JPH04305975A - 有機物半導体素子 - Google Patents
有機物半導体素子Info
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- JPH04305975A JPH04305975A JP3098205A JP9820591A JPH04305975A JP H04305975 A JPH04305975 A JP H04305975A JP 3098205 A JP3098205 A JP 3098205A JP 9820591 A JP9820591 A JP 9820591A JP H04305975 A JPH04305975 A JP H04305975A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- thin film
- film
- polymer hydrogel
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機物半導体素子に係り
、詳しくは光電変換特性等を有する有機物半導体素子に
関する。
、詳しくは光電変換特性等を有する有機物半導体素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、ポルフィリン分子凝集体であるポ
ルフィリン分子膜は、半導体として挙動し、良好な光電
変換機能を有することが知られている。かかるポルフィ
リン分子膜を作製する方法としては主としてスピンコー
ティング法、電解法などのウエットプロセスや、真空蒸
着法、スパッタ法、プラズマ重合法などのドライプロセ
スに分類されるが、これらのうち一般的にはスピンコー
ティング法、電解法、真空蒸着法が用いられている。
ルフィリン分子膜は、半導体として挙動し、良好な光電
変換機能を有することが知られている。かかるポルフィ
リン分子膜を作製する方法としては主としてスピンコー
ティング法、電解法などのウエットプロセスや、真空蒸
着法、スパッタ法、プラズマ重合法などのドライプロセ
スに分類されるが、これらのうち一般的にはスピンコー
ティング法、電解法、真空蒸着法が用いられている。
【０００３】このうち、スピンコーティング法はジクロ
ロメタンのような適当な溶媒に溶かしたポルフィリン溶
液を基板の上に滴下し、基板を回転させることでその上
に薄膜を作製するものである。また、電解法は原料を電
気化学的に電極表面上で電解酸化あるいは電解還元して
薄膜を得ている。一方、真空蒸着法では真空下で試料を
蒸発させ、そのまま基材上に析出付着させている。
ロメタンのような適当な溶媒に溶かしたポルフィリン溶
液を基板の上に滴下し、基板を回転させることでその上
に薄膜を作製するものである。また、電解法は原料を電
気化学的に電極表面上で電解酸化あるいは電解還元して
薄膜を得ている。一方、真空蒸着法では真空下で試料を
蒸発させ、そのまま基材上に析出付着させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの薄膜
作製法で得られた有機物半導体は、膜が極めて薄いこと
もあって膜作製時あるいは膜作製後の各工程での収縮な
どによってピンホールが生成しやすい。
作製法で得られた有機物半導体は、膜が極めて薄いこと
もあって膜作製時あるいは膜作製後の各工程での収縮な
どによってピンホールが生成しやすい。
【０００５】このピンホールは膜の強度を弱めるだけで
なく、湿気や水が付着して破壊することがあった。また
、このような薄膜を用いた素子では電気的な出力を検知
したり、エネルギーを取り出したりする場合に、その膜
上に電極として金属を真空蒸着法などで付着しなければ
ならないが、このとき下電極と上電極がピンホールのた
めに短絡状態になってしまうため、素子として使用でき
なくなる問題があった。
なく、湿気や水が付着して破壊することがあった。また
、このような薄膜を用いた素子では電気的な出力を検知
したり、エネルギーを取り出したりする場合に、その膜
上に電極として金属を真空蒸着法などで付着しなければ
ならないが、このとき下電極と上電極がピンホールのた
