JPH04306017A - 参照電位発生回路 - Google Patents
参照電位発生回路Info
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- JPH04306017A JPH04306017A JP3047173A JP4717391A JPH04306017A JP H04306017 A JPH04306017 A JP H04306017A JP 3047173 A JP3047173 A JP 3047173A JP 4717391 A JP4717391 A JP 4717391A JP H04306017 A JPH04306017 A JP H04306017A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入力バッファの論理し
きい値を決定する参照電位発生回路に関するものである
。
きい値を決定する参照電位発生回路に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来のＥＣＬレベルの入力信号を
扱う入力バッファと、その入力バッファの論理しきい値
を決定する参照電位発生回路を示したものである。
扱う入力バッファと、その入力バッファの論理しきい値
を決定する参照電位発生回路を示したものである。
【０００３】参照電位発生回路１０１は、抵抗Ｒ２ と
、電源電圧や温度に依存せず一定の電流を供給する定電
流源１１と、エミッタフォロワトランジスタＱ１ と、
定電流源１２とからなり、参照電位ＶＢＢ０ とＶＢＢ
１ を発生する。ＥＣＬ入力バッファ２０１ａは、抵抗
Ｒ２１，Ｒ２２と、エミッタが共通接続されたバイポー
ラトランジスタＱ２１，Ｑ２２と、定電流源１２とから
なりＥＣＬレベルの入力信号ＩＮ１が入力される。ＥＣ
Ｌ入力バッファ２０１ａ，２０１ｂ，…，２０１ｎにお
いても同様に、ＥＣＬレベルの入力信号ＩＮ２，…，Ｉ
Ｎｎが入力される。
、電源電圧や温度に依存せず一定の電流を供給する定電
流源１１と、エミッタフォロワトランジスタＱ１ と、
定電流源１２とからなり、参照電位ＶＢＢ０ とＶＢＢ
１ を発生する。ＥＣＬ入力バッファ２０１ａは、抵抗
Ｒ２１，Ｒ２２と、エミッタが共通接続されたバイポー
ラトランジスタＱ２１，Ｑ２２と、定電流源１２とから
なりＥＣＬレベルの入力信号ＩＮ１が入力される。ＥＣ
Ｌ入力バッファ２０１ａ，２０１ｂ，…，２０１ｎにお
いても同様に、ＥＣＬレベルの入力信号ＩＮ２，…，Ｉ
Ｎｎが入力される。
【０００４】次に動作について説明する。まず、図６に
示したＥＣＬ入力バッファ２０１ａについて説明する。 入力信号ＩＮ１はトランジスタＱ２１のベースに入力さ
れ、トランジスタＱ２２のベースに接続された参照電位
ＶＢＢ１ よりも入力信号の電位が高い場合、トランジ
スタＱ２１がオンし、トランジスタＱ２２がオフして定
電流源１２が供給する電流が抵抗Ｒ２１に流れ、トラン
ジスタＱ２１のコレクタはロウレベルとなり、トランジ
スタＱ２２のコレクタはハイレベルとなる。また、参照
電位ＶＢＢ１よりも入力信号ＩＮ１の電位が低い場合、
トランジスタＱ２１がオフし，トランジスタＱ２２がオ
ンして定電流源１２が供給する電流が抵抗Ｒ２２に流れ
、トランジスタＱ２１のコレクタはハイレベルとなり、
トランジスタＱ２２のコレクタはロウレベルとなる。ト
ランジスタＱ２１，Ｑ２２のコレクタ電位はバッファ出
力として他の内部回路へ伝えられる。このようにＥＣＬ
入力バッファの論理しきい値は参照電位ＶＢＢ１ によ
って決まる。ＥＣＬ入力バッファ２０１ｂ，…，２０１
ｎにおいても同様である。
示したＥＣＬ入力バッファ２０１ａについて説明する。 入力信号ＩＮ１はトランジスタＱ２１のベースに入力さ
れ、トランジスタＱ２２のベースに接続された参照電位
ＶＢＢ１ よりも入力信号の電位が高い場合、トランジ
スタＱ２１がオンし、トランジスタＱ２２がオフして定
電流源１２が供給する電流が抵抗Ｒ２１に流れ、トラン
ジスタＱ２１のコレクタはロウレベルとなり、トランジ
スタＱ２２のコレクタはハイレベルとなる。また、参照
電位ＶＢＢ１よりも入力信号ＩＮ１の電位が低い場合、
