JPH04297079A - レーザ発振装置 - Google Patents
レーザ発振装置Info
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- JPH04297079A JPH04297079A JP6205991A JP6205991A JPH04297079A JP H04297079 A JPH04297079 A JP H04297079A JP 6205991 A JP6205991 A JP 6205991A JP 6205991 A JP6205991 A JP 6205991A JP H04297079 A JPH04297079 A JP H04297079A
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- Japan
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- laser
- oscillation
- spectrum
- laser oscillation
- laser oscillator
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- Pending
Links
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- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ発振装置に関し
、特に単一周波数で発振可能な固体レーザ発振装置に関
する。
、特に単一周波数で発振可能な固体レーザ発振装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体レーザを単一周波数で発振さ
せる場合、レーザ共振器内にエタロン板等を挿入し、こ
の間隔を変える為にこれを傾けたり、温度や気圧を変え
る必要があった。これはレーザ発振に必要な素子の長さ
を長くする必要がある為、レーザ反射鏡の間隔で決まる
自由スペクトル間隔が狭くなってしまい、発振可能な周
波数（モード）がスペクトル幅内に何本か存在し、不要
なモードを抑制するための方策を用いない限り、２本以
上のモードが発振するのでやむを得ず用いている方策で
ある。
せる場合、レーザ共振器内にエタロン板等を挿入し、こ
の間隔を変える為にこれを傾けたり、温度や気圧を変え
る必要があった。これはレーザ発振に必要な素子の長さ
を長くする必要がある為、レーザ反射鏡の間隔で決まる
自由スペクトル間隔が狭くなってしまい、発振可能な周
波数（モード）がスペクトル幅内に何本か存在し、不要
なモードを抑制するための方策を用いない限り、２本以
上のモードが発振するのでやむを得ず用いている方策で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の固体レ
ーザ発振装置に於いて、単一周波数（モード）発振を行
なう為にはエタロン板その他のモード選択素子が必要で
あり、この素子の機能を発揮させる為の制御が必要とな
る。
ーザ発振装置に於いて、単一周波数（モード）発振を行
なう為にはエタロン板その他のモード選択素子が必要で
あり、この素子の機能を発揮させる為の制御が必要とな
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、両面に反射膜
を蒸着した固体レーザ発振素子と、この素子を励起する
半導体レーザ発振器と、素子を加熱又は冷却する手段を
有している。また素子の厚さで決まる自由スペクトル間
隔でスペクトル幅と等しいか広くなる程に発振素子が薄
いことを特徴としている。
を蒸着した固体レーザ発振素子と、この素子を励起する
半導体レーザ発振器と、素子を加熱又は冷却する手段を
有している。また素子の厚さで決まる自由スペクトル間
隔でスペクトル幅と等しいか広くなる程に発振素子が薄
いことを特徴としている。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明による固体レーザ発振装置を説明する
ための図である。図でレーザ発振素子１の両面はレーザ
発振波長に対して高い反射率を有する誘電体多層膜等か
らなる反射膜１１が蒸着されている。他のレーザ発振装
置と同様に一面は可能な限り高い反射率を有し、他の面
は最大のレーザ出力を得るために最適な反射率を有して
いる。半導体レーザ発振器２からの出力レーザ光は集光
光学系３により集光され、レーザ発振素子１に照射され
る。
る。図１は本発明による固体レーザ発振装置を説明する
ための図である。図でレーザ発振素子１の両面はレーザ
発振波長に対して高い反射率を有する誘電体多層膜等か
らなる反射膜１１が蒸着されている。他のレーザ発振装
置と同様に一面は可能な限り高い反射率を有し、他の面
は最大のレーザ出力を得るために最適な反射率を有して
いる。半導体レーザ発振器２からの出力レーザ光は集光
光学系３により集光され、レーザ発振素子１に照射され
る。
【０００６】図１のように反射膜１１を通して励起用半
導体レーザ光を照射する場合は、この反射膜１１は発振
させるレーザの波長に対して高い反射率を有すると共に
、半導体レーザの波長に対して高い透過率を有するもの
であるということはいうまでもないことである。ヒータ
４によりレーザ発振素子１は加熱され、厚さや屈折率、
発振スペクトルの中心等が変化し、屈折率で補正した反
射膜間隔により決まる周波数が発振スペクトルの中心と
一致した時に最大のレーザ出力が得られる。
導体レーザ光を照射する場合は、この反射膜１１は発振
させるレーザの波長に対して高い反射率を有すると共に
、半導体レーザの波長に対して高い透過率を有するもの
であるということはいうまでもないことである。ヒータ
４によりレーザ発振素子１は加熱され、厚さや屈折率、
発振スペクトルの中心等が変化し、屈折率で補正した反
射膜間隔により決まる周波数が発振スペクトルの中心と
