JPH04295851A - フォトマスク修正装置 - Google Patents
フォトマスク修正装置Info
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- JPH04295851A JPH04295851A JP3082910A JP8291091A JPH04295851A JP H04295851 A JPH04295851 A JP H04295851A JP 3082910 A JP3082910 A JP 3082910A JP 8291091 A JP8291091 A JP 8291091A JP H04295851 A JPH04295851 A JP H04295851A
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- Japan
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- photomask
- laser
- laser beam
- metallic film
- slit mechanism
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフォトマスクの白欠陥を
修正する装置に係わり、とくにレーザＣＶＤ技術を用い
たフォトマスク修正装置に関する。
修正する装置に係わり、とくにレーザＣＶＤ技術を用い
たフォトマスク修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクの白欠陥すなわち欠損欠陥
を修正するための修正方法としては、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕ
ｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ；集束イオンビーム）を用い
るものと、レーザ光を用いるものが提案されている。後
者のレーザ光を用いるものは、更に紫外レーザ光を使用
する光ＣＶＤ（ｐｈｏｔｏｌｙｔｉｃ ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ ｖａｐｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 技術を応用
するものと、主にレーザ光による対象の加熱効果を利用
する熱ＣＶＤ（ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｖａｐｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術を使用する
ものとに分けることができる。
を修正するための修正方法としては、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕ
ｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ；集束イオンビーム）を用い
るものと、レーザ光を用いるものが提案されている。後
者のレーザ光を用いるものは、更に紫外レーザ光を使用
する光ＣＶＤ（ｐｈｏｔｏｌｙｔｉｃ ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ ｖａｐｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 技術を応用
するものと、主にレーザ光による対象の加熱効果を利用
する熱ＣＶＤ（ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｖａｐｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術を使用する
ものとに分けることができる。
【０００３】前者のＦＩＢを利用する装置は、後者のレ
ーザ光を用いる装置に比べてビームの集束径を直径０．
１〜０．５μｍ程度と小さくすることができる。したが
って、高精度の修正が可能となる。しかしながら、原料
ガスが希薄な状態でなければ装置を作動することができ
ないために炭素膜の堆積速度が遅く、１０μｍ角の領域
に光学濃度２．５〜３程度の炭素膜を堆積する場合には
、１０００秒程度の時間を要する。また、動作中に１×
１０−６Ｔｏｒｒ程度の高真空を維持する必要があり、
真空容器を大きくすることができない。
