JPH04296834A - フラッシュランプ及びその点灯回路 - Google Patents
フラッシュランプ及びその点灯回路Info
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- JPH04296834A JPH04296834A JP4018560A JP1856092A JPH04296834A JP H04296834 A JPH04296834 A JP H04296834A JP 4018560 A JP4018560 A JP 4018560A JP 1856092 A JP1856092 A JP 1856092A JP H04296834 A JPH04296834 A JP H04296834A
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- Japan
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- flash lamp
- flash
- circuit
- inductance
- switch
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/30—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp
- H05B41/32—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp for single flash operation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/30—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp
- H05B41/34—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp to provide a sequence of flashes
Landscapes
- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフラッシュランプの運転
回路およびこの回路に使われるフラッシュランプに関す
る。
回路およびこの回路に使われるフラッシュランプに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】殆ど全てのホトカメラは今日では内蔵形
電子フラッシュを有している。原理的には図４の回路が
使用されている。供給電圧Ｕの供給直流電圧源１は容量
Ｃのフラッシュコンデンサ２を充電し、このコンデンサ
２がフラッシュエネルギーを蓄積する。放電はリード線
４から与えられる約５ｋＶのトリガーパルスによって電
極３を介して容量的に惹き起こされる。その後、放電電
流Ｉが数μｓ以内にそのピーク値Ｉｍａｘ へ増大し、
その後に時定数τ＝Ｒｉ Ｃにて指数関数的に降下する
。というのは、フラッシュランプ５は放電電流の大きい
部分ではほぼ一定の内部抵抗Ｒｉ を有するからである
。回路の損失抵抗は約１００ｍΩである。
電子フラッシュを有している。原理的には図４の回路が
使用されている。供給電圧Ｕの供給直流電圧源１は容量
Ｃのフラッシュコンデンサ２を充電し、このコンデンサ
２がフラッシュエネルギーを蓄積する。放電はリード線
４から与えられる約５ｋＶのトリガーパルスによって電
極３を介して容量的に惹き起こされる。その後、放電電
流Ｉが数μｓ以内にそのピーク値Ｉｍａｘ へ増大し、
その後に時定数τ＝Ｒｉ Ｃにて指数関数的に降下する
。というのは、フラッシュランプ５は放電電流の大きい
部分ではほぼ一定の内部抵抗Ｒｉ を有するからである
。回路の損失抵抗は約１００ｍΩである。
【０００３】放電電流の時間的変化は図５に示されてい
る。全ての次の考察のために重要なことはフラッシュラ
ンプ５の内部抵抗Ｒｉ である。この内部抵抗Ｒｉ に
対してはほぼ次の式が当てはまる。 Ｒｉ ＝ｄ−２・ｅ１．５ ・Ｕ−０．５・ｐ０．２５
但し、ｄ＝内径 （ｍ
ｍ）ｅ＝アーク長（電極間隔）（ｍｍ） Ｕ＝供給電圧 （Ｖ）ｐ＝キセ
ノン低温充填圧 （バール）
る。全ての次の考察のために重要なことはフラッシュラ
ンプ５の内部抵抗Ｒｉ である。この内部抵抗Ｒｉ に
対してはほぼ次の式が当てはまる。 Ｒｉ ＝ｄ−２・ｅ１．５ ・Ｕ−０．５・ｐ０．２５
