JPH04292686A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPH04292686A JPH04292686A JP3054791A JP5479191A JPH04292686A JP H04292686 A JPH04292686 A JP H04292686A JP 3054791 A JP3054791 A JP 3054791A JP 5479191 A JP5479191 A JP 5479191A JP H04292686 A JPH04292686 A JP H04292686A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- phase
- chain alkyl
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- straight
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶組成物に係り、更に
詳しくは液晶ディスプレイなどに使用するのに好適な液
晶組成物に関する。
詳しくは液晶ディスプレイなどに使用するのに好適な液
晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】オフィスオートメーションの進展に伴い
、ディスプレイデバイスのフラットパネル化が望まれ、
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が広く用いられるようにな
っている。従来の液晶ディスプレイは主としてラップト
ップパーソナルコンピュータやノート型コンピュータ等
の比較的表示容量の小さなものが多く、最も一般的な液
晶ディスプレイは ６４０×４００ ドット （国内）
又は ６４０×４８０ ドット （外国） の表示容
量のものである。
、ディスプレイデバイスのフラットパネル化が望まれ、
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が広く用いられるようにな
っている。従来の液晶ディスプレイは主としてラップト
ップパーソナルコンピュータやノート型コンピュータ等
の比較的表示容量の小さなものが多く、最も一般的な液
晶ディスプレイは ６４０×４００ ドット （国内）
又は ６４０×４８０ ドット （外国） の表示容
量のものである。
【０００３】しかしながら、オフィスオートメーション
の進展やノート型コンピュータのハードウェア及びソフ
トウェア技術の高度化に伴い、ディスプレイデバイスに
もより高機能化、特に表示容量の拡大、応答速度の増大
、コントラスト（見やすさ）比の向上、表示画面（表示
面積）の拡大及び視角依存性の低減などが望まれている
。これらのうち、見やすさの向上及び応答速度の増大に
ついては、従来の液晶ディスプレイであるスーパーツイ
ステッドネマティック（ＳＴＮ）型表示から薄膜トラン
ジスタを各絵素ごとに組み込むＴＦＴアクティブマトリ
クスパネルＬＣＤにより達成できる。しかし、表示容量
及び表示面積の拡大に関しては、ＴＦＴ−ＬＣＤはその
製造性の点で実用上困難、もしくは極めてむずかしい状
況にある。また、視角依存性の低減についても従来のＴ
ＦＴ−ＬＣＤでは不十分である。
の進展やノート型コンピュータのハードウェア及びソフ
トウェア技術の高度化に伴い、ディスプレイデバイスに
もより高機能化、特に表示容量の拡大、応答速度の増大
、コントラスト（見やすさ）比の向上、表示画面（表示
面積）の拡大及び視角依存性の低減などが望まれている
。これらのうち、見やすさの向上及び応答速度の増大に
ついては、従来の液晶ディスプレイであるスーパーツイ
ステッドネマティック（ＳＴＮ）型表示から薄膜トラン
ジスタを各絵素ごとに組み込むＴＦＴアクティブマトリ
クスパネルＬＣＤにより達成できる。しかし、表示容量
及び表示面積の拡大に関しては、ＴＦＴ−ＬＣＤはその
製造性の点で実用上困難、もしくは極めてむずかしい状
況にある。また、視角依存性の低減についても従来のＴ
ＦＴ−ＬＣＤでは不十分である。
【０００４】これに対し、表面安定化による強誘電性液
晶（ＳＳＦＬＣ）を用いた液晶ディスプレイは、原理的
に大容量、大面積、広視野角、高コントラスト比及び高
