JPH04302171A - 完全密着型イメージセンサ - Google Patents
完全密着型イメージセンサInfo
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- JPH04302171A JPH04302171A JP3065901A JP6590191A JPH04302171A JP H04302171 A JPH04302171 A JP H04302171A JP 3065901 A JP3065901 A JP 3065901A JP 6590191 A JP6590191 A JP 6590191A JP H04302171 A JPH04302171 A JP H04302171A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリ、ディジタ
ル複写機等に用いられ、イメージセンサの受光部に各画
素毎に設けられた採光窓からの照射光が原稿で反射され
て受光部の受光エリアに入射される方式の完全密着型イ
メージセンサに関するものである。
ル複写機等に用いられ、イメージセンサの受光部に各画
素毎に設けられた採光窓からの照射光が原稿で反射され
て受光部の受光エリアに入射される方式の完全密着型イ
メージセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の完全密着型イメージセンサは図
４に示すように、フォトダイオードＰＤとブロッキング
ダイオードＢＤとが互いに逆極性になるように直列に接
続されて一つの受光素子３１が形成され、この受光素子
３１が複数個（ｎ個）ライン状に並べられて受光素子ア
レイが形成されている。そして、受光素子３１が複数の
ブロックに分割され、各ブロッキングダイオードＢＤは
各ブロック毎にブロック信号線３２を介してシフトレジ
スタＳＲに接続され、フォトダイオードＰＤ側の各信号
線３３がマトリックス配線部Ｍを介して信号処理部３４
に接続されている。マトリックス配線部Ｍにおいては受
光素子アレイの長手方向に延びる共通信号線３５と、前
記信号線３３とは絶縁層を挟んで互いに交差する状態に
配置されている。又、完全密着型イメージセンサに限ら
ず多数の受光素子をライン状に配置した受光素子アレイ
を使用するイメージセンサにおいては、出力側の配線に
マトリックス配線が使用されている。
４に示すように、フォトダイオードＰＤとブロッキング
ダイオードＢＤとが互いに逆極性になるように直列に接
続されて一つの受光素子３１が形成され、この受光素子
３１が複数個（ｎ個）ライン状に並べられて受光素子ア
レイが形成されている。そして、受光素子３１が複数の
ブロックに分割され、各ブロッキングダイオードＢＤは
各ブロック毎にブロック信号線３２を介してシフトレジ
スタＳＲに接続され、フォトダイオードＰＤ側の各信号
線３３がマトリックス配線部Ｍを介して信号処理部３４
に接続されている。マトリックス配線部Ｍにおいては受
光素子アレイの長手方向に延びる共通信号線３５と、前
記信号線３３とは絶縁層を挟んで互いに交差する状態に
配置されている。又、完全密着型イメージセンサに限ら
ず多数の受光素子をライン状に配置した受光素子アレイ
を使用するイメージセンサにおいては、出力側の配線に
マトリックス配線が使用されている。
【０００３】マトリックス配線を使用した場合、各信号
線３３と共通信号線３５とを単に絶縁層を挟んで配置し
ただけでは、両者の交差部３６においてクロストークが
発生する。クロストークを防ぐ構成として例えば、上下
に配置される両信号線の層間にシールド層を設ける構成
（特開昭６２−６７８６４号公報）や、両信号線の層間
に両信号線が交差する位置及びその近傍以外ではいずれ
の信号線にも沿わない形状のアース部材を設ける構成（
特開平２−５１２５５）が提案されている。
線３３と共通信号線３５とを単に絶縁層を挟んで配置し
ただけでは、両者の交差部３６においてクロストークが
発生する。クロストークを防ぐ構成として例えば、上下
に配置される両信号線の層間にシールド層を設ける構成
（特開昭６２−６７８６４号公報）や、両信号線の層間
に両信号線が交差する位置及びその近傍以外ではいずれ
の信号線にも沿わない形状のアース部材を設ける構成（
特開平２−５１２５５）が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記従来の
構成ではシールド層やアース部材を両信号線層の間に形
成するため、シールド層やアース部材の形成工程と、シ
ールド層あるいはアース部材とその上側の信号線層との
間に絶縁層を形成する工程とを追加する必要があり、イ
メージセンサの製造時における工程数が増加するという
問題がある。
構成ではシールド層やアース部材を両信号線層の間に形
成するため、シールド層やアース部材の形成工程と、シ
ールド層あるいはアース部材とその上側の信号線層との
間に絶縁層を形成する工程とを追加する必要があり、イ
メージセンサの製造時における工程数が増加するという
問題がある。
【０００５】本発明は前記の問題点に鑑みてなされたも
のであって、その目的はマトリックス配線部におけるク
