JPH04294006A - 異方性導電膜及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、異方性導電膜及びその
製造方法に係り、特にＬＳＩチップ等を回路基板等に信
頼性良く実装することができる異方性導電膜及びその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近時、ＬＳＩ等を配線基板に実装する実
装技術分野においては、異方性導電膜がＬＳＩチップ等
の実装に使用されており、この異方性導電膜においては
、接続ピッチの微細化と接続の信頼性が高度に要求され
ている。従来、この種の異方性導電膜については、特開
昭６３−９４５０４号公報に報告されており、ここでの
異方性導電膜は絶縁性基材に貫通孔を形成し、この貫通
孔内に絶縁性部材を充填させて構成したものである。 また、特開平２−２３９５７８号公報でも報告されてお
り、ここでの異方性導電膜は樹脂中に導電性粒子を含有
させて構成させたものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た樹脂中に導電性粒子を含有させて構成した従来の異方
性導電膜では、導電性粒子が横方向でも分散しており、
導電部が固定されていないため、特に横方向のショート
が生じ易いという問題があった。次に、上記した絶縁性
基材に形成された貫通孔内に導電性部材を埋め込んで構
成した従来の異方性導電膜では、導電部が固定されてい
るため横方向のショートを生じ難くすることができると
いう利点があるが、安定な接続を得るために接続部とな
る導電部の絶縁性部材に弾性材料や低融点金属（例えば
半田）を用いており、材料の制約を受け材料選択が面倒
であるという問題があった。

【０００４】そこで本発明は、導電部を固定することが
でき、横方向のショートを生じ難くすることができ、し
かも導電性部材に弾性材料や低融点金属を用いずに弾性
構造を持たすことができ、導電性部材の材料の制約をな
くして材料選択を容易にすることができ、高信頼で安定
な接続を得ることができる異方性導電膜及びその製造方
法を提供することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明による異方性導電
膜は上記目的達成のため、第１、第２の導電性バンプと
一体的に形成されるとともに、該第１、第２の導電性バ
ンプ間で柱状に形成された導電性部材と、該第１、第２
の導電性バンプ間の柱状に形成された導電性部材の柱状
部分を保持絶縁する絶縁性基材とからなるものである。

【０００６】本発明による異方性導電膜の製造方法は上
記目的達成のため、導電性基材を陽極酸化して貫通孔が
形成された絶縁性基材を形成する工程と、該絶縁性基材
を溝が形成された導電性基板上に該貫通孔が該溝上にく
るように取り付け配置する工程と、該貫通孔を部分的に
覆うように開口部を有するマスクパターンを形成する工
程と、該導電性基板を電析用電極の陰極とし、電析によ
り該マスクパターン間の該開口部、該貫通孔及び該溝内
に埋め込むとともに、該絶縁性基材表裏面で突出された
第１、第２の導電性バンプを有する導電性部材を形成す
る工程と、該絶縁性基材を該導電性基板から取り外す工
程と、該絶縁性基材を除去して該第１、第２の導電性バ
ンプ間に該導電性部材の柱状部分を露出させる工程と、
該第１の導電性バンプ及び該マスクパターンと該第２の
導電性バンプとの間の柱状部分に樹脂を塗布して絶縁性
基材を形成する工程と、該マスクパターンを除去する工
程とを含むものである。

【０００７】本発明による異方性導電膜は上記目的達成
のため、貫通孔が形成された絶縁性基材と、該絶縁性基
材表面で離間して突出するように形成された導電性バン
プとを有するとともに、該導電性バンプと一体的に形成
された柱状部分が該貫通孔を貫通するように形成された
導電性部材とからなるものである。本発明による異方性
導電膜は上記目的達成のため、貫通孔が形成された絶縁
性基材と、該貫通孔内を埋め込むように、かつ該絶縁性
基材表裏面で突出するように形成された導電部材及びポ
リマー粒子からなる導電性部材とからなるものである。