ーザ光を用いる装置に比べてビームの集束径を直径０．
１〜０．５μｍ程度と小さくすることができる。したが
って、高精度の修正が可能となる。しかしながら、原料
ガスが希薄な状態でなければ装置を作動することができ
ないために炭素膜の堆積速度が遅く、１０μｍ角の領域
に光学濃度２．５〜３程度の炭素膜を堆積する場合には
、１０００秒程度の時間を要する。また、動作中に１×
１０−６Ｔｏｒｒ程度の高真空を維持する必要があり、
真空容器を大きくすることができない。
【０００４】したがって、前者のＦＩＢを利用する装置
は大型の基板への対応が困難であり、これまでに装置化
されているフォトマスク修正装置では、７インチ角の基
板が限度となっているという問題がある。このため、特
別に高精度が要求される用途以外の一般的なフォトマス
クあるいはＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｄ
ｉｓｐｌａｙ；液晶ディスクプレイ）用の大型のフォト
マスクについては、この装置を適用できないのが現状で
ある。
は大型の基板への対応が困難であり、これまでに装置化
されているフォトマスク修正装置では、７インチ角の基
板が限度となっているという問題がある。このため、特
別に高精度が要求される用途以外の一般的なフォトマス
クあるいはＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｄ
ｉｓｐｌａｙ；液晶ディスクプレイ）用の大型のフォト
マスクについては、この装置を適用できないのが現状で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一方、後者のレーザを
用いるフォトマスクの白欠陥修正装置のうち、紫外レー
ザを用いる装置では、紫外光を用いるためにレンズ材が
限定され、装置の設計が困難であるという問題があった
。しかも、この装置で観察とレーザ加工を兼ねる対物レ
ンズは紫外域と可視域の間で色消しを行う必要があり、
その製作が困難である等、光学系の構成上に問題があっ
た。また、この後者の装置では光解離反応が主体となる
ために、レーザ光を導入する窓材へもＣＶＤによる薄膜
の堆積が生じ、窓の透過率が低下していわゆる窓曇りが
生じるといった問題があった。
用いるフォトマスクの白欠陥修正装置のうち、紫外レー
ザを用いる装置では、紫外光を用いるためにレンズ材が
限定され、装置の設計が困難であるという問題があった
。しかも、この装置で観察とレーザ加工を兼ねる対物レ
ンズは紫外域と可視域の間で色消しを行う必要があり、
その製作が困難である等、光学系の構成上に問題があっ
た。また、この後者の装置では光解離反応が主体となる
ために、レーザ光を導入する窓材へもＣＶＤによる薄膜
の堆積が生じ、窓の透過率が低下していわゆる窓曇りが
生じるといった問題があった。
【０００６】このため、可視レーザ光とその加熱効果を
利用する方が、より実用性の高いフォトマスク修正装置
を構成することができる。
利用する方が、より実用性の高いフォトマスク修正装置
を構成することができる。
【０００７】ところで、レーザ光による加熱効果を利用
した従来のフォトマスク修正装置では、レーザとして連
続発振を行うアルゴンレーザを使用しており、レーザ光
は単にスポット状に集光して使用している。このため、
レーザ光照射部周辺への熱拡散が大きくなり、レーザ光
の集光径よりもはるかに広い幅で薄膜の堆積が生じると
いう問題を有していた。なお、Ｊ．Ｋ．Ｔｉｓｏｎ ａ
ｎｄ Ｍ．Ｇ．Ｃｏｈｅｎ，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｆｅｂ．（１９８７），”Ｌａ
ｓｅｒ ｉｎ Ｍａｓｋ Ｒｅｐａｉｒ”の第１１３ペ
ージにおける図２（Ｆｉｇ．２ ）に示した写真を参考
にされたい。
した従来のフォトマスク修正装置では、レーザとして連
続発振を行うアルゴンレーザを使用しており、レーザ光
は単にスポット状に集光して使用している。このため、
レーザ光照射部周辺への熱拡散が大きくなり、レーザ光
の集光径よりもはるかに広い幅で薄膜の堆積が生じると
いう問題を有していた。なお、Ｊ．Ｋ．Ｔｉｓｏｎ ａ
ｎｄ Ｍ．Ｇ．Ｃｏｈｅｎ，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｆｅｂ．（１９８７），”Ｌａ
ｓｅｒ ｉｎ Ｍａｓｋ Ｒｅｐａｉｒ”の第１１３ペ
ージにおける図２（Ｆｉｇ．２ ）に示した写真を参考