速応答が可能なため、その実用化が盛んに検討されてい
る。ところが、従来の強誘電性液晶は、均一な液晶分子
配向が得られず、ジグザグ状の配向欠陥（ジグザグ欠陥
）が発生するため、コントラスト比が低く、高速応答が
得られないという問題があり、また、メモリー状態が不
安定なため、大容量表示が行えないなどの実用上致命的
な問題があった。
晶（ＳＳＦＬＣ）を用いた液晶ディスプレイは、原理的
に大容量、大面積、広視野角、高コントラスト比及び高
速応答が可能なため、その実用化が盛んに検討されてい
る。ところが、従来の強誘電性液晶は、均一な液晶分子
配向が得られず、ジグザグ状の配向欠陥（ジグザグ欠陥
）が発生するため、コントラスト比が低く、高速応答が
得られないという問題があり、また、メモリー状態が不
安定なため、大容量表示が行えないなどの実用上致命的
な問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は前記
した従来技術の問題点を解決して、高コントラスト比、
速い応答速度及び安定なメモリー特性を有する表面安定
化による強誘電性液晶表示素子に適した液晶組成物を提
供することを目的とする。
した従来技術の問題点を解決して、高コントラスト比、
速い応答速度及び安定なメモリー特性を有する表面安定
化による強誘電性液晶表示素子に適した液晶組成物を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に従えば、式（Ｉ
），（ＩＩ）及び （ＩＩＩ）：
），（ＩＩ）及び （ＩＩＩ）：
【０００７】
【化４】
【０００８】
【化５】
【０００９】
【化６】
【００１０】（式中、Ｒ１ は炭素数６〜１４の直鎖ア
ルキル基、Ｒ２ は炭素数４〜８の少なくとも一つの不
斉炭素原子を含むアルキル基、Ｒ３ は炭素数６〜１４
の直鎖アルキル基、Ｒ４ は炭素数４〜１４の直鎖アル
キル基、Ｒ５ は炭素数６〜１４の直鎖アルキル基、Ｒ
６ は炭素数４〜８の少なくとも一つの不斉炭素を含む
アルキル基、Ｘはフッ素原子又は水素原子を示し、ｎは
０〜５である）で表わされる液晶化合物（Ｉ），（ＩＩ
）及び （ＩＩＩ）を、それぞれ、少なくとも一種類含
んでなる液晶組成物、特に相転移系列が等方相−スメク
ティックＡ相−カイラルスメクティックＣ相−結晶相で
あって、スメクティックＡ相を示す温度範囲が２０℃以
上である液晶組成物が提供される。
ルキル基、Ｒ２ は炭素数４〜８の少なくとも一つの不
斉炭素原子を含むアルキル基、Ｒ３ は炭素数６〜１４
の直鎖アルキル基、Ｒ４ は炭素数４〜１４の直鎖アル
キル基、Ｒ５ は炭素数６〜１４の直鎖アルキル基、Ｒ
６ は炭素数４〜８の少なくとも一つの不斉炭素を含む
アルキル基、Ｘはフッ素原子又は水素原子を示し、ｎは
０〜５である）で表わされる液晶化合物（Ｉ），（ＩＩ
）及び （ＩＩＩ）を、それぞれ、少なくとも一種類含
んでなる液晶組成物、特に相転移系列が等方相−スメク
ティックＡ相−カイラルスメクティックＣ相−結晶相で
あって、スメクティックＡ相を示す温度範囲が２０℃以
上である液晶組成物が提供される。
【００１１】強誘電性液晶を用いた液晶ディスプレイは
、液晶が持つ自発分極を、外部から印加する電界によっ
て反転させ、これに伴って発生する複屈折を可視化する
ことにより表示するものである。従って、基本的に２値
表示であり、双安定状態を利用したメモリー駆動型のデ
バイスである。そこで、まず前提として、双安定状態が
十分安定でなければならないことが明白である。一般に
、双安定状態を安定化するには、まず、液晶分子配向を
均一にする必要がある。即ち、分子配向が均一でなけれ
ば、個々の液晶分子の持つ永久双極子モーメントの向き
がそろわず、永久双極子モーメントの向きがそろわない
と、液晶全体としての自発分極が小さくなってしまうの
みならず、外部から電界を印加する際、各分子によって
動く方向がまちまちとなってしまうため、高いコントラ
スト比の見やすい表示が得られなくなる。特に、従来の
強誘電性液晶は、ジグザグ欠陥が発生し、この欠陥のま
わりの液晶分子は分極反転時に位相をそろえて反転でき
ないため、低コントラス比及び応答速度の低下などの現
象を招き、液晶ディスプレイとして実用化できなかった
のである。
、液晶が持つ自発分極を、外部から印加する電界によっ
