JPH04295910A - 基準電圧回路 - Google Patents

基準電圧回路

Info

Publication number
JPH04295910A
JPH04295910A JP6011091A JP6011091A JPH04295910A JP H04295910 A JPH04295910 A JP H04295910A JP 6011091 A JP6011091 A JP 6011091A JP 6011091 A JP6011091 A JP 6011091A JP H04295910 A JPH04295910 A JP H04295910A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reference voltage
type transistor
voltage circuit
depletion type
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6011091A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3136629B2 (ja
Inventor
Masaharu Ozaki
尾崎 正晴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP03060110A priority Critical patent/JP3136629B2/ja
Publication of JPH04295910A publication Critical patent/JPH04295910A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3136629B2 publication Critical patent/JP3136629B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、MOS、Bi−MOS
集積回路上に形成され、ボルテージレギュレータ、ボル
テージディテクタ、DC−DCコンバータ、AD/DA
変換器の基準電圧を作り出す基準電圧回路に関し、特に
高品質で歩留まりのよい基準電圧回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の基準電圧回路は、例えば図2のよ
うに構成されている。図2において、21はNチャネル
ディプレッション形トランジスタ、22はNチャネルエ
ンハンスメント形トランジスタであり、これらのトラン
ジスタサイズは揃えてある。このような構成により、デ
ィプレッション形トランジスタ21とエンハンスメント
形トランジスタ22トのスレッショルド電圧の差が基準
電圧出力として出力され、図3に示すような電流/電圧
特性の関係による。
【0003】
【外1】 なお、従来の基準電圧回路に関連するものとしては、例
えば「特願平1−320210号」等が挙げられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
【外2】
【0006】
【外3】 これでは、消費電流のバラツキが大きくなり、また、基
準電圧回路の電源変動に対する応答特性のバラツキの原
因となって、製品の品質に影響する。逆に、品質のバラ
ツキを一定範囲内に抑さえようとすると、製品のテスト
段階でバラツキの大きいものを除外する必要があり、歩
留まりが低下してしまう。本発明の目的は、このような
問題点を改善し、品質のバラツキを一定範囲内に抑さえ
、かつテスト段階での歩留まり低下を防止するのに好適
な基準電圧回路を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明の基準電圧回路は、Nチャネルディプレッショ
ン形トランジスタのソースと基板とを独立に構成し、そ
こに所定の範囲で調整したバックゲートバイアス電圧を
供給する手段(抵抗、トリミング抵抗部)と、Nチャネ
ルディプレッション形トランジスタとNチャネルエンハ
ンスメント形トランジスタとのスレッショルド電圧の差
分をプラス端子に入力するオペアンプと設けて、そのバ
ックゲートバイアス電圧を調整することにより、回路の
動作電流のバラツキを抑えるように制御することに特徴
がある。
【0008】
【作用】本発明においては、Nチャネルディプレッショ
ン形トランジスタのソースと基板とを独立に構成し、そ
こにトリミング抵抗部で調整したバックゲートバイアス
電圧を供給する。これにより、Nチャネルディプレッシ
ョン形トランジスタのスレッショルド電圧を所定の範囲
で制御することができるので、Nチャネルディプレッシ
ョン形トランジスタとNチャネルエンハンスメント形ト
ランジスタとの間に流れる電流のバラツキを低く抑えら
れる。従って、安定した基準電圧を供給する基準電圧回
路を提供でき、しかも製品のテスト段階での歩留まりを
向上させることが可能である。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面により説明す
る。図1は、本発明の一実施例における基準電圧回路の
構成図、図4は本発明の一実施例におけるトリミング抵
抗部の構成図である。
【0010】
【外4】
【0011】
【外5】 また、トリミング抵抗部15の構成は図4に示され、ト
リミング用切断部41を有する抵抗網を有する。そして
、トリミング用切断部41をレーザトリマ等により必要
に応じて切断し、抵抗値をほぼ零から無限大まで変化さ
せることができる。この場合、トリミング用切断部41
および配線抵抗があるので、完全に零にはならないが、
抵抗14に対して無視できる値となる。従って、本実施
例のバックゲート電圧調整範囲は、
【0012】
【外6】
【0013】
【外7】
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、基準電圧発生部の電流
バラツキを低く抑えることができるので、品質の安定し
た基準電圧を得ることが可能である。また、本発明の基
準電圧回路をボルテージレギュレータ、ボルテージディ
テクタ、DC−DCコンバータ、AD−AD変換器等に
内蔵することにより、高品質の製品を歩留まり良く得る
ことができる。
【0015】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における基準電圧回路の構成
図である。
【図2】従来の基準電圧回路の構成図である。
【図3】従来の基準電圧回路で得られる基準電圧の説明
図である。
【図4】本発明の一実施例におけるトリミング抵抗部の
構成図である。
【符号の説明】
11  Nチャネルディプレッション形トランジスタ1
2  Nチャネルエンハンスメント形トランジスタ13
  オペアンプ 14  抵抗 15  トリミング抵抗部 21  Nチャネルディプレッション形トランジスタ2
2  Nチャネルエンハンスメント形トランジスタ31
  Nチャネルディプレッション形トランジスタの電流
/電圧特性 32  Nチャネルエンハンスメント形トランジスタの
電流/電圧特性 33  2個のトランジスタに流れる電流41  トリ
ミング用切断部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  Nチャネルディプレッション形トラン
    ジスタと、Nチャネルエンハンスメント形トランジスタ
    とを有し、両該トランジスタのスレッショルド電圧の差
    分を基準電圧出力として取り出す基準電圧回路において
    、該ディプレッション形トランジスタのソースと基板と
    を独立に構成し、該ディプレッション形トランジスタに
    所定の範囲で調整したバックゲートバイアス電圧を供給
    する手段と、上記差分の電圧をプラス端子に入力するオ
    ペアンプと設けて、該バックゲートバイアス電圧を調整
    することにより、回路の動作電流を制御することを特徴
    とする基準電圧回路。
JP03060110A 1991-03-25 1991-03-25 基準電圧回路 Expired - Fee Related JP3136629B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03060110A JP3136629B2 (ja) 1991-03-25 1991-03-25 基準電圧回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03060110A JP3136629B2 (ja) 1991-03-25 1991-03-25 基準電圧回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04295910A true JPH04295910A (ja) 1992-10-20
JP3136629B2 JP3136629B2 (ja) 2001-02-19

