JPH04302111A - 高周波用トランス - Google Patents
高周波用トランスInfo
- Publication number
- JPH04302111A JPH04302111A JP3066121A JP6612191A JPH04302111A JP H04302111 A JPH04302111 A JP H04302111A JP 3066121 A JP3066121 A JP 3066121A JP 6612191 A JP6612191 A JP 6612191A JP H04302111 A JPH04302111 A JP H04302111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper foil
- winding
- concave
- electrode
- primary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
- Regulation Of General Use Transformers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は数ＭＨｚ程度の高周波信
号を取り扱う高周波用トランスに関に関し、特に高周波
用トランスの巻線の改良に関する。
号を取り扱う高周波用トランスに関に関し、特に高周波
用トランスの巻線の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】トランスの一次側に周波数ｆの正弦波交
流電圧Ｖｐ を印加した場合、コア内に誘起される磁束
密度Ｂは以下の式で表せる。
流電圧Ｖｐ を印加した場合、コア内に誘起される磁束
密度Ｂは以下の式で表せる。
【０００３】
Ｂ＝Ｖｐ ／（２πｆｎ１・Ｓｅｆｆ ） …■ここ
で、ｎ１は一次巻線の巻線数、Ｓｅｆｆ はコアの実効
断面積である。従って、周波数ｆの増大に伴って、コア
内の磁束密度が減少し、コアの小型化が可能になる。
で、ｎ１は一次巻線の巻線数、Ｓｅｆｆ はコアの実効
断面積である。従って、周波数ｆの増大に伴って、コア
内の磁束密度が減少し、コアの小型化が可能になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以下の表皮効
果及び近接効果により巻線に流れる電流分布が偏り、高
周波化に伴って実質的な等価抵抗の増大、すなわち銅損
の増大を招く。 ■ 表皮効果 図１１は表皮効果の説明図であり、図１１（Ａ）に導体
断面を示し、図１１（Ｂ）に導体の直径方向での電流密
度を示している。表皮効果は、周波数が高くなるに伴い
電流が導体表面に集中して流れる現象を言い、導体周囲
の漏洩磁束が導体内部に侵入するために発生する。表皮
の厚さδは、表皮効果の定数Ｋを用いて以下の式で与え
られる。
果及び近接効果により巻線に流れる電流分布が偏り、高
周波化に伴って実質的な等価抵抗の増大、すなわち銅損
の増大を招く。 ■ 表皮効果 図１１は表皮効果の説明図であり、図１１（Ａ）に導体
断面を示し、図１１（Ｂ）に導体の直径方向での電流密
度を示している。表皮効果は、周波数が高くなるに伴い
電流が導体表面に集中して流れる現象を言い、導体周囲
の漏洩磁束が導体内部に侵入するために発生する。表皮
の厚さδは、表皮効果の定数Ｋを用いて以下の式で与え
られる。
【０００５】δ＝Ｋ／ｆ １／２［ｍｍ］ …■ここ
で、ｆは周波数である。ｆが１ＭＨｚで導体の材質が銅
である場合、Ｋが６６．１であるから、δは６６．１μ
ｍ となる。従って、単線の場合には線径を表皮程度の
厚さにすると、交流抵抗を小さくすることができる。
で、ｆは周波数である。ｆが１ＭＨｚで導体の材質が銅
である場合、Ｋが６６．１であるから、δは６６．１μ
ｍ となる。従って、単線の場合には線径を表皮程度の
厚さにすると、交流抵抗を小さくすることができる。
【０００６】しかし、銅線に流せる電流密度には一定の
限度があるので、二次側の負荷電流が制限されると共に
、巻線の細分化により占積率が低下する問題がある。 ■ 近接効果 図１２は近接効果の説明図であり、図１２（Ａ）は同一
方向の電流が流れている場合を示し、図１２（Ｂ）は互
いに逆方向の電流が流れている場合を示している。