ロストーク防止用のシールド層形成のための独立した形
成工程をもうける必要のない完全密着型イメージセンサ
を提供することにある。
のであって、その目的はマトリックス配線部におけるク
ロストーク防止用のシールド層形成のための独立した形
成工程をもうける必要のない完全密着型イメージセンサ
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め本発明では、下部電極と上部透明電極との間に光電変
換層が配置されたサンドイッチ構造を有する多数の受光
素子と、信号線用マトリックス配線部とを備えた完全密
着型イメージセンサにおいて、マトリックス配線部の上
下データラインの間に受光素子の上部透明電極を形成す
る層と同じ層からなるシールド層を形成した。
め本発明では、下部電極と上部透明電極との間に光電変
換層が配置されたサンドイッチ構造を有する多数の受光
素子と、信号線用マトリックス配線部とを備えた完全密
着型イメージセンサにおいて、マトリックス配線部の上
下データラインの間に受光素子の上部透明電極を形成す
る層と同じ層からなるシールド層を形成した。
【０００７】
【作用】信号線用マトリックス配線部に形成されるシー
ルド層が受光素子の上部透明電極を形成する層と同じ層
から形成されるので、シールド層形成のための独立した
形成工程を設ける必要がない。シールド層に上部透明電
極と同じ層を使用するが、完全密着型イメージセンサの
ためマトリックス配線部には光が当たらずシールド効果
が十分発揮されてクロストークが防止される。
ルド層が受光素子の上部透明電極を形成する層と同じ層
から形成されるので、シールド層形成のための独立した
形成工程を設ける必要がない。シールド層に上部透明電
極と同じ層を使用するが、完全密着型イメージセンサの
ためマトリックス配線部には光が当たらずシールド効果
が十分発揮されてクロストークが防止される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１〜
図３に従って説明する。図３に示すように、ガラス等か
ら成る透明基板１上にクロムから成る下部電極２及びマ
トリックス配線部を構成する下部データライン３が形成
されている。下部電極２の中央には長方形の採光窓４が
形成されている。下部電極２上にはｎ＋ 層から成るオ
ーミックコンタクト層５ａ，５ｂと、水素化アモルファ
スシリコンから成る光電変換層６と、酸化インジウム・
スズ層（ＩＴＯ層）から成る上部透明電極７ａ，７ｂと
がそれぞれ一対ずつ順次積層及びパターニングされると
ともにポリイミド等の絶縁層８が積層されて、極性が逆
向きにかつ対称的に配置されたフォトダイオードＰＤ１
，ＰＤ２が前記採光窓４を挟んだ位置に近接して形成さ
れている。両フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２により１
個の受光素子９が構成され、このように形成された複数
の受光素子９が所定ピッチで１列に配列されている。又
、マトリックス配線部にもｎ＋ 層１０、水素化アモル
ファスシリコン層１１及びＩＴＯ層から成るシールド層
１２が積層形成され、前記各層には図２に示すように、
後記する上部データライン１３が下部データライン３に
接続される箇所に透孔１４が形成されている。シールド
層１２は接地され、その上に絶縁層８が積層されている
。
図３に従って説明する。図３に示すように、ガラス等か
ら成る透明基板１上にクロムから成る下部電極２及びマ
トリックス配線部を構成する下部データライン３が形成
されている。下部電極２の中央には長方形の採光窓４が
形成されている。下部電極２上にはｎ＋ 層から成るオ
ーミックコンタクト層５ａ，５ｂと、水素化アモルファ
スシリコンから成る光電変換層６と、酸化インジウム・
スズ層（ＩＴＯ層）から成る上部透明電極７ａ，７ｂと
がそれぞれ一対ずつ順次積層及びパターニングされると
ともにポリイミド等の絶縁層８が積層されて、極性が逆
向きにかつ対称的に配置されたフォトダイオードＰＤ１
，ＰＤ２が前記採光窓４を挟んだ位置に近接して形成さ
れている。両フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２により１
個の受光素子９が構成され、このように形成された複数
の受光素子９が所定ピッチで１列に配列されている。又
、マトリックス配線部にもｎ＋ 層１０、水素化アモル
ファスシリコン層１１及びＩＴＯ層から成るシールド層
１２が積層形成され、前記各層には図２に示すように、
後記する上部データライン１３が下部データライン３に
接続される箇所に透孔１４が形成されている。シールド
層１２は接地され、その上に絶縁層８が積層されている
。
【０００９】前記受光素子９を形成する際には下部電極
２と対応する部分だけでなく透明基板１全体にｎ＋ 層
１０、水素化アモルファスシリコン層１１及びシールド
層１２を形成するためのＩＴＯ層が順次積層され、受光
素子部のパターニングの際にマトリックス配線部と対応
する箇所に前記各層１０，１１，１２が残るようにエッ
チングが行われる。なお、下部電極２及び下部データラ
イン３を構成するクロム層の形成にはスパッタリングが
