JPH04306539A - らせん形遅波回路構体 - Google Patents
らせん形遅波回路構体Info
- Publication number
- JPH04306539A JPH04306539A JP3068195A JP6819591A JPH04306539A JP H04306539 A JPH04306539 A JP H04306539A JP 3068195 A JP3068195 A JP 3068195A JP 6819591 A JP6819591 A JP 6819591A JP H04306539 A JPH04306539 A JP H04306539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spiral
- wave circuit
- helix
- metal cylinder
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/24—Slow-wave structures, e.g. delay systems
- H01J23/26—Helical slow-wave structures; Adjustment therefor
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、進行波管や後進波管な
どに使用されるらせん形遅波回路構体に関する。
どに使用されるらせん形遅波回路構体に関する。
【０００２】
【従来の技術】進行波管や後進波管のらせん形遅波回路
は、電子ビームの一部が近接して通過するため、電子ビ
ームの一部がらせん形遅波回路に衝突して生ずる発熱お
よびらせん形遅波回路を伝播する高周波電力の抵抗損失
による発熱などにより加熱される。このような発熱作用
により比較的熱容量の小さいらせん形遅波回路は、かな
り高い温度に達し、これは高周波損失の増大および遅波
回路からのガス放出の増加を招き、進行波管や後進波管
の出力低下やビーム透過率の悪化および雑音増加等の原
因になるばかりでなく、短寿命につながる要因を含んで
いる。近年、進行波管は、さらに高周波数、高出力化の
需要が増加しており、これらに使用されるらせん形遅波
回路は、らせんの耐熱性およびらせんからの熱放散手段
の他に誘電体支柱の誘電率および熱伝導率が重要な課題
となっている。
は、電子ビームの一部が近接して通過するため、電子ビ
ームの一部がらせん形遅波回路に衝突して生ずる発熱お
よびらせん形遅波回路を伝播する高周波電力の抵抗損失
による発熱などにより加熱される。このような発熱作用
により比較的熱容量の小さいらせん形遅波回路は、かな
り高い温度に達し、これは高周波損失の増大および遅波
回路からのガス放出の増加を招き、進行波管や後進波管
の出力低下やビーム透過率の悪化および雑音増加等の原
因になるばかりでなく、短寿命につながる要因を含んで
いる。近年、進行波管は、さらに高周波数、高出力化の
需要が増加しており、これらに使用されるらせん形遅波
回路は、らせんの耐熱性およびらせんからの熱放散手段
の他に誘電体支柱の誘電率および熱伝導率が重要な課題
となっている。
【０００３】従来のらせん形遅波回路構体においては、
丸線またはテープを用いてらせんが形成され、その外周
囲に複数本の円柱状または角柱状の誘電体支柱が配設さ
れ、これらを金属円筒内に収納し適当な手段を用いてら
せんおよび誘電体支柱を締結固定していた。その一例を
図３（ａ），（ｂ）により説明する。図３において遅波
回路を形成するらせん１は、電子ビームの衝突等によっ
ても軟化，変形しにくい比較的融点の高いタングステン
やモリブデンを線状またはテープ状に加工し、らせん状
に巻いたものである。らせん１の外周部には、１２０度
間隔で３本の角柱の誘電体支柱１２，１３，１４が配設
され、さらにその外周に金属円筒５が設けられている。
丸線またはテープを用いてらせんが形成され、その外周
囲に複数本の円柱状または角柱状の誘電体支柱が配設さ
れ、これらを金属円筒内に収納し適当な手段を用いてら
せんおよび誘電体支柱を締結固定していた。その一例を
図３（ａ），（ｂ）により説明する。図３において遅波
回路を形成するらせん１は、電子ビームの衝突等によっ
ても軟化，変形しにくい比較的融点の高いタングステン
やモリブデンを線状またはテープ状に加工し、らせん状
に巻いたものである。らせん１の外周部には、１２０度
間隔で３本の角柱の誘電体支柱１２，１３，１４が配設
され、さらにその外周に金属円筒５が設けられている。
【０００４】一般に誘電体支柱１２，１３，１４は熱伝
導性の優れたベリリアセラミックが用いられていたが、
最近では窒化アルミニウムさらには誘電率が小さい異方
性の窒化ホウ素（以下Ｐ−ＢＮと略称）が開発され用い
られている。この場合、Ｐ−ＢＮは層状構造になってお
り、層と平行な方向をａ方向、層と垂直な方向をｃ方向