限度があるので、二次側の負荷電流が制限されると共に
、巻線の細分化により占積率が低下する問題がある。 ■ 近接効果 図１２は近接効果の説明図であり、図１２（Ａ）は同一
方向の電流が流れている場合を示し、図１２（Ｂ）は互
いに逆方向の電流が流れている場合を示している。
【０００７】近接効果は、近接した位置に電流が流れる
導体があると、この導体で作られた磁界は導体断面で一
様でないため、導体内部の磁界が完全には打ち消されず
に損失が増大することをいう。同一方向に流す場合には
外側に電流が分布し、逆方向に流す場合には内側に電流
が分布している。これを緩和するには隣り合う導体同士
の間隔を表皮の厚さ程度離せばよい。しかし、このよう
にすると、トランスの形状が大型化する不具合がある。
導体があると、この導体で作られた磁界は導体断面で一
様でないため、導体内部の磁界が完全には打ち消されず
に損失が増大することをいう。同一方向に流す場合には
外側に電流が分布し、逆方向に流す場合には内側に電流
が分布している。これを緩和するには隣り合う導体同士
の間隔を表皮の厚さ程度離せばよい。しかし、このよう
にすると、トランスの形状が大型化する不具合がある。
【０００８】図１３は導体を銅箔としたもので、この二
つの銅箔は距離ｄを隔てて平行に配置されている。図１
４は図１３の配置における交流抵抗Ｒａｃを説明する特
性図である。縦軸には直流抵抗Ｒｄｃを基準に交流抵抗
Ｒａｃを表示し、横軸には距離ｄをとっている。銅箔の
寸法ｗが５ｍｍ，厚さｔが１００μｍ とし、周波数ｆ
を１ＭＨｚとした場合の計算例である。銅箔単体ではＲ
ａｃ／Ｒｄｃが１．５であるが、同一方向（例えば、コ
イル状の巻線を有するインダクタ）では２．２に増大し
、逆方向例えば、一次巻線と二次巻線とを交互に巻いた
トランス）では１．３に減少している。
つの銅箔は距離ｄを隔てて平行に配置されている。図１
４は図１３の配置における交流抵抗Ｒａｃを説明する特
性図である。縦軸には直流抵抗Ｒｄｃを基準に交流抵抗
Ｒａｃを表示し、横軸には距離ｄをとっている。銅箔の
寸法ｗが５ｍｍ，厚さｔが１００μｍ とし、周波数ｆ
を１ＭＨｚとした場合の計算例である。銅箔単体ではＲ
ａｃ／Ｒｄｃが１．５であるが、同一方向（例えば、コ
イル状の巻線を有するインダクタ）では２．２に増大し
、逆方向例えば、一次巻線と二次巻線とを交互に巻いた
トランス）では１．３に減少している。
【０００９】以上のような理由により、周波数が増大す
ると表皮効果，近接効果により銅損が増大し、トランス
の温度上昇を招き、磁性体透磁率のブレークダウンや巻
線絶縁物の劣化の原因となっていた。
ると表皮効果，近接効果により銅損が増大し、トランス
の温度上昇を招き、磁性体透磁率のブレークダウンや巻
線絶縁物の劣化の原因となっていた。
【００１０】また、本件出願人は以上の不具合を解決す
るための提案を特願平２−１８６５６３号として出願し
ている。しかし、この提案も一次／二次巻線間の絶縁に
関して触れられていなかった。
るための提案を特願平２−１８６５６３号として出願し
ている。しかし、この提案も一次／二次巻線間の絶縁に
関して触れられていなかった。
【００１１】また、以上のような密結合の銅箔巻線を製
作する場合、箔同士の半田付け及び電極取付けのための
半田付けなどをすると、半田接合部での凹凸による絶縁
破壊，半田付け作業による絶縁悪化，半田付け部の鋼性
による巻線のたわみによる占有率の悪化が発生し、特に
電極部ではこの種の現象が著しい。
作する場合、箔同士の半田付け及び電極取付けのための
半田付けなどをすると、半田接合部での凹凸による絶縁
破壊，半田付け作業による絶縁悪化，半田付け部の鋼性
による巻線のたわみによる占有率の悪化が発生し、特に
電極部ではこの種の現象が著しい。
【００１２】本発明はこのような点に着目してなされた
ものであり、その目的は、高周波化しても銅損が少なく
、巻線の製作が容易な高周波用トランスを提供すること
にある。
ものであり、その目的は、高周波化しても銅損が少なく
、巻線の製作が容易な高周波用トランスを提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する第一
の手段は、凹状の銅箔電極及び１８０度回転した逆凹状
の銅箔電極の組み合わせからなり表面が絶縁処理された
