JPH04299824A - 液相エピタキシャル成長法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長法Info
- Publication number
- JPH04299824A JPH04299824A JP6453791A JP6453791A JPH04299824A JP H04299824 A JPH04299824 A JP H04299824A JP 6453791 A JP6453791 A JP 6453791A JP 6453791 A JP6453791 A JP 6453791A JP H04299824 A JPH04299824 A JP H04299824A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafers
- support plate
- boat
- crystal growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は液相エピタキシャル成
長法に関し、より詳しくは、円板状のウエハを円筒形ボ
ートの中心軸に対して垂直に並べて結晶成長を行う液相
エピタキシャル成長法に関する。
長法に関し、より詳しくは、円板状のウエハを円筒形ボ
ートの中心軸に対して垂直に並べて結晶成長を行う液相
エピタキシャル成長法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液相エピタキシャル成長法では、１バッ
チ当たりのウエハ処理枚数を多くする手段として、円筒
形の炉芯管内に円筒形ボートを載置し、円板状のウエハ
を上記円筒形ボートの中心軸に対して垂直に並べて結晶
成長を行う方式（以下「垂直塔載方式」という。）が知
られている。垂直塔載方式で液相エピタキシャル成長を
行う場合、従来は、図３に示すように、予めカーボング
ラファイトからなる円筒形ボート３１の内周面３１ａに
、断面コの字状で周方向に延びる周溝３３を設ける。そ
して、ウエハ支持板（カーボングラファイトからなり結
晶成長を行うべきウエハ４１，４２と略同径のもの）３
２の縁部３２ｅを周溝３３内に嵌合する。この支持板３
２の板面３２ａ，３２ｂと上記溝３３の側面３３ａ，３
３ｂとの隙間にウエハ４１，４２の縁部４１ｅ，４２ｅ
を挿入する。そして、支持板３２の板面３２ｅ，３２ｂ
にそれぞれウエハ４１，４２が当接した状態にする。こ
れにより、円筒形ボート３１の中心軸に垂直にウエハ４
１，４２を保持することができる。この状態で、ウエハ
４１，４２の外側の面（成長面）４１ａ，４２ａに、成
長すべきエピタキシャル層の成分を含む融液を接触させ
て結晶成長を行う。なお、上記ウエハ支持板３２は、ウ
エハ４１，４２を支持すると共に、融液がウエハ４１，
４２の内側（支持板３２に当接している側）に回り込む
のを防止している。
チ当たりのウエハ処理枚数を多くする手段として、円筒
形の炉芯管内に円筒形ボートを載置し、円板状のウエハ
を上記円筒形ボートの中心軸に対して垂直に並べて結晶
成長を行う方式（以下「垂直塔載方式」という。）が知
られている。垂直塔載方式で液相エピタキシャル成長を
行う場合、従来は、図３に示すように、予めカーボング
ラファイトからなる円筒形ボート３１の内周面３１ａに
、断面コの字状で周方向に延びる周溝３３を設ける。そ
して、ウエハ支持板（カーボングラファイトからなり結
晶成長を行うべきウエハ４１，４２と略同径のもの）３
２の縁部３２ｅを周溝３３内に嵌合する。この支持板３
２の板面３２ａ，３２ｂと上記溝３３の側面３３ａ，３
３ｂとの隙間にウエハ４１，４２の縁部４１ｅ，４２ｅ
を挿入する。そして、支持板３２の板面３２ｅ，３２ｂ
にそれぞれウエハ４１，４２が当接した状態にする。こ
れにより、円筒形ボート３１の中心軸に垂直にウエハ４
１，４２を保持することができる。この状態で、ウエハ
４１，４２の外側の面（成長面）４１ａ，４２ａに、成
長すべきエピタキシャル層の成分を含む融液を接触させ
て結晶成長を行う。なお、上記ウエハ支持板３２は、ウ
エハ４１，４２を支持すると共に、融液がウエハ４１，
４２の内側（支持板３２に当接している側）に回り込む
のを防止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上に述
べた方法で結晶成長を行った場合、図４に例示するよう
に、ウエハ４１の成長面４１ａのうち上記周溝３３内に
挿入された領域Ｂ（縁部４１ｅを含む）に結晶成長がな
されない。このため、この領域Ｂに作り込れる素子が不