トランジスタＱ２１がオフし，トランジスタＱ２２がオ
ンして定電流源１２が供給する電流が抵抗Ｒ２２に流れ
、トランジスタＱ２１のコレクタはハイレベルとなり、
トランジスタＱ２２のコレクタはロウレベルとなる。ト
ランジスタＱ２１，Ｑ２２のコレクタ電位はバッファ出
力として他の内部回路へ伝えられる。このようにＥＣＬ
入力バッファの論理しきい値は参照電位ＶＢＢ１ によ
って決まる。ＥＣＬ入力バッファ２０１ｂ，…，２０１
ｎにおいても同様である。
【０００５】次に参照電位発生回路１０１について説明
する。定電流源１１は電源電圧ＶＥＥや温度に依存しな
い一定の電流を抵抗Ｒ２ に供給するので、参照電位Ｖ
ＢＢ０ は温度変動に対して一定となる。参照電位ＶＢ
Ｂ１ は参照電位ＶＢＢ０ よりもエミッタフォロワト
ランジスタＱ１ のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥだけ
低い電位である。
する。定電流源１１は電源電圧ＶＥＥや温度に依存しな
い一定の電流を抵抗Ｒ２ に供給するので、参照電位Ｖ
ＢＢ０ は温度変動に対して一定となる。参照電位ＶＢ
Ｂ１ は参照電位ＶＢＢ０ よりもエミッタフォロワト
ランジスタＱ１ のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥだけ
低い電位である。
【０００６】図７は図６に示した参照電位発生回路１０
１の具体的な回路例を示したものである。定電流源１１
はトランジスタＱ１１，Ｑ１２，…，Ｑ１５及び抵抗Ｒ
１１，Ｒ１２，…，Ｒ１６から構成されている。抵抗Ｒ
１１，Ｒ１２，…，Ｒ１６と抵抗Ｒ２ とは同じ材料を
用いて構成されており、それぞれの抵抗の温度係数は同
じである。定電流源１２はバイポーラトランジスタＱ４
と抵抗Ｒ４ とから構成されており、トランジスタＱ
４ のベースには電位ＶＣＳが印加されている。電位Ｖ
ＣＳは温度が変化しても定電流源１１に印加されている
電源電圧ＶＥＥとの電位差が一定となるように設定され
ており、定電流源１１の供給する電流は温度に依存しな
い。また定電流源１２は参照電位ＶＢＢ１ 、電位ＶＣ
Ｓや温度によらず一定の電流を供給する。
１の具体的な回路例を示したものである。定電流源１１
はトランジスタＱ１１，Ｑ１２，…，Ｑ１５及び抵抗Ｒ
１１，Ｒ１２，…，Ｒ１６から構成されている。抵抗Ｒ
１１，Ｒ１２，…，Ｒ１６と抵抗Ｒ２ とは同じ材料を
用いて構成されており、それぞれの抵抗の温度係数は同
じである。定電流源１２はバイポーラトランジスタＱ４
と抵抗Ｒ４ とから構成されており、トランジスタＱ
４ のベースには電位ＶＣＳが印加されている。電位Ｖ
ＣＳは温度が変化しても定電流源１１に印加されている
電源電圧ＶＥＥとの電位差が一定となるように設定され
ており、定電流源１１の供給する電流は温度に依存しな
い。また定電流源１２は参照電位ＶＢＢ１ 、電位ＶＣ
Ｓや温度によらず一定の電流を供給する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の参照電位発生回
路は上に示したように構成されており、参照電位ＶＢＢ
０は電源電圧ＶＥＥと温度に対して一定であるが、参照
電位ＶＢＢ１は、温度により変動するトランジスタＱ１
のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥだけ参照電位ＶＢＢ０
よりも低い電位となるので、温度により変動するとい
う問題点がある。具体的にはトランジスタＱ１ のベー
ス・エミッタ間電圧ＶＢＥは室温では０．８Ｖ程度であ
るが、８０℃で０．７Ｖ程度になり、参照電位ＶＢＢ０
の温度変化が全くなくとも参照電位ＶＢＢ１ は温度
により０．１Ｖ程度変動することになる。この参照電位
ＶＢＢ１ が温度により変動すると、ＥＣＬ入力バッフ
ァの論理しきい値は変動する。ＥＣＬレベルの入力レベ
ルにおいてＥＣＬ１００Ｋと呼ばれる標準条件の最も厳
しい条件はハイレベルが−１１６５ｍＶ、ローレベルが
−１４７５ｍＶであり、入力振幅が３１０ｍＶしかない
。このため、ＥＣＬ入力バッファにおいては、論理しき