【０００８】本発明による異方性導電膜は上記目的達成
のため、貫通孔が形成された絶縁性基材と、該貫通孔内
を埋め込むように形成された導体からなる柱状部分と該
柱状部分と接続するように形成され、かつ該絶縁性基材
表裏面で突出するように形成された導電部材とポリマー
粒子からなる導電性バンプとからなる導電性部材とから
なるものである。

【０００９】

【作用】本発明では、図１に示すように、異方性導電膜
を第１、第２の導電性バンプ１ａ、１ｂと一体的に形成
されるとともに、該第１、第２の導電性バンプ１ａ、１
ｂ間で柱状に形成された導電性部材１と、第１、第２の
導電性バンプ１ａ、１ｂ間の柱状に形成された導電性部
材１の柱状部分１ｃを保持絶縁する絶縁性基材２とから
なるように構成している。このように、導電性部材１を
電析により導電性バンプ１ａ、１ｂと一体的に形成する
とともに、導電性バンプ１ａ、１ｂ間で複数本の微細導
体柱となるように柱状部分１ｃを形成しているため、従
来の導電粒子を分散して構成した場合よりも導電部とな
る導電性バンプ１ａ、１ｂを固定することができ、横方
向のショートを生じ難くすることができる。また、導電
性バンプ１ａ、１ｂを導電性バンプ１ａ、１ｂ間の導電
性部材１の微細な柱状部分１ｃで支えているため、応力
に対して弾性構造を示すようになる。

【００１０】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。 （第１の実施例）図１は本発明の第１の実施例に則した
異方性導電膜の構造を示す断面図である。図１において
、１はＮｉ等からなる導電性部材であり、この導電性部
材１はＮｉ等からなる第１、第２の導電性バンプ１ａ、
１ｂと一体的に形成されており、第１、第２の導電性バ
ンプ１ａ、１ｂ間で柱状形状の柱状部分１ｃが形成され
ている。２は第１、第２の導電性バンプ１ａ、１ｂ間の
柱状に形成された導電性部材１部分を保持絶縁する熱可
塑性樹脂からなる絶縁性基材である。

【００１１】次に、図２は本発明の第１の実施例に則し
た異方性導電膜の製造方法を説明する図である。図２に
おいて、図１と同一符号は同一または相当部分を示し、
３はＡｌ導電性基材が陽極酸化され形成されたＡｌ２　
Ｏ３からなる絶縁性基材、４は陽極酸化時に絶縁性基材
３に形成された貫通孔、５は溝６パターンが形成された
電析用電極となる導電性基板、７は開口部８が形成され
たレジストパターンである。

【００１２】次に、その製造方法について説明する。ま
ず、図２（ａ）に示すように、Ａｌ導電性基材を陽極酸
化してＡｌ２　Ｏ３　からなる膜厚１０〜　２００μｍ
程度の絶縁性基材３を形成する。この時、絶縁性基材３
に孔径０．０１〜　０．３μｍ程度の微細な貫通孔４が
形成される。次に、図２（ｂ）に示すように、貫通孔４
が形成された絶縁性基材３を溝６が形成された導電性基
板５上に貫通孔４が溝６の上にくるように取り付け配置
し、貫通孔４が形成された絶縁性基材３上にレジストを
塗布し、露光・現像により貫通孔を部分的に覆うように
レジストをパターニングして開口部８を有するレジスト
パターン７を形成する。次いで、導電性基板５を電析用
電極の陰極とし、電析によりレジストパターン７間の開
口部８、貫通孔４及び溝６内にＮｉからなる導電性部材
１を埋め込むとともに、Ａｌ２　Ｏ３　絶縁性基材３表
裏面で突出された第１、第２の導電性バンプ１ａ、１ｂ
を形成する。なお、レジストパターン７よりもＮｉ導電
性部材１が突出した際は研磨等により除去する。また、
導電性部材１にはＮｉ以外に、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ
−Ｓｎ等の金属、導電性高分子等を用いてもよく、導電
性部材の形成方法には電析以外に、無電界鍍金、蒸着、
スパッタ、溶融金属液中に浸漬する等の方法を用いても
よい。