銅箔巻線を蛇腹状に折り返して構成された一次側銅箔巻
線と、凹状の銅箔電極及び１８０度回転した逆凹状の銅
箔電極の組み合わせからなり表面が絶縁処理された銅箔
巻線を蛇腹状に折り返して構成され、一次側銅箔巻線と
交互に噛み合わされた二次側銅箔巻線と、凹状及び逆凹
状の銅箔電極の凹みに挿入されたコアとを備えたことを
特徴とするものである。
の手段は、凹状の銅箔電極及び１８０度回転した逆凹状
の銅箔電極の組み合わせからなり表面が絶縁処理された
銅箔巻線を蛇腹状に折り返して構成された一次側銅箔巻
線と、凹状の銅箔電極及び１８０度回転した逆凹状の銅
箔電極の組み合わせからなり表面が絶縁処理された銅箔
巻線を蛇腹状に折り返して構成され、一次側銅箔巻線と
交互に噛み合わされた二次側銅箔巻線と、凹状及び逆凹
状の銅箔電極の凹みに挿入されたコアとを備えたことを
特徴とするものである。
【００１４】上記課題を解決する第二の手段は、凹状の
銅箔電極及び１８０度回転した逆凹状の銅箔電極の組み
合わせからなり表面が絶縁処理された銅箔巻線を蛇腹状
に折り返して構成された一次側銅箔巻線と、凹状の銅箔
電極及び１８０度回転した逆凹状の銅箔電極の組み合わ
せからなり表面が絶縁処理された銅箔巻線を蛇腹状に折
り返して構成された二次側銅箔巻線と、表面が絶縁処理
された凹状の銅箔電極の組み合わせからなり蛇腹状に折
り返されシールド箔とを備え、一次側銅箔巻線，シール
ド箔及び二次側銅箔巻線が交互に噛み合わされて構成さ
れ、凹状及び逆凹状の銅箔電極並びにシールド箔の凹み
にコアが挿入されたことを特徴とするものである。
銅箔電極及び１８０度回転した逆凹状の銅箔電極の組み
合わせからなり表面が絶縁処理された銅箔巻線を蛇腹状
に折り返して構成された一次側銅箔巻線と、凹状の銅箔
電極及び１８０度回転した逆凹状の銅箔電極の組み合わ
せからなり表面が絶縁処理された銅箔巻線を蛇腹状に折
り返して構成された二次側銅箔巻線と、表面が絶縁処理
された凹状の銅箔電極の組み合わせからなり蛇腹状に折
り返されシールド箔とを備え、一次側銅箔巻線，シール
ド箔及び二次側銅箔巻線が交互に噛み合わされて構成さ
れ、凹状及び逆凹状の銅箔電極並びにシールド箔の凹み
にコアが挿入されたことを特徴とするものである。
【００１５】
【作用】本発明において、凹状の銅箔電極及び１８０度
回転した逆凹状の銅箔電極の組み合わせからなり表面が
絶縁処理された銅箔巻線を蛇腹状に折り返して使用して
おり、一次側銅箔巻線と二次側銅箔巻線とを交互に噛み
合わせるように配置しているので、それぞれの巻線を流
れる電流の向きが反対になり、近接効果の影響が少なく
なり、銅損が減少する。そして、巻線の製作が極めて簡
単になる。
回転した逆凹状の銅箔電極の組み合わせからなり表面が
絶縁処理された銅箔巻線を蛇腹状に折り返して使用して
おり、一次側銅箔巻線と二次側銅箔巻線とを交互に噛み
合わせるように配置しているので、それぞれの巻線を流
れる電流の向きが反対になり、近接効果の影響が少なく
なり、銅損が減少する。そして、巻線の製作が極めて簡
単になる。
【００１６】また、シールド箔により線間容量が減少し
、一次側と二次側間の高周波絶縁性が向上する。
、一次側と二次側間の高周波絶縁性が向上する。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１８】図１は本発明の一実施例に使用される銅箔
巻線の展開状態を示す構成図である。尚、銅以外の金属
を用いて箔を構成してもよいが、抵抗率の関係で銅が適
当である。
巻線の展開状態を示す構成図である。尚、銅以外の金属
を用いて箔を構成してもよいが、抵抗率の関係で銅が適
当である。
【００１９】本実施例では、巻線を銅箔で構成するもの
とし、凹形状の銅箔一枚が１ターン（ｎターンでは銅箔
ｎ−１枚）である。図１（ａ）は基本となる２ターンの
銅箔巻線（２枚の凹形状電極と１枚の逆凹形状電極との
交互の組み合わせ）を５組接続したものである。すなわ
ち、図１（ａ）に示す銅箔巻線を、図２に示すように蛇
腹状に折り返すことにより、２ターンの巻線が５組接続
されたものとなる。そして、各２ターンの巻線の電極の
端部を相互に接続する。この場合、Ａ，Ｄ，Ｅ，Ｈ，Ｉ
が電気的に接続され、Ｂ，Ｃ，Ｆ，Ｇ，Ｊが電気的に接