い値が０．１Ｖ程度変動することは大きな問題となる。 例えば、図８に示すように温度変化のない参照電位ＶＢ
Ｂ０ を複数の入力バッファに与えると、温度による入
力バッファの論理しきい値の変動という問題は解決でき
るように見えるが、実際は各入力バッファのベース電流
が参照電位ＶＢＢ０ 配線から抵抗Ｒ２ に流れること
により参照電位ＶＢＢ０ が変動し、大容量の半導体集
積回路では好ましくない。
路は上に示したように構成されており、参照電位ＶＢＢ
０は電源電圧ＶＥＥと温度に対して一定であるが、参照
電位ＶＢＢ１は、温度により変動するトランジスタＱ１
のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥだけ参照電位ＶＢＢ０
よりも低い電位となるので、温度により変動するとい
う問題点がある。具体的にはトランジスタＱ１ のベー
ス・エミッタ間電圧ＶＢＥは室温では０．８Ｖ程度であ
るが、８０℃で０．７Ｖ程度になり、参照電位ＶＢＢ０
の温度変化が全くなくとも参照電位ＶＢＢ１ は温度
により０．１Ｖ程度変動することになる。この参照電位
ＶＢＢ１ が温度により変動すると、ＥＣＬ入力バッフ
ァの論理しきい値は変動する。ＥＣＬレベルの入力レベ
ルにおいてＥＣＬ１００Ｋと呼ばれる標準条件の最も厳
しい条件はハイレベルが−１１６５ｍＶ、ローレベルが
−１４７５ｍＶであり、入力振幅が３１０ｍＶしかない
。このため、ＥＣＬ入力バッファにおいては、論理しき
い値が０．１Ｖ程度変動することは大きな問題となる。 例えば、図８に示すように温度変化のない参照電位ＶＢ
Ｂ０ を複数の入力バッファに与えると、温度による入
力バッファの論理しきい値の変動という問題は解決でき
るように見えるが、実際は各入力バッファのベース電流
が参照電位ＶＢＢ０ 配線から抵抗Ｒ２ に流れること
により参照電位ＶＢＢ０ が変動し、大容量の半導体集
積回路では好ましくない。
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、入力バッファの論理しきい値
を決定する参照電位の温度変化を抑えることができる参
照電位発生回路を得ることを目的とする。
るためになされたもので、入力バッファの論理しきい値
を決定する参照電位の温度変化を抑えることができる参
照電位発生回路を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る参照電
位発生回路は、温度に依存することなく一定の電流を供
給する定電流回路と、一端を電源端子に、他端を前記定
電流回路にそれぞれ接続した、正の温度係数を有する抵
抗素子と、前記抵抗素子の前記他端にベースが、前記電
源端子にコレクタがそれぞれ接続され、エミッタにおい
て参照電位を発生するトランジスタと、を備える。
位発生回路は、温度に依存することなく一定の電流を供
給する定電流回路と、一端を電源端子に、他端を前記定
電流回路にそれぞれ接続した、正の温度係数を有する抵
抗素子と、前記抵抗素子の前記他端にベースが、前記電
源端子にコレクタがそれぞれ接続され、エミッタにおい
て参照電位を発生するトランジスタと、を備える。
【００１０】第２の発明に係る参照電位発生回路は、温
度に依存することなく一定の電流を供給する定電流回路
と、第１の電流電極が電源端子に接続され、第２の電流
電極が前記定電流回路に接続されたＭＯＳ型半導体と、
前記第２の電流電極にベースが、前記電源端子にコレク
タが、前記ＭＯＳ型半導体の電流制御電極にエミッタが
それぞれ接続され、前記エミッタにおいて参照電位を発
生するトランジスタと、を備える。
度に依存することなく一定の電流を供給する定電流回路
と、第１の電流電極が電源端子に接続され、第２の電流
電極が前記定電流回路に接続されたＭＯＳ型半導体と、
前記第２の電流電極にベースが、前記電源端子にコレク
タが、前記ＭＯＳ型半導体の電流制御電極にエミッタが
それぞれ接続され、前記エミッタにおいて参照電位を発
生するトランジスタと、を備える。
【００１１】
【作用】第１の発明における抵抗素子は、その温度係数
が正であり、トランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ
ＢＥの温度変化を補償する。
が正であり、トランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ
ＢＥの温度変化を補償する。
【００１２】第２の発明におけるＭＯＳ型半導体装置の
オン抵抗は参照電位ＶＢＢ１ のフィードバックを受け
て変化する。
オン抵抗は参照電位ＶＢＢ１ のフィードバックを受け
て変化する。
【００１３】
【実施例】以下、第１の発明の実施例を図について説明
する。図１は第１の発明の参照電位発生回路である。定
電流源１１は電源電圧ＶＥＥや温度の変化に依存しない
で一定の電流を供給し、抵抗Ｒ１ は定電流源１１を構
成する抵抗と温度係数が異なる。エミッタフォロワトラ
ンジスタＱ１ のエミッタには定電流源１２が接続され
ており、トランジスタＱ１ のエミッタから参照電位Ｖ
ＢＢ１ を発生する。
する。図１は第１の発明の参照電位発生回路である。定
電流源１１は電源電圧ＶＥＥや温度の変化に依存しない
で一定の電流を供給し、抵抗Ｒ１ は定電流源１１を構
成する抵抗と温度係数が異なる。エミッタフォロワトラ
ンジスタＱ１ のエミッタには定電流源１２が接続され
ており、トランジスタＱ１ のエミッタから参照電位Ｖ
ＢＢ１ を発生する。
【００１４】図２は図１に示した参照電位発生回路に使
われている定電流源１１、１２の具体的な回路例である
。定電流源１１は図７の場合と同様にトランジスタＱ１
１，Ｑ１２，…，Ｑ１５及び抵抗Ｒ１１，Ｒ１２，…，
Ｒ１６から構成されている。
われている定電流源１１、１２の具体的な回路例である
。定電流源１１は図７の場合と同様にトランジスタＱ１
１，Ｑ１２，…，Ｑ１５及び抵抗Ｒ１１，Ｒ１２，…，
Ｒ１６から構成されている。
【００１５】例えば、定電流源１１を構成する抵抗Ｒ１
１，Ｒ１２，…，Ｒ１６がポリシリコンにより構成され
ているとすると、ポリシリコン抵抗の温度係数は負であ
り、温度が上昇すると抵抗値は減少する。一方抵抗Ｒ１
として、例えばシリコン基板にＰ型またはＮ型の不純
物を拡散させた拡散抵抗を用いると、抵抗Ｒ１１，Ｒ１
２，…，Ｒ１６とは異なり正の温度係数を持つので、温
度が上昇すると抵抗値は増加する。
１，Ｒ１２，…，Ｒ１６がポリシリコンにより構成され
ているとすると、ポリシリコン抵抗の温度係数は負であ
り、温度が上昇すると抵抗値は減少する。一方抵抗Ｒ１
として、例えばシリコン基板にＰ型またはＮ型の不純
物を拡散させた拡散抵抗を用いると、抵抗Ｒ１１，Ｒ１
２，…，Ｒ１６とは異なり正の温度係数を持つので、温
度が上昇すると抵抗値は増加する。
【００１６】次に図１に示した参照電位発生回路の動作
について説明する。定電流源１１は電源電圧ＶＥＥや温
度に依存しない一定の電流を抵抗Ｒ１ に供給する。今
、温度が上昇した場合を考える。参照電位ＶＢＢ１は参
照電位ＶＢＢ０ よりもエミッタフォロワトランジスタ
Ｑ１ のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥだけ低い電圧で
あり、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥは温度が上昇する
と小さくなるので、参照電位ＶＢＢ１ は温度上昇に伴
って増大する。しかし、抵抗Ｒ１ の温度係数は正であ
り、これを流れる電流は温度に依存しないで一定である
ので、抵抗Ｒ１ による電圧降下は増大し、参照電位Ｖ
ＢＢ０ の電位は低下する。 よって参照電位ＶＢＢ０ の温度による変化量とベース
・エミッタ間電圧ＶＢＥの温度による変化量とを相殺さ
せることにより、参照電位ＶＢＢ１ を温度上昇に対し
て一定にすることができる。温度が低下した場合も同様
にして参照電位ＶＢＢ１ を一定にすることができる。
について説明する。定電流源１１は電源電圧ＶＥＥや温
度に依存しない一定の電流を抵抗Ｒ１ に供給する。今
、温度が上昇した場合を考える。参照電位ＶＢＢ１は参
照電位ＶＢＢ０ よりもエミッタフォロワトランジスタ
Ｑ１ のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥだけ低い電圧で