【００１３】次に、図２（ｃ）に示すように、Ａｌ２　
Ｏ３　絶縁性基材３を導電性基板５から取り外した後、
陽極酸化によって形成されたＡｌ２　Ｏ３　絶縁性基材
３を溶解除去して第１、第２の導電性バンプ１ａ、１ｂ
間にＮｉ導電性部材１の柱状部分１ｃを露出させる。こ
の時、レジストパターン７は除去されずに残る。次に、
図２（ｄ）に示すように、レジストパターン７間の第１
の導電性バンプ１ａ及びレジストパターン７と第２の導
電性バンプ１ｂとの間に熱可塑性樹脂を塗布して絶縁性
基材２を形成する。

【００１４】そして、レジストパターン７を除去するこ
とにより、図１に示すような異方性導電膜を得ることが
できる。なお、この異方性導電膜の接続方法は具体的に
は、まず異方性導電膜と基板とを位置合わせし、次いで
、異方性導電膜と基板を熱可塑性樹脂により熱圧着等を
行なって接続固定し、次いで、異方性導電膜とＩＣチッ
プを位置合わせし、次いで、異方性導電膜とＩＣチップ
を熱可塑性樹脂により熱圧着等を行なって接続固定する
。

【００１５】すなわち、本実施例では、異方性導電膜を
第１、第２の導電性バンプ１ａ、１ｂと一体的に形成さ
れるとともに、第１、第２の導電性バンプ１ａ、１ｂ間
で柱状に形成された導電性部材１と、第１、第２の導電
性バンプ１ａ、１ｂ間の柱状に形成された導電性部材１
の柱状部分１ｃを保持絶縁する絶縁性基材２とからなる
ように構成している。このように、導電性部材１を電析
により導電性バンプ１ａ、１ｂと一体的に形成し、かつ
導電性バンプ１ａ、１ｂ間で複数本の微細導体柱となる
ように柱状の柱状部分１ｃを形成しているため、従来の
導電粒子を分散して構成した場合よりも導電部となる導
電性バンプ１ａ、１ｂを固定することができ、横方向の
ショートを生じ難くすることができる。また、導電性バ
ンプ１ａ、１ｂを導電性バンプ１ａ、１ｂ間の導電性部
材１の微細な柱状部分１ｃで支えているため、応力に対
して弾性構造を示すようになる。このため、導電性部材
１に弾性材料や低融点金属を用いずに弾性構造を持たす
ことができ、従来の導電性部材に弾性材料や低融点金属
を用いた場合よりも導電性部材１の材料の制約を少なく
して材料選択を容易にすることができる。従って、高信
頼で安定な接続を得ることができ、微細で高密度な実装
に対応することができる。

【００１６】なお、上記実施例では、異方性導電膜をＡ
ｌ導電性基材を陽極酸化して貫通孔４が形成されたＡｌ
２　Ｏ３　絶縁性基材３を用いて形成する場合について
説明したが、Ａｌ２　Ｏ３　絶縁性基材３は容易に樹脂
におきかえることが可能である。 （第２の実施例）図３は本発明の第２の実施例に則した
異方性導電膜の構造を示す断面図である。図３において
、１１は陽極酸化によって形成されたＡｌ２　Ｏ３　等
からなる絶縁性基材であり、この絶縁性基材１１には複
数の微細な貫通孔１２が形成されている。１３は絶縁性
基材１１表面で離間して突出するように形成されたＮｉ
等からなる導電性バンプ１３ａを有するとともに、この
導電性バンプ１３ａと一体的に形成された柱状部分１３
ｂが貫通孔１２を貫通するように形成されたＮｉ等から
なる導電性部材である。

【００１７】次に、図４は本発明の第２の実施例に則し
た異方性導電膜の製造方法を説明する図である。図４に
おいて、１４は開口部１５が形成されたレジストパター
ンである。次に、その製造方法について説明する。まず
、図４（ａ）に示すように、Ａｌ導電性基材を陽極酸化
してＡｌ２　Ｏ３　からなる膜厚１０〜　２００μｍ程
度の絶縁性基材１１を形成する。この時、絶縁性基材１
１に孔径０．０１〜　０．３μｍ程度の微細な貫通孔１
２が形成される。次いで、貫通孔１２が形成された絶縁
性基材１１上にレジストを塗布し、露光・現像により貫
通孔１２を部分的に覆うようにレジストをパターニング
して開口部１５を有するレジストパターン１４を形成す
る。