と呼んでいる。一般にＰ−ＢＮはａ方向とｃ方向では物
理的，機械的特性が大きく異なり、ａ方向がｃ方向に比
較して優れている。このため、らせん１とＰ−ＢＮ製支
柱１２，１３，１４との接触面に対して垂直方向にａ方
向、平行方向にｃ方向がくるようにＰ−ＢＮを用いてい
る。次に金属円筒５としては、この外側にらせん１の内
側を走行する電子ビームを集束するための磁界を与える
手段を配置することから、主としてステンレス鋼管が使
用される。
導性の優れたベリリアセラミックが用いられていたが、
最近では窒化アルミニウムさらには誘電率が小さい異方
性の窒化ホウ素（以下Ｐ−ＢＮと略称）が開発され用い
られている。この場合、Ｐ−ＢＮは層状構造になってお
り、層と平行な方向をａ方向、層と垂直な方向をｃ方向
と呼んでいる。一般にＰ−ＢＮはａ方向とｃ方向では物
理的，機械的特性が大きく異なり、ａ方向がｃ方向に比
較して優れている。このため、らせん１とＰ−ＢＮ製支
柱１２，１３，１４との接触面に対して垂直方向にａ方
向、平行方向にｃ方向がくるようにＰ−ＢＮを用いてい
る。次に金属円筒５としては、この外側にらせん１の内
側を走行する電子ビームを集束するための磁界を与える
手段を配置することから、主としてステンレス鋼管が使
用される。
【０００５】金属円筒５内に収納されたらせん１および
３本のＰ−ＢＮ製支柱１２，１３，１４は適当な手段を
用いて金属円筒５に締結されるが、一般には金属円筒５
を３方向から外圧を加えて変形させておいて、らせん１
およびＰ−ＢＮ製支柱１２，１３，１４を挿入し、その
後金属円筒状体５に加えていた外圧を除去することによ
り、金属円筒状体５の復元力でらせん１とＰ−ＢＮ製支
柱１２，１３，１４を締結するいわゆるディストーショ
ンスクイズ法が用いられている。
３本のＰ−ＢＮ製支柱１２，１３，１４は適当な手段を
用いて金属円筒５に締結されるが、一般には金属円筒５
を３方向から外圧を加えて変形させておいて、らせん１
およびＰ−ＢＮ製支柱１２，１３，１４を挿入し、その
後金属円筒状体５に加えていた外圧を除去することによ
り、金属円筒状体５の復元力でらせん１とＰ−ＢＮ製支
柱１２，１３，１４を締結するいわゆるディストーショ
ンスクイズ法が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のらせん形遅波回路においては、誘電体支柱１２
，１３，１４がベリリアセラミックおよび窒化アルミニ
ウムの場合、熱伝導率，機械的強度上は全く問題無いが
、誘電率が比較的高い（ε；６．５〜８）ことが、進行
波管の高効率化を妨げる要因となっている。
た従来のらせん形遅波回路においては、誘電体支柱１２
，１３，１４がベリリアセラミックおよび窒化アルミニ
ウムの場合、熱伝導率，機械的強度上は全く問題無いが
、誘電率が比較的高い（ε；６．５〜８）ことが、進行
波管の高効率化を妨げる要因となっている。
【０００７】また、誘電体支柱１２，１３，１４がＰ−
ＢＮの場合、折曲げおよび圧縮強度がベリリアセラミッ
ク，窒化アルミニウムより弱いためスクイズ法によりら
せん１とＰ−ＢＮ製支柱１２，１３，１４が締結する際
、Ｐ−ＢＮ製支柱１２，１３，１４にせん断応力が加わ
り、クラックが多発するという不具合も発生した。この
クラックにより、進行波管の高周波特性に影響を及ぼす
とともに出力並びに利得低下にもつながるという欠点が
あった。さらに、締結時に入ったＰ−ＢＮ製支柱１２，
１３，１４のクラックは、進行波管の動作時に熱履歴を
受けて進行した場合進行波管の動作不能につながるとい
う致命的な欠陥もあった。
ＢＮの場合、折曲げおよび圧縮強度がベリリアセラミッ
ク，窒化アルミニウムより弱いためスクイズ法によりら
せん１とＰ−ＢＮ製支柱１２，１３，１４が締結する際
、Ｐ−ＢＮ製支柱１２，１３，１４にせん断応力が加わ
り、クラックが多発するという不具合も発生した。この
クラックにより、進行波管の高周波特性に影響を及ぼす
とともに出力並びに利得低下にもつながるという欠点が
あった。さらに、締結時に入ったＰ−ＢＮ製支柱１２，
１３，１４のクラックは、進行波管の動作時に熱履歴を
受けて進行した場合進行波管の動作不能につながるとい
う致命的な欠陥もあった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のらせん形遅波回
路構体は、らせんと石英製支柱と金属円筒から構成され
、かつ石英製支柱の外表面には熱伝導性に優れた窒化ホ
ウ素または人工ダイヤモンドの被膜が設けられているこ
とを特徴としている。
路構体は、らせんと石英製支柱と金属円筒から構成され
、かつ石英製支柱の外表面には熱伝導性に優れた窒化ホ
ウ素または人工ダイヤモンドの被膜が設けられているこ
とを特徴としている。
【０００９】石英は、機械的強度では折曲げ強度が７ｋ
ｇ／ｍｍ２ と強く、誘電率も３．９と小さいが、熱伝
導率は１Ｗ／ｍ・ｋ（ＢｅＯ：２５０Ｗ／ｍ・ｋ）と非
