JPH04293774A - スパッタ装置 - Google Patents

スパッタ装置

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JPH04293774A
JPH04293774A JP5539591A JP5539591A JPH04293774A JP H04293774 A JPH04293774 A JP H04293774A JP 5539591 A JP5539591 A JP 5539591A JP 5539591 A JP5539591 A JP 5539591A JP H04293774 A JPH04293774 A JP H04293774A
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JP
Japan
Prior art keywords
chamber
vacuum
processing chamber
opening
vacuum processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP5539591A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Fujimoto
茂 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5539591A priority Critical patent/JPH04293774A/ja
Publication of JPH04293774A publication Critical patent/JPH04293774A/ja
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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成等を行うスパッ
タ装置に係り、特にロードロック式のスパッタ装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】スパッタ法とは、低圧の不活性ガス雰囲
気下の処理室内でガスプラズマによりターゲット表面の
原子を叩き出し、ターゲットに対向配置される基板上に
叩き出された原子を堆積させることによって薄膜を形成
するものであるが、取扱い・制御技術の容易性、ターゲ
ット材料の多様性等の利点があるため、半導体産業を中
心として広く利用されている。
【0003】また、スパッタ法は、ターゲットを保守な
しで数ヵ月使用できるため、薄膜製造等の連続化にも極
めて適している。図2はその一例で、ロードロック式ス
パッタ装置といわれるものである。このスパッタ装置は
、真空予備室(212) と真空処理室(201) 、
及び取出し予備室(214) がゲートバルブ(215
)(216)を介して配置される構造を有する。以下、
その構成を処理手順を追って簡単に説明する。
【0004】まず、ゲートバルブ(215)(216)
を閉じて真空処理室(201) 内を真空排気系(21
9) によって10−3乃至10−5Paに排気した後
、Ar導入管(205) よりArガスを供給し0.6
Pa程度に保つ。次に、トレー(217) に搭載した
基板(220) を真空予備室(212) 内に供給す
る。真空予備室(212) 及び取出し予備室(214
) 内を排気してArガスを供給し、真空処理室(20
1) と同様の雰囲気にする。真空予備室(212) 
側のゲートバルブ(215) を開いて基板(220)
 を真空処理室(201) 内に搬送し、再びゲートバ
ルブ(215) を閉じる。基板(220) は複数の
ローラーにより構成される基板搬送系(218) によ
ってターゲット(203) に対向して真空処理室(2
01)内を移動する。ここで、ターゲット(203) 
に直流電源(202) より1乃至10kwの電力を供
給してプラズマ放電を生じさせ、ターゲット(203)
 表面からスパッタ原子を叩き出す。スパッタ原子は搬
送中の基板(220) 上に堆積して薄膜を形成する。 なお、基板搬送系(218) の基板(220) 搬送
速度は通常100乃至1000mm/minであるが、
この速度によって形成される膜厚を調整することが可能
である。薄膜形成後の基板(220) をゲートバルブ
(216) の開閉により取出し予備室(214)に搬
出する。取出し予備室(214) にN2 ガスを供給
し大気開放して基板(220) を取り出す。再び取出
し予備室(214) 内を真空排気後、Arガスを供給
し0.6Paにして処理を終了する。また、真空予備室
(214) に逐次新たな基板(220) を供給し上
記工程を繰り返すことによって連続処理を行うことがで
きる。上述のごとく、真空処理室(201) はゲート
バルブ(215) (216) の開閉によって大気と
は密閉されているので、真空処理室内(201) の清
浄度は保たれる。
【0005】かかるロードロック式のスパッタ装置にお
いては、基板(220) の搬送位置によってスパッタ
原子の供給量等が異なるため膜質の不均一を生じやすい
。そこで、発明者は特開昭63−1611662号公報
に記載されてる提案を行った。これは、図2に示すごと
くターゲット(203) と基板(220) の間にタ
ーゲット(203) と略同一寸法の開口部を有する防
着板(230) を設置して、ターゲット(203) 
周辺部でのスパッタ原子の到達を遮り、均一な薄膜の形
成を可能とするものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】遮られたスパッタ原子
は防着板(230) 表面に堆積する。この堆積物は連
続運転に伴い増大するが、膜厚が数μm程度になると応
力・熱歪み等によって剥離を生じやすくなる。剥離した
堆積物はダストとして真空処理室内を浮遊し成膜不良の
原因となるため、防着板を交換するなどして定期的に堆
積物を取り除く必要がある。
【0007】しかし、図2に示す構造のスパッタ装置に
おいては、防着板(230)を交換するためには真空処
理室(201) を開放しなければならない。この際、
真空処理室(201) 内は大気中に晒され汚染される
ため、膜の品質低下を招くこととなる。また、一旦真空
を破るため、稼働率の低下をきたし生産効率上も問題と
なる。そこで、本発明は、真空処理室内での防着板への
堆積物の問題を解消し、良質の薄膜を効率的に製造可能
なスパッタ装置を提供することを目的とする。 [発明の構成]
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、スパッタ処理
を行う真空処理室と、真空処理室とは第1のゲートバル
ブを介して被処理物の搬送路が連結される真空予備室と
、真空処理室とは第2のゲートバルブを介して被処理物
の搬送路が連結される取出し予備室と、第1及び第2の
ゲートバルブの開閉により真空処理室の雰囲気を変化さ
せることなく被処理物を真空予備室・真空処理室・取出
し予備室に順次搬送する被処理物搬送手段と、真空処理
室内にターゲットと搬送された被処理物との間にスパッ