あり、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥは温度が上昇する
と小さくなるので、参照電位ＶＢＢ１ は温度上昇に伴
って増大する。しかし、抵抗Ｒ１ の温度係数は正であ
り、これを流れる電流は温度に依存しないで一定である
ので、抵抗Ｒ１ による電圧降下は増大し、参照電位Ｖ
ＢＢ０ の電位は低下する。 よって参照電位ＶＢＢ０ の温度による変化量とベース
・エミッタ間電圧ＶＢＥの温度による変化量とを相殺さ
せることにより、参照電位ＶＢＢ１ を温度上昇に対し
て一定にすることができる。温度が低下した場合も同様
にして参照電位ＶＢＢ１ を一定にすることができる。
【００１７】もちろん、この発明において定電流源１１
，１２の構造は上記実施例に示したものには限定されず
、抵抗Ｒ１ の温度係数が正であればよい。
，１２の構造は上記実施例に示したものには限定されず
、抵抗Ｒ１ の温度係数が正であればよい。
【００１８】次に、第２の発明の実施例を説明する。図
３に第２の発明の参照電位発生回路の第１の実施例を示
す。定電流源１１は電源電圧や温度の変化に依存せず一
定の電流を供給する。ＰＭＯＳトランジスタＭ１ のソ
ースは接地され、ドレインは定電流源１１に接続され、
ゲートは参照電位ＶＢＢ１ に接続されている。エミッ
タフォロワトランジスタＱ１ のエミッタには定電流源
１２が接続されており、トランジスタＱ１ のエミッタ
から参照電位ＶＢＢ１ が発生する。
３に第２の発明の参照電位発生回路の第１の実施例を示
す。定電流源１１は電源電圧や温度の変化に依存せず一
定の電流を供給する。ＰＭＯＳトランジスタＭ１ のソ
ースは接地され、ドレインは定電流源１１に接続され、
ゲートは参照電位ＶＢＢ１ に接続されている。エミッ
タフォロワトランジスタＱ１ のエミッタには定電流源
１２が接続されており、トランジスタＱ１ のエミッタ
から参照電位ＶＢＢ１ が発生する。
【００１９】次に図３に示した参照電位発生回路の動作
について説明する。定電流源１１は温度に依存せずに一
定の電流をＰＭＯＳトランジスタＭ１ に供給する。従
って、ＰＭＯＳトランジスタＭ１ のドレイン電流は温
度によらず一定である。一方ＰＭＯＳトランジスタＭ１
のゲートは参照電位ＶＢＢ１ に接続されているので
、参照電位ＶＢＢ１ の電位がフィードバックされてＰ
ＭＯＳトランジスタＭ１ のオン抵抗が変化するような
構成となっている。即ち、参照電位ＶＢＢ１ の電位が
下がると、ＰＭＯＳトランジスタＭ１ のゲート・ソー
ス間電圧ＶＧＳが大きくなって、ＰＭＯＳトランジスタ
Ｍ１ のオン抵抗が小さくなり、参照電位ＶＢＢ１ の
電位を上げる方向に動作する。 また、逆に参照電位ＶＢＢ１ の電位が上がると、ＰＭ
ＯＳトランジスタＭ１ のゲート・ソース間電圧ＶＧＳ
が小さくなって、ＰＭＯＳトランジスタＭ１のオン抵抗
が大きくなり、参照電位ＶＢＢ１ の電位を下げる方向
に動作する。 このように、第２の発明の参照電位発生回路は、温度が
変化してトランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧Ｖ
ＢＥが変化しても、ＰＭＯＳトランジスタＭ１ のオン
抵抗が補償的に変化するため、参照電位ＶＢＢ１ の変
化を抑えることができる。
について説明する。定電流源１１は温度に依存せずに一
定の電流をＰＭＯＳトランジスタＭ１ に供給する。従
って、ＰＭＯＳトランジスタＭ１ のドレイン電流は温
度によらず一定である。一方ＰＭＯＳトランジスタＭ１
のゲートは参照電位ＶＢＢ１ に接続されているので
、参照電位ＶＢＢ１ の電位がフィードバックされてＰ
ＭＯＳトランジスタＭ１ のオン抵抗が変化するような
構成となっている。即ち、参照電位ＶＢＢ１ の電位が
下がると、ＰＭＯＳトランジスタＭ１ のゲート・ソー
ス間電圧ＶＧＳが大きくなって、ＰＭＯＳトランジスタ
Ｍ１ のオン抵抗が小さくなり、参照電位ＶＢＢ１ の
電位を上げる方向に動作する。 また、逆に参照電位ＶＢＢ１ の電位が上がると、ＰＭ
ＯＳトランジスタＭ１ のゲート・ソース間電圧ＶＧＳ
が小さくなって、ＰＭＯＳトランジスタＭ１のオン抵抗