但し、ｄ＝内径 （ｍ
ｍ）ｅ＝アーク長（電極間隔）（ｍｍ） Ｕ＝供給電圧 （Ｖ）ｐ＝キセ
ノン低温充填圧 （バール）
【０００４】次の表
１は図４の回路において使用される、通常の内径ｄ＝２
．０ｍｍを有するフラッシュランプ用のフラッシュエネ
ルギー、アーク長等の実際に可能な組み合せを示す。
１は図４の回路において使用される、通常の内径ｄ＝２
．０ｍｍを有するフラッシュランプ用のフラッシュエネ
ルギー、アーク長等の実際に可能な組み合せを示す。
【０００５】
【表１】
フラッシュエネルギー
３ ５ ８ １３ ２０
３０ Ｅ（Ｗｓ） フラッシュコンデンサ ７
７ １２８ １７８ ２３９ ３６７
４９０ Ｃ（μＦ） 供給電圧
２８０ ２８０ ３００ ３３０
３３０ ３５０ Ｕ（Ｖ） アーク長
５ ８ １０ １５
２０ ３０ ｅ（ｍｍ） キセノン充填圧
１ １ １ ０．８
０．５ ０．３ ｐ（バール） 内部抵抗
０．１６ ０．３３ ０．４６ ０
．８４ １．０ １．６ Ｒｉ （Ω
） フラッシュ寿命
１２ ４２ ８２ ２００
３６７ ７８４ τ（μｓ）
３ ５ ８ １３ ２０
３０ Ｅ（Ｗｓ） フラッシュコンデンサ ７
７ １２８ １７８ ２３９ ３６７
４９０ Ｃ（μＦ） 供給電圧
２８０ ２８０ ３００ ３３０
３３０ ３５０ Ｕ（Ｖ） アーク長
５ ８ １０ １５
２０ ３０ ｅ（ｍｍ） キセノン充填圧
１ １ １ ０．８
０．５ ０．３ ｐ（バール） 内部抵抗
０．１６ ０．３３ ０．４６ ０
．８４ １．０ １．６ Ｒｉ （Ω
） フラッシュ寿命
１２ ４２ ８２ ２００
３６７ ７８４ τ（μｓ）
【０００６】実際上は１０＜ｅ＜２０ｍｍのアーク長と
８＜Ｅ＜２０Ｗｓのフラッシュエネルギーとを有するラ
ンプだけが使用される。
８＜Ｅ＜２０Ｗｓのフラッシュエネルギーとを有するラ
ンプだけが使用される。
【０００７】ｅ＜１０ｍｍのフラッシュランプは光高率
が悪く、そしてＩｍａｘ ≒１ｋＡのために寿命が充分
に足りない。電流Ｉｍａｘ はフラッシュランプに直列
に接続されたインダクタンスの大きさ（Ｌ＜２０μＨ）
によって約３５０Ａの値に低下させることができる。ｅ
＞２０ｍｍのフラッシュランプはスペース上の理由から
内蔵形電子フラッシュとしては除外されている。
が悪く、そしてＩｍａｘ ≒１ｋＡのために寿命が充分
に足りない。電流Ｉｍａｘ はフラッシュランプに直列
に接続されたインダクタンスの大きさ（Ｌ＜２０μＨ）
によって約３５０Ａの値に低下させることができる。ｅ
＞２０ｍｍのフラッシュランプはスペース上の理由から
内蔵形電子フラッシュとしては除外されている。
【０００８】それにも拘わらずｅ＜１０ｍｍ、最も望ま
しくはｅ≒５ｍｍのフラッシュランプへのカメラ製造業
者の望みは消えていない。というのは、かかるランプは
反射器を著しく小さくすることができ、かつフラッシュ
光の集束をかなり遠方まで容易にするからである。
しくはｅ≒５ｍｍのフラッシュランプへのカメラ製造業
者の望みは消えていない。というのは、かかるランプは
反射器を著しく小さくすることができ、かつフラッシュ
光の集束をかなり遠方まで容易にするからである。
【０００９】このために、内蔵形電子フラッシュにおい
ても同様に露光制御は放電電流Ｉを遮断することによっ
て実行されるべきであるという要求が出される。このこ
とは従来技術においてはＲｉ ＞２Ωのフラッシュラン
プを前提とするが、このようなフラッシュランプは内径
ｄ＜１．５ｍｍで１５＜ｅ＜２０ｍｍの場合にしか実現
され得ない。種々異なった目的のために放電電流を断続
させるようにしたこのようなフラッシュランプ用として
は例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第３９４０６５
７号公報に記載された回路がある。
ても同様に露光制御は放電電流Ｉを遮断することによっ
て実行されるべきであるという要求が出される。このこ
とは従来技術においてはＲｉ ＞２Ωのフラッシュラン
プを前提とするが、このようなフラッシュランプは内径
ｄ＜１．５ｍｍで１５＜ｅ＜２０ｍｍの場合にしか実現
され得ない。種々異なった目的のために放電電流を断続
させるようにしたこのようなフラッシュランプ用として
は例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第３９４０６５