にされたい。
【０００８】そこで本発明の目的は、可視レーザ光とそ
の加熱効果を利用し、しかもレーザ光照射部周辺への熱
拡散をできるだけ抑えることにより、エッジ精度良く金
属膜を形成することのできるフォトマスク修正装置を提
供することにある。
の加熱効果を利用し、しかもレーザ光照射部周辺への熱
拡散をできるだけ抑えることにより、エッジ精度良く金
属膜を形成することのできるフォトマスク修正装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、解離
反応により金属の堆積を可能とする化合物気体を含む雰
囲気に接するフォトマスク表面にレーザ光を照射し、主
に化合物気体の熱分解によりレーザ光照射部に選択的に
形成した金属薄膜、または、レーザ光を前記したフォト
マスクに対して相対的に走査してフォトマスク上に帯状
に堆積した金属薄膜により、フォトマスク上の白欠陥を
修正するように構成したフォトマスク修正装置に、、例
えば１ＫＨｚといった所定の周波数以上の周波数でレー
ザパルスを出力できるレーザと、フォトマスク上に照射
するレーザ光を矩形状に整形する整形手段と、矩形状に
整形されたレーザ光の強度分布を均一にする均一化手段
とを具備させた構成としたものである。
反応により金属の堆積を可能とする化合物気体を含む雰
囲気に接するフォトマスク表面にレーザ光を照射し、主
に化合物気体の熱分解によりレーザ光照射部に選択的に
形成した金属薄膜、または、レーザ光を前記したフォト
マスクに対して相対的に走査してフォトマスク上に帯状
に堆積した金属薄膜により、フォトマスク上の白欠陥を
修正するように構成したフォトマスク修正装置に、、例
えば１ＫＨｚといった所定の周波数以上の周波数でレー
ザパルスを出力できるレーザと、フォトマスク上に照射
するレーザ光を矩形状に整形する整形手段と、矩形状に
整形されたレーザ光の強度分布を均一にする均一化手段
とを具備させた構成としたものである。
【００１０】請求項２記載の発明は、レーザ光を矩形に
整形する整形手段として、周縁部にナイフエッジ部を有
しかつ可変可能な開口部を備えたスリット機構を用いた
ものである。
整形する整形手段として、周縁部にナイフエッジ部を有
しかつ可変可能な開口部を備えたスリット機構を用いた
ものである。
【００１１】請求項３記載の発明は、レーザ光の光路中
にアッテネータを配置した構成としたものである。
にアッテネータを配置した構成としたものである。
【００１２】
【作用】本発明によれば、矩形状に整形されたレーザ光
がフォトマスク表面にイメージ転写されるため、フォト
マスク上のパターンに沿ってエッジ精度の良い金属膜を
任意の大きさを形成することが可能となる。
がフォトマスク表面にイメージ転写されるため、フォト
マスク上のパターンに沿ってエッジ精度の良い金属膜を
任意の大きさを形成することが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明に係わるフォトマスク修正装
置の一実施例を示す概略構成図である。本実施例の装置
では、ＣＶＤの原料としてモリブデンカルボニル（Ｍｏ
（ＣＯ）６ ）を、また、レーザとして連続励起Ｑスイ
ッチＮｄ：ＹＡＧレーザ（以下、ＣＷ−ＹＡＧレーザと
称する。）の第２高調波（ＳＨＧ：波長０．５３μｍ）
を使用している。
置の一実施例を示す概略構成図である。本実施例の装置
では、ＣＶＤの原料としてモリブデンカルボニル（Ｍｏ
（ＣＯ）６ ）を、また、レーザとして連続励起Ｑスイ
ッチＮｄ：ＹＡＧレーザ（以下、ＣＷ−ＹＡＧレーザと
称する。）の第２高調波（ＳＨＧ：波長０．５３μｍ）
を使用している。
【００１５】Ｍｏ（ＣＯ）６ のような金属カルボニル
は室温で固体または液体なので、加熱・気化させて使用
する。本実施例では、リザーバ１内で５０°Ｃで気化さ
せて使用する。このときの飽和蒸気圧は、化学大辞典（
共立出版、東京）、Ｐ２９４、「モリブデンカルボニル
」にも示されているように１．４Ｔｏｒｒである。キャ
リアガスとしてはアルゴンガスを用い、流量２５０ｃｃ
／分〜５００ｃｃ／分で使用する。
は室温で固体または液体なので、加熱・気化させて使用
する。本実施例では、リザーバ１内で５０°Ｃで気化さ
せて使用する。このときの飽和蒸気圧は、化学大辞典（
共立出版、東京）、Ｐ２９４、「モリブデンカルボニル
」にも示されているように１．４Ｔｏｒｒである。キャ
リアガスとしてはアルゴンガスを用い、流量２５０ｃｃ