めに短絡状態になってしまうため、素子として使用でき
なくなる問題があった。
【０００６】さらに、分子機能素子として有望な有機物
半導体は、できる限り結晶性が良くて配向性が高いこと
が望まれるが、結晶性と配向性を高めると、よりピンホ
ールが出来やすくなる。このため有機物半導体の素子は
結晶性と配向性を高めることができず、スピンコート法
などで作製した非晶性の薄膜を用いていた。しかし、こ
の方法で得られた薄膜は厚さが不均一になり、また、有
機物半導体の機能性を十分に発揮させることができなか
った。
半導体は、できる限り結晶性が良くて配向性が高いこと
が望まれるが、結晶性と配向性を高めると、よりピンホ
ールが出来やすくなる。このため有機物半導体の素子は
結晶性と配向性を高めることができず、スピンコート法
などで作製した非晶性の薄膜を用いていた。しかし、こ
の方法で得られた薄膜は厚さが不均一になり、また、有
機物半導体の機能性を十分に発揮させることができなか
った。
【０００７】本発明はこのような問題点を改善するもの
で、有機物半導体の薄膜を補強して下電極と上電極で短
絡せずに電気信号や電気エネルギーを取り出すことがで
きる有機物半導体素子を提供することを目的とする。
で、有機物半導体の薄膜を補強して下電極と上電極で短
絡せずに電気信号や電気エネルギーを取り出すことがで
きる有機物半導体素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に係る有機
物半導体素子は、透明導電性基材の導電膜表面に、有機
物半導体の薄膜、電気伝導度１０−４Ｓ／ｃｍ以上の高
分子ハイドロゲルシート、そして電極となる金属を順次
積層し、前記導電膜と金属とに端子を取り付けた構成よ
りなる。
物半導体素子は、透明導電性基材の導電膜表面に、有機
物半導体の薄膜、電気伝導度１０−４Ｓ／ｃｍ以上の高
分子ハイドロゲルシート、そして電極となる金属を順次
積層し、前記導電膜と金属とに端子を取り付けた構成よ
りなる。
【０００９】この有機物半導体素子では、電気伝導度１
０−４Ｓ／ｃｍ以上の高分子ハイドロゲルシートが有機
物半導体の薄膜表面に生じたピンホールに充填すること
によって有機物半導体の薄膜を補強する。しかも、ピン
ホールに充填された高分子ハイドロゲルは透明導電性基
材の導電膜表面に一旦は接触するが、その復元力をもつ
特性から導電膜表面から分離し、電極間に短絡を起こさ
ない。
０−４Ｓ／ｃｍ以上の高分子ハイドロゲルシートが有機
物半導体の薄膜表面に生じたピンホールに充填すること
によって有機物半導体の薄膜を補強する。しかも、ピン
ホールに充填された高分子ハイドロゲルは透明導電性基
材の導電膜表面に一旦は接触するが、その復元力をもつ
特性から導電膜表面から分離し、電極間に短絡を起こさ
ない。
【００１０】本発明に係る有機物半導体素子は、図１に
示すように酸化スズ、酸化インジウム、インジウムチン
オキサイド（ＩＴＯ）などからなる導電膜２をガラスな
どの透明部材の表面にコーティグした透明導電性基材１
の導電膜２表面に、有機物半導体の薄膜３、電気伝導度
１０−４Ｓ／ｃｍ以上の高分子ハイドロゲルシート４、
そして金、銀、銅、アルミニウムなどの電極となる金属
５を順次積層し、さらに前記導電膜２と金属５とにそれ
ぞれ端子６、６を取り付けている。
示すように酸化スズ、酸化インジウム、インジウムチン
オキサイド（ＩＴＯ）などからなる導電膜２をガラスな
どの透明部材の表面にコーティグした透明導電性基材１
の導電膜２表面に、有機物半導体の薄膜３、電気伝導度
１０−４Ｓ／ｃｍ以上の高分子ハイドロゲルシート４、
そして金、銀、銅、アルミニウムなどの電極となる金属
５を順次積層し、さらに前記導電膜２と金属５とにそれ
ぞれ端子６、６を取り付けている。
【００１１】このとき、前記薄膜３には、図２に示すよ
うにピンホール７が発生する。このピンホール７には、
高分子ハイドロゲルシート４を充填させるが、該シート
４はその高い弾性と復元力を有するために導電膜２から
容易に離れて電極となる導電膜２と金属５間の短絡を阻
止する。
うにピンホール７が発生する。このピンホール７には、