タ反応領域を形成する防着板とを有するスパッタ装置に
おいて、前記防着板を第1及び第2のゲートバルブの開
閉により真空処理室の雰囲気を変化させることなく外部
から出入れ可能な防着板搬送手段を設けることにより上
記目的を達成しようとするスパッタ装置である。
【0009】
【作用】真空処理室の真空を破ることなく防着板を交換
することにより、堆積物による真空処理室内の汚染の問
題を解消することができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0011】図1は本発明の一実施例に係るスパッタ装
置の構成を示す図である。真空予備室(112) 、真
空処理室(101) 、取出し予備室(114) がゲ
ートバルブ(115)(116)を介して一列に並置さ
れ、一直線に並んだ複数のローラーで構成される基板搬
送系によってトレー(117) に搭載された基板(1
20) が真空処理室(101) に搬入・搬出される
点は従来と同一である。本実施例においては、基板搬送
系(118) の下方に基板搬送系(118) と並行
して複数のローラーからなる防着板搬送系(132) 
を設けた。また、ゲートバルブ(115)(116)は
、上記の2つの搬送系を通過させる関係上従来よりも開
口部の広いものを用いた。以下、その動作を詳解する。
【0012】処理開始時は、ゲートバルブ(115)(
116)を閉じた状態で、真空処理室(101) 、真
空予備室(112) 及び取出し予備室(114) を
真空排気し、Arガスを供給し0.6Pa程度の雰囲気
にする。なお、真空予備室(112) 内には、真空排
気前に、基板搬送系(118) に基板(120) を
、防着板搬送系(132) に防着板(130) を装
着しておく。基板(120) を真空処理室(101)
 に搬送する際のゲートバルブ(115) の開閉に同
期して防着板(130) を防着板搬送系(132) 
によって真空処理室(101) 内に供給する。ここで
、真空処理室(101) 及び真空予備室(112) 
は同一の雰囲気で双方ともに外気から閉ざされているの
で初期の室内雰囲気は維持される。防着板(130) 
は、真空処理室(101) 内で開口部がターゲット(
103) 上方となる位置で停止し、スパッタ処理時に
おいてターゲット(103) 周辺部へのスパッタ原子
の進行を遮り不均一な膜の形成を防止する。遮られたス
パッタ原子は防着板(130) 底面に付着し、連続処
理とともにその堆積量が増大する。そこで、堆積物が剥
離を起こす前に防着板(130) を交換する。この交
換作業は、基板(120) 取出し時のゲートバルブ(
116) の開閉に同期して防着板搬送系(132) 
を用いて防着板(130) を取出し予備室(114)
 に搬出するとともに、上述のごとく新たな基板(12
0)を供給するのに付随して新たな防着板(130) 
を搬入することによって行う。ここで、ゲートバルブ(
116) の開放時の取出し予備室(114) はAr
ガス下0.6Pa程度に保たれており、従って真空処理
室(101) の雰囲気は一定範囲内に維持される。な
お、防着板(130) の交換時期は時間管理等によっ
て判断する。
【0013】
【発明の効果】以上詳記したように本発明のスパッタ装
置によれば、容易に真空処理室内の清浄度を維持するこ
とができる。従って、生産性よく高品質の薄膜形成を行
うことができ、大きな工業的効果が得られる。
【0014】なお、本発明は、ロードロック式スパッタ
装置のみならず、例えばRFスパッタ装置、エッチング
装置等であってもロードロック式を採用したものであれ
ば同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るスパッタ装置の構成を示
す図である。
【図2】従来のスパッタ装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
(101)…スパッタ室、 (102)…直流電源、 
(103)…ターゲット、 (104)…バッキングプ
レート、 (105)…Ar導入管、 (106)…O
2 導入管、 (107)…マスクフローコントローラ
、 (108)…O2 ガスボンベ、 (109)…マ
スクフローコントローラ、 (110)…Arガスボン
ベ、 (112)…真空予備室、 (114)…取出し
予備室、 (115)…ゲートバルブ、 (116)…
ゲートバルブ、 (117)…トレー、 (118)…
基板搬送系、 (119)…真空排気系、 (120)
…基板、 (130)…防着板、 (132)…防着板
搬送系、 (201)…スパッタ室、 (202)…直
流電源、 (203)…ターゲット、 (204)…バ
ッキングプレート、 (205)…Ar導入管、 (2
06)…O2 導入管、 (207)…マスクフローコ
ントローラ、 (208)…O2 ガスボンベ、 (2
09)…マスクフローコントローラ、 (210)…A
rガスボンベ、 (212)…真空予備室、 (214
)…取出し予備室、 (215)…ゲートバルブ、 (
216)…ゲートバルブ、 (217)…トレー、 (
218)…基板搬送系、 (219)…真空排気系、 
(220)…基板、 (230)…防着板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  スパッタ処理を行う真空処理室と、真
    空処理室とは第1のゲートバルブを介して被処理物の搬
    送路が連結される真空予備室と、真空処理室とは第2の
    ゲートバルブを介して被処理物の搬送路が連結される取
    出し予備室と、第1及び第2のゲートバルブの開閉によ
    り被処理物を真空予備室・真空処理室・取出し予備室に
    順次搬送する被処理物搬送手段と、真空処理室内にター
    ゲットと搬送された被処理物との間にスパッタ反応領域
    を形成する防着板を有するスパッタ装置において、前記
    防着板を第1及び第2のゲートバルブの開閉により真空
    処理室の雰囲気を所定範囲内に維持しつつ外部から出入
    れ可能な防着板搬送手段を具備することを特徴とするス
    パッタ装置。
JP5539591A 1991-03-20 1991-03-20 スパッタ装置 Pending JPH04293774A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002090978A (ja) * 2000-09-12 2002-03-27 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置

Cited By (2)

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JP2002090978A (ja) * 2000-09-12 2002-03-27 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置
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