JPH0430582Y2 - - Google Patents

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JPH0430582Y2
JPH0430582Y2 JP1008386U JP1008386U JPH0430582Y2 JP H0430582 Y2 JPH0430582 Y2 JP H0430582Y2 JP 1008386 U JP1008386 U JP 1008386U JP 1008386 U JP1008386 U JP 1008386U JP H0430582 Y2 JPH0430582 Y2 JP H0430582Y2
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JP
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light
polarizing beam
switching element
plzt
wave
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、光フアイバ伝送システムにおける光
路切換用デバイスとして用いられる光スイツチの
消光比の改善に関する。
〈従来の技術〉 検光子と偏光子の間にPLZTなどの電気光学効
果を有するスイツチング素子を配して光スイツチ
を構成する場合、検光子と偏光子の組合せとして
は第3図aに示すような直交ニコルモードとbに
示すような平行ニコルモードが考えられる。図a
において、1は偏光子、2は検光子であり、光の
振動モードに対して透過方向が互いに直角に配置
されている。3は偏光子1と検光子2の間に配置
されたスイツチング素子であり、スイツチング素
子3に電圧が印加されていない状態では光は透過
せず、スイツチング素子に電圧が印加されたとき
に光が透過する。図bにおいてはこの関係が逆に
なり、スイツチング素子に電圧が印加されたとき
に光が遮断される。この様な構成におけるスイツ
チング素子の役割は直線偏光の振動方向を90°回
転させることである。
しかしながらPLZTを用いたスイツチング素子
においてはその特性上振動方向を完全に90°回転
させることは不可能であり、その結果、平行ニコ
ルモードを用いた場合光を完全に遮断することが
出来ない。
第4図は従来知られているPLZTを用いた1×
2の光スイツチを示す平面図である。図におい
て、10はスイツチブロツクであり、このスイツ
チブロツク10の中に第1の偏光ビームスプリツ
タ11および第2の偏光ビームスプリツタ12が
所定の距離を隔てて対向して配置され、これらの
偏光ビームスプリツタ11,12の間にPLZTか
らなる第1のスイツチング素子13および第2の
スイツチング素子14が配置されている。
上記構成において、スイツチング素子13,1
4に電圧を印加しない状態で、で示す入力ポー
トから光を入射するとその光は第1の偏光ビーム
スプリツタによりx方向の水平偏光(以下P波と
いう)と、y方向の垂直偏光(以下S波という)
に分離され、P波は第1のスイツチング素子13
を、S波は第2のスイツチング素子14をそのま
ま(S波はS波、P波はP波)の状態で透過す
る。次にこれらの光は第2の偏光ビームスプリツ
タ12に入射し、それぞれの光が合成されて光の
進行方向に対して直角の位置に配置されたで示
す第1の出力ポートから出力する。
上記の状態でスイツチング素子13,14に電
圧を印加すると第1の偏光ビームスプリツタ11
で分離されたP波は第1のスイツチング素子13
により90°回転してS波となり、同様にS波は第
2のスイツチング素子14により90°回転してP
波となる。従つて第2の偏光ビームスプリツタ1
2により合成された後第2のポートへ出力され
る。
〈考案が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記従来の光スイツチにおいて
は直交ニコルモードと平行ニコルモードを組合せ
た状態になつているので、先に述べたように
PLZTの特性上振動方向を完全に90°回転させる
ことが出来ず、→のポートから→のポー
トに光路を切換えた場合、のポートに光が漏
れ、消光比が著しく劣るという問題があつた。
本考案は上記の問題点に鑑みて成されたもの
で、のポートに漏れる光を遮断し消光比の改善
を図ることを目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉 上記問題点を解決するための本考案の構成は、
所定の距離を隔てて対向して配置された第1およ
び第2の偏光ビームスプリツタと、前記偏光ビー
ムスプリツタの中間に配置され、前記第1の偏光
ビームスプリツタからのS波およびP波の直線偏
光の振動方向を制御する電気光学効果を有するス
イツチング素子からなる光スイツチにおいて、前
記第2の偏光ビームスプリツタの一方の出射口に
光散乱用PLZTを設けたことを特徴とするもので
ある。
〈実施例〉 第2図は本考案に用いる光散乱用PLZTの原理
図で、薄板状のPLZT20の両面に透過電極21
を貼付した状態を示す斜視図である。図のように
構成したPLZT20においては透明電極21に電
圧を印加しにい状態では光はPLZTを透過し、透
明電極21に電圧を印加するとAFE/FE(anti
fellow electlic/fellow electlic)の強制相転移
に伴う光の散乱が起こり光がのポートに漏れる
のを防ぐ。この様な現象はLSEO効果(light
scattering electronoptic effect)とよばれ一般
に知られている。
以下、本考案の一実施例を図面に基づいて説明
する。なお、従来技術と同一要素には同一符号を
付して重視する説明は省略する。
第1図は本考案の光スイツチの一実施例を示す
平面図である。図において、30は第2の偏光ビ
ームスプリツタ12と第1の出力ポートの間に
配置された光散乱用PLZTで、第4図に示す従来
例とはこの光散乱用PLZTの有無のみが異なる。
上記構成によれば、第1、第2のスイツチング
素子13,14および光散乱用PLZT30に電圧
を印加しない状態では光は第1の出力ポートに
出力し、第1、第2のスイツチング素子13,1
4および光散乱用PLZT30に電圧を印加した状
態では光は第2のポートに出力する。この場合
光は出力ポート側にも漏れるが光散乱用PLZT
30に当たつて散乱するので出力ポートに出力
されることはない。本考案者の実験によれば、光
の散乱によるコントラストは少なくとも1/10倍
は可能なので、例えば1/50倍の消光比しか得ら
れななかつたものが1/500倍となる 〈考案の効果〉 以上、実施例とともに具体的に説明したように
本考案によれば、出力ポートを切換えた際他方の
ポートに光が漏れることが無いの、消光比の高い
光スイツチを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示す平面図、第2
図は光散乱用PLZTの原理図を示す斜視図、第3
図は直交、平行ニコルモードにおける光の透過状
態を示す説明図、第4図は従来例を示す図であ
る。 10……スイツチブロツク、11……第1の偏
光ビームスプリツタ、3……第12の偏光ビームス
プリツタ、13……第1のスイツチング素子、1
4……第2のスイツチング素子、30……光散乱
用PLZT、……入力ポート、……第1の出力
ポート、……第2の出力ポート。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 所定の距離を隔てて対向して配置された第1お
    よび第2の偏光ビームスプリツタと、前記偏光ビ
    ームスプリツタの中間に配置され、前記第1の偏
    光ビームスプリツタからのS波およびP波の直線
    偏光の振動方向を制御する電気光学効果を有する
    スイツチング素子からなる光スイツチにおいて、
    前記第2の偏光ビームスプリツタの一方の出射口
    に光散乱用PLZTを設けたことを特徴とする光ス
    イツチ。
JP1008386U 1986-01-27 1986-01-27 Expired JPH0430582Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP1008386U JPH0430582Y2 (ja) 1986-01-27 1986-01-27

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JP1008386U JPH0430582Y2 (ja) 1986-01-27 1986-01-27

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Publication Number Publication Date
JPS62123630U JPS62123630U (ja) 1987-08-06
JPH0430582Y2 true JPH0430582Y2 (ja) 1992-07-23

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