続される。この場合、各２ターン毎の巻線毎に巻線方向
が互いに逆向きになるが、電流の向きも各２ターン毎に
逆向きになり、発生する磁界は同一方向になる。
とし、凹形状の銅箔一枚が１ターン（ｎターンでは銅箔
ｎ−１枚）である。図１（ａ）は基本となる２ターンの
銅箔巻線（２枚の凹形状電極と１枚の逆凹形状電極との
交互の組み合わせ）を５組接続したものである。すなわ
ち、図１（ａ）に示す銅箔巻線を、図２に示すように蛇
腹状に折り返すことにより、２ターンの巻線が５組接続
されたものとなる。そして、各２ターンの巻線の電極の
端部を相互に接続する。この場合、Ａ，Ｄ，Ｅ，Ｈ，Ｉ
が電気的に接続され、Ｂ，Ｃ，Ｆ，Ｇ，Ｊが電気的に接
続される。この場合、各２ターン毎の巻線毎に巻線方向
が互いに逆向きになるが、電流の向きも各２ターン毎に
逆向きになり、発生する磁界は同一方向になる。
【００２０】また、図１（ｂ）は基本となる３ターンの
銅箔巻線（３枚の凹形状電極と２枚の逆凹形状電極との
交互の組み合わせ）を３組接続したものである。すなわ
ち、図１（ｂ）に示す銅箔巻線を、図２に示すように蛇
腹状に折り返すことにより、３ターンの巻線が３組接続
されたものとなる。そして、各３ターンの巻線の電極の
端部を相互に接続する。この場合、ａ，ｄ，ｅが電気的
に接続され、ｂ，ｃ，ｆが電気的に接続される。この巻
線を二次側に使用した場合、各３ターン毎の巻線で巻線
方向が互いに逆向きになるが、端部の接続も互いに逆向
きにしたことにより、トランスを構成した場合に二次側
として各３ターン毎の巻線の電流が加算される。
銅箔巻線（３枚の凹形状電極と２枚の逆凹形状電極との
交互の組み合わせ）を３組接続したものである。すなわ
ち、図１（ｂ）に示す銅箔巻線を、図２に示すように蛇
腹状に折り返すことにより、３ターンの巻線が３組接続
されたものとなる。そして、各３ターンの巻線の電極の
端部を相互に接続する。この場合、ａ，ｄ，ｅが電気的
に接続され、ｂ，ｃ，ｆが電気的に接続される。この巻
線を二次側に使用した場合、各３ターン毎の巻線で巻線
方向が互いに逆向きになるが、端部の接続も互いに逆向
きにしたことにより、トランスを構成した場合に二次側
として各３ターン毎の巻線の電流が加算される。
【００２１】そして、一次側巻線と二次側巻線とを図３
に示すように互いに交互に噛み込ませる。この場合、図
１に示したように一次側巻線の銅箔枚数と二次側巻線の
銅箔枚数とを等しく（図１では凹型，逆凹型がそれぞれ
１５枚）しておくことにより、両者が発生する磁界が一
様になり、交流抵抗が最も小さくなることが予想される
。但し、積層数が多くなると、巻線全体の厚さが厚くな
るため、流す電流とのトレードオフとなる。実際には、
電流密度ｊ＝２〜３Ａ／ｍｍ２ が適当である。
に示すように互いに交互に噛み込ませる。この場合、図
１に示したように一次側巻線の銅箔枚数と二次側巻線の
銅箔枚数とを等しく（図１では凹型，逆凹型がそれぞれ
１５枚）しておくことにより、両者が発生する磁界が一
様になり、交流抵抗が最も小さくなることが予想される
。但し、積層数が多くなると、巻線全体の厚さが厚くな
るため、流す電流とのトレードオフとなる。実際には、
電流密度ｊ＝２〜３Ａ／ｍｍ２ が適当である。
【００２２】実際に製作する場合は、表皮の厚さ程度の
銅箔を用意し、これを図１に示すように切り取る。その
後、銅箔表面に絶縁を施す。絶縁は、絶縁テープを貼り
付けるか、絶縁材を塗布することにより行う。そして、
銅箔巻線を図２に示すように蛇腹状に折り返す。これを
、一次側，二次側共に行い、図３に示すように噛み込ま
せる。この場合、２枚ずつ積み重なったトランス巻線が
構成できる。尚、図３Ａ，Ｂに示すように相手の巻線を
挟む部分には、たたみしろを設けることで、よりよい噛
み合わせが実現される。
銅箔を用意し、これを図１に示すように切り取る。その
後、銅箔表面に絶縁を施す。絶縁は、絶縁テープを貼り
付けるか、絶縁材を塗布することにより行う。そして、
銅箔巻線を図２に示すように蛇腹状に折り返す。これを
、一次側，二次側共に行い、図３に示すように噛み込ま
せる。この場合、２枚ずつ積み重なったトランス巻線が
構成できる。尚、図３Ａ，Ｂに示すように相手の巻線を
挟む部分には、たたみしろを設けることで、よりよい噛
み合わせが実現される。
【００２３】図４は一方の側の巻線（この図では一次巻