７号公報に記載された回路がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この公
知の回路は５＜ｅ＜１０ｍｍでかつフラッシュエネルギ
ー１０＜Ｅ＜２０Ｗｓの短アーク形フラッシュランプへ
の使用を対象としていない。
知の回路は５＜ｅ＜１０ｍｍでかつフラッシュエネルギ
ー１０＜Ｅ＜２０Ｗｓの短アーク形フラッシュランプへ
の使用を対象としていない。
【００１１】それゆえ、ｅ＜１０ｍｍの短アークへの望
みは公知の回路およびフラッシュランプにおいては次の
要求とは両立しないように見える。 ・充分なフラッシュエネルギー１０＜Ｅ＜２０Ｗｓ・低
い放電電流Ｉ≒１５０Ａの時のフラッシュランプのスイ
ッチング性 ・良好な光効率 ・良好なランプ寿命（約３０００回のフラッシュ）・充
分なフラッシュ持続期間（τ＞１ｍｓ）・適切な回路費
用
みは公知の回路およびフラッシュランプにおいては次の
要求とは両立しないように見える。 ・充分なフラッシュエネルギー１０＜Ｅ＜２０Ｗｓ・低
い放電電流Ｉ≒１５０Ａの時のフラッシュランプのスイ
ッチング性 ・良好な光効率 ・良好なランプ寿命（約３０００回のフラッシュ）・充
分なフラッシュ持続期間（τ＞１ｍｓ）・適切な回路費
用
【００１２】そこで、本発明は、このような要求を満足
する短アーク形フラッシュランプの運転回路およびこの
回路用のフラッシュランプを提供することを課題とする
。
する短アーク形フラッシュランプの運転回路およびこの
回路用のフラッシュランプを提供することを課題とする
。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明によるフラッシュランプの運転回路に
おいては、供給電圧源によって充電可能なフラッシュコ
ンデンサと、フラッシュランプの容量性トリガリングを
行うための電極と、前記コンデンサとフラッシュランプ
との間に接続されたインダクタンスと、前記フラッシュ
ランプとインダクタンスとから成る直列回路に対して並
列に接続されたフリーホイールダイオードと、フラッシ
ュランプに対して直列に接続された半導体スイッチとを
備え、フラッシュランプはフラッシュを発生する際には
常にターンオンまたはターンオフされる。
るために、本発明によるフラッシュランプの運転回路に
おいては、供給電圧源によって充電可能なフラッシュコ
ンデンサと、フラッシュランプの容量性トリガリングを
行うための電極と、前記コンデンサとフラッシュランプ
との間に接続されたインダクタンスと、前記フラッシュ
ランプとインダクタンスとから成る直列回路に対して並
列に接続されたフリーホイールダイオードと、フラッシ
ュランプに対して直列に接続された半導体スイッチとを
備え、フラッシュランプはフラッシュを発生する際には
常にターンオンまたはターンオフされる。
【００１４】また、このフラッシュランプの運転回路用
のフラッシュランプは、本発明によれば、電極間隔は１
０ｍｍ以下であり、中空円筒状内室の直径は２ｍｍ以下
であり、充填圧ｐは１＜ｐ＜５バールであり、ガラス管
はＣｓ２ Ｏを高率で含むことを特徴とする。
のフラッシュランプは、本発明によれば、電極間隔は１
０ｍｍ以下であり、中空円筒状内室の直径は２ｍｍ以下
であり、充填圧ｐは１＜ｐ＜５バールであり、ガラス管
はＣｓ２ Ｏを高率で含むことを特徴とする。
【００１５】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【００１６】図１の回路は基本的には図４の回路と同じ
である。図１の回路では図４の回路に対して次の構成要
素が新たに追加されているだけである。
である。図１の回路では図４の回路に対して次の構成要
素が新たに追加されているだけである。
【００１７】・限界電流Ｉｇｒｅｎｚ ＜１５０Ａを有
する半導体スイッチ６ ・インダクタンス値５＜Ｌ＜２０μＨのインダクタンス
７ ・フリーホイールダイオード８
する半導体スイッチ６ ・インダクタンス値５＜Ｌ＜２０μＨのインダクタンス
７ ・フリーホイールダイオード８
【００１８】フラッシュランプ５ａは５≦ｅ≦１０ｍｍ
および０．２＜Ｒｉ＜０．５Ωの短アーク形フラッシュ
ランプである。制御パルスおよびトリガーパルス用の回
路については後で説明する。
および０．２＜Ｒｉ＜０．５Ωの短アーク形フラッシュ
ランプである。制御パルスおよびトリガーパルス用の回
路については後で説明する。
【００１９】スイッチ６の閉成後、フラッシュランプ５
ａがトリガーされ、放電電流Ｉ（図２）は他の何の措置