一致した時に最大のレーザ出力が得られる。
【０００７】図２はスペクトル幅、自由スペクトル間隔
等を説明する図である。単一周波数発振を行うために自
由スペクトル間隔をレーザ発振素子１のスペクトル幅よ
り広くするための条件は次のようになる。
等を説明する図である。単一周波数発振を行うために自
由スペクトル間隔をレーザ発振素子１のスペクトル幅よ
り広くするための条件は次のようになる。
【０００８】屈折率をｎ，レーザ発振素子の厚さ即ち反
射膜の間隔をＬとすると、 自由スペクトル≧Ｃ／２ｎＬ （Ｃ；光速度）自由ス
ペクトル間隔を３００ＧＨｚ，ｎをニアリイコール２と
すると Ｌ＜０．２５ｍｍ となる。
射膜の間隔をＬとすると、 自由スペクトル≧Ｃ／２ｎＬ （Ｃ；光速度）自由ス
ペクトル間隔を３００ＧＨｚ，ｎをニアリイコール２と
すると Ｌ＜０．２５ｍｍ となる。
【０００９】通常の固体レーザ発振素子は、励起波長に
対する吸収係数が小さいので、１往復当りのゲインが十
分でなく、この程度の長さでレーザ発振を行わせること
は困難であり、従来は本発明のような発想は無意味であ
った。しかし、励起波長に対して吸収係数が大きい
Ｎｄ；ＹＶＯ４ 結晶等を用いることにより、本発明の
方法による単一周波数発振が可能となった。結晶の厚み
即ち反射膜の間隔は、製作誤差等の関係で発振スペクト
ルの中心と必ずしも一致しないので、常温のままでは最
大の発振出力が得られず、ヒータ等による加熱に伴うス
ペクトル中心の移動等が必要となる。
対する吸収係数が小さいので、１往復当りのゲインが十
分でなく、この程度の長さでレーザ発振を行わせること
は困難であり、従来は本発明のような発想は無意味であ
った。しかし、励起波長に対して吸収係数が大きい
Ｎｄ；ＹＶＯ４ 結晶等を用いることにより、本発明の
方法による単一周波数発振が可能となった。結晶の厚み
即ち反射膜の間隔は、製作誤差等の関係で発振スペクト
ルの中心と必ずしも一致しないので、常温のままでは最
大の発振出力が得られず、ヒータ等による加熱に伴うス
ペクトル中心の移動等が必要となる。
【００１０】図１の実施例ではヒータにより加熱する場
合を示したが、冷却することも本発明の技術範囲に入り
、この場合にはペルチエ効果を用いた冷却手段等を用い
ればよい。
合を示したが、冷却することも本発明の技術範囲に入り
、この場合にはペルチエ効果を用いた冷却手段等を用い
ればよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、吸収係数
が大きくレーザ発振させるにあたってのゲインを高く出
来る結晶を用いることにより、スペクトル幅より自由ス
ペクトル間隔の方を広くして、簡単に単一周波数発振が
出来るものである。
が大きくレーザ発振させるにあたってのゲインを高く出
来る結晶を用いることにより、スペクトル幅より自由ス
ペクトル間隔の方を広くして、簡単に単一周波数発振が
出来るものである。
【図１】本発明の実施例を説明するための図である。
【図２】スペクトル幅、自由スペクトル間隔等について
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
１ 固体レーザ発振素子
２ 半導体レーザ発振器
３ 集光光学系
４ ヒータ
１１ 反射膜
Claims (1)
- 【請求項１】 両面に反射膜を蒸着した固体レーザ発
振素子と、この素子を励起する半導体レーザ発振器と、
素子を加熱又は冷却する手段を有し、かつ素子の厚さで
決まる自由スペクトル間隔がスペクトル幅と等しいか広
くなる程に発振素子が薄いことを特徴とするレーザ発振
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6205991A JPH04297079A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | レーザ発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6205991A JPH04297079A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | レーザ発振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04297079A true JPH04297079A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=13189183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6205991A Pending JPH04297079A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | レーザ発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04297079A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004296706A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Sony Corp | 光共振器及びレーザ発振器 |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP6205991A patent/JPH04297079A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004296706A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Sony Corp | 光共振器及びレーザ発振器 |
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