良となって、素子歩留を低下させるという問題がある。 また、成長面４１ａのうち上記周溝３３外に露出してい
た領域Ａと上記周溝３３内に挿入されていた領域Ｂとの
境界に、融液の接触が不連続であることに起因してクラ
ウンと呼ばれる突起５０が生ずる。このため、結晶成長
後にウエハ４１を機械的に研磨してウエハ厚を均一化す
る（ウエハ４１をワックスで治具に貼り付けた状態で行
う。）際に、上記突起５０と縁部４１ｅの凹凸に受ける
圧力差によってウエハ４１が割れてしまうという問題が
ある。特に、ウエハ４１が化合物半導体からなるときは
割れ易く、ウエハ歩留の低下が顕著になる。
べた方法で結晶成長を行った場合、図４に例示するよう
に、ウエハ４１の成長面４１ａのうち上記周溝３３内に
挿入された領域Ｂ（縁部４１ｅを含む）に結晶成長がな
されない。このため、この領域Ｂに作り込れる素子が不
良となって、素子歩留を低下させるという問題がある。 また、成長面４１ａのうち上記周溝３３外に露出してい
た領域Ａと上記周溝３３内に挿入されていた領域Ｂとの
境界に、融液の接触が不連続であることに起因してクラ
ウンと呼ばれる突起５０が生ずる。このため、結晶成長
後にウエハ４１を機械的に研磨してウエハ厚を均一化す
る（ウエハ４１をワックスで治具に貼り付けた状態で行
う。）際に、上記突起５０と縁部４１ｅの凹凸に受ける
圧力差によってウエハ４１が割れてしまうという問題が
ある。特に、ウエハ４１が化合物半導体からなるときは
割れ易く、ウエハ歩留の低下が顕著になる。
【０００４】そこで、この発明の目的は、ウエハ面内で
結晶成長されない領域を減少させると共に結晶成長面に
クラウンが生じるのを防止して、素子歩留およびウエハ
歩留を向上できる液相エピタキシャル成長法を提供する
ことにある。
結晶成長されない領域を減少させると共に結晶成長面に
クラウンが生じるのを防止して、素子歩留およびウエハ
歩留を向上できる液相エピタキシャル成長法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の液相エピタキシャル成長法は、円筒形ボ
ートの内周面に周方向に延びる周溝を設け、円板状のウ
エハとこのウエハと略同径のウエハ支持板とを互いに当
接した状態でそれぞれの縁部を上記周溝内に入れて上記
円筒形ボートに保持させ、上記ウエハの上記支持板に当
接していない側の面に融液を接触させて結晶成長を行う
ようにした液相エピタキシャル成長法において、上記周
溝の側面に上記ボートの内側に向かって開いたテーパー
を設け、上記周溝の側面と上記支持板の板面とで形成さ
れる断面Ｖ字状の隙間に上記ウエハの縁部を挟持して結
晶成長を行うことを特徴としている。
に、この発明の液相エピタキシャル成長法は、円筒形ボ
ートの内周面に周方向に延びる周溝を設け、円板状のウ
エハとこのウエハと略同径のウエハ支持板とを互いに当
接した状態でそれぞれの縁部を上記周溝内に入れて上記
円筒形ボートに保持させ、上記ウエハの上記支持板に当
接していない側の面に融液を接触させて結晶成長を行う
ようにした液相エピタキシャル成長法において、上記周
溝の側面に上記ボートの内側に向かって開いたテーパー
を設け、上記周溝の側面と上記支持板の板面とで形成さ
れる断面Ｖ字状の隙間に上記ウエハの縁部を挟持して結
晶成長を行うことを特徴としている。
【０００６】
【作用】周溝のテーパーが施された側面と支持板の板面
とで形成される断面Ｖ字状の隙間にウエハの縁部を挟持
して結晶成長を行う場合、上記隙間はボートの内側へ向
かって開いていることから、融液が上記隙間に入り込ん
で、従来に比して上記ウエハの縁部に接触し易くなる。 したがって、上記ウエハの成長面内で結晶成長されない
領域が従来に比して減少する。この結果、素子歩留が向
上する。また、ウエハの中央部から縁部のコーナーに至
るまで融液が連続的に接触するので、成長面にクラウン
が生じなくなる。すなわち、ウエハの結晶成長面に凹凸
が生じなくなる。したがって、結晶成長後にウエハを機
械的に研磨して厚みを均一化する際に、ウエハが割れに
くくなり、ウエハ歩留が向上する。
とで形成される断面Ｖ字状の隙間にウエハの縁部を挟持
して結晶成長を行う場合、上記隙間はボートの内側へ向
かって開いていることから、融液が上記隙間に入り込ん
で、従来に比して上記ウエハの縁部に接触し易くなる。 したがって、上記ウエハの成長面内で結晶成長されない
領域が従来に比して減少する。この結果、素子歩留が向
上する。また、ウエハの中央部から縁部のコーナーに至
るまで融液が連続的に接触するので、成長面にクラウン
が生じなくなる。すなわち、ウエハの結晶成長面に凹凸
が生じなくなる。したがって、結晶成長後にウエハを機
