光電子増倍管１の入射窓１ａに
連結されている。シンチレータブロック２とシンチレー
タブロック３との接合面の光電子増倍管１側は、シンチ
レーション光が透過可能な透明樹脂４を介して接合され
ている。
【００１１】シンチレータブロック２およびシンチレー
タブロック３には例えばＢｉ４Ｇｅ３Ｏ１２結晶（以下
、ＢＧＯ結晶という）を使用する。
タブロック３には例えばＢｉ４Ｇｅ３Ｏ１２結晶（以下
、ＢＧＯ結晶という）を使用する。
【００１２】シンチレーション光が透過可能な透明樹脂
４には、シンチレータブロック２とシンチレータブロッ
クとを接合可能な接着力を有し、かつシンチレーション
光の吸収が少ない樹脂状組成物を用いる。透明なシリコ
ーン樹脂が好適であり、例えば信越化学工業（株）製の
ＫＥ−４２がある。
４には、シンチレータブロック２とシンチレータブロッ
クとを接合可能な接着力を有し、かつシンチレーション
光の吸収が少ない樹脂状組成物を用いる。透明なシリコ
ーン樹脂が好適であり、例えば信越化学工業（株）製の
ＫＥ−４２がある。
【００１３】なお、シンチレータブロック２とシンチレ
ータブロック３との接合面における透明樹脂４による樹
脂接合部４ａの面積Ａは、切込み残部８の面積Ｂに対し
て１〜３倍（１＜Ａ／Ｂ＜３）に設定することが望まし
い。例えば、シンチレータチップ２１ にシンチレーシ
ョン光が生じた場合、樹脂接合部４ａの面積Ａが切込み
残部８の面積Ｂよりも小さくなる（Ａ／Ｂ＜１）と、シ
ンチレータチップ２１ からチップ３１ へ透過するシ
ンチレーション光量が少なくなるので、チップ３１ の
下方への出射光量が減少してしまう。一方、樹脂接合部
４ａの面積Ａが切込み残部８の面積Ｂの３倍を越える（
Ａ／Ｂ＞３）と、反射材７の面積が相対的に小さくなり
、シンチレータチップ２１ からチップ３１ へ出射す
るシンチレーション光が増加するために、シンチレータ
チップ２１ 直下への出射光量が減少してしまう。また
シンチレーションチップ２１ に発生したシンチレーシ
ョン光とシンチレータチップ３１ に発生したシンチレ
ーション光とが分離されず、放射線検出器の分解能が低
下する。
ータブロック３との接合面における透明樹脂４による樹
脂接合部４ａの面積Ａは、切込み残部８の面積Ｂに対し
て１〜３倍（１＜Ａ／Ｂ＜３）に設定することが望まし
い。例えば、シンチレータチップ２１ にシンチレーシ
ョン光が生じた場合、樹脂接合部４ａの面積Ａが切込み
残部８の面積Ｂよりも小さくなる（Ａ／Ｂ＜１）と、シ
ンチレータチップ２１ からチップ３１ へ透過するシ
ンチレーション光量が少なくなるので、チップ３１ の
下方への出射光量が減少してしまう。一方、樹脂接合部
４ａの面積Ａが切込み残部８の面積Ｂの３倍を越える（
Ａ／Ｂ＞３）と、反射材７の面積が相対的に小さくなり
、シンチレータチップ２１ からチップ３１ へ出射す
るシンチレーション光が増加するために、シンチレータ
チップ２１ 直下への出射光量が減少してしまう。また
シンチレーションチップ２１ に発生したシンチレーシ
ョン光とシンチレータチップ３１ に発生したシンチレ
ーション光とが分離されず、放射線検出器の分解能が低
下する。
【００１４】
【作用】放射線の入射によりシンチレータブロック２の
なかほどにあるシンチレータチップ２３ に発生したシ
ンチレーション光は、シンチレータチップ２３ の直下
を中心にほぼ左右対称に切込み残部８を透過して光電子
増倍管１に入射し、γ線量に応じた位置検出信号量が与
えられる。
なかほどにあるシンチレータチップ２３ に発生したシ
ンチレーション光は、シンチレータチップ２３ の直下
を中心にほぼ左右対称に切込み残部８を透過して光電子
増倍管１に入射し、γ線量に応じた位置検出信号量が与