高分子ハイドロゲルシート４を充填させるが、該シート
４はその高い弾性と復元力を有するために導電膜２から
容易に離れて電極となる導電膜２と金属５間の短絡を阻
止する。
【００１２】前記有機物半導体の薄膜３は、真空蒸着法
、スパッタ法、ＣＶＤ法（化学蒸着）等の方法によって
作製される。具体的には、透明導電性基材１の導電膜２
表面に真空蒸着法により高結晶性、高配向性の有機物半
導体の薄膜３を成膜する。できるだけ高結晶性、高配向
性の薄膜３を得るためには、基材１を２００〜３００℃
に加熱し、蒸着速度を分速１０ｎｍ以下にするとよい。 さらに、高配向性の薄膜３を得るために基板としてＫＣ
ｌを用いて成膜し、これを水の上に浮かせてＫＣｌを溶
解、除去してから透明導電性基材１の上に転写するとよ
い。また、有機物半導体の薄膜３はｐ−ｎジャンクショ
ンなどを得るために２層以上の積層体としてもよい。
、スパッタ法、ＣＶＤ法（化学蒸着）等の方法によって
作製される。具体的には、透明導電性基材１の導電膜２
表面に真空蒸着法により高結晶性、高配向性の有機物半
導体の薄膜３を成膜する。できるだけ高結晶性、高配向
性の薄膜３を得るためには、基材１を２００〜３００℃
に加熱し、蒸着速度を分速１０ｎｍ以下にするとよい。 さらに、高配向性の薄膜３を得るために基板としてＫＣ
ｌを用いて成膜し、これを水の上に浮かせてＫＣｌを溶
解、除去してから透明導電性基材１の上に転写するとよ
い。また、有機物半導体の薄膜３はｐ−ｎジャンクショ
ンなどを得るために２層以上の積層体としてもよい。
【００１３】ここで使用する有機物半導体は、ポルフィ
リン、金属ポルフィリン、フタロシアニン、金属フタロ
シアニン、アントラセン、スピロピラン、アゾベンゼン
およびこれらの誘導体であり、例えばテトラフェニルポ
ルフィリン、テトラピリジルポルフィリン、亜鉛テトラ
フェニルポルフィリン、銅フタロシアニン、１，３，３
−トリメチルインドリノ−６’−ニトロベンゾピリロス
ピラン、１，３，３−トリメチルインドリノナフトスピ
ロオサジン、Ｄ−ジメチルアミノアゾベンゼン、コロネ
ン等がある。
リン、金属ポルフィリン、フタロシアニン、金属フタロ
シアニン、アントラセン、スピロピラン、アゾベンゼン
およびこれらの誘導体であり、例えばテトラフェニルポ
ルフィリン、テトラピリジルポルフィリン、亜鉛テトラ
フェニルポルフィリン、銅フタロシアニン、１，３，３
−トリメチルインドリノ−６’−ニトロベンゾピリロス
ピラン、１，３，３−トリメチルインドリノナフトスピ
ロオサジン、Ｄ−ジメチルアミノアゾベンゼン、コロネ
ン等がある。
【００１４】前記有機物半導体の薄膜３の表面に付着さ
れた高分子ハイドロゲルは、ポリアクリル酸ゲル、ポリ
アクリルアミド、ポリエーテルポリウレタン等であり、
親水性の分子間に水およびイオンを含んでなるものであ
る。
れた高分子ハイドロゲルは、ポリアクリル酸ゲル、ポリ
アクリルアミド、ポリエーテルポリウレタン等であり、
親水性の分子間に水およびイオンを含んでなるものであ
る。
【００１５】この高分子ハイドロゲルシート４は、有機
物半導体の薄膜３の上に設置して加圧密着される。その
厚さは高分子ハイドロゲルの弾性、導電性を考慮して決
定される。高分子ハイドロゲルは有機物半導体の薄膜３
に生じたピンホール７を通して下電極の導電膜２表面に
部分的に接触するが、弾性の高いゲルはゆっくりと元に
戻り、導電膜２Ｖから離れるため電極を短絡させずに有
機物半導体の薄膜３と密着する。
物半導体の薄膜３の上に設置して加圧密着される。その
厚さは高分子ハイドロゲルの弾性、導電性を考慮して決
定される。高分子ハイドロゲルは有機物半導体の薄膜３
に生じたピンホール７を通して下電極の導電膜２表面に
部分的に接触するが、弾性の高いゲルはゆっくりと元に
戻り、導電膜２Ｖから離れるため電極を短絡させずに有
機物半導体の薄膜３と密着する。
【００１６】高分子ハイドロゲルの電気伝導度は、１０
−４Ｓ／ｃｍ以上、望ましくは１０−２Ｓ／ｃｍ以上が
よい。高分子ハイドロゲルの電気伝導度が小さければ小
さい程、有機物半導体の特性を検出することが難しくな
る。