て反転させ、これに伴って発生する複屈折を可視化する
ことにより表示するものである。従って、基本的に２値
表示であり、双安定状態を利用したメモリー駆動型のデ
バイスである。そこで、まず前提として、双安定状態が
十分安定でなければならないことが明白である。一般に
、双安定状態を安定化するには、まず、液晶分子配向を
均一にする必要がある。即ち、分子配向が均一でなけれ
ば、個々の液晶分子の持つ永久双極子モーメントの向き
がそろわず、永久双極子モーメントの向きがそろわない
と、液晶全体としての自発分極が小さくなってしまうの
みならず、外部から電界を印加する際、各分子によって
動く方向がまちまちとなってしまうため、高いコントラ
スト比の見やすい表示が得られなくなる。特に、従来の
強誘電性液晶は、ジグザグ欠陥が発生し、この欠陥のま
わりの液晶分子は分極反転時に位相をそろえて反転でき
ないため、低コントラス比及び応答速度の低下などの現
象を招き、液晶ディスプレイとして実用化できなかった
のである。
【００１２】従って、強誘電性液晶を実用的な液晶ディ
スプレイとするためには、ジグザグ欠陥を発生しない、
均一な分子配向を可能とする液晶材料の開発が必要であ
る。本発明者らは、かかる観点から検討した結果、一般
に、液晶材料の相転移系列が等方相（Ｉ）−スメクティ
ックＡ相（ＳＡ ） −カイラルスメクティックＣ相（
Ｓ Ｃ＊ ） であり、かつ、ＳＡ 相の温度範囲が２
０℃以上と広い時、強誘電体相であるＳＣ ＊ 相の分
子配向が均一になることを見出した。ＳＡ 相の温度範
囲とＳＣ ＊ 相の分子配向の関係については、まだ十
分に解明されていないが、ＳＡ −ＳＣ ＊ 相転移に
伴うエンタルピー変化がＳＣ ＊ 相の分子配向に関与
しているものと想定する。
スプレイとするためには、ジグザグ欠陥を発生しない、
均一な分子配向を可能とする液晶材料の開発が必要であ
る。本発明者らは、かかる観点から検討した結果、一般
に、液晶材料の相転移系列が等方相（Ｉ）−スメクティ
ックＡ相（ＳＡ ） −カイラルスメクティックＣ相（
Ｓ Ｃ＊ ） であり、かつ、ＳＡ 相の温度範囲が２
０℃以上と広い時、強誘電体相であるＳＣ ＊ 相の分
子配向が均一になることを見出した。ＳＡ 相の温度範
囲とＳＣ ＊ 相の分子配向の関係については、まだ十
分に解明されていないが、ＳＡ −ＳＣ ＊ 相転移に
伴うエンタルピー変化がＳＣ ＊ 相の分子配向に関与
しているものと想定する。
【００１３】トラン系液晶として本発明の効果がある液
晶の具体例は、前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）の化合物
である。一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で示されるトラン系
液晶及び前記一般式 （ＩＩＩ）で示されるエステル系
液晶を、それぞれ、例えば以下の表１及び表３−１〜３
−３に示すような組成で混合して用いることにより、表
２に示したような従来の液晶では得られない優れた電気
−光学特性を示す液晶組成物を得ることができる。
晶の具体例は、前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）の化合物
である。一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で示されるトラン系
液晶及び前記一般式 （ＩＩＩ）で示されるエステル系
液晶を、それぞれ、例えば以下の表１及び表３−１〜３
−３に示すような組成で混合して用いることにより、表
２に示したような従来の液晶では得られない優れた電気
−光学特性を示す液晶組成物を得ることができる。
【００１４】式 （Ｉ）， （ＩＩ） 及び （ＩＩＩ
）の化合物の混合組成比としては、好ましくは、一般式
（Ｉ）で示される光学活性なトラン系液晶を、組成物全
体に対して２５〜９０重量％、より好ましくは３５〜７
５重量％、一般式（ＩＩ）で示される光学不活性なトラ
ン系液晶を５〜７０重量％、より好ましくは１５〜３０
重量％、また一般式 （ＩＩＩ）で示されるエステル系
液晶を５〜４０重量％、より好ましくは１０〜３０重量
％配合するのが有効である。
）の化合物の混合組成比としては、好ましくは、一般式
（Ｉ）で示される光学活性なトラン系液晶を、組成物全