えられる。
【００１５】シンチレータブロック３に隣接するシンチ
レータチップ２１に発生したシンチレーション光は、反
射材６や７で反射されつつ、主にシンチレータチップ２
１ の直下から光電子増倍管１に入射する。シンチレー
ション光の一部は、切込み残部８を通ってシンチレータ
チップ２２ の下方から光電子増倍管１に入射する。ま
た、一部のシンチレーション光は切込み残部８と同様に
透明樹脂４を通り、シンチレータチップ３１ の下方か
ら光電子増倍管１に入射する。そのため、シンチレータ
チップ２１ に発生したシンチレーション光は、シンチ
レータチップ２１ の直下を中心とし、シンチレータチ
ップ２２ からシンチレータチップ３１にかけてほぼ左
右対称に光電子増倍管１に入射する。
レータチップ２１に発生したシンチレーション光は、反
射材６や７で反射されつつ、主にシンチレータチップ２
１ の直下から光電子増倍管１に入射する。シンチレー
ション光の一部は、切込み残部８を通ってシンチレータ
チップ２２ の下方から光電子増倍管１に入射する。ま
た、一部のシンチレーション光は切込み残部８と同様に
透明樹脂４を通り、シンチレータチップ３１ の下方か
ら光電子増倍管１に入射する。そのため、シンチレータ
チップ２１ に発生したシンチレーション光は、シンチ
レータチップ２１ の直下を中心とし、シンチレータチ
ップ２２ からシンチレータチップ３１にかけてほぼ左
右対称に光電子増倍管１に入射する。
【００１６】従って、どのシンチレータチップ２１・２
２・・・３１・３２・・・もシンチレーション光を同一
の条件で光電子増倍管１へ出射可能である。
２・・・３１・３２・・・もシンチレーション光を同一
の条件で光電子増倍管１へ出射可能である。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１８】図１は本発明を適用する放射線検出器の実
施例を示す側面図である。この放射線検出器は、シンチ
レータ２０を光電子増倍管１の入射窓１ａに光学的に接
合したものである。シンチレータ２０は、ＢＧＯ結晶か
らなるシンチレータブロック２とシンチレータブロック
３とで構成される。それらの接合面は、光電子増倍管１
側がシンチレーション光が透過可能な透明樹脂４、残余
の部分は反射材７を介して接合されている。シンチレー
タブロック２およびブロック３には、放射線の入射面側
から入射面に垂直で互いに平行な切込み溝５が形成され
ており、切込み溝５には反射材６としてテフロンテープ
が挿入され、シアナミド系の接着剤で固定されている。
施例を示す側面図である。この放射線検出器は、シンチ
レータ２０を光電子増倍管１の入射窓１ａに光学的に接
合したものである。シンチレータ２０は、ＢＧＯ結晶か
らなるシンチレータブロック２とシンチレータブロック
３とで構成される。それらの接合面は、光電子増倍管１
側がシンチレーション光が透過可能な透明樹脂４、残余
の部分は反射材７を介して接合されている。シンチレー
タブロック２およびブロック３には、放射線の入射面側
から入射面に垂直で互いに平行な切込み溝５が形成され
ており、切込み溝５には反射材６としてテフロンテープ
が挿入され、シアナミド系の接着剤で固定されている。
【００１９】本発明の実験例は以下の通りである。
【００２０】内周切断器を用いて３０×１０×２５ｍｍ
のＢＧＯ結晶を切り出し、全ての面にＧＣ＃６００のグ
リーンカーボンでラップ加工を施す。３０×１０ｍｍの
１面を除く５面をコロイダルシリカにて鏡面に仕上げる
。粗面仕上げされた３０×１０ｍｍの面から、マルチバ
ンドソーを用いて、幅０．３５ｍｍ、深さ２３．５ｍｍ
の切込み溝５を５ｍｍ間隔で５本形成する。夫々の切込