−４Ｓ／ｃｍ以上、望ましくは１０−２Ｓ／ｃｍ以上が
よい。高分子ハイドロゲルの電気伝導度が小さければ小
さい程、有機物半導体の特性を検出することが難しくな
る。
【００１７】また、本発明で用いる金属は、高分子ハイ
ドロゲルシート４と常時接しているため、耐触性のよい
金、銀、また非常に薄い不動態層を形成するアルミニウ
ム、亜鉛などの箔、あるいは金、銀などをメッキした金
属板がよい。
ドロゲルシート４と常時接しているため、耐触性のよい
金、銀、また非常に薄い不動態層を形成するアルミニウ
ム、亜鉛などの箔、あるいは金、銀などをメッキした金
属板がよい。
【００１８】このように、本発明の有機物半導体素子は
、基本的に導電膜２を有する透明導電性基材１、有機物
半導体の薄膜３、電気伝導度１０−４Ｓ／ｃｍ以上の高
分子ハイドロゲルシート４、そして電極となる金属５の
４層を順次積層したもので、各種の半導体デバイス、光
機能性デバイス及びセンサーとして使用出来る。
、基本的に導電膜２を有する透明導電性基材１、有機物
半導体の薄膜３、電気伝導度１０−４Ｓ／ｃｍ以上の高
分子ハイドロゲルシート４、そして電極となる金属５の
４層を順次積層したもので、各種の半導体デバイス、光
機能性デバイス及びセンサーとして使用出来る。
【００１９】
【実施例】次に、本発明を具体的な実施例により更に詳
細に説明する。
細に説明する。
【００２０】実施例１
真空蒸着装置を１０−５Ｔｏｒｒに減圧し、この中で下
地基板としてＩＴＯガラスを２００℃に加熱維持し、こ
の上に蒸発源から亜鉛テトラフェニルポルフィリンを分
速１０ｎｍの速度で蒸着させて厚さ約３００ｎｍの亜鉛
テトラフェニルポルフィリンをＩＴＯガラスの上に成膜
する。この上に厚さ約０．５ｍｍのポリアクリル酸ゲル
を加圧しながら密着させ、さらにその上に５×５ｍｍ形
状の金箔を同じく密着させて４層の積層体を作製した。 次いで、図１に示すようにＩＴＯ膜と金箔との表面に端
子を取り付けて有機物半導体素子を得た。
地基板としてＩＴＯガラスを２００℃に加熱維持し、こ
の上に蒸発源から亜鉛テトラフェニルポルフィリンを分
速１０ｎｍの速度で蒸着させて厚さ約３００ｎｍの亜鉛
テトラフェニルポルフィリンをＩＴＯガラスの上に成膜
する。この上に厚さ約０．５ｍｍのポリアクリル酸ゲル
を加圧しながら密着させ、さらにその上に５×５ｍｍ形
状の金箔を同じく密着させて４層の積層体を作製した。 次いで、図１に示すようにＩＴＯ膜と金箔との表面に端
子を取り付けて有機物半導体素子を得た。
【００２１】上記端子をポテンシオスタットに接続し、
暗所で＋１Ｖから−１Ｖまでの電圧を印加して電流−電
圧特性（ｄａｒｋ）を測定した。なお、＋１ＶとはＩＴ
Ｏにプラス、金箔側にマイナスの電圧を印加することで
あり、−１Ｖとはこれの逆の場合である。更に、上記素
子のガラス基板側から光照射面積１ｃｍ２ で約５０Ｗ
光量のハロゲンランプ（白色光）を照射して、その時の
電流−電圧特性（ｐｈｏｔｏ）を測定した。これらの結
果を図３に示す。
暗所で＋１Ｖから−１Ｖまでの電圧を印加して電流−電
圧特性（ｄａｒｋ）を測定した。なお、＋１ＶとはＩＴ
Ｏにプラス、金箔側にマイナスの電圧を印加することで
あり、−１Ｖとはこれの逆の場合である。更に、上記素
子のガラス基板側から光照射面積１ｃｍ２ で約５０Ｗ
光量のハロゲンランプ（白色光）を照射して、その時の
電流−電圧特性（ｐｈｏｔｏ）を測定した。これらの結
果を図３に示す。
【００２２】図３から明らかなように、ｄａｒｋ時にお
いてＩＴＯ側をプラス、金箔側をマイナスに電圧を印加
した場合では電流は流れず（順方向）、逆にＩＴＯ側を
マイナス、金箔側をプラスに電圧を印加した場合では電
圧の増加に伴って電流は指数関数的に増大した（逆方向
）。これらは整流性および非線形性を示すものである。 光を照射した場合、順、逆方向いずれも電圧の増加と共
に電流は大きく増大し、光応答性を示すと共に光電池特
性を示していることが判る。このことから、亜鉛テトラ
フェニルポルフィリンとポリアクリル酸ゲルシートとの
間では、短絡は全く見られない。
いてＩＴＯ側をプラス、金箔側をマイナスに電圧を印加
した場合では電流は流れず（順方向）、逆にＩＴＯ側を