／分〜５００ｃｃ／分で使用する。
【００１６】図１に示すように、原料ガスＡはリザーバ
１から取り出されたキャリアガスＢと共に、気密の保た
れたチェンバ２内へ導かれる。原料ガスＡはチェンバ２
内のフォトマスク３の表面を流れる。チェンバ２上面に
はガラス窓４が設けられており、これを介してレーザ光
がフォトマスク３上に集光される。このレーザ光の集光
部にて、ＣＶＤによるＭｏ膜の堆積が生ずる。チェンバ
２中のフォトマスク３は原料ガスＡとの温度バランスを
とり、Ｍｏ（ＣＯ）６ がフォトマスク３上に析出せず
、しかも、表面への吸着量を制御し、Ｍｏ膜の堆積速度
を制御するために、ヒータ５にて５０°Ｃ程度に加熱さ
れている。原料ガスＡはフォトマスク３の表面を流れた
後、排気ガス処理部１４に導かれ、処理された後、排気
ガスＣとして排出されるようになっている。
１から取り出されたキャリアガスＢと共に、気密の保た
れたチェンバ２内へ導かれる。原料ガスＡはチェンバ２
内のフォトマスク３の表面を流れる。チェンバ２上面に
はガラス窓４が設けられており、これを介してレーザ光
がフォトマスク３上に集光される。このレーザ光の集光
部にて、ＣＶＤによるＭｏ膜の堆積が生ずる。チェンバ
２中のフォトマスク３は原料ガスＡとの温度バランスを
とり、Ｍｏ（ＣＯ）６ がフォトマスク３上に析出せず
、しかも、表面への吸着量を制御し、Ｍｏ膜の堆積速度
を制御するために、ヒータ５にて５０°Ｃ程度に加熱さ
れている。原料ガスＡはフォトマスク３の表面を流れた
後、排気ガス処理部１４に導かれ、処理された後、排気
ガスＣとして排出されるようになっている。
【００１７】このフォトマスク修正装置では、レーザ光
を導入する光学系は固定とし、ＸＹステージ６でフォト
マスク３を移動することにより、Ｍｏ膜を帯状に形成す
る方法を採用している。
を導入する光学系は固定とし、ＸＹステージ６でフォト
マスク３を移動することにより、Ｍｏ膜を帯状に形成す
る方法を採用している。
【００１８】ところで、このフォトマスク修正装置では
、フォトマスク３上に照射するレーザ光を矩形に整形す
るために、開口部７Ａを形成する端部側に２軸ともその
間隔を変えることのできるナイフエッジを有するスリッ
ト機構７を有している。このスリット機構７の開口部７
Ａが対物レンズ８でフォトマスク３上にイメージ転写さ
れるようになっている。このスリット機構７の開口部７
Ａを通過した後のレーザ光の強度を均一にするために、
ＣＷ−ＹＡＧレーザ１０の出力側にはビームエキスパン
ダ９が配置されている。ビームエキスパンダ９は、レー
ザ光のビーム径を拡大し、強度分布変化が小さい中央部
のみがスリット機構７の開口部７Ａを通過できるように
構成している。
、フォトマスク３上に照射するレーザ光を矩形に整形す
るために、開口部７Ａを形成する端部側に２軸ともその
間隔を変えることのできるナイフエッジを有するスリッ
ト機構７を有している。このスリット機構７の開口部７
Ａが対物レンズ８でフォトマスク３上にイメージ転写さ
れるようになっている。このスリット機構７の開口部７
Ａを通過した後のレーザ光の強度を均一にするために、
ＣＷ−ＹＡＧレーザ１０の出力側にはビームエキスパン
ダ９が配置されている。ビームエキスパンダ９は、レー
ザ光のビーム径を拡大し、強度分布変化が小さい中央部
のみがスリット機構７の開口部７Ａを通過できるように
構成している。
【００１９】本実施例のフォトマスク修正装置では、ス
リット機構７の開口部７Ａの幅寸法を変えることにより
、欠陥の大きさに応じた適切な幅のＭｏ膜を形成するこ
とが可能となる。また、ＣＷ−ＹＡＧレーザ１０による
高周波数のレーザパルスを用いているため、レーザ照射
部以外への熱拡散を僅少に抑制でき、エッジ精度の良い
Ｍｏ膜の形成が可能となる。
リット機構７の開口部７Ａの幅寸法を変えることにより
、欠陥の大きさに応じた適切な幅のＭｏ膜を形成するこ
とが可能となる。また、ＣＷ−ＹＡＧレーザ１０による
高周波数のレーザパルスを用いているため、レーザ照射
部以外への熱拡散を僅少に抑制でき、エッジ精度の良い
Ｍｏ膜の形成が可能となる。
【００２０】図１に示したフォトマスク修正装置では、
スリット機構７の図で左側にはダイクロイックミラー１
１が配設されており、レーザ光を対物レンズ８側に反射
させるようになっている。また、このダイクロイックミ
ラー１１の上方側には、これを透過して観察を行うため
の接眼装置１２Ａと、ＣＣＤカメラ１２Ｂとがハーフミ
ラー１２Ｃによって分岐された光線を入射するように配