が大きくなり、参照電位ＶＢＢ１ の電位を下げる方向
に動作する。 このように、第２の発明の参照電位発生回路は、温度が
変化してトランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧Ｖ
ＢＥが変化しても、ＰＭＯＳトランジスタＭ１ のオン
抵抗が補償的に変化するため、参照電位ＶＢＢ１ の変
化を抑えることができる。
【００２０】次に、第２の発明の第２、第３の実施例を
それぞれ図４と図５に示す。図４は図３の参照電位発生
回路のＰＭＯＳトランジスタＭ１ のゲートを参照電位
ＶＢＢ１よりもダイオードＤ１ の順方向電圧ＶＴ だ
け低い電位に接続したものであり、図５は図３の参照電
位発生回路のＰＭＯＳトランジスタＭ１ のゲートを参
照電位ＶＢＢ１ よりも２・ＶＴ だけ低い電位に接続
したものである。このように、ダイオードを１つまたは
直列に複数個接続して参照電位ＶＢＢ１ よりもｎ・Ｖ
Ｔ だけ低い電位を作って、ＰＭＯＳトランジスタＭ１
のゲートに接続してフィードバックをかけても同様の
効果が得られる。
それぞれ図４と図５に示す。図４は図３の参照電位発生
回路のＰＭＯＳトランジスタＭ１ のゲートを参照電位
ＶＢＢ１よりもダイオードＤ１ の順方向電圧ＶＴ だ
け低い電位に接続したものであり、図５は図３の参照電
位発生回路のＰＭＯＳトランジスタＭ１ のゲートを参
照電位ＶＢＢ１ よりも２・ＶＴ だけ低い電位に接続
したものである。このように、ダイオードを１つまたは
直列に複数個接続して参照電位ＶＢＢ１ よりもｎ・Ｖ
Ｔ だけ低い電位を作って、ＰＭＯＳトランジスタＭ１
のゲートに接続してフィードバックをかけても同様の
効果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように第１の発明によれば、抵抗
素子の温度係数が正であり、定電流回路が供する定電流
による電圧降下がトランジスタのベース・エミッタ間電
圧ＶＢＥの温度変化を補償するので、参照電位の温度変
化を抑えた参照電位発生回路を得ることができる。
素子の温度係数が正であり、定電流回路が供する定電流
による電圧降下がトランジスタのベース・エミッタ間電
圧ＶＢＥの温度変化を補償するので、参照電位の温度変
化を抑えた参照電位発生回路を得ることができる。
【００２２】又、第２の発明によれば、定電流回路がＭ
ＯＳ型半導体装置に一定の電流を流し、ＭＯＳ型半導体
装置のオン抵抗は参照電位ＶＢＢ１ のフィードバック
を受けるので、参照電位の温度変化を抑えた参照電位発
生回路を得ることができる。
ＯＳ型半導体装置に一定の電流を流し、ＭＯＳ型半導体
装置のオン抵抗は参照電位ＶＢＢ１ のフィードバック
を受けるので、参照電位の温度変化を抑えた参照電位発
生回路を得ることができる。
【図１】第１の発明の一実施例による参照電位発生回路
の回路図である。
の回路図である。
【図２】図１に示した参照電位発生回路の具体的構成を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図３】第２の発明の第１の実施例による参照電位発生
回路の回路図である。
回路の回路図である。
【図４】第２の発明の第２の実施例による参照電位発生
回路の回路図である。
回路の回路図である。
【図５】第２の発明の第３の実施例による参照電位発生
回路の回路図である。
回路の回路図である。
【図６】従来の半導体集積回路の入力バッファと参照電
位発生回路の回路図である。
位発生回路の回路図である。
【図７】図６に示した参照電位発生回路の具体的構成を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図８】従来の半導体集積回路の入力バッファと参照電
位発生回路の回路図である。
位発生回路の回路図である。
１１ 定電流源
Ｒ１ 温度係数が正の抵抗
Ｑ１ トランジスタ
Claims (2)
- 【請求項１】 温度に依存することなく一定の電流を
供給する定電流回路と、一端を電源端子に、他端を前記
定電流回路にそれぞれ接続した、正の温度係数を有する
抵抗素子と、前記抵抗素子の前記他端にベースが、前記
電源端子にコレクタがそれぞれ接続され、エミッタにお