マイナス、金箔側をプラスに電圧を印加した場合では電
圧の増加に伴って電流は指数関数的に増大した（逆方向
）。これらは整流性および非線形性を示すものである。 光を照射した場合、順、逆方向いずれも電圧の増加と共
に電流は大きく増大し、光応答性を示すと共に光電池特
性を示していることが判る。このことから、亜鉛テトラ
フェニルポルフィリンとポリアクリル酸ゲルシートとの
間では、短絡は全く見られない。
【００２３】比較例１、２
ＩＴＯガラスの上に亜鉛テトラフェニルポルフィリンを
実施例１と同様の方法で真空蒸着し、更にその上に電極
として金を真空蒸着した。金の膜厚が１００ｎｍの場合
を比較例１とし、膜厚が６００ｎｍの場合を比較例２と
した。このようにして得られた有機物半導体素子を実施
例１と同様の方法にｄａｒｋ時とｐｈｏｔｏ時の電流−
電圧特性を測定した。その結果を図４に示す。比較例１
、２の素子における電流−電圧特性は、いずれも直線で
あり、金とＩＴＯが短絡していることが判る。光照射時
、比較例２では全く応答せず比較例１では電流がわずか
に増加するのみであった。このことから比較例の素子は
半導体特性を示していない。
実施例１と同様の方法で真空蒸着し、更にその上に電極
として金を真空蒸着した。金の膜厚が１００ｎｍの場合
を比較例１とし、膜厚が６００ｎｍの場合を比較例２と
した。このようにして得られた有機物半導体素子を実施
例１と同様の方法にｄａｒｋ時とｐｈｏｔｏ時の電流−
電圧特性を測定した。その結果を図４に示す。比較例１
、２の素子における電流−電圧特性は、いずれも直線で
あり、金とＩＴＯが短絡していることが判る。光照射時
、比較例２では全く応答せず比較例１では電流がわずか
に増加するのみであった。このことから比較例の素子は
半導体特性を示していない。
【００２４】実施例２
有機物として銅フタロシアニンを用いたものでそれ以外
は実施例１と全く同様である。この実施例の素子の電流
−電圧特性を図５に示すが、ｄａｒｋ時においてＩＴＯ
側をプラス、金箔側をマイナスに電圧を印加した場合に
は、電流は電圧の増加に伴って指数関数的に増大するよ
うに流れるが、この素子も整流性および非線形性を示す
。一方、光を照射した場合、順、逆方向いずれも電流は
大きく増大し、光応答性を示すと共に光電池特性を示し
ていること、そして電流−電圧特性が非線形性であるた
め、電極間の短絡は起こっていないことが判る。
は実施例１と全く同様である。この実施例の素子の電流
−電圧特性を図５に示すが、ｄａｒｋ時においてＩＴＯ
側をプラス、金箔側をマイナスに電圧を印加した場合に
は、電流は電圧の増加に伴って指数関数的に増大するよ
うに流れるが、この素子も整流性および非線形性を示す
。一方、光を照射した場合、順、逆方向いずれも電流は
大きく増大し、光応答性を示すと共に光電池特性を示し
ていること、そして電流−電圧特性が非線形性であるた
め、電極間の短絡は起こっていないことが判る。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明の有機物半導体素子
では、電極間が短絡することなく、有機物半導体の特性
を十分に活用することができる。また、ごくわずかな湿
気や水滴などによって破壊されやすい有機物半導体もこ
れに密着した高分子ハイドロゲルシートによって補強さ
れているため、細心の注意を払わずとも各種の操作、取
扱いを行うことが出来る。
では、電極間が短絡することなく、有機物半導体の特性
を十分に活用することができる。また、ごくわずかな湿
気や水滴などによって破壊されやすい有機物半導体もこ
れに密着した高分子ハイドロゲルシートによって補強さ
れているため、細心の注意を払わずとも各種の操作、取
扱いを行うことが出来る。
【図１】本発明に係る有機物半導体素子の縦断面図。
【図２】図１に示す有機物半導体素子の一部拡大図。
【図３】実施例１における有機物半導体素子の電流−電
圧特性図。
圧特性図。
【図４】比較例１、２における有機物半導体素子の電流
−電圧特性図。
−電圧特性図。
【図５】実施例２における有機物半導体素子の電流−電
圧特性図。
圧特性図。