体に対して２５〜９０重量％、より好ましくは３５〜７
５重量％、一般式（ＩＩ）で示される光学不活性なトラ
ン系液晶を５〜７０重量％、より好ましくは１５〜３０
重量％、また一般式 （ＩＩＩ）で示されるエステル系
液晶を５〜４０重量％、より好ましくは１０〜３０重量
％配合するのが有効である。
【００１５】
【作用】前記想定に基づき、本発明者らは、種々の強誘
電性液晶について検討した結果、前記式（Ｉ）で示され
るトラン系液晶を主成分とする液晶混合物はＩ−ＳＡ
−ＳＣ ＊ −Ｃｒ の相転移系列を示し、また、ＳＡ
相の温度範囲も２０℃以上と広いことを見出した。こ
の液晶材料を用いて液晶ディスプレイを作製し、分子配
向を観測した結果、ジグザグ欠陥のないきれいな均一配
向が得られることを見出した。
電性液晶について検討した結果、前記式（Ｉ）で示され
るトラン系液晶を主成分とする液晶混合物はＩ−ＳＡ
−ＳＣ ＊ −Ｃｒ の相転移系列を示し、また、ＳＡ
相の温度範囲も２０℃以上と広いことを見出した。こ
の液晶材料を用いて液晶ディスプレイを作製し、分子配
向を観測した結果、ジグザグ欠陥のないきれいな均一配
向が得られることを見出した。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明を以下の実施例に限定するものでないこと
はいうまでもない。
るが、本発明を以下の実施例に限定するものでないこと
はいうまでもない。
【００１７】直径２０ｍｍの丸ベタ透明電極を設けた５
０×６０× １．１（厚）ｍｍのガラス基板に、スピン
コーターを用いて３重量％ポリビニルアルコール（ＰＶ
Ａ）水溶液を ２５００ｒｐｍで塗布した後、 １５０
℃で２時間焼成した。この基板を２枚用い、一方の基板
の表面に平均粒径 １．８μｍ のシリカビーズをフレ
オンに分散した溶液をスプレー法により塗布し、スペー
サ材を分散させた。この後、２枚の基板をシリカビーズ
をスペーサとして貼り合わせた。なお、この基板表面上
のＰＶＡは貼り合せ前、予め互いに逆平行となるように
ラビングを３回行った。このパネルの中に、表１に示す
トラン系液晶を主成分とする混合強誘電性液晶を注入し
、一度Ｉ相にした後、２℃／分の割合で降温し室温とし
た。
０×６０× １．１（厚）ｍｍのガラス基板に、スピン
コーターを用いて３重量％ポリビニルアルコール（ＰＶ
Ａ）水溶液を ２５００ｒｐｍで塗布した後、 １５０
℃で２時間焼成した。この基板を２枚用い、一方の基板
の表面に平均粒径 １．８μｍ のシリカビーズをフレ
オンに分散した溶液をスプレー法により塗布し、スペー
サ材を分散させた。この後、２枚の基板をシリカビーズ
をスペーサとして貼り合わせた。なお、この基板表面上
のＰＶＡは貼り合せ前、予め互いに逆平行となるように
ラビングを３回行った。このパネルの中に、表１に示す
トラン系液晶を主成分とする混合強誘電性液晶を注入し
、一度Ｉ相にした後、２℃／分の割合で降温し室温とし
た。
【００１８】
【表１】
【００１９】この液晶パネルについて、偏光顕微鏡を用
いて分子配向状態を観測した結果、ジグザグ欠陥をはじ
めとする欠陥が何もない均一な配向が得られた。次に、
この液晶パネルの電気−光学応答特性を測定するために
、波高値１５Ｖ、パルス幅 ３００μｓ の双極性パル
スを印加した。なお、＋１５Ｖと−１５Ｖのパルスの間
隔は ０．５ｓとした。１５Ｖのパルス電圧印加に対し
、この液晶パネルは透過率変化１０〜９０％に要する時
間、即ち応答時間が５１．０μｓ であり、電圧印加時
（パルス電圧印加時）と電圧無印加時の透過率比は３
５：１であった。また、パルス電圧印加後 ０．５ｓ後
のメモリー状態での透過率比（図１参照）は３０：１で
あった。これらの特性値を、従来、最も一般的に用いら
れている強誘電性液晶である式（ＩＶ）：
いて分子配向状態を観測した結果、ジグザグ欠陥をはじ
めとする欠陥が何もない均一な配向が得られた。次に、
この液晶パネルの電気−光学応答特性を測定するために
、波高値１５Ｖ、パルス幅 ３００μｓ の双極性パル
スを印加した。なお、＋１５Ｖと−１５Ｖのパルスの間
隔は ０．５ｓとした。１５Ｖのパルス電圧印加に対し
、この液晶パネルは透過率変化１０〜９０％に要する時
間、即ち応答時間が５１．０μｓ であり、電圧印加時
（パルス電圧印加時）と電圧無印加時の透過率比は３
５：１であった。また、パルス電圧印加後 ０．５ｓ後