Family

ID=13132646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03060110A Expired - Fee Related JP3136629B2 (ja) 1991-03-25 1991-03-25 基準電圧回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3136629B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008159135A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2015028817A (ja) * 2014-11-11 2015-02-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102053944B1 (ko) 2013-02-21 2019-12-11 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008159135A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2015028817A (ja) * 2014-11-11 2015-02-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路

Also Published As

Publication number Publication date
JP3136629B2 (ja) 2001-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5563501A (en) Low voltage dropout circuit with compensating capacitance circuitry
US5744999A (en) CMOS current source circuit
US5552697A (en) Low voltage dropout circuit with compensating capacitance circuitry
EP0573240B1 (en) Reference voltage generator
US5648718A (en) Voltage regulator with load pole stabilization
USRE42335E1 (en) Single transistor-control low-dropout regulator
US6700363B2 (en) Reference voltage generator
KR100272508B1 (ko) 내부전압(vdd) 발생회로
US5990671A (en) Constant power voltage generator with current mirror amplifier optimized by level shifters
JPH07106875A (ja) 半導体集積回路
US4893091A (en) Complementary current mirror for correcting input offset voltage of diamond follower, especially as input stage for wide-band amplifier
JP2715642B2 (ja) 半導体集積回路
JPH11272346A (ja) 電流ソース
KR960038542A (ko) 기준전압 발생회로
JP2000114891A (ja) 電流源回路
US6940338B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US20010045865A1 (en) Common-mode feedback circuit and method
JP3269676B2 (ja) 回路装置
US20050157437A1 (en) Overcurrent protection circuit
US5883507A (en) Low power temperature compensated, current source and associated method
JPH04295910A (ja) 基準電圧回路
JPH0675648A (ja) 基準電流発生回路
US5864230A (en) Variation-compensated bias current generator
US5801580A (en) Self-biased voltage-regulated current source
JP2853469B2 (ja) 半導体集積装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071208

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081208

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees