JPH04298078A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH04298078A JPH04298078A JP3106329A JP10632991A JPH04298078A JP H04298078 A JPH04298078 A JP H04298078A JP 3106329 A JP3106329 A JP 3106329A JP 10632991 A JP10632991 A JP 10632991A JP H04298078 A JPH04298078 A JP H04298078A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amount
- charge
- mosfet
- light receiving
- detecting
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- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像素子に関し
、特にその受光部の改良を図った構造に関するものであ
る。
、特にその受光部の改良を図った構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の固体撮像素子の平面構造を
示す。図において、１は光量及び受光時間に比例して、
信号電荷を蓄積する構造を有する受光部で、半導体基板
上に多数配置されている。２は信号電荷を読み出すため
のＣＣＤ部、３は読み出しＭＯＳＦＥＴで、受光部１と
ＣＣＤ部２との間に配置され、そのソースは受光部１に
、そのドレインはＣＣＤ部２にそれぞれ接続されている
。４はＣＣＤ部２の出力側に接続され、信号電荷に比例
した電圧を外部に出力する増幅器である。５は受光部１
に蓄積した過剰な信号電荷を掃き出すための掃き出しド
レイン、６は掃き出しＦＥＴで、そのソースは受光部１
に接続されており、そのドレインは掃き出しドレイン５
にそれぞれ接続されている。
示す。図において、１は光量及び受光時間に比例して、
信号電荷を蓄積する構造を有する受光部で、半導体基板
上に多数配置されている。２は信号電荷を読み出すため
のＣＣＤ部、３は読み出しＭＯＳＦＥＴで、受光部１と
ＣＣＤ部２との間に配置され、そのソースは受光部１に
、そのドレインはＣＣＤ部２にそれぞれ接続されている
。４はＣＣＤ部２の出力側に接続され、信号電荷に比例
した電圧を外部に出力する増幅器である。５は受光部１
に蓄積した過剰な信号電荷を掃き出すための掃き出しド
レイン、６は掃き出しＦＥＴで、そのソースは受光部１
に接続されており、そのドレインは掃き出しドレイン５
にそれぞれ接続されている。
【０００３】図３は図４の点線αに示す部分の断面図で
ある。図中、７はＰ型シリコン基板、８はＰ型シリコン
基板７の一主面に形成されたｎ型層で、シリコン基板７
とｎ型層８の境界が受光部１に相当する。また、９は酸
化膜、１０は保護膜を示す。
ある。図中、７はＰ型シリコン基板、８はＰ型シリコン
基板７の一主面に形成されたｎ型層で、シリコン基板７
とｎ型層８の境界が受光部１に相当する。また、９は酸
化膜、１０は保護膜を示す。
【０００４】図５は固体撮像素子の動作を示すタイミン
グチャートである。図中、横軸は時間の経過を表わす。 １１は読み出しＭＯＳＦＥＴ３のゲートに加えられるク
ロックであり、１２はクロック１１の“Ｈ”状態の時間
幅ｔＲ を示す。１３は掃き出しＭＯＳＦＥＴ６のゲー
トに加えられるクロックであり、１４はクロック１３の
“Ｈ”状態の時間幅ｔＳ を示す。１５はＣＣＤ部２の
動作で、１６は転送状態を示す。１７は１サイクル時間
ＴＣ を示す。なお、１８は読み出しＭＯＳＦＥＴがオ
フ状態になった後に、掃き出しＭＯＳＦＥＴ６がオン状
態になるまでの時間ｔｎ ，１９は掃き出しＭＯＳＦＥ
Ｔ６がオフ状態になった後に読み出しＭＯＳＦＥＴがオ
ン状態になるまでの時間ｔａ をそれぞれに示す。
グチャートである。図中、横軸は時間の経過を表わす。 １１は読み出しＭＯＳＦＥＴ３のゲートに加えられるク
ロックであり、１２はクロック１１の“Ｈ”状態の時間
幅ｔＲ を示す。１３は掃き出しＭＯＳＦＥＴ６のゲー
トに加えられるクロックであり、１４はクロック１３の
“Ｈ”状態の時間幅ｔＳ を示す。１５はＣＣＤ部２の
動作で、１６は転送状態を示す。１７は１サイクル時間
ＴＣ を示す。なお、１８は読み出しＭＯＳＦＥＴがオ
フ状態になった後に、掃き出しＭＯＳＦＥＴ６がオン状
態になるまでの時間ｔｎ ，１９は掃き出しＭＯＳＦＥ
Ｔ６がオフ状態になった後に読み出しＭＯＳＦＥＴがオ
ン状態になるまでの時間ｔａ をそれぞれに示す。
【０００５】次に動作について説明する。読み出しＭＯ
ＳＦＥＴ３をオン状態１２にすることにより信号電荷を
ＣＣＤ部２へ転送する。ＣＣＤ部２は転送された全ての
信号電荷を増幅器４へ順次転送する。また、この間に掃
き出しＭＯＳＦＥＴ６をオン状態にし、ｔｎ 間に蓄積
した電荷を掃き出しドレイン５を通して外部へ排出する
。
ＳＦＥＴ３をオン状態１２にすることにより信号電荷を
ＣＣＤ部２へ転送する。ＣＣＤ部２は転送された全ての
信号電荷を増幅器４へ順次転送する。また、この間に掃
き出しＭＯＳＦＥＴ６をオン状態にし、ｔｎ 間に蓄積
した電荷を掃き出しドレイン５を通して外部へ排出する
。
【０００６】次に、図６を用いて、ＴＣ 間に受光部１
に蓄積される信号電荷量の変化について説明する。図中
、横軸は時間経過を表わし、縦軸は蓄積電荷量を表わす
。 １２，１４，１８，１９は図５と同一部分を示す。まず
、ｔＲ 間に、それ以前に蓄積した信号電荷を全てＣＣ
Ｄ部２へ転送する。次にｔｎ 間に電荷は蓄積されるが
、ｔＳ 間に掃き出しドレイン５を通して過剰電荷とし
て排出される。よって、ｔａ 間に蓄積された電荷が信
号電荷としてＣＣＤ部２へ転送される。
に蓄積される信号電荷量の変化について説明する。図中
、横軸は時間経過を表わし、縦軸は蓄積電荷量を表わす
。 １２，１４，１８，１９は図５と同一部分を示す。まず
、ｔＲ 間に、それ以前に蓄積した信号電荷を全てＣＣ
Ｄ部２へ転送する。次にｔｎ 間に電荷は蓄積されるが
、ｔＳ 間に掃き出しドレイン５を通して過剰電荷とし
て排出される。よって、ｔａ 間に蓄積された電荷が信
号電荷としてＣＣＤ部２へ転送される。
【０００７】上記に示した過剰電荷を排出する動作は光
量が多い場合に非常に有効である。受光部１は光量及び
受光時間に比例した信号電荷量を与える機構を有してい
るが、信号電荷量が飽和量に達すると上記の比例関係が
失われ、一定の飽和電荷量となってしまう。このため過
剰電荷を掃き出しＭＯＳＦＥＴ６により排出することに
より、再び比例関係を回復することができる。よって、
ｔｎ ，ｔａ の時間配分を適切に行えば、常に検出器
を飽和させることなく正常に動作させることができる。 しかし、急激に光量が多くなった場合、信号電荷量は容
易に飽和電荷量に達してしまう。また従来装置では信号
電荷量を出力部４を介してしか検知することができない
ため、検出器が飽和することを避けるためにｔｎ ，ｔ
ａ の時間配分を素早く最適化することができなかった
。
量が多い場合に非常に有効である。受光部１は光量及び
受光時間に比例した信号電荷量を与える機構を有してい
るが、信号電荷量が飽和量に達すると上記の比例関係が
失われ、一定の飽和電荷量となってしまう。このため過
剰電荷を掃き出しＭＯＳＦＥＴ６により排出することに
より、再び比例関係を回復することができる。よって、
ｔｎ ，ｔａ の時間配分を適切に行えば、常に検出器
を飽和させることなく正常に動作させることができる。 しかし、急激に光量が多くなった場合、信号電荷量は容
易に飽和電荷量に達してしまう。また従来装置では信号
電荷量を出力部４を介してしか検知することができない
ため、検出器が飽和することを避けるためにｔｎ ，ｔ
ａ の時間配分を素早く最適化することができなかった
。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像素子は
前記のように構成されているので、信号電荷量が飽和電
荷量に達してしまってもＣＣＤ部２を介して出力信号を
調べるまで検出器が飽和したことを検知することができ
ないという問題点があった。
前記のように構成されているので、信号電荷量が飽和電
荷量に達してしまってもＣＣＤ部２を介して出力信号を
調べるまで検出器が飽和したことを検知することができ
ないという問題点があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、受光部の信号電荷量をＣＣＤ部
を介することなくリアルタイムに検知することができる
固体撮像素子を得ることを目的とする。
ためになされたもので、受光部の信号電荷量をＣＣＤ部
を介することなくリアルタイムに検知することができる
固体撮像素子を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る固体撮像
素子は、受光部が形成された基板に蓄積電荷量検知用の
トランジスタを形成し、当該トランジスタのゲートと受
光部を接続した構造を有するものである。
素子は、受光部が形成された基板に蓄積電荷量検知用の
トランジスタを形成し、当該トランジスタのゲートと受
光部を接続した構造を有するものである。
【００１１】また、蓄積電荷量検知用のトランジスタに
、該トランジスタにより駆動され、ゲート電位が最大と
なる画素を検出してその電荷蓄積量を読出す周辺回路を
接続するようにしたものである。
、該トランジスタにより駆動され、ゲート電位が最大と
なる画素を検出してその電荷蓄積量を読出す周辺回路を
接続するようにしたものである。
【００１２】
【作用】この発明においては、基板に形成したトランジ
スタにより、検出器の電荷量に応じた電圧をリアルタイ
ムで検知できる。
スタにより、検出器の電荷量に応じた電圧をリアルタイ
ムで検知できる。
【００１３】また、周辺回路によりゲート電位が最大と
なる画素を検出できるので、電子シャッタと組合わせる
ことより、露出を最適に制御できる。
なる画素を検出できるので、電子シャッタと組合わせる
ことより、露出を最適に制御できる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例による固体撮像素子を
示す。図中、７〜１０は図３に示す従来装置と同様ある
いは相当する部分である。２２はこの発明によるところ
の蓄積電荷量検知用のＭＯＳＦＥＴで、２０は当該ＭＯ
ＳＦＥＴのゲート、２１はゲートと受光部１のｎ型層８
とを接続する金属配線を示す。
する。図１はこの発明の一実施例による固体撮像素子を
示す。図中、７〜１０は図３に示す従来装置と同様ある
いは相当する部分である。２２はこの発明によるところ
の蓄積電荷量検知用のＭＯＳＦＥＴで、２０は当該ＭＯ
ＳＦＥＴのゲート、２１はゲートと受光部１のｎ型層８
とを接続する金属配線を示す。
【００１５】次に蓄積電荷量を検知し外部へ伝達する回
路について説明する。図２において、１〜６は図４にお
ける同等あるいは相当部分を示す。２２は図１に示すと
ころの蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴである。２３は蓄
積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴ２２の状態を外部へ伝達す
るための周辺回路で、Ｐ型シリコン基板７上に形成され
ている。２４は周辺回路２３に電力を供給するための電
源電圧端子であり、正電位が印加されている。２５は出
力端子を示す。２６は周辺回路２３を構成する周辺回路
抵抗、２７は周辺回路ＭＯＳＦＥＴを示す。抵抗の一端
及び周辺回路ＭＯＳＦＥＴ２７のドレインは電源電圧端
子２４に接続され、周辺回路抵抗２６の他端と周辺回路
ＭＯＳＦＥＴ２７のゲートは蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦ
ＥＴ２２のドレインに接続されている。なお、周辺回路
ＭＯＳＦＥＴ２７のソースは出力端子２５に接続され、
蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴ２２のソースはＰ型シリ
コン基板７に接地されている。
路について説明する。図２において、１〜６は図４にお
ける同等あるいは相当部分を示す。２２は図１に示すと
ころの蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴである。２３は蓄
積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴ２２の状態を外部へ伝達す
るための周辺回路で、Ｐ型シリコン基板７上に形成され
ている。２４は周辺回路２３に電力を供給するための電
源電圧端子であり、正電位が印加されている。２５は出
力端子を示す。２６は周辺回路２３を構成する周辺回路
抵抗、２７は周辺回路ＭＯＳＦＥＴを示す。抵抗の一端
及び周辺回路ＭＯＳＦＥＴ２７のドレインは電源電圧端
子２４に接続され、周辺回路抵抗２６の他端と周辺回路
ＭＯＳＦＥＴ２７のゲートは蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦ
ＥＴ２２のドレインに接続されている。なお、周辺回路
ＭＯＳＦＥＴ２７のソースは出力端子２５に接続され、
蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴ２２のソースはＰ型シリ
コン基板７に接地されている。
【００１６】次に動作について説明する。本実施例は受
光部１に蓄積電荷量検知用のＭＯＳＦＥＴ２２のゲート
が接続されており、このＭＯＳＦＥＴ２２により受光部
の蓄積電荷量をリアルタイムで検知することができる。 信号電荷を読み出した直後、受光部１は一定の正電位に
リセットされる。この時、蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥ
Ｔ２２のソース・ドレイン間はローインピーダンス状態
である。受光部１に電荷が蓄積されるに従って、受光部
１の電位は低下するため、蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥ
Ｔ２２のソース・ドレイン間はハイインピーダンス状態
になる。周辺回路ＭＯＳＦＥＴ２７のゲート電位は高く
なるが、全ての周辺回路ＭＯＳＦＥＴ２７のソースが出
力端子２５に接続されているため、全ての周辺回路ＭＯ
ＳＦＥＴ２７の中でオン状態になるのは、最もゲート電
位が高いＦＥＴのみであり、他の周辺回路ＭＯＳＦＥＴ
２７はオフ状態である。従って、出力端子２５の電位は
そのゲート電位の最も高い周辺回路ＭＯＳＦＥＴ２７の
ゲート電位に応じてアナログ的に変化する。即ち、周辺
回路２３は全ての受光部１の中で最も蓄積電荷量が多い
ものを選択し、それに応じた電位を出力端子２５より出
力することが可能である。
光部１に蓄積電荷量検知用のＭＯＳＦＥＴ２２のゲート
が接続されており、このＭＯＳＦＥＴ２２により受光部
の蓄積電荷量をリアルタイムで検知することができる。 信号電荷を読み出した直後、受光部１は一定の正電位に
リセットされる。この時、蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥ
Ｔ２２のソース・ドレイン間はローインピーダンス状態
である。受光部１に電荷が蓄積されるに従って、受光部
１の電位は低下するため、蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥ
Ｔ２２のソース・ドレイン間はハイインピーダンス状態
になる。周辺回路ＭＯＳＦＥＴ２７のゲート電位は高く
なるが、全ての周辺回路ＭＯＳＦＥＴ２７のソースが出
力端子２５に接続されているため、全ての周辺回路ＭＯ
ＳＦＥＴ２７の中でオン状態になるのは、最もゲート電
位が高いＦＥＴのみであり、他の周辺回路ＭＯＳＦＥＴ
２７はオフ状態である。従って、出力端子２５の電位は
そのゲート電位の最も高い周辺回路ＭＯＳＦＥＴ２７の
ゲート電位に応じてアナログ的に変化する。即ち、周辺
回路２３は全ての受光部１の中で最も蓄積電荷量が多い
ものを選択し、それに応じた電位を出力端子２５より出
力することが可能である。
【００１７】このように、本実施例によれば、蓄積電荷
量検知用ＭＯＳＦＥＴ２２をそのゲートが受光部１に接
続されるように形成し、かつ蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦ
ＥＴにより駆動されるＭＯＳＦＥＴと抵抗からなる周辺
回路により、全ての受光部１の中で最も蓄積電荷量が多
いものを選択するようにしたので、受光部の蓄積電荷量
のうちの最大のものをリアルタイムに検知でき、飽和す
る直前の蓄積電荷量を容易に検出できる。また電子シャ
ッタと組み合わせることにより、蓄積電荷量を読み出す
ことなしに露光時間を最適化できる。
量検知用ＭＯＳＦＥＴ２２をそのゲートが受光部１に接
続されるように形成し、かつ蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦ
ＥＴにより駆動されるＭＯＳＦＥＴと抵抗からなる周辺
回路により、全ての受光部１の中で最も蓄積電荷量が多
いものを選択するようにしたので、受光部の蓄積電荷量
のうちの最大のものをリアルタイムに検知でき、飽和す
る直前の蓄積電荷量を容易に検出できる。また電子シャ
ッタと組み合わせることにより、蓄積電荷量を読み出す
ことなしに露光時間を最適化できる。
【００１８】ところで、上記説明では、受光部１を１次
元的に配した構造について説明したが、２次元的に配し
た場合についても同様である。また、蓄積電荷量検知用
トランジスタにｎ型ＭＯＳＦＥＴを用いたが、受光部１
電位に応じた電位を供給できるトランジスタであるなら
ば、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴを用いてもよく、さらに周辺回路
については蓄積電荷に応じて出力が変化するものであれ
ばどのような回路構成のものでもよい。
元的に配した構造について説明したが、２次元的に配し
た場合についても同様である。また、蓄積電荷量検知用
トランジスタにｎ型ＭＯＳＦＥＴを用いたが、受光部１
電位に応じた電位を供給できるトランジスタであるなら
ば、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴを用いてもよく、さらに周辺回路
については蓄積電荷に応じて出力が変化するものであれ
ばどのような回路構成のものでもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る固体撮像
素子によれば、受光部が形成された半導体基板上に蓄積
電荷検知用のトランジスタを形成するとともに、かつそ
のゲートが受光部に接続されるようにするようにしたの
で、受光部に蓄積した電荷をリアルタイムに検知するこ
とができ、電荷蓄積時間の最適化を図ることが可能とな
る。
素子によれば、受光部が形成された半導体基板上に蓄積
電荷検知用のトランジスタを形成するとともに、かつそ
のゲートが受光部に接続されるようにするようにしたの
で、受光部に蓄積した電荷をリアルタイムに検知するこ
とができ、電荷蓄積時間の最適化を図ることが可能とな
る。
【００２０】また、蓄積電荷量検知用のトランジスタに
、該トランジスタにより駆動され、ゲート電位が最大と
なる画素を検出してその電荷蓄積量を読出す周辺回路を
接続するようにしたので、電子シャッタと組合わせるこ
とにより、露出を最適に制御できる効果がある。
、該トランジスタにより駆動され、ゲート電位が最大と
なる画素を検出してその電荷蓄積量を読出す周辺回路を
接続するようにしたので、電子シャッタと組合わせるこ
とにより、露出を最適に制御できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す要部断面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す配線図である。
【図３】従来の固体撮像素子の要部断面図である。