み溝５に反射材６として厚さ０．３ｍｍのテフロンテー
プを挿入し、シアナミド系の接着剤（東亜合成化学（株
）製、アロンアルファ）で固定すると、複数のシンチレ
ータチップ２１・２２・・・に区画されたシンチレータ
ブロック２が得られる。なお、切込み残部８の面積は１
０×１．５ｍｍ になる。
のＢＧＯ結晶を切り出し、全ての面にＧＣ＃６００のグ
リーンカーボンでラップ加工を施す。３０×１０ｍｍの
１面を除く５面をコロイダルシリカにて鏡面に仕上げる
。粗面仕上げされた３０×１０ｍｍの面から、マルチバ
ンドソーを用いて、幅０．３５ｍｍ、深さ２３．５ｍｍ
の切込み溝５を５ｍｍ間隔で５本形成する。夫々の切込
み溝５に反射材６として厚さ０．３ｍｍのテフロンテー
プを挿入し、シアナミド系の接着剤（東亜合成化学（株
）製、アロンアルファ）で固定すると、複数のシンチレ
ータチップ２１・２２・・・に区画されたシンチレータ
ブロック２が得られる。なお、切込み残部８の面積は１
０×１．５ｍｍ になる。
【００２１】このようにして作成したシンチレータブロ
ックを２個用意し、１０×２５ｍｍの面同士を合わせて
接合し、図１に示すシンチレータブロック２とブロック
３とからなるシンチレータ２０を作成する。接合面のう
ち、出射面２０ａ側の１０×１．５ｍｍ は、透明樹脂
４である透明シリコーン樹脂組成物（信越化学工業（株
）製、ＫＥ−４２）で接合し、それ以外の部分はテフロ
ンテープ７を介してシアナミド系の接着剤で接着した。 また、透明樹脂４で接合された樹脂接合部４ａの面積を
１０×３ｍｍと１０×５ｍｍとに変更したシンチレータ
２０を夫々作成した他、比較のためにシンチレータブロ
ック２とブロック３とをテフロンテープ７のみを介して
接着したものも作成した（図３参照）。
ックを２個用意し、１０×２５ｍｍの面同士を合わせて
接合し、図１に示すシンチレータブロック２とブロック
３とからなるシンチレータ２０を作成する。接合面のう
ち、出射面２０ａ側の１０×１．５ｍｍ は、透明樹脂
４である透明シリコーン樹脂組成物（信越化学工業（株
）製、ＫＥ−４２）で接合し、それ以外の部分はテフロ
ンテープ７を介してシアナミド系の接着剤で接着した。 また、透明樹脂４で接合された樹脂接合部４ａの面積を
１０×３ｍｍと１０×５ｍｍとに変更したシンチレータ
２０を夫々作成した他、比較のためにシンチレータブロ
ック２とブロック３とをテフロンテープ７のみを介して
接着したものも作成した（図３参照）。
【００２２】次に、シンチレータ２０の３０×１０ｍｍ
の鏡面加工面をシリコーンオイルを用いて光電子増倍管
１に接合して放射線検出器を完成させた後、γ線を照射
して各シンチレータチップ２１・２２・・・３１・３２
・・・に対応する位置検出信号量を測定した。
の鏡面加工面をシリコーンオイルを用いて光電子増倍管
１に接合して放射線検出器を完成させた後、γ線を照射
して各シンチレータチップ２１・２２・・・３１・３２
・・・に対応する位置検出信号量を測定した。
【００２３】樹脂接合部４ａの面積を１０×１．５ｍｍ
〜１０×３ｍｍにした放射線検出器の測定結果は図２
に示すように良好であった。図４はシンチレータブロッ
ク２とブロック３とをテフロンテープ７のみを介して接
着したものの測定結果である。
〜１０×３ｍｍにした放射線検出器の測定結果は図２
に示すように良好であった。図４はシンチレータブロッ
ク２とブロック３とをテフロンテープ７のみを介して接
着したものの測定結果である。
【００２４】図４に示すように、接合部全面をテフロン
テープ７を介して接合した放射線検出器は、接合部近傍
の位置検出信号量が著しく落ち込んでいるが、樹脂接合
部４ａの面積が１０×１．５ｍｍ 〜１０×３ｍｍのも