【００１８】次に、図４（ｂ）に示すように、絶縁性基
材１１をレジストパターン１４が形成されている側とは
反対側がくるように導電性基板上に取り付け配置し、こ
の導電性基板を電析用電極の陰極とし、スルファミン酸
Ｎｉ浴中で電析を行なってレジストパターン１４間の開
口部１５及び貫通孔１２内に埋め込むように導電性部材
１３を形成する。この時、レジストパターン１４の開口
部１５内のＡｌ２　Ｏ３　絶縁性基材１１表面で突出さ
れた導電性バンプ１３ａと貫通孔１２内を貫通するよう
に形成された柱状部分１３ｂとからなる導電性部材１３
が形成される。ここでの電析は例えば電流密度が５０ｍ
Ａ／ｃｍ２　で行ない、導電性バンプ１３ｂが形成され
たら電析を中止する。

【００１９】なお、導電性部材１３にはＮｉ以外に、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ−Ｓｎ等の金属、導電性高分子、
カーボンの微粒子等を用いてもよく、導電性部材１３の
形成方法には電析以外に、蒸着、スパッタ、溶融金属液
中に浸漬する等の方法を用いてもよい。そして、レジス
トパターン１４を除去し、Ａｌ２　Ｏ３　絶縁性基材１
１をＮａＯＨ水溶液（１％、４０℃）　等の溶液で５分
間浸漬し部分的に除去し導電性部材１３の柱状部分１３
ｂを露出させて導電性バンプ１３ａと絶縁性基材１１を
離間させることにより、図３に示すような異方性導電膜
を得ることができる。

【００２０】なお、この異方性導電膜の接続方法は具体
的には図５に示すように、まず異方性導電膜と基板１６
を位置合わせし、次いで、異方性導電膜と基板１６を熱
可塑性樹脂により熱圧着等を行なって接続固定し、次い
で、異方性導電膜とＩＣチップ１７を位置合わせし、次
いで、異方性導電膜とＩＣチップ１７を熱可塑性樹脂に
より熱圧着等を行なって接続固定する。

【００２１】すなわち、本実施例では、貫通孔１２が形
成された絶縁性基材１１と、絶縁性基材１１表面で離間
して突出するように形成された導電性バンプ１３ａを有
するとともに、導電性バンプ１３ａと一体的に形成され
た柱状部分１３ｂが貫通孔を貫通するように形成された
導電性部材１３とからなるように構成している。このよ
うに、所定の貫通孔１２内に導電性部材１３を形成して
いるため、導電部を固定することができ、横方向のショ
ートを生じ難くすることができる。また、導電性部材１
３の柱状部分１３ｂを絶縁性基材１１の貫通孔１２内を
貫通するように、かつ絶縁性基材１１表裏面で露出する
ように形成したため、応力に対して弾性構造を示すよう
になる。このため、導電性部材１３に弾性材料や低融点
金属を用いずに弾性構造を持たすことができ、従来の導
電性部材１に弾性材料や低融点金属を用いた場合よりも
導電性部材１の材料の制約を少なくして材料選択を容易
にすることができる。従って、高信頼で安定な接続を得
ることができ、微細で高密度な実装に対応することがで
きる。また、絶縁性基材１１を陽極酸化によって形成し
ているため、容易にしかも高密度の異方性導電膜を得る
ことができる。

【００２２】（第３の実施例）次に、図６は本発明の第
３の実施例に則した異方性導電膜の構造を示す断面図で
あり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示すＸ部の詳細を示す
構造断面図である。図６において、３１は陽極酸化によ
って形成されたＡｌ２　Ｏ３　等からなる絶縁性基材で
あり、この絶縁性基材３１に複数の微細な貫通孔３２が
形成されている。３３は貫通孔３２内を埋め込むように
、かつ絶縁性基材３１表裏面で突出するように形成され
た導電部材３３ａ及びポリマー粒子３３ｂからなる導電
性部材である。