械的に研磨して厚みを均一化する際に、ウエハが割れに
くくなり、ウエハ歩留が向上する。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の液相エピタキシャル成長方
法を実施例により詳細に説明する。なお、垂直塔載方式
で液相エピタキシャル成長を行うものとする。
法を実施例により詳細に説明する。なお、垂直塔載方式
で液相エピタキシャル成長を行うものとする。
【０００８】図１は、この発明に使用するカーボングラ
ファイト製の円筒形ボート１１を示している。この円筒
形ボート１１の内周面１１ａには、周方向に延びる周溝
１３が設けられている。周溝１３の底面１３ｃはウエハ
支持板１２の厚みと略同一幅を有する平坦面からなって
いる。周溝１３の両側面１３ａ，１３ｂは、上記底面１
３ｃに連なる斜面からなり、このボート１１の内側へ向
かって開いたテーパーが施されている。また、ウエハ支
持板１２は、結晶成長を行うべきウエハ２１，２２と略
同径の円板状に成形されたカーボングラファイトからな
っている。
ファイト製の円筒形ボート１１を示している。この円筒
形ボート１１の内周面１１ａには、周方向に延びる周溝
１３が設けられている。周溝１３の底面１３ｃはウエハ
支持板１２の厚みと略同一幅を有する平坦面からなって
いる。周溝１３の両側面１３ａ，１３ｂは、上記底面１
３ｃに連なる斜面からなり、このボート１１の内側へ向
かって開いたテーパーが施されている。また、ウエハ支
持板１２は、結晶成長を行うべきウエハ２１，２２と略
同径の円板状に成形されたカーボングラファイトからな
っている。
【０００９】結晶成長を行う場合、まず、上記ウエハ支
持板１２の縁部１２ｅを周溝１３内に（底面１３ｃ上に
）嵌合する。次に、ウエハ２１，２２を、結晶成長を行
うべき面（成長面）２１ａ，２２ａを外側にしてそれぞ
れ上記支持板１２の板面１２ａ，１２ｂに当接させる。 そして、各ウエハ２１，２２を自重で落下させて、上記
周溝１３の側面１３ａ，１３ｂと上記支持板１２ａ，１
２ｂとで形成される断面Ｖ字状の隙間にウエハ２１，２
２をくい込ませて挟持させる。これにより、円筒形ボー
ト１１の中心軸に対して垂直にウエハ２１，２２を保持
することができる。この状態で、各ウエハ２１，２２の
成長面２１ａ，２２ａに融液を接触させて結晶成長を行
う。このようにした場合、上記隙間はボート１１の内側
へ向かって開いていることから、融液が上記隙間に入り
込んで、従来に比して上記ウエハ２１，２２の縁部２１
ｅ，２２ｅに接触し易くなる。したがって、図２に示す
ように、例えば上記ウエハ２１の成長面２１ａ内で、結
晶成長されない領域（正確には、結晶成長されにくい領
域）Ｂが従来に比して減少する。この結果、素子歩留を
向上させることができる。また、ウエハ２１の中央部か
ら縁部２１ｅのコーナーに至るまで融液が連続的に接触
するので、結晶成長される領域Ａと結晶成長されない領
域Ｂとの境界にクラウンが生じなくなる。すなわち、ウ
エハ２１，２２の結晶成長面２１ａ，２２ａに凹凸が生
じなくなる。したがって、結晶成長後にウエハ２１，２
２を機械的に研磨して厚みを均一化する際に、ウエハ２
１，２２が割れにくくなり、ウエハ歩留を向上させるこ
とができる。
持板１２の縁部１２ｅを周溝１３内に（底面１３ｃ上に
）嵌合する。次に、ウエハ２１，２２を、結晶成長を行
うべき面（成長面）２１ａ，２２ａを外側にしてそれぞ
れ上記支持板１２の板面１２ａ，１２ｂに当接させる。 そして、各ウエハ２１，２２を自重で落下させて、上記
周溝１３の側面１３ａ，１３ｂと上記支持板１２ａ，１
２ｂとで形成される断面Ｖ字状の隙間にウエハ２１，２
２をくい込ませて挟持させる。これにより、円筒形ボー
ト１１の中心軸に対して垂直にウエハ２１，２２を保持
することができる。この状態で、各ウエハ２１，２２の
成長面２１ａ，２２ａに融液を接触させて結晶成長を行
う。このようにした場合、上記隙間はボート１１の内側
へ向かって開いていることから、融液が上記隙間に入り
込んで、従来に比して上記ウエハ２１，２２の縁部２１
ｅ，２２ｅに接触し易くなる。したがって、図２に示す
ように、例えば上記ウエハ２１の成長面２１ａ内で、結
晶成長されない領域（正確には、結晶成長されにくい領
域）Ｂが従来に比して減少する。この結果、素子歩留を
向上させることができる。また、ウエハ２１の中央部か
ら縁部２１ｅのコーナーに至るまで融液が連続的に接触
するので、結晶成長される領域Ａと結晶成長されない領
域Ｂとの境界にクラウンが生じなくなる。すなわち、ウ
エハ２１，２２の結晶成長面２１ａ，２２ａに凹凸が生