も施さなければ数μｓ以内にスイッチ６またはフラッシ
ュランプ５ａを破壊させる１ｋＡに増大する（図２の特
性線ａ）。このことを回避するために、スイッチ６は例
えば約１５０Ａの限界電流Ｉｇｒｅｎｚ に到達すると
開かれる。フラッシュランプ５ａを通る放電電流Ｉはし
かしながらまだ持続している。何故ならば、インダクタ
ンス７の磁気エネルギーが消滅するまで、フリーホイー
ルダイオード８が放電電流Ｉの持続を可能にするからで
ある。 その後スイッチ６が再び閉成されるが、その場合にはフ
ラッシュランプ５ａの新たなトリガーは必要ない。とい
うのは、まだ充分に残留イオン化が存在するからである
。このゆとりはコンデンサ２の放電を中止するかまたは
このコンデンサが空になるまで継続する。この断続した
放電（図２の特性線ｃ）の包絡線ｂはほぼ矩形状である
。特性線ａによる自由放電（τ≒５０μｓ）のピーク負
荷は１ｍｓ以上の時間ウインドーに分担される。このこ
とは、フラッシュエネルギーＥ＝１０Ｗｓをｅ＝５ｍｍ
のフラッシュランプで変換するかまたはフラッシュエネ
ルギーＥ＝２０Ｗｓをｅ＝１０ｍｍのフラッシュランプ
で変換することを可能にする。
ａがトリガーされ、放電電流Ｉ（図２）は他の何の措置
も施さなければ数μｓ以内にスイッチ６またはフラッシ
ュランプ５ａを破壊させる１ｋＡに増大する（図２の特
性線ａ）。このことを回避するために、スイッチ６は例
えば約１５０Ａの限界電流Ｉｇｒｅｎｚ に到達すると
開かれる。フラッシュランプ５ａを通る放電電流Ｉはし
かしながらまだ持続している。何故ならば、インダクタ
ンス７の磁気エネルギーが消滅するまで、フリーホイー
ルダイオード８が放電電流Ｉの持続を可能にするからで
ある。 その後スイッチ６が再び閉成されるが、その場合にはフ
ラッシュランプ５ａの新たなトリガーは必要ない。とい
うのは、まだ充分に残留イオン化が存在するからである
。このゆとりはコンデンサ２の放電を中止するかまたは
このコンデンサが空になるまで継続する。この断続した
放電（図２の特性線ｃ）の包絡線ｂはほぼ矩形状である
。特性線ａによる自由放電（τ≒５０μｓ）のピーク負
荷は１ｍｓ以上の時間ウインドーに分担される。このこ
とは、フラッシュエネルギーＥ＝１０Ｗｓをｅ＝５ｍｍ
のフラッシュランプで変換するかまたはフラッシュエネ
ルギーＥ＝２０Ｗｓをｅ＝１０ｍｍのフラッシュランプ
で変換することを可能にする。
【００２０】しかしながら実際にこの断続する放電でも
って今日の通常のアーク長１３＜ｅ＜２０のフラッシュ
ランプの光効率に近づけるために、スイッチ回路および
フラッシュランプは次の特徴を満足しなければならない
。
って今日の通常のアーク長１３＜ｅ＜２０のフラッシュ
ランプの光効率に近づけるために、スイッチ回路および
フラッシュランプは次の特徴を満足しなければならない
。
【００２１】１．スイッチ６は１００ｍΩ以下のオン抵
抗および僅かなスイッチング損失を有しなければならな
い（上昇時間および下降時間）。さらに、スイッチ６は
制御損失が少なくなければならず、そして例えば１５０
Ａの高い限界電流に少なくとも短時間耐えなくてはなら
ない。このことは今日ではＭＯＳＦＥＴデバイスまたは
ＩＧＢＴデバイスによって既に達成されている。
抗および僅かなスイッチング損失を有しなければならな
い（上昇時間および下降時間）。さらに、スイッチ６は
制御損失が少なくなければならず、そして例えば１５０
Ａの高い限界電流に少なくとも短時間耐えなくてはなら
ない。このことは今日ではＭＯＳＦＥＴデバイスまたは
ＩＧＢＴデバイスによって既に達成されている。
【００２２】２．フラッシュ放電の期間中のスイッチン
グ損失はスイッチ６のスイッチング過程（オン・オフ）
の回数Ｎに依存する。Ｎを小さくするように努める。イ
ンダクタンス７がないと、Ｎは耐えられないスイッチン
グ損失でもって約１０，０００回となる。
グ損失はスイッチ６のスイッチング過程（オン・オフ）
の回数Ｎに依存する。Ｎを小さくするように努める。イ
ンダクタンス７がないと、Ｎは耐えられないスイッチン
グ損失でもって約１０，０００回となる。
【００２３】フラッシュランプ５ａのＲｉ およびｅに
応じて、Ｌ＝１０〜２０μＨの際にスイッチング損失の
最小値が得られ、これはＮ＝１００〜１，０００回のス
イッチングを可能にする。その場合、スイッチング損失
はＥの約１０％の大きさである。
応じて、Ｌ＝１０〜２０μＨの際にスイッチング損失の
最小値が得られ、これはＮ＝１００〜１，０００回のス