線）が１ターンの場合を示している。この場合、１ター
ンの巻線は凹型銅箔をそのまま使用し、複数ターンの巻
線のみを蛇腹状にする。この場合は、完全に一次，二次
巻線が交互に配置される。
線）が１ターンの場合を示している。この場合、１ター
ンの巻線は凹型銅箔をそのまま使用し、複数ターンの巻
線のみを蛇腹状にする。この場合は、完全に一次，二次
巻線が交互に配置される。
【００２４】尚、以上のように、銅箔で巻線を構成する
と、一次／二次間の線間容量が通常より大きくなる。こ
のため、交流信号が通り抜けるようになり、特に高周波
領域で絶縁が低下したのと同じことになる。
と、一次／二次間の線間容量が通常より大きくなる。こ
のため、交流信号が通り抜けるようになり、特に高周波
領域で絶縁が低下したのと同じことになる。
【００２５】そこで、第二の実施例として、図５のよう
な凹状電極の組み合わせからなるシールド材をを蛇腹状
に折り返し、図６に示すように位置に巻線と二次巻線と
の間に挟み込むようにする。尚、このシールド材３は、
銅箔で構成し、表面に絶縁を施すようにする。
な凹状電極の組み合わせからなるシールド材をを蛇腹状
に折り返し、図６に示すように位置に巻線と二次巻線と
の間に挟み込むようにする。尚、このシールド材３は、
銅箔で構成し、表面に絶縁を施すようにする。
【００２６】そして、シールド材３に端子（シールド端
子９）を設け、その端子を一次側巻線のアース側端子（
一次側巻線端子５，６のいずれか一方）と接続すること
で確実なシールド効果が得られる。このようにシールド
材３を設けることで、一次，二次間の絶縁が更に向上す
る。
子９）を設け、その端子を一次側巻線のアース側端子（
一次側巻線端子５，６のいずれか一方）と接続すること
で確実なシールド効果が得られる。このようにシールド
材３を設けることで、一次，二次間の絶縁が更に向上す
る。
【００２７】図７はこのように構成した高周波トランス
の正面を示す正面図、図８は側面図、図９は上面図、図
１０は斜視図である。図１０に示すように、各端子（一
次側巻線端子５，６、二次側巻き線端子７，８、シール
ド端子９）はボルト，ナット止めにより端子をまとめる
と共に、配線の接続をする。また、コアは、ＥＥあるい
はＥＩ形のものを使用する。
の正面を示す正面図、図８は側面図、図９は上面図、図
１０は斜視図である。図１０に示すように、各端子（一
次側巻線端子５，６、二次側巻き線端子７，８、シール
ド端子９）はボルト，ナット止めにより端子をまとめる
と共に、配線の接続をする。また、コアは、ＥＥあるい
はＥＩ形のものを使用する。
【００２８】以上説明したように、密結合の銅箔巻線を
製作する場合にも、各巻線を一枚の銅箔から構成するの
で半田付けによる障害が発生しない。また、一次側巻線
，二次側巻線を別々に製作して組み合わせるだけでよく
、密結合のトランス巻線を極めて容易に製作できる。
製作する場合にも、各巻線を一枚の銅箔から構成するの
で半田付けによる障害が発生しない。また、一次側巻線
，二次側巻線を別々に製作して組み合わせるだけでよく
、密結合のトランス巻線を極めて容易に製作できる。
【００２９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１記
載の発明によれば、高周波化しても銅損が少なく、巻線
製作が容易な高周波用トランスを実現できる。また、請
求項２記載の発明によれば、高周波での一次／二次巻線
間の絶縁性に優れ、製作容易な高周波トランスを実現で
きる。
載の発明によれば、高周波化しても銅損が少なく、巻線
製作が容易な高周波用トランスを実現できる。また、請
求項２記載の発明によれば、高周波での一次／二次巻線
間の絶縁性に優れ、製作容易な高周波トランスを実現で
きる。
【図１】本発明の一実施例に使用される巻線の構成を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】図１に示した巻線の折り返し状態を示す説明図
である。
である。
【図３】図１に示した巻線の折り返し状態を示す説明図
である。
である。
【図４】巻線の配置状態を示す説明図である。
【図５】本発明の第二の実施例に使用されるシールド巻
線の平面状態での構成を示す構成図である。
線の平面状態での構成を示す構成図である。