置されている。ＣＣＤカメラ１２Ｂの読取画像は、モニ
タＴＶ１３によっても観察できるようになっている。
スリット機構７の図で左側にはダイクロイックミラー１
１が配設されており、レーザ光を対物レンズ８側に反射
させるようになっている。また、このダイクロイックミ
ラー１１の上方側には、これを透過して観察を行うため
の接眼装置１２Ａと、ＣＣＤカメラ１２Ｂとがハーフミ
ラー１２Ｃによって分岐された光線を入射するように配
置されている。ＣＣＤカメラ１２Ｂの読取画像は、モニ
タＴＶ１３によっても観察できるようになっている。
【００２１】図２は本実施例のフォトマスク修正装置を
用いてフォトマスク上に形成したＭｏ膜を表わしたもの
である。マスク３上には、Ｍｏ膜１５が帯状に形成され
ている。この図で右側の部分はガラス面１７を表わして
いる。
用いてフォトマスク上に形成したＭｏ膜を表わしたもの
である。マスク３上には、Ｍｏ膜１５が帯状に形成され
ている。この図で右側の部分はガラス面１７を表わして
いる。
【００２２】図３はこのようなＭｏ膜の形成を行うため
の手順を示したものである。この図に示すように５μｍ
×１０μｍの矩形レーザ光１６を矢印Ｄ方向に走査する
ことにより、擬似欠陥を埋めつくすようにＭｏ膜１５を
形成した。本実施例では、矩形レーザ光１６の強度は、
フォトマスク３の表面上で約５ｍｗであり、そのＱスイ
ッチの繰り返し周波数は１０ＫＨｚであった。また、フ
ォトマスク３の移動速度は３μｍ／ｓであった。
の手順を示したものである。この図に示すように５μｍ
×１０μｍの矩形レーザ光１６を矢印Ｄ方向に走査する
ことにより、擬似欠陥を埋めつくすようにＭｏ膜１５を
形成した。本実施例では、矩形レーザ光１６の強度は、
フォトマスク３の表面上で約５ｍｗであり、そのＱスイ
ッチの繰り返し周波数は１０ＫＨｚであった。また、フ
ォトマスク３の移動速度は３μｍ／ｓであった。
【００２３】図４は本発明に係わるフォトマスク修正装
置の変形例を示すものである。図１と同一部分には同一
の符号を付しており、これらの説明を定義省略する。こ
の変形例では、レーザ光の光路中のスリット機構７とダ
イクロイックミラー１１との間にアッテネータ１８を配
置している。アッテネータ１８は、Ｍｏ膜形成開始時に
ＣＶＤ反応への吸熱が少なく基板加熱が過剰となること
を防止するために、スタート時点でのレーザ光強度を絞
るために使用するものである。このアッテネータ１８に
よって、レーザ光の強度を応答性良く変化させることが
できる。
置の変形例を示すものである。図１と同一部分には同一
の符号を付しており、これらの説明を定義省略する。こ
の変形例では、レーザ光の光路中のスリット機構７とダ
イクロイックミラー１１との間にアッテネータ１８を配
置している。アッテネータ１８は、Ｍｏ膜形成開始時に
ＣＶＤ反応への吸熱が少なく基板加熱が過剰となること
を防止するために、スタート時点でのレーザ光強度を絞
るために使用するものである。このアッテネータ１８に
よって、レーザ光の強度を応答性良く変化させることが
できる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係わるフォ
トマスク修正装置によれば、例えば１ＫＨｚ以上の周波
数で繰り返しレーザパルスを出力できるレーザを使用し
、フォトマスク上に照射するレーザ光を矩形状に整形す
ると共に、このレーザ光の強度分布を均一にしたので、
レーザによる加熱効果を利用するレーザＣＶＤ技術を用
いたフォトマスク修正装置でありながら、エッジの直線
性の良い金属膜堆積が可能となる。また、ＦＩＢ技術を
利用した装置に比べて大きな面積を一括で修正すること
きので、はるかに高い処理能力を有しており、非常に実
用性の高い装置を提供できるという優れた効果を奏する
。
トマスク修正装置によれば、例えば１ＫＨｚ以上の周波
数で繰り返しレーザパルスを出力できるレーザを使用し
、フォトマスク上に照射するレーザ光を矩形状に整形す
ると共に、このレーザ光の強度分布を均一にしたので、
レーザによる加熱効果を利用するレーザＣＶＤ技術を用
いたフォトマスク修正装置でありながら、エッジの直線
性の良い金属膜堆積が可能となる。また、ＦＩＢ技術を
利用した装置に比べて大きな面積を一括で修正すること
きので、はるかに高い処理能力を有しており、非常に実
用性の高い装置を提供できるという優れた効果を奏する
。
【図１】本発明に係わるフォトマスク修正装置の一実施
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
【図２】この実施例の装置でフォトマスク上に形成した
Ｍｏ膜を示す平面図である。
Ｍｏ膜を示す平面図である。
【図３】この実施例の装置でＭｏ膜の形成の手順を示し
た説明図である。
た説明図である。
【図４】本発明の変形例におけるフォトマスク修正装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
３ フォトマスク
７ スリット機構
７Ａ 開口部
９ ビームエキスパンダ
１０ ＣＷ−ＹＡＧレーザ
１５ Ｍｏ膜
１６ 矩形レーザ光
１８ アッテネータ
Claims (3)
- 【請求項１】 解離反応により金属の堆積を可能とす
る化合物気体を含む雰囲気に接するフォトマスク表面に
レーザ光を照射し、主に化合物気体の熱分解によりレー
ザ光照射部に選択的に形成した金属薄膜、またはレーザ
光を前記フォトマスクに対して相対的に走査してフォト
マスク上に帯状に堆積した金属薄膜により、フォトマス
ク上の白欠陥を修正するようにしたフォトマスク修正装
置において、所定の周波数以上の周波数でレーザパルス
を出力できるレーザと、前記フォトマスク上に照射する
レーザ光を矩形状に整形する整形手段と、矩形状に整形
されたレーザ光の強度分布を均一にする均一化手段とを
具備することを特徴とするフォトマスク修正装置。 - 【請求項２】 前記整形手段は、周縁部にナイフエッ
ジ部を有しかつ可変可能な開口部を備えたスリット機構
を具備することを特徴とする請求項１記載のフォトマス
ク修正装置。 - 【請求項３】 前記レーザ光の光路中にアッテネータ
を配置したことを特徴とする請求項１記載のフォトマス
ク修正装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8291091A JP3044811B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | フォトマスク修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8291091A JP3044811B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | フォトマスク修正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04295851A true JPH04295851A (ja) | 1992-10-20 |
| JP3044811B2 JP3044811B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=13787410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8291091A Expired - Lifetime JP3044811B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | フォトマスク修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3044811B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH086233A (ja) * | 1994-06-20 | 1996-01-12 | Nec Corp | フォトマスクの欠損欠陥修正方法およびその装置 |
| US6090458A (en) * | 1994-12-22 | 2000-07-18 | Nec Corporation | Method and apparatus for film formation by chemical vapor deposition |
| JP2008109753A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Tdk Corp | 被覆剥離方法 |
| US20090261083A1 (en) * | 2005-09-16 | 2009-10-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing device |
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