イッチングを可能にする。その場合、スイッチング損失
はＥの約１０％の大きさである。
【００２４】３．コンデンサ２の放電の期間中、電圧Ｕ
およびｄＩ／ｄｔはそれぞれ新たなスイッチング過程の
際に降下する。それゆえ、スイッチ６のＩｇｒｅｎｚ
を常に利用しかつスイッチング回数Ｎを最小にするため
に、スイッチ６のオン時間は連続的に大きくされ得る。 スイッチ６を駆動するために、Ｉｇｒｅｎｚ への到達
を検出してスイッチ６を開く回路が使用される。しかし
ながら、Ｉｇｒｅｎｚ への到達をフラッシュランプの
光強度から測定することもできる。
およびｄＩ／ｄｔはそれぞれ新たなスイッチング過程の
際に降下する。それゆえ、スイッチ６のＩｇｒｅｎｚ
を常に利用しかつスイッチング回数Ｎを最小にするため
に、スイッチ６のオン時間は連続的に大きくされ得る。 スイッチ６を駆動するために、Ｉｇｒｅｎｚ への到達
を検出してスイッチ６を開く回路が使用される。しかし
ながら、Ｉｇｒｅｎｚ への到達をフラッシュランプの
光強度から測定することもできる。
【００２５】他方、スイッチ６のオフ時間は一定にされ
得る。というのは、インダクタンス７に蓄積された磁気
エネルギーはスイッチング毎に変化しないからである。 しかしなから、プラズマの冷却、従ってそれに結びつい
た損失を回避するために、スイッチ６のオフ時間は出来
る限り小さくするべきである。
得る。というのは、インダクタンス７に蓄積された磁気
エネルギーはスイッチング毎に変化しないからである。 しかしなから、プラズマの冷却、従ってそれに結びつい
た損失を回避するために、スイッチ６のオフ時間は出来
る限り小さくするべきである。
【００２６】制御回路の有利な実施例は図７に示されて
いる。
いる。
【００２７】図１において使用されている短アーク形フ
ラッシュランプ５ａは基本的には“標準的な”アーク長
のフラッシュランプと全く同じように構成されているが
、寿命および光効率を改善する次の特徴点で異なってい
る。
ラッシュランプ５ａは基本的には“標準的な”アーク長
のフラッシュランプと全く同じように構成されているが
、寿命および光効率を改善する次の特徴点で異なってい
る。
【００２８】１．キセノン低温充填圧ｐは通常は１バー
ルに制限されるが、フラッシュランプが破裂せずにまた
非実用的な厚みのガラス壁を有しなくとも、スイッチン
グ運転ではｐ＝５バールまで高めることができる。何故
ならば、熱的な圧力増大は電流制限（Ｉｇｒｅｎｚ ）
によって緩和されるからである。それによって、フラッ
シュランプの光効率は２０％まで増大する。
ルに制限されるが、フラッシュランプが破裂せずにまた
非実用的な厚みのガラス壁を有しなくとも、スイッチン
グ運転ではｐ＝５バールまで高めることができる。何故
ならば、熱的な圧力増大は電流制限（Ｉｇｒｅｎｚ ）
によって緩和されるからである。それによって、フラッ
シュランプの光効率は２０％まで増大する。
【００２９】２．Ｃｓ２ Ｏを高率で有するフラッシュ
ランプガラスの使用は、スイッチング運転で駆動される
短アーク形フラッシュランプにおいて特に良好に寄与す
る。何故ならば、飛散する陰極材料によってガラス壁が
黒化するのが抑制されるからである。
ランプガラスの使用は、スイッチング運転で駆動される
短アーク形フラッシュランプにおいて特に良好に寄与す
る。何故ならば、飛散する陰極材料によってガラス壁が
黒化するのが抑制されるからである。
【００３０】３．スイッチング運転でＩｇｒｅｎｚ に
電流制限を行うことによって、短アーク形フラッシュラ
ンプはそのキセノン・スペクトルに不所望な青色成分お
よびＵＶ（紫外線）成分を僅かしか発生しない。それに
よって色修正の措置を施すことが要らなくなる。しかし
ながら７００〜１，０００ｎｍの不必要な赤外線の発生
も同様に著しく減らされ得る。何故ならば、スイッチン
グ運転のランプは赤外線を発生し得る緩衝器的なデッド
スペースをもはや必要としないからである。
電流制限を行うことによって、短アーク形フラッシュラ
ンプはそのキセノン・スペクトルに不所望な青色成分お
よびＵＶ（紫外線）成分を僅かしか発生しない。それに
よって色修正の措置を施すことが要らなくなる。しかし
ながら７００〜１，０００ｎｍの不必要な赤外線の発生
も同様に著しく減らされ得る。何故ならば、スイッチン
グ運転のランプは赤外線を発生し得る緩衝器的なデッド
スペースをもはや必要としないからである。
【００３１】図５は、図１の回路に適用可能であり、高
