JPH043057B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は扁平型陰極線管に係る。

扁平型陰極線管は、例えば第１図及び第２図に
示すように、例えば板状の第１のガラス基板１ａ
と、周辺部に周壁部１b₁とフランジ部１b₂とを有
して皿状をなしフランジ部１b₂が基板１ａの周辺
部に接合封着される第２のガラス基板１ｂとより
なる扁平管体１を有し、この扁平管体１の面方向
に沿つてその外側に延長してネツク管１ｃが設け
られ、このネツク管１ｃ内に電子銃２が配置され
てなる。

基板１ａの内面には、光透過性のターゲツト電
極３が被着され、これの上に螢光面４が塗布され
ている。あるいは図示しないが基板１ａに例えば
額縁状に導電膜が被着されこの額縁内にこの導電
膜上に跨つて螢光面４を被着しこの螢光面４上に
メタルバツク層を施してメタルバツク層及び額縁
状の導電層によつてターゲツト電極を構成する。

他方の基板１ｂ側には夫々ターゲツト電極３、
従つて螢光面４と対向して背面電極５が配置され
る。ネツク管１ｃ及び電子銃２は、前述したよう
に扁平管体の面方向すなわち螢光面４の面方向に
沿つて延長するように配置される。図示の例では
電子銃２の軸心が螢光面４の中央の垂直走査方向
に沿うように且つ螢光面４、従つてターゲツト電
極３と背面電極５との間に形成される主偏向系の
空間の中央に対向するように配置した場合であ
る。６は電子銃２より発射され上述した主偏向系
に向う電子ビームをこの電子銃２の軸心方向とほ
ぼ直交し且つほぼ螢光面４の面方向に沿う方向に
偏向（以下水平偏向という）させる偏向手段で、
この手段６は、例えば磁気コア６ａに電磁線輪６
ｂが配置された電磁偏向手段によつて構成され
る。また、７は同様に電子銃２より発射され主偏
向系に向う電子ビームを螢光面４と直交する方向
に偏向（以下垂直偏向という）させる偏向手段
で、例えば第３図に示すように対の静電偏向板７
ａ及び７ｂより構成される。

このような構成によつて電子銃２より発射され
た電子ビームを、水平偏向手段６によつて螢光面
４上に電子ビームが水平走査されると共に垂直偏
向手段７によつて主偏向系との共働によつて電子
ビームを螢光面４上に垂直方向に走査するように
なされる。ここに、主偏向系を形成するターゲツ
ト電極３には高電圧V₀例えば5KVが印加され、
背面電極５にはこれに比し低い電圧を有するも同
様に高電圧V₁例えば4KVが与えられる。

そして通常、静電偏向手段による垂直偏向手段
７、すなわち電極板７ａ及び７ｂには電圧V₀が
与えられ且つ両電極板７ａ及び７ｂ間に垂直偏向
信号が印加されるようになされる。このような構
成による電子ビームの、螢光面４に直交する方向
の断面における軌跡は、第３図に符号a₁，a₂，a₃
で示すように垂直走査位置、すなわち螢光面４へ
のランデイング位置が電子銃２側に近い方ほど螢
光面４に対する電子ビームの入射方向と螢光面４
とのなす角（以下これを入射角という）ηが小さ
くなる。第４図に示すように、螢光面４に向う電
子ビームを符号ｂで示す円筒体とすると、その螢
光面４への入射角ηと、螢光面４におけるビーム
スポツト径との関係は、第４図を参照して明らか
なようにηが小となる程、螢光面４上におけるス
ポツトの垂直方向の長さは大となるので、この垂
直方向に関する螢光面４上におけるスポツト径と
電子ビームｂの径との比率、すなわち倍率、Ｍ＝
sin１／η と、入射角ηとの関係は第５図中曲線８ に示すようになる。したがつて螢光面４への電子
ビームの入射角度ηが螢光面４の垂直走査方向の
電子銃２に近い端部において例えば16°であれば、
これより一番遠い位置における入射角ηは22°程
度になるので、その倍率Ｍは入射側においては
3.5程度であるものが、入射側とは反対側におい
ては2.5程度となり著しく垂直方向に関する倍率
に差が生じこれが螢光面４におけるスポツトの歪
となる。

本発明はこのような欠点を解消した扁平型陰極
線管を提供するものである。

すなわち本発明においては、上述した扁平型陰
極線管において、特に電子銃より発射される主偏
向系に向うビームに対して例えばその垂直偏向系
の静電偏向を利用してこれに特定の電位関係を与
えるなどの方法によつて螢光面及び背面電極に直
交する方向に関してビームスポツトを縮少するい
わば非点収差を生じさせるレンズ系形成し、特に
螢光面に対し漸次電子銃に近い方にランデイング
する電子ビームに関してより強く縮小する、云い
換えれば、電子銃より遠い方にランデイングする
ビームに関して縮小の度合を弱めるような集束レ
ンズ系を形成するようにする。