いて参照電位を発生するトランジスタと、を備えること
を特徴とする参照電位発生回路。 - 【請求項２】 温度に依存することなく一定の電流を
供給する定電流回路と、第１の電流電極が電源端子に接
続され、第２の電流電極が前記定電流回路に接続された
ＭＯＳ型半導体装置と、前記第２の電流電極にベースが
、前記電源端子にコレクタが、前記ＭＯＳ型半導体装置
の電流制御電極にエミッタがそれぞれ接続され、前記エ
ミッタにおいて参照電位を発生するトランジスタと、を
備えることを特徴とする参照電位発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3047173A JPH04306017A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 参照電位発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3047173A JPH04306017A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 参照電位発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306017A true JPH04306017A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=12767678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3047173A Pending JPH04306017A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 参照電位発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04306017A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0913937B1 (en) * | 1997-10-29 | 2003-01-02 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Clock driver apparatus with programmable output characteristics |
| CN102931968A (zh) * | 2012-10-12 | 2013-02-13 | 南京协众汽车空调集团有限公司 | 一种电动汽车空调用ptc加热器驱动模块 |
| CN104460812A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-03-25 | 西安电子科技大学 | 一种原边反馈变换器的输出整流二极管温度补偿电路 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP3047173A patent/JPH04306017A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0913937B1 (en) * | 1997-10-29 | 2003-01-02 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Clock driver apparatus with programmable output characteristics |
| CN102931968A (zh) * | 2012-10-12 | 2013-02-13 | 南京协众汽车空调集团有限公司 | 一种电动汽车空调用ptc加热器驱动模块 |
| CN104460812A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-03-25 | 西安电子科技大学 | 一种原边反馈变换器的输出整流二极管温度补偿电路 |
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