のは他の部分と同程度の位置検出信号量が得られた。ま
た、樹脂接合部４ａの面積が１０×５ｍｍ以上になると
、接合面に隣接するシンチレータチップの位置検出信号
量が他の部分の８０％以下となった。これは反射材７で
覆われる面積が相対的に小さくなったためである。従っ
て切込み残部８の面積は１０×１．５ｍｍ であること
から、樹脂接合部４ａの面積は切込み残部８の面積の３
倍を越えないほうが好ましい。
テープ７を介して接合した放射線検出器は、接合部近傍
の位置検出信号量が著しく落ち込んでいるが、樹脂接合
部４ａの面積が１０×１．５ｍｍ 〜１０×３ｍｍのも
のは他の部分と同程度の位置検出信号量が得られた。ま
た、樹脂接合部４ａの面積が１０×５ｍｍ以上になると
、接合面に隣接するシンチレータチップの位置検出信号
量が他の部分の８０％以下となった。これは反射材７で
覆われる面積が相対的に小さくなったためである。従っ
て切込み残部８の面積は１０×１．５ｍｍ であること
から、樹脂接合部４ａの面積は切込み残部８の面積の３
倍を越えないほうが好ましい。
【００２５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の放
射線検出器用シンチレータブロックは、光電子増倍管の
光電面に対して十分な大きさがあり、光電子増倍管を有
効に利用して放射線によるシンチレーション光を効率良
く光電変換することが出来る。また、シンチレータの全
ての区画においてシンチレーション光の出射能力が均一
化されているため、シンチレータの全ての位置で放射線
を同一条件で検知可能である。
射線検出器用シンチレータブロックは、光電子増倍管の
光電面に対して十分な大きさがあり、光電子増倍管を有
効に利用して放射線によるシンチレーション光を効率良
く光電変換することが出来る。また、シンチレータの全
ての区画においてシンチレーション光の出射能力が均一
化されているため、シンチレータの全ての位置で放射線
を同一条件で検知可能である。
【図１】本発明を適用する放射線検出器用シンチレータ
ブロックの一実施例を示す正面図である。
ブロックの一実施例を示す正面図である。
【図２】本発明を適用する放射線検出器用シンチレータ
ブロックによる位置検出信号の測定結果を示すモデル図
である。
ブロックによる位置検出信号の測定結果を示すモデル図
である。
【図３】従来の放射線検出器用シンチレータブロックの
正面図である。
正面図である。
【図４】従来の放射線検出器用シンチレータブロックに
よる位置検出信号の測定結果を示すモデル図である。
よる位置検出信号の測定結果を示すモデル図である。
１は光電子増倍管、１ａは入射窓、２・３はシンチレー
タブロック、２１・２２・・・３１・３２ はシンチレ
ータチップ、４は透明樹脂、４ａは樹脂接着部、５は切
込み溝、６・７は反射材、８は切込み残部、２０はシン
チレータ、２０ａは出射面である。
タブロック、２１・２２・・・３１・３２ はシンチレ
ータチップ、４は透明樹脂、４ａは樹脂接着部、５は切
込み溝、６・７は反射材、８は切込み残部、２０はシン
チレータ、２０ａは出射面である。
Claims (1)
- 【請求項１】 放射線の入射面から切込み溝により区
画されているシンチレータブロックを複数個接合したシ
ンチレータブロックにおいて、該シンチレータブロック
同士の接合面はシンチレーション光が透過可能な透明樹
脂を介して接合されていることを特徴とする放射線検出
器用シンチレータブロック。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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