【図６】本発明の第二の実施例の巻線構成を示す説明図
である。
である。
【図７】本発明により製作されたトランスの正面を示す
正面図である。
正面図である。
【図８】本発明により製作されたトランスの側面を示す
側面図である。
側面図である。
【図９】本発明により製作されたトランスの上面を示す
上面図である。
上面図である。
【図１０】本発明により製作されたトランスの斜視状態
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１１】表皮効果の説明のための説明図である。
【図１２】近接効果の説明のための説明図である。
【図１３】銅箔巻線の配置を示す説明図である。
【図１４】平行巻線の交流抵抗を説明する説明図である
。
。
１ 一次側巻線
２ 二次側巻線
３ シールド材
４ コア
Claims (2)
- 【請求項１】 凹状の銅箔電極及び１８０度回転した
逆凹状の銅箔電極の組み合わせからなり表面が絶縁処理
された銅箔巻線を蛇腹状に折り返して構成された一次側
銅箔巻線と、凹状の銅箔電極及び１８０度回転した逆凹
状の銅箔電極の組み合わせからなり表面が絶縁処理され
た銅箔巻線を蛇腹状に折り返して構成され、一次側銅箔
巻線と交互に噛み合わされた二次側銅箔巻線と、凹状及
び逆凹状の銅箔電極の凹みに挿入されたコアとを備えた
ことを特徴とする高周波用トランス。 - 【請求項２】 凹状の銅箔電極及び１８０度回転した
逆凹状の銅箔電極の組み合わせからなり表面が絶縁処理
された銅箔巻線を蛇腹状に折り返して構成された一次側
銅箔巻線と、凹状の銅箔電極及び１８０度回転した逆凹
状の銅箔電極の組み合わせからなり表面が絶縁処理され
た銅箔巻線を蛇腹状に折り返して構成された二次側銅箔
巻線と、表面が絶縁処理された凹状の銅箔電極の組み合
わせからなり蛇腹状に折り返されシールド箔とを備え、
一次側銅箔巻線，シールド箔及び二次側銅箔巻線が交互
に噛み合わされて構成され、凹状及び逆凹状の銅箔電極
並びにシールド箔の凹みにコアが挿入されたことを特徴
とする高周波用トランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066121A JPH04302111A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 高周波用トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066121A JPH04302111A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 高周波用トランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302111A true JPH04302111A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=13306731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3066121A Pending JPH04302111A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 高周波用トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101937763A (zh) * | 2010-09-07 | 2011-01-05 | 湖南新亮电气有限公司 | 一种风力发电系统供电专用自耦变压器 |
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1991
- 1991-03-29 JP JP3066121A patent/JPH04302111A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101937763A (zh) * | 2010-09-07 | 2011-01-05 | 湖南新亮电气有限公司 | 一种风力发电系统供电专用自耦变压器 |
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