１ 透明導電性基材
２ 導電膜
３ 薄膜
４ 高分子ハイドロゲルシート
５ 金属
６ 端子
７ ピンホール
Claims (1)
- 【請求項１】 透明導電性基材の導電膜表面に、有機
物半導体の薄膜、電気伝導度１０−４Ｓ／ｃｍ以上の高
分子ハイドロゲルシート、そして電極となる金属を順次
積層し、前記導電膜と金属とに端子を取り付けたことを
特徴とする有機物半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3098205A JPH04305975A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 有機物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3098205A JPH04305975A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 有機物半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305975A true JPH04305975A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=14213496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3098205A Pending JPH04305975A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 有機物半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04305975A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007039106A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Sii Nanotechnology Inc | 弾性材料を使用した薄板状小片ホルダ |
| JP2013045977A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Seiko Epson Corp | 受光素子、受発光素子、受発光装置および電子機器 |
| CN114939385A (zh) * | 2022-06-06 | 2022-08-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 金属氧化物胶体溶液的制备方法、薄膜、发光器件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5928388A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 光電変換素子 |
-
1991
- 1991-04-02 JP JP3098205A patent/JPH04305975A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5928388A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 光電変換素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2013045977A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Seiko Epson Corp | 受光素子、受発光素子、受発光装置および電子機器 |
| CN114939385A (zh) * | 2022-06-06 | 2022-08-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 金属氧化物胶体溶液的制备方法、薄膜、发光器件 |
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