じなくなる。したがって、結晶成長後にウエハ２１，２
２を機械的に研磨して厚みを均一化する際に、ウエハ２
１，２２が割れにくくなり、ウエハ歩留を向上させるこ
とができる。
【００１０】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の液
相エピタキシャル成長法によれば、ウエハの中央部から
縁部のコーナーに至るまで連続的に融液を接触させるこ
とができ、ウエハ面内で結晶成長されない領域を減少さ
せると共に成長面にクラウンが生じるのを防止できる。 したがって、素子歩留およびウエハ歩留を向上させるこ
とができる。
相エピタキシャル成長法によれば、ウエハの中央部から
縁部のコーナーに至るまで連続的に融液を接触させるこ
とができ、ウエハ面内で結晶成長されない領域を減少さ
せると共に成長面にクラウンが生じるのを防止できる。 したがって、素子歩留およびウエハ歩留を向上させるこ
とができる。
【図１】 この発明により液相エピタキシャル成長を
行う状態を示す図である。
行う状態を示す図である。
【図２】 この発明により結晶成長を行ったウエハを
示す図である。
示す図である。
【図３】 従来の方法により液相エピタキシャル成長
を行う状態を示す図である。
を行う状態を示す図である。
【図４】 従来の方法により結晶成長を行ったウエハ
を示す図である。
を示す図である。
１１ 円筒形ボート
１１ａ 内周面
１２ ウエハ支持板
１２ａ，１２ｂ 板面
１２ｅ，１３ａ，１３ｂ，２１ｅ，２２ｅ
縁部１３ 周溝 １３ａ，１３ｂ 側面 １３ｃ 底面 ２１，２２ ウエハ ２１ａ，２２ａ 成長面
縁部１３ 周溝 １３ａ，１３ｂ 側面 １３ｃ 底面 ２１，２２ ウエハ ２１ａ，２２ａ 成長面
Claims (1)
- 【請求項１】 円筒形ボートの内周面に周方向に延び
る周溝を設け、円板状のウエハとこのウエハと略同径の
ウエハ支持板とを互いに当接した状態でそれぞれの縁部
を上記周溝内に入れて上記円筒形ボートに保持させ、上
記ウエハの上記支持板に当接していない側の面に融液を
接触させて結晶成長を行うようにした液相エピタキシャ
ル成長法において、上記周溝の側面に上記ボートの内側
に向かって開いたテーパーを設け、上記周溝の側面と上
記支持板の板面とで形成される断面Ｖ字状の隙間に上記
ウエハの縁部を挟持して結晶成長を行うことを特徴とす
る液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6453791A JPH04299824A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 液相エピタキシャル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6453791A JPH04299824A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 液相エピタキシャル成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299824A true JPH04299824A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13261076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6453791A Pending JPH04299824A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 液相エピタキシャル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04299824A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244437B2 (ja) * | 1982-08-02 | 1987-09-21 | Nippon Electric Co |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP6453791A patent/JPH04299824A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244437B2 (ja) * | 1982-08-02 | 1987-09-21 | Nippon Electric Co |
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