【図４】固体撮像素子の平面図である。
【図５】固体撮像素子の動作を示すタイミングチャート
図である。
図である。
【図６】１サイクル間における蓄積電荷量の変化を示す
図である。
図である。
１ 受光部
２ ＣＣＤ部
３ 読み出しＭＯＳＦＥＴ
４ 増幅器
５ 掃き出しドレイン
６ 掃き出しＭＯＳＦＥＴ
７ Ｐ型シリコン基板
８ ｎ型拡散層
９ 酸化膜
１０ 保護膜
１１ 読み出しＭＯＳＦＥＴの動作
１２ 読み出しＭＯＳＦＥＴがオン状態になるタイミ
ング及び時間 １３ 掃き出しＭＯＳＦＥＴの動作 １４ 掃き出しＭＯＳＦＥＴがオン状態になるタイミ
ング及び時間 １５ ＣＣＤ部の動作 １６ ＣＣＤ部が転送状態になるタイミング及び時間
１７ １サイクル時間 １８ 過剰電荷が蓄積される時間 １９ 信号電荷が蓄積される時間 ２０ 本発明による蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴの
ゲート ２１ 蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴのゲートと受光
部を接続する金属配置 ２２ 蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴ２３ 周辺回
路 ２４ 周辺回路の電源電圧端子 ２５ 周辺回路の出力端子 ２６ 周辺回路の抵抗 ２７ 周辺回路のＭＯＳＦＥＴ
ング及び時間 １３ 掃き出しＭＯＳＦＥＴの動作 １４ 掃き出しＭＯＳＦＥＴがオン状態になるタイミ
ング及び時間 １５ ＣＣＤ部の動作 １６ ＣＣＤ部が転送状態になるタイミング及び時間
１７ １サイクル時間 １８ 過剰電荷が蓄積される時間 １９ 信号電荷が蓄積される時間 ２０ 本発明による蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴの
ゲート ２１ 蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴのゲートと受光
部を接続する金属配置 ２２ 蓄積電荷量検知用ＭＯＳＦＥＴ２３ 周辺回
路 ２４ 周辺回路の電源電圧端子 ２５ 周辺回路の出力端子 ２６ 周辺回路の抵抗 ２７ 周辺回路のＭＯＳＦＥＴ
Claims (2)
- 【請求項１】 受光により信号電荷を発生する受光部
と、当該信号電荷を転送する電荷転送部とを半導体基板
の一主面上に配列してなる構造を有する固体撮像素子に
おいて、上記各画素の受光部と同一半導体基板上に蓄積
電荷量検知用トランジスタが形成され、該蓄積電荷量検
知用トランジスタのゲートが上記各画素に接続された構
造を有することを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】上記蓄積電荷量検知用トランジスタには、
該トランジスタにより駆動され、ゲート電位が最大とな
る画素を検出しその電荷蓄積量を読出す周辺回路が接続
されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106329A JPH04298078A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106329A JPH04298078A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298078A true JPH04298078A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=14430866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3106329A Pending JPH04298078A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298078A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9233455B2 (en) | 2010-12-02 | 2016-01-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Chucking device and chucking method |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP3106329A patent/JPH04298078A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9233455B2 (en) | 2010-12-02 | 2016-01-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Chucking device and chucking method |
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