【００２３】次に、図７は本発明の第３の実施例に則し
た異方性導電膜の製造方法を説明する図である。図７に
おいて、図６と同一符号は同一または相当部分を示し、
３４は密着電極、３５は電着用電極である。次に、その
製造方法について説明する。まず、図７（ａ）に示すよ
うに、Ａｌ導電性基材を陽極酸化して貫通孔３２が形成
されたＡｌ２　Ｏ３　からなる絶縁性基材３１を形成し
た後、絶縁性基材３１裏面にスパッタ等により密着電極
３４を形成する。

【００２４】次に、図７（ｂ）に示すように、密着電極
３４裏面に電着用電極３５を配置し、電着により貫通孔
３２を埋め込むように、かつ絶縁性基材３１表面で突出
するように導電部材３３ａ及びポリマー粒子３３ｂから
なる導電性部材３３を形成する。次に、絶縁性基材３１
裏面の密着電極３４を溶解除去し　（この時、絶縁性基
材３１と電着用電極３５間に隙間が形成される。）　、
再び電着することにより絶縁性基材３１裏面で突出する
ように導電部材３３ａ及びポリマー粒子３３ｂからなる
導電性部材３３を形成する。

【００２５】そして、電着用電極３５を除去することに
より、図６に示すような異方性導電膜を得ることができ
る。なお、この異方性導電膜の接続方法は具体的には、
図８に示すように、まず異方性導電膜と下側のＬＳＩチ
ップ４１を位置合わせし、次いで、異方性導電膜と下側
のＬＳＩチップ４１を熱可塑性樹脂により熱圧着等を行
なって接続固定し、次いで、異方性導電膜と上側のＬＳ
Ｉチップ４１を位置合わせし、次いで、異方性導電膜と
上側のＬＳＩチップ４１を熱可塑性樹脂により熱圧着等
を行なって接続固定する。

【００２６】すなわち、本実施例では、貫通孔３２が形
成された絶縁性基材３１と、貫通孔３２内を埋め込むよ
うに、かつ絶縁性基材３１表裏面で突出するように形成
された導電部材３３ａ及びポリマー粒子３３ｂからなる
導電性部材３３とからなるように構成している。このよ
うに、所定の貫通孔３２内に導電性部材３３を形成して
いるため、導電部を固定することができ、横方向のショ
ートを生じ難くすることができる。また、導電性部材３
３を導電部材３３ａとポリマー粒子３３ｂの複合体で構
成するようにしたため、導電部に弾性構造を持たせるこ
とができる。このため、実装時の突起高さのばらつきを
吸収することができ、突起高さのばらつきが大きくても
信頼性良くＬＳＩ実装することができる。

【００２７】また、導電性部材３１を陽極酸化によって
形成しているため、ＬＳＩで発生する熱を効率良く放熱
することができ信頼性を向上させることができる。なお
、図６に示す異方性導電膜を図７で説明した製造方法の
他に以下のように行なってもよい。図９は本発明の第３
の実施例に則した異方性導電膜の製造方法を説明する図
である。図７において、図６と同一符号は同一または相
当部分を示し、３７は開口部３８を有するレジストパタ
ーンである。

【００２８】次に、その製造方法について説明する。ま
ず、図９（ａ）に示すように、Ａｌ導電性基材を陽極酸
化して貫通孔３２が形成されたＡｌ２　Ｏ３　からなる
絶縁性基材３１を形成し、貫通孔３２を部分的に覆うよ
うに開口部３８を有するレジストパターン３７を形成し
た後、絶縁性基材３１裏面にスパッタ等により密着電極
３４を形成する。

【００２９】次に、図９（ｂ）に示すように、密着電極
３４裏面に電着用電極３５を配置し、電着により貫通孔
３２を埋め込むように、かつ絶縁性基材３１表面で突出
するように導電部材３３ａ及びポリマー粒子３３ｂから
なる導電性部材３３を形成する。次に、密着電極３４裏
面の電着用電極３５を部分的に溶解除去し　（この時、
密着電極３４と電着用電極３５間に隙間が形成される。 ）　、再び電着することにより絶縁性基材３１裏面で突
出するように導電部材３３ａ及びポリマー粒子３３ｂか
らなる導電性部材３３を形成する。