率のＣｓ２ Ｏ成分を有してデッドスペースが僅かであ
るガラス管９を備えたフラッシュランプ５ａを示す。
率のＣｓ２ Ｏ成分を有してデッドスペースが僅かであ
るガラス管９を備えたフラッシュランプ５ａを示す。
【００３２】図６の回路は図１の回路に対応しているが
、点弧回路が付加されている。点弧回路は容量Ｃ２ ≒
０．３３μＦを有するコンデンサ１０を含んでおり、こ
のコンデンサ１０は抵抗値Ｒ１ ＝１ＭΩの抵抗１１を
介して充電される。スイッチ６が開かれると、コンデン
サ１０がダイオード１２を介して放電し、点弧変圧器１
３を介してトリガーパルスを発生する。ダイオード１２
はスイッチ６が閉成する際の新たなトリガリングを阻止
する。
、点弧回路が付加されている。点弧回路は容量Ｃ２ ≒
０．３３μＦを有するコンデンサ１０を含んでおり、こ
のコンデンサ１０は抵抗値Ｒ１ ＝１ＭΩの抵抗１１を
介して充電される。スイッチ６が開かれると、コンデン
サ１０がダイオード１２を介して放電し、点弧変圧器１
３を介してトリガーパルスを発生する。ダイオード１２
はスイッチ６が閉成する際の新たなトリガリングを阻止
する。
【００３３】回路のその他の部分は図１において説明し
たのと同じに機能する。
たのと同じに機能する。
【００３４】ホトダイオード１４はフラッシュランプ５
ａの近傍に設置され、Ｉｇｒｅｎｚ を測定するために
使われる。信号は図７の制御回路において評価され、ス
イッチ６のゲートへ供給される。
ａの近傍に設置され、Ｉｇｒｅｎｚ を測定するために
使われる。信号は図７の制御回路において評価され、ス
イッチ６のゲートへ供給される。
【００３５】図７の電流回路は、ホトダイオード１４の
電流の増幅器１５と、コンパレータ１６と、単安定マル
チバイブレータ１７と、インバータ１８と、単安定マル
チバイブレータ１９と、ＮＯＲゲート２０と、ＮＡＮＤ
ゲート２１と、インバータ２２と、増幅器２３と、単安
定マルチバイブレータ２４とを含んでいる。増幅器２３
の出力信号はスイッチ６を制御する。フラッシュを惹き
起こすためのスタート信号は単安定マルチバイブレータ
２４に供給される。
電流の増幅器１５と、コンパレータ１６と、単安定マル
チバイブレータ１７と、インバータ１８と、単安定マル
チバイブレータ１９と、ＮＯＲゲート２０と、ＮＡＮＤ
ゲート２１と、インバータ２２と、増幅器２３と、単安
定マルチバイブレータ２４とを含んでいる。増幅器２３
の出力信号はスイッチ６を制御する。フラッシュを惹き
起こすためのスタート信号は単安定マルチバイブレータ
２４に供給される。
【００３６】図８は位置Ａにおけるホトダイオード１４
の信号を示す。
の信号を示す。
【００３７】位置Ｂにおける図９の信号は増幅されて１
８０°回転され、直流電圧成分がフィルタリングされる
。
８０°回転され、直流電圧成分がフィルタリングされる
。
【００３８】所定の電圧レベルでコンパレータ１６がセ
ットされ、つまり元の状態へ復帰し、それゆえ位置Ｃに
おける出力信号は図１０に示すようになる。
ットされ、つまり元の状態へ復帰し、それゆえ位置Ｃに
おける出力信号は図１０に示すようになる。
【００３９】両単安定マルチバイブレータ１７、１９お
よびＮＯＲゲート２０は休止時間を形成する（フラッシ
ュランプのオフ）。位置Ｄ、位置Ｅ、位置Ｆおよび位置
Ｇにおける信号は図１１、図１２、図１３および図１４
にそれぞれ示されている。
よびＮＯＲゲート２０は休止時間を形成する（フラッシ
ュランプのオフ）。位置Ｄ、位置Ｅ、位置Ｆおよび位置
Ｇにおける信号は図１１、図１２、図１３および図１４
にそれぞれ示されている。
【００４０】単安定マルチバイブレータ２４は全オン時
間（フラッシュランプ５ａの全燃焼時間）を予め与える
。位置Ｈにおけるその出力信号は図１５に示されている
。
間（フラッシュランプ５ａの全燃焼時間）を予め与える
。位置Ｈにおけるその出力信号は図１５に示されている
。
【００４１】ＮＡＮＤゲート２１と、インバータ２２と
、増幅器２３とはスイッチ６の制御信号を提供する。 位置Ｉおよび位置Ｋにおける信号は図１６および図１７
に示されている。
、増幅器２３とはスイッチ６の制御信号を提供する。 位置Ｉおよび位置Ｋにおける信号は図１６および図１７
に示されている。
【００４２】重要なことは、スイッチ６の限界電流を上
回るのを阻止するために、フラッシュランプ５ａがスイ
ッチ６により絶えずターンオンおよびターンオフされる
ことである（図２）。