のメモリー状態での透過率比（図１参照）は３０：１で
あった。これらの特性値を、従来、最も一般的に用いら
れている強誘電性液晶である式（ＩＶ）：
【００２０】
【化７】
【００２１】フェニルピリミジン系混合液晶パネルと比
較した結果を表２に示す。
較した結果を表２に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】表２脚注
応答時コントラスト比 パルス電圧印加
時の透過率／電圧無印加時（印加前）の透過率 メモリー時コントラスト比 電圧印加後 ０．５
ｓ後の透過率／電圧無印加時（印加前）の透過率応答時
間 透過率１
０〜９０％変化に要する時間 印加電圧 波高値１５Ｖ、パルス幅 ３００μｓジグ
ザグ欠陥の有無 偏光顕微鏡観察メ
モリー安定性 電圧印加後
のメモリー状態の再現性 再現性ある場合 メモリーは安定ない場合
メモリーは不安定 ＳＡ 相温度範囲 等方相
まで昇温後２℃／分の割合で降温した時のＳＡ 相温度
範囲偏光顕微鏡及びＤＳＣによる測定
時の透過率／電圧無印加時（印加前）の透過率 メモリー時コントラスト比 電圧印加後 ０．５
ｓ後の透過率／電圧無印加時（印加前）の透過率応答時
間 透過率１
０〜９０％変化に要する時間 印加電圧 波高値１５Ｖ、パルス幅 ３００μｓジグ
ザグ欠陥の有無 偏光顕微鏡観察メ
モリー安定性 電圧印加後
のメモリー状態の再現性 再現性ある場合 メモリーは安定ない場合
メモリーは不安定 ＳＡ 相温度範囲 等方相
まで昇温後２℃／分の割合で降温した時のＳＡ 相温度
範囲偏光顕微鏡及びＤＳＣによる測定
【００２４】表２で明らかなように、本発明のトラン系
液晶を主成分とする混合液晶組成物を用いた液晶ディス
プレイは、従来の液晶に比べ、高コントラスト比、高速
応答及びメモリー状態での高コントラスト比が得られる
。特に、メモリー状態での高コントラスト比は、双安定
性がより高く安定であることを意味しており、メモリー
駆動を行う強誘電性液晶の液晶ディスプレイ（ＳＳＦＬ
Ｃ−ＬＣＤ）にとっては極めて本質的な特性である。
液晶を主成分とする混合液晶組成物を用いた液晶ディス
プレイは、従来の液晶に比べ、高コントラスト比、高速
応答及びメモリー状態での高コントラスト比が得られる
。特に、メモリー状態での高コントラスト比は、双安定
性がより高く安定であることを意味しており、メモリー
駆動を行う強誘電性液晶の液晶ディスプレイ（ＳＳＦＬ
Ｃ−ＬＣＤ）にとっては極めて本質的な特性である。
【００２５】一方、前記したような優れた特性を示す液
晶ディスプレイの液晶材料としての特性を調べた結果、
本発明に係る液晶混合組成物は、相転移系列がＩ−ＳＡ
−ＳＣ ＊ −Ｃｒ であり、かつＳＡ 相を示す温
度範囲が７８℃から５０．５℃と、２７．５℃にわたる
広いものであることがわかる。これに対し、従来の強誘
電性液晶は、一般に相転移系列がＩ−Ｎ＊ −ＳＡ −
ＳＣ ＊ −Ｃｒ であって、かつＳＡ 相温度範囲は
高々１０℃で、ほとんどの場合５℃程度と狭い。なお、
ここでＮ＊ はコレステリック相を示す。以上の測定を
表３−１、３−２及び３−３に示す他のトラン系液晶組
成物についても同様に行った。
晶ディスプレイの液晶材料としての特性を調べた結果、
本発明に係る液晶混合組成物は、相転移系列がＩ−ＳＡ
−ＳＣ ＊ −Ｃｒ であり、かつＳＡ 相を示す温
度範囲が７８℃から５０．５℃と、２７．５℃にわたる
広いものであることがわかる。これに対し、従来の強誘
電性液晶は、一般に相転移系列がＩ−Ｎ＊ −ＳＡ −
ＳＣ ＊ −Ｃｒ であって、かつＳＡ 相温度範囲は
高々１０℃で、ほとんどの場合５℃程度と狭い。なお、
ここでＮ＊ はコレステリック相を示す。以上の測定を
表３−１、３−２及び３−３に示す他のトラン系液晶組
成物についても同様に行った。
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】
【表５】
【００２９】それぞれ結果は、表２に示すように、従来
の液晶に比べ明らかに優れた電気−光学応答特性を示す
。
の液晶に比べ明らかに優れた電気−光学応答特性を示す
。
【００３０】次に比較例として前記式（Ｉ）〜 （ＩＩ
Ｉ）のいずれか一成分が欠けた下記表４−１及び表４−
２に示す液晶組成物Ｅ及びＦについて上記測定を行った
。