【００３０】そして、電着用電極３５を除去することに
より、図６に示すような異方性導電膜を得ることができ
る。 （第４の実施例）次に、図１０は本発明の第４の実施例
に則した異方性導電膜の構造を示す断面図であり、図１
０（ｂ）は図１０（ａ）に示すＸ部の詳細を示す構造断
面図である。図１０において、４１は陽極酸化によって
形成されたＡｌ２　Ｏ３　等からなる絶縁性基材であり
、この絶縁性基材４１に複数の微細な貫通孔４２が形成
されている。４３は貫通孔４２内を埋め込むように形成
された導体からなる柱状部分４３ａとこの柱状部分４３
ａと接続するように形成され、かつ絶縁性基材４１表裏
面で突出するように形成された導電部材４３ｂとポリマ
ー粒子４３ｃからなる導電性バンプ４３ｄとからなる導
電性部材である。

【００３１】すなわち、本実施例では、貫通孔４２が形
成された絶縁性基材４１と、貫通孔４２内を埋め込むよ
うに形成された導体からなる柱状部分４３ａとこの柱状
部分４３ａと接続するように形成され、かつ絶縁性基材
４１表裏面で突出するように形成された導電部材４３ｂ
とポリマー粒子４３ｃからなる導電性バンプ４３ｄとか
らなる導電性部材４３とからなるように構成している。 このように、所定の貫通孔４２内に導電性部材４３を形
成しているため、導電部を固定することができ、横方向
のショートを生じ難くすることができる。また、導電性
部材４３の導電性バンプ４３ｄを導電部材４３ｂとポリ
マー粒子４３ｃの複合体で構成するようにしたため、導
電部に弾性構造を持たせることができる。このため、実
装時の突起高さのばらつきを吸収することができ、突起
高さのばらつきが大きくても信頼性良くＬＳＩ実装する
ことができる。

【００３２】また、絶縁性基材３１を陽極酸化によって
形成しているため、ＬＳＩで発生する熱を効率良く放熱
することができ信頼性を向上させることができる。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、導電部を固定すること
ができ、横方向のショートを生じ難くすることができ、
しかも導電性部材に弾性材料や紙融点金属を用いずに弾
性構造を持たすことができ、導電性部材の材料の制約を
なくして材料選択を容易にすることができ、高信頼で安
定な接続を得ることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に則した異方性導電膜の
構造を示す断面図である。