回るのを阻止するために、フラッシュランプ５ａがスイ
ッチ６により絶えずターンオンおよびターンオフされる
ことである（図２）。
【図１】本発明による回路の一実施例を示す回路図。
【図２】図１について説明するための特性図。
【図３】図１に示された回路用のフラッシュランプを示
す断面図。
す断面図。
【図４】フラッシュランプの運転回路の従来例を示す回
路図。
路図。
【図５】図４について説明するための特性図。
【図６】図１に示された回路の放電回路の一例を示す回
路図。
路図。
【図７】図６に示された放電回路の制御回路を示す回路
図。
図。
【図８】図７について説明するための特性図。
【図９】図７について説明するための特性図。
【図１０】図７について説明するための特性図。
【図１１】図７について説明するための特性図。
【図１２】図７について説明するための特性図。
【図１３】図７について説明するための特性図。
【図１４】図７について説明するための特性図。
【図１５】図７について説明するための特性図。
【図１６】図７について説明するための特性図。
【図１７】図７について説明するための特性図。
１ 供給直流電圧源
２ フラッシュコンデンサ
３ 電極
４ リード線
５、５ａ フラッシュランプ
６ スイッチ
７ インダクタンス
８ フリーホイールダイオード
９ ガラス管
１０ コンデンサ
１１ 抵抗
１２ ダイオード
１３ 点弧変圧器
１４ ホトダイオード
１５ 増幅器
１６ コンパレータ
１７ 単安定マルチバイブレータ
１８ インバータ
１９ 単安定マルチバイブレータ
２０ ＮＯＲゲート
２１ ＮＡＮＤゲート
２２ インバータ
２３ 増幅器
２４ 単安定マルチバイブレータ
Claims (3)
- 【請求項１】 供給電圧源（１）によって充電可能な
フラッシュコンデンサ（２）と、フラッシュランプ（５
ａ）の容量性トリガリングを行うための電極（３）と、
前記コンデンサ（２）と前記フラッシュランプ（５ａ）
との間に接続されたインダクタンス（７）と、前記フラ
ッシュランプ（５ａ）とインダクタンス（７）とから成
る直列回路に対して並列に接続されたフリーホイールダ
イオード（８）と、前記フラッシュランプ（５ａ）に対
して直列に接続された半導体スイッチ（６）とを備え、
前記フラッシュランプ（５ａ）はフラッシュを発生する
際には常にターンオンおよびターンオフされることを特
徴とするフラッシュランプの運転回路。 - 【請求項２】 フラッシュランプ（５ａ）の限界電流
を監視するために半導体スイッチ（６）の制御回路を備
えたホトダイオード（１４）が設けられていることを特
徴とする請求項１記載のフラッシュランプの運転回路。 - 【請求項３】 電極間隔は１０ｍｍ以下、中空円筒状
内室の直径は２ｍｍ以下、充填圧ｐは１＜ｐ＜５バール
であり、ガラス管はＣｓ２ Ｏを高率で含むことを特徴
とする請求項１または２記載の回路用のフラッシュラン
プ。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT91100248.3 | 1991-01-09 | ||
| EP91100248 | 1991-01-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04296834A true JPH04296834A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=8206287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4018560A Pending JPH04296834A (ja) | 1991-01-09 | 1992-01-07 | フラッシュランプ及びその点灯回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04296834A (ja) |
| DE (1) | DE4141675A1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006127866A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Ushio Inc | 閃光放射装置 |
| JP2009164201A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Ushio Inc | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
| JP2010177496A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2010192692A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法 |
| JP2010283163A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
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| US7795819B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-09-14 | Cyden Limited | Discharge lamp controls |
| GB0714126D0 (en) * | 2007-07-20 | 2007-08-29 | Cyden Ltd | Control for discharge lamp |
| DE102014105300A1 (de) * | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Von Ardenne Gmbh | Prozessieranordnung und Verfahren zum Betreiben einer Prozessieranordnung |
-
1991
- 1991-12-17 DE DE4141675A patent/DE4141675A1/de not_active Ceased
-
1992
- 1992-01-07 JP JP4018560A patent/JPH04296834A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006127866A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Ushio Inc | 閃光放射装置 |
| JP2009164201A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Ushio Inc | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
| US8476561B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-07-02 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Substrate heating device and substrate heating method |
| US8692166B2 (en) | 2007-12-28 | 2014-04-08 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Substrate heating device and substrate heating method |
| US8835813B2 (en) | 2009-01-13 | 2014-09-16 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd | Heat treatment apparatus and method for heating substrate by light-irradiation |
| JP2010177496A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2010192692A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法 |
| JP2010283163A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
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|---|---|
| DE4141675A1 (de) | 1992-07-16 |
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