使用され、オーミックコンタクト層５ａ，５ｂ及び光電
変換層６の形成にはＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏ
ｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が使用される。又、絶
縁層８の皮膜はスピンコートあるいは、ロールコータに
よる塗布で形成される。
２と対応する部分だけでなく透明基板１全体にｎ＋ 層
１０、水素化アモルファスシリコン層１１及びシールド
層１２を形成するためのＩＴＯ層が順次積層され、受光
素子部のパターニングの際にマトリックス配線部と対応
する箇所に前記各層１０，１１，１２が残るようにエッ
チングが行われる。なお、下部電極２及び下部データラ
イン３を構成するクロム層の形成にはスパッタリングが
使用され、オーミックコンタクト層５ａ，５ｂ及び光電
変換層６の形成にはＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏ
ｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が使用される。又、絶
縁層８の皮膜はスピンコートあるいは、ロールコータに
よる塗布で形成される。
【００１０】ブロッキングダイオードの役割を果たす一
方のフォトダイオードＰＤ１の上部透明電極７ａには、
ポリイミドから成る絶縁層８に形成したコンタクトホー
ル１５を介してアルミニウムから成る上部ブロック共通
信号配線１６が接続されている。他方のフォトダイオー
ドＰＤ２の上部透明電極７ｂには、絶縁層８に形成した
コンタクトホール１５を介してアルミニウムから成る上
部データライン１３の一端が接続されている。そして、
フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２の受光エリアは前記上
部ブロック共通信号配線１６及び上部データライン１３
により同じ受光面積になるように形成されている。上部
データライン１３の他端はコンタクトホール１７を介し
て所定の下部データライン３に接続されている。なお、
上部ブロック共通信号配線１６及び上部データライン１
３を構成するアルミニウム層の形成にはスパッタリング
が使用される。
方のフォトダイオードＰＤ１の上部透明電極７ａには、
ポリイミドから成る絶縁層８に形成したコンタクトホー
ル１５を介してアルミニウムから成る上部ブロック共通
信号配線１６が接続されている。他方のフォトダイオー
ドＰＤ２の上部透明電極７ｂには、絶縁層８に形成した
コンタクトホール１５を介してアルミニウムから成る上
部データライン１３の一端が接続されている。そして、
フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２の受光エリアは前記上
部ブロック共通信号配線１６及び上部データライン１３
により同じ受光面積になるように形成されている。上部
データライン１３の他端はコンタクトホール１７を介し
て所定の下部データライン３に接続されている。なお、
上部ブロック共通信号配線１６及び上部データライン１
３を構成するアルミニウム層の形成にはスパッタリング
が使用される。
【００１１】前記のように形成された完全密着型イメー
ジセンサは、上部透明電極７ａ，７ｂが読取り原稿と対
向する状態で透明基板１側から照射された光が採光窓４
から入射して読取り原稿で反射された後、両フォトダイ
オードＰＤ１，ＰＤ２の受光エリアに入射する。そして
、受光エリアに入射した光量に対応する電荷が両フォダ
イオードＰＤ１，ＰＤ２に蓄積され、読み出しパルスが
印加された時に出力信号が上部データライン１３及び下
部データライン３に流れる。このとき下部データライン
３と上部データライン１３とが交差する箇所にシールド
層がないと、その部分でクロストークが発生する虞があ
る。しかし、両者の交差部に存在するシールド層１２の
作用により下部データライン３と上部データライン１３
とのカップリングが阻止され、クロストークの発生が確
実に防止される。シールド部が受光素子９と同じ構造の
ため光が当たるとノイズの原因となるが、完全密着型イ
メージセンサのためマトリックス配線部に光が当たるこ
とはないため、シールド効果が十分発揮される。
ジセンサは、上部透明電極７ａ，７ｂが読取り原稿と対
向する状態で透明基板１側から照射された光が採光窓４
から入射して読取り原稿で反射された後、両フォトダイ
オードＰＤ１，ＰＤ２の受光エリアに入射する。そして
、受光エリアに入射した光量に対応する電荷が両フォダ
イオードＰＤ１，ＰＤ２に蓄積され、読み出しパルスが
印加された時に出力信号が上部データライン１３及び下
部データライン３に流れる。このとき下部データライン
３と上部データライン１３とが交差する箇所にシールド
層がないと、その部分でクロストークが発生する虞があ
る。しかし、両者の交差部に存在するシールド層１２の
作用により下部データライン３と上部データライン１３
とのカップリングが阻止され、クロストークの発生が確
実に防止される。シールド部が受光素子９と同じ構造の
ため光が当たるとノイズの原因となるが、完全密着型イ
メージセンサのためマトリックス配線部に光が当たるこ
とはないため、シールド効果が十分発揮される。
【００１２】又、シールド層１２の形成は受光素子９の
形成工程で同時に行われるため、シールド層１２を形成
するための独立した形成工程を設ける必要がなく、製造
が簡単となる。なお、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、例えば、シールド層１２を両データライ
ン３，１３が交差する位置及びその近傍以外ではいずれ
のデータライン３，１３にも沿わない形状、すなわち格
子状に形成してもよい。又、一対のフォトダイオードＰ
Ｄ１，ＰＤ２に代えてフォトダイオードとブロッキング
ダイオードとを組み合わせて受光素子を構成したり、ブ
ロッキングダイオード側にマトリックス配線部を設けて
もよい。
形成工程で同時に行われるため、シールド層１２を形成
するための独立した形成工程を設ける必要がなく、製造
が簡単となる。なお、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、例えば、シールド層１２を両データライ
ン３，１３が交差する位置及びその近傍以外ではいずれ
のデータライン３，１３にも沿わない形状、すなわち格
子状に形成してもよい。又、一対のフォトダイオードＰ
Ｄ１，ＰＤ２に代えてフォトダイオードとブロッキング
ダイオードとを組み合わせて受光素子を構成したり、ブ
ロッキングダイオード側にマトリックス配線部を設けて
もよい。
【００１３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、マ
トリックス配線部におけるクロストーク防止用のシール
ド層を受光素子を形成する時に同時に形成できるので、
シールド層を形成するための独立した形成工程をもうけ
る必要がなくなりイメージセンサの製造が簡単となる。
トリックス配線部におけるクロストーク防止用のシール
ド層を受光素子を形成する時に同時に形成できるので、
シールド層を形成するための独立した形成工程をもうけ
る必要がなくなりイメージセンサの製造が簡単となる。
【図１】本発明を具体化した一実施例のマトリックス配
線部の拡大断面図である。
線部の拡大断面図である。
【図２】マトリックス配線部の上下両データラインの交
差状態を示す概略平面図である。
差状態を示す概略平面図である。
【図３】受光素子を下部電極の長手方向に切断した断面
図である。
図である。
【図４】従来のイメージセンサの等価回路図である。
２…下部電極、３…マトリックス配線部を構成する下部
データライン、６…光電変換層、７ａ…上部透明電極、
７ｂ…上部透明電極、９…受光素子、１２…シールド層
、１３…マトリックス配線部を構成する上部データライ
ン、ＰＤ１…フォトダイオード、ＰＤ２…フォトダイオ
ード。
データライン、６…光電変換層、７ａ…上部透明電極、
７ｂ…上部透明電極、９…受光素子、１２…シールド層
、１３…マトリックス配線部を構成する上部データライ
ン、ＰＤ１…フォトダイオード、ＰＤ２…フォトダイオ
ード。
Claims (1)
- 【請求項１】 下部電極と上部透明電極との間に光電
変換層が配置されたサンドイッチ構造を有する多数の受
光素子と、信号線用マトリックス配線部とを備えた完全
密着型イメージセンサにおいて、マトリックス配線部の
上下データラインの間に受光素子の上部透明電極を形成
する層と同じ層からなるシールド層を形成したことを特
徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3065901A JPH04302171A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 完全密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3065901A JPH04302171A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 完全密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302171A true JPH04302171A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=13300333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3065901A Pending JPH04302171A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 完全密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302171A (ja) |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3065901A patent/JPH04302171A/ja active Pending
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