常に小さい。一方、被膜の中でも、窒化ホウ素および人
工ダイヤモンドは熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・ｋ程度、誘電
率は３〜６である。一般に窒化ホウ素および人工ダイヤ
モンド膜の形成技術としては、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が用
いられており５〜１００μｍの厚さが得られる。
ｇ／ｍｍ２ と強く、誘電率も３．９と小さいが、熱伝
導率は１Ｗ／ｍ・ｋ（ＢｅＯ：２５０Ｗ／ｍ・ｋ）と非
常に小さい。一方、被膜の中でも、窒化ホウ素および人
工ダイヤモンドは熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・ｋ程度、誘電
率は３〜６である。一般に窒化ホウ素および人工ダイヤ
モンド膜の形成技術としては、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が用
いられており５〜１００μｍの厚さが得られる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）は本発明の第１の実施例を示す正面断面
図、図１（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す一部破断
斜視図である。まず、縦１ｍｍ，横２ｍｍ，長さ１００
ｍｍの石英製支柱２，３，４は、全面に窒化ホウ素被膜
６，７，８が形成される。この場合、窒化ホウ素被膜の
生成はプラズマＣＶＤ法で行い、その厚さは５０μｍで
ある。次に、らせん１はタングステンから成り、幅１．
５ｍｍ，厚さ１ｍｍのテープ状のものを内径２ｍｍに加
工している。らせん１と石英製支柱２，３，４は、らせ
ん１の外周囲１２０度間隔ごとに支柱２，３，４がくる
ように配設される。かかるらせん１と窒化ホウ素被膜６
，７，８が設けられた石英製支柱２，３，４との構体を
ステンレス鋼より成る金属円筒５に収納し、らせん形遅
波回路構体が構成されている。この場合、金属円筒５を
その外周囲の３方向から外圧を加えて変形させておいて
、らせん１および石英製支柱２，３，４を挿入し、その
後金属円筒５に加えていた外圧を除去することにより、
金属円筒５の復元力でらせん１および石英製支柱２，３
，４は締結される。
る。図１（ａ）は本発明の第１の実施例を示す正面断面
図、図１（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す一部破断
斜視図である。まず、縦１ｍｍ，横２ｍｍ，長さ１００
ｍｍの石英製支柱２，３，４は、全面に窒化ホウ素被膜
６，７，８が形成される。この場合、窒化ホウ素被膜の
生成はプラズマＣＶＤ法で行い、その厚さは５０μｍで
ある。次に、らせん１はタングステンから成り、幅１．
５ｍｍ，厚さ１ｍｍのテープ状のものを内径２ｍｍに加
工している。らせん１と石英製支柱２，３，４は、らせ
ん１の外周囲１２０度間隔ごとに支柱２，３，４がくる
ように配設される。かかるらせん１と窒化ホウ素被膜６
，７，８が設けられた石英製支柱２，３，４との構体を
ステンレス鋼より成る金属円筒５に収納し、らせん形遅
波回路構体が構成されている。この場合、金属円筒５を
その外周囲の３方向から外圧を加えて変形させておいて
、らせん１および石英製支柱２，３，４を挿入し、その
後金属円筒５に加えていた外圧を除去することにより、
金属円筒５の復元力でらせん１および石英製支柱２，３
，４は締結される。
【００１１】図２は本発明の第２の実施例を示す図で、
（ａ）図は正面断面図、（ｂ）図は一部破断斜視図であ
る。この第２の実施例では、石英製支柱に人工ダイヤモ
ンド被膜をコーティングしたことを特徴としている。ま
ず、縦１ｍｍ，横２ｍｍ，長さ１００ｍｍの石英製支柱
２，３，４は全面に人工ダイヤモンド被膜９，１０，１
１が形成される。この場合、人工ダイヤモンド被膜の形
成はプラズマＣＶＤ法で行い、厚さは５〜１００μｍで
ある。以下は、第１の実施例と同様に遅波回路構体が作
製される。
（ａ）図は正面断面図、（ｂ）図は一部破断斜視図であ
る。この第２の実施例では、石英製支柱に人工ダイヤモ
ンド被膜をコーティングしたことを特徴としている。ま
ず、縦１ｍｍ，横２ｍｍ，長さ１００ｍｍの石英製支柱
２，３，４は全面に人工ダイヤモンド被膜９，１０，１
１が形成される。この場合、人工ダイヤモンド被膜の形
成はプラズマＣＶＤ法で行い、厚さは５〜１００μｍで
ある。以下は、第１の実施例と同様に遅波回路構体が作
製される。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、誘電体支
柱として石英ガラス製支柱を用い、石英製支柱の全面に
数１０μｍの窒化ホウ素または人工ダイヤモンド被膜を
設けることにより、らせんおよび誘電体支柱を金属