Ｉ）のいずれか一成分が欠けた下記表４−１及び表４−
２に示す液晶組成物Ｅ及びＦについて上記測定を行った
。
【００３１】
【表６】
【００３２】
【表７】
【００３３】組成物Ｅ及びＦの結果はいずれもＳＣ ＊
相を示さず二成分系のみではＳＣ ＊ 相が発現しな
いことを確認した。従ってＳＣ ＊ 相を得るためにも
本発明の三成分系が必須であることは明らかである。
相を示さず二成分系のみではＳＣ ＊ 相が発現しな
いことを確認した。従ってＳＣ ＊ 相を得るためにも
本発明の三成分系が必須であることは明らかである。
【００３４】
【発明の効果】本発明に従った式 （Ｉ）， （ＩＩ）
及び （ＩＩＩ）の化合物を主成分とする液晶組成物
を用いることにより、従来の液晶組成物では、ジグザグ
欠陥等の配向欠陥を伴うために、低コントラスト化、遅
い応答及び不安定なメモリー特性しか得られなかった、
表面安定化による強誘電性液晶表示素子を、高コントラ
スト化（従来の４倍以上）、速い応答及び安定なメモリ
ー特性とすることができる。
及び （ＩＩＩ）の化合物を主成分とする液晶組成物
を用いることにより、従来の液晶組成物では、ジグザグ
欠陥等の配向欠陥を伴うために、低コントラスト化、遅
い応答及び不安定なメモリー特性しか得られなかった、
表面安定化による強誘電性液晶表示素子を、高コントラ
スト化（従来の４倍以上）、速い応答及び安定なメモリ
ー特性とすることができる。
【図１】本発明の実施例の液晶組成物（組成Ａ）の液晶
パネルの電気−光学応答特性の測定のためのグラフ図で
ある。
パネルの電気−光学応答特性の測定のためのグラフ図で
ある。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ），（ＩＩ）及び （ＩＩ
Ｉ）：【化１】 【化２】 【化３】 （式中、Ｒ１ は炭素数６〜１４の直鎖アルキル基、Ｒ
２は炭素数４〜８の少なくとも一つの不斉炭素原子を含
むアルキル基、Ｒ３ は炭素数６〜１４の直鎖アルキル
基、Ｒ４ は炭素数４〜１４の直鎖アルキル基、Ｒ５
は炭素数６〜１４の直鎖アルキル基、Ｒ６ は炭素数４
〜８の少なくとも一つの不斉炭素を含むアルキル基、Ｘ
はフッ素原子又は水素原子を示し、ｎは０〜５である）
で表わされる液晶化合物（Ｉ），（ＩＩ）及び （ＩＩ
Ｉ）を、それぞれ、少なくとも一種類含んでなる液晶組
成物。 - 【請求項２】 相転移系列が等方相−スメクティック
Ａ相−カイラルスメクティックＣ相であって、スメクテ
ィックＡ相を示す温度範囲が２０℃以上である請求項１
記載の液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054791A JP2910791B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054791A JP2910791B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04292686A true JPH04292686A (ja) | 1992-10-16 |
| JP2910791B2 JP2910791B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=12980582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3054791A Expired - Fee Related JP2910791B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910791B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103184053B (zh) * | 2011-12-29 | 2015-03-11 | 苏州汉朗光电有限公司 | 高散射态近晶相液晶材料及其显示器件 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP3054791A patent/JP2910791B2/ja not_active Expired - Fee Related
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