【図２】本発明の第１の実施例に則した異方性導電膜の
製造方法を説明する図である。

【図３】本発明の第２の実施例に則した異方性導電膜の
構造を示す断面図である。

【図４】本発明の第２の実施例に則した異方性導電膜の
製造方法を説明する図である。

【図５】本発明の第２の実施例に則した異方性導電膜を
用いてＩＣチップを基板に実装する場合を示す図である
。

【図６】本発明の第３の実施例に則した異方性導電膜の
構造を示す断面図である。

【図７】本発明の第３の実施例に則した異方性導電膜の
製造方法を説明する図である。

【図８】本発明の第３の実施例に則した異方性導電膜を
用いてＩＣチップをＩＣチップに実装する場合を示す図
である。

【図９】本発明の第３の実施例に則した異方性導電膜の
製造方法を説明する図である。

【図１０】本発明の第４の実施例に則した異方性導電膜
の構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１　　　　導電性部材 １ａ　　　　第１の導電性バンプ １ｂ　　　　第２の導電性バンプ １ｃ　　　　柱状部分 ２　　　　絶縁性基材 ４　　　　貫通孔 ５　　　　導電性基板 ６　　　　溝 ７　　　　レジストパターン ８　　　　開口部 １１　　　　絶縁性基材 １２　　　　貫通孔 １３　　　　導電性部材 １３ａ　　　　導電性バンプ １３ｂ　　　　柱状部材 ３１　　　　絶縁性基材 ３２　　　　貫通孔 ３３　　　　導電性部材 ３３ａ　　　　導電部材 ３３ｂ　　　　ポリマー粒子 ４１　　　　絶縁性基材 ４２　　　　貫通孔 ４３　　　　導電性部材 ４３ａ　　　　柱状部分 ４３ｂ　　　　導電部材 ４３ｃ　　　　ポリマー粒子 ４３ｄ　　　　導電性バンプ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　第１、第２の導電性バンプ（１ａ、１
   ｂ）と一体的に形成されるとともに、該第１、第２の導
   電性バンプ（１ａ、１ｂ）間で柱状に形成された導電性
   部材（１）と、該第１、第２の導電性バンプ（１ａ、１
   ｂ）間の柱状に形成された導電性部材（１）の柱状部分
   （１ｃ）を保持絶縁する絶縁性基材（２）とからなるこ
   とを特徴とする異方性導電膜。
2. 【請求項２】　　導電性基材を陽極酸化して貫通孔（４
   ）が形成された絶縁性基材（３）を形成する工程と、該
   絶縁性基材（３）を溝（６）が形成された導電性基板（
   ５）上に該貫通孔（４）が該溝（６）上にくるように取
   り付け配置する工程と、該貫通孔（４）を部分的に覆う
   ように開口部（８）を有するマスクパターン（７）を形
   成する工程と、該導電性基板（５）を電析用電極の陰極
   とし、電析により該マスクパターン（７）間の該開口部
   （８）、該貫通孔（４）及び該溝（６）内に埋め込むと
   ともに、該絶縁性基材（３）表裏面で突出された第１、
   第２の導電性バンプ（１ａ、１ｂ）を有する導電性部材
   （１）を形成する工程と、該絶縁性基材（３）を該導電
   性基板（５）から取り外す工程と、該絶縁性基材（３）
   を除去して該第１、第２の導電性バンプ（１ａ、１ｂ）
   間に該導電性部材（１）の柱状部分（１ｃ）を露出させ
   る工程と、該第１の導電性バンプ（１ａ）及び該マスク
   パターン（７）と該第２の導電性バンプ（１ｂ）との間
   の柱状部分（１ｃ）に樹脂を塗布して絶縁性基材（２）
   を形成する工程と、該マスクパターン（７）を除去する
   工程とを含むことを特徴とする異方性導電膜の製造方法
   。
3. 【請求項３】　　貫通孔（１２）が形成された絶縁性基
   材（１１）と、該絶縁性基材（１１）表面で離間して突
   出するように形成された導電性バンプ（１３ａ）を有す
   るとともに、該導電性バンプ（１３ａ）　と一体的に形
   成された柱状部分（１３ｂ）が該貫通孔（１２）を貫通
   するように形成された導電性部材　（１３）　とからな
   ることを特徴とする異方性導電膜。
4. 【請求項４】　　前記絶縁性基材（１１）　が陽極酸化
   によって形成されたものであることを特徴とする請求項
   ３記載の異方性導電膜。
5. 【請求項５】　　貫通孔　（３２）　が形成された絶縁
   性基材　（３１）　と、該貫通孔　（３２）　内を埋め
   込むように、かつ該絶縁性基材（３１）　表裏面で突出
   するように形成された導電部材　（３３ａ）　及びポリ
   マー粒子　（３３ｂ）　からなる導電性部材　（３３）
   　とからなることを特徴とする異方性導電膜。
6. 【請求項６】　　貫通孔（４２）　が形成された絶縁性
   基材　（４１）　と、該貫通孔　（４２）　内を埋め込
   むように形成された導体からなる柱状部分　（４３ａ）
   　と該柱状部分（４３ａ）　と接続するように形成され
   、かつ該絶縁性基材　（４１）　表裏面で突出するよう
   に形成された導電部材　（４３ｂ）　とポリマー粒子　
   （４３ｃ）　からなる導電性バンプ　（４３ｄ）　とか
   らなる導電性部材　（４３）　とからなることを特徴と
   する異方性導電膜。
7. 【請求項７】　　前記絶縁性基材　（３１、４１）　が
   陽極酸化して形成されたものであることを特徴とする請
   求項５乃至６記載の異方性導電膜。