第６図を参照して本発明による扁平型陰極線管
の各電極配置構成の一例を示す。図示の例では、
電子銃２が例えば直熱型のカソードＫと、第１グ
リツド電極G₁と、第２グリツド電極G₂と、第３
グリツド電極G₃と、第４グリツド電極G₄とが順
次配列された構成を採る。電子銃２と、主偏向系
すなわちターゲツト電極４と背面電極５の対向部
との間には、前述したように静電偏向電極板７ａ
及び７ｂが対向してなる垂直偏向手段７が配置さ
れるも、特にこの手段７すなわち電極板７ａ及び
７ｂに、背面電極５に与えられる直流電圧V₁、
すなわち、ターゲツト電極４に与えられる最高の
陽極電圧V₀に比しては低いが高圧の電圧V₁を直
流電圧として与え、これに垂直偏向信号電圧＋α
〜−αを重畳するも、この場合、特に背面電極５
に隣合う側の電極７ａに対してこの信号電圧＋α
〜−αを印加する。

そして、電子銃２の最終段の電極、この例では
第４グリツドG₄の垂直偏向手段７に対向する側
の端部には端面板８が設けられ、そこに電子ビー
ム透過孔８ａが設けられる。このビーム透過孔８
ａの直径φは、垂直偏向手段７の対の静電偏向板
７ａ及び７ｂのビーム入射側における間隔ｄとほ
ぼ同程度に選定することが望ましく、更にまた端
面板８と手段７との間隔ｌも、両電極板７ａ及び
７ｂのビームの入射側における間隔ｄとほぼ等し
く選定されることが望ましい。そして電子銃２の
最終段の電極すなわち第４グリツドG₄には、タ
ーゲツト電圧V₀例えば5KVを印加する。因みに
第１グリツドG₁には０〜−35V、第２グリツド
G₂には250V、第３グリツドG₃には550V程度が与
えられる。

このような構成によれば、電子銃２の最終段の
電極G₄に高圧の5KVが与えられ、その後段の垂
直偏向手段７にこれより低い高圧の4KVが与え
られていることによつて、両者間に第７図及び第
８図にその等電位面を細線で示すように垂直方向
に関してのみ集束効果を有する２次元レンズ系、
従つて非点収差レンズ系が形成されるので、この
レンズ系を通過する電子ビームスポツトは垂直偏
向に関して集束、すなわち縮小される。そして電
極板７ａに＋αを重畳するとき、すなわち、電子
ビームを、いわば電極板７ａ側に偏向させてビー
ムを第３図の軌跡a₁で示すように螢光面３１上の
電子銃２側より遠い位置にランデイングさせると
きは、上述の２次元レンズ系を形成する電位差は
特に＋αの与えられた電極板７ａ側において浅く
なり、そのレンズ効果が弱められ、これとは逆
に、電極板７ａに−αを重畳するときは、すなわ
ち、第３図の軌跡a₃で示すような垂直走査位置と
なすときは２次元レンズ効果が強められる。これ
によつて結局、第４図で説明したような入射角η
が大きい方に関しては縮小が弱められるが入射角
ηが小さい方の電子銃２側における垂直方向の倍
率が大なる方向に関しては、２次元レンズ系の垂
直走査方向に関する縮小率が大となるので入射側
における垂直方向に関するスポツト径の増大を阻
止し、各部においてほぼ円形の歪のないスポツト
を螢光面４上に得ることができる。

上述したように上述の構成では、何ら特別なダ
イナミツク補正信号を与えることなく垂直偏向と
同時にスポツト歪に関するダイナミツク補正の効
果をも得ることができる。

そして、また上述の構成によれば、垂直偏向手
段７に、陽極電圧（ターゲツト電圧）V₀より低
い電圧のV₁を与えるようにしたので、ここで、
電子ビームに対し減速電界が与えられることにな
り、この減速部分で電子ビームが垂直偏向を受け
るので、その偏向を受け易く、これに伴つて偏向
電圧を小さくすることができ、更にこの部分にお
いて水平偏向手段６による水平偏向をも行うよう
にするときは、水平・垂直両偏向の低電力化が可
能となる。

また、本発明は上述した構成のものに限られる
ものではなく、種々の電極配置構成を採ることが
できるもので、第９図ないし第１１図はその例を
示す。これら第９図ないし第１１図は夫々電子銃
２が第５図で説明したと同様の構成を採り得るの
で、その第３グリツドG₃より後段側のみを示し、
各電極の配置構成を略線的な断面として示してい
るが、各図において、第５図と対応する部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。

第９図に示すものは、背面電極５と並置してそ
の電子銃２側に中間電極９が配置された構成を採
る場合で、この場合においても、電子銃２の最終
段の電極、図示の例では第４グリツドG₄に、最
高電位のターゲツト電圧V₀が与えられ、垂直偏
向手段７の両静電偏向電極板７ａ及び７ｂに、電
圧V₀より低い高圧の背面電極電圧V₁が与えられ
ると共に、背面電極５側に配置される電極板７ａ
側に偏向信号電圧±αが与えられるようになす。
そして、中間電極９にはターゲツト電圧V₀を与
える。このような構成とする場合、前述したと同
様に２次元レンズ系の非点収差レンズ系が構成さ
れ、前述したと同様の効果が得られるがこの場合
は、第４グリツドG₄と、中間電極９及びターゲ
ツト電極４とに高圧のV₀が与えられ、両者間の
手段７にはこれより低い電圧V₁が与えられるこ
とによつてユニポテンシヤル型のレンズ系が構成
される。

また、第１０図に示す例においては、ターゲツ
ト電極４、したがつて螢光面が配置される側に、
中間電極９と対向して同様にターゲツト電圧V₀
が与えられる第１の補助電極１０が設けられると
共に、この電極１０とターゲツト電極４との間
に、更に第２の補助電極１１が設けられ、これに
背面電極電位V₁を与えた構成とした場合で、こ
の場合においても第９図に示した例と同様にユニ
ポテンシヤル型のレンズ系が構成されるが、この
場合、更に、電極１０及び１１間にバイポテンシ
ヤル型の片レンズが形成される。

更に、第１１図に示す例では、ターゲツト電極
４の配置側に、これと手段７との間に背面電極電
圧V₁が与えられる補助電極１２を設けたもので
あり、更に、前述した各例と相違する点は、電子
銃２の最終段の電極、第４グリツドG₄に背面電
極電位V₁を与え、偏向手段７の両電極板７ａ及
び７ｂに、最高電圧の陽極電圧、すなわちターゲ
ツト電圧V₀を与えたことである。この場合にお
いても、垂直偏向の信号電圧＋α〜−αは、背面
電極５側の電極板７ａに与えられる。

このような構成による場合においても、非点収
差レンズ系が構成されるが、この場合、電子ビー
ム通路の、特にターゲツト電極４が配置される側
（図において下側）に片寄つた位置に、手段７−
補助電極１２−ターゲツト電極４によつて構成さ
れるユニポテンシヤル型のレンズ系が構成される
ので、ターゲツト電極４側に片寄つて通る電子ビ
ーム、すなわち螢光面上の電子銃２に近い方の位
置にランデイングするように螢光面に向う電子ビ
ームに対しては、より強いレンズ作用が働き、こ
のビームに対しターゲツト電極４と垂直方向の縮
小を、より強くすることができることになるの
で、この例においても、結果的に螢光面上におけ
るビームスポツトの歪の補正を、その垂直走査位
置に応じて補正するいわゆるダイナミツク補正と
することができる。

上述したように本発明によれば、特に扁平型構
成としたことによるビームスポツトの歪を効果的
に補正でき、画像の歪がみ、解像度の低下、更に
カラー陰極線管においては色ずれ等のない良質の
画像を再生できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は扁平型陰極線管の正面図及
びその一部を破断した側面図、第３図はその電極
配置図、第４図はそのビーム入射角と倍率の関係
の説明図、第５図はビーム入射角と倍率との関係
を示す曲線図、第６図は本発明による扁平型陰極
線管の一例の電極の配置構成を示す斜視図、第７
図及び第８図はその電位分布の説明図、第９図な
いし第１１図は夫々本発明の他の例の電極の配置
構成を示す略線的断面図である。 １は管体、２は電子銃、３は螢光面、４はター
ゲツト電極、５は背面電極、６は水平偏向手段、
７は垂直偏向手段、７ａ及び７ｂはその静電偏向
電極板、９は中間電極、１０〜１２は補助電極で
ある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 蛍光面に対向して背面電極が設けられて両者
   間に電子ビームの主偏向系が形成され、上記蛍光
   面の面方向に沿う方向に延長して電子銃が配置さ
   れてなる扁平型陰極線管において、 上記電子銃と上記主偏向系との間に静電型垂直
   偏向電極を設けると共に、上記静電型偏向電極近
   傍に、 上記電子銃から上記主偏向系に入る電子ビーム
   を、上記蛍光面及び背面電極とほぼ直交する方向
   に関して縮小させ、且つ該縮小の度合が上記蛍光
   面に対し、上記電子銃より遠い方にランデイング
   する電子ビームに関して弱められるようになされ
   た静電レンズ系が上記静電型偏向電極を一部の構
   成電極として構成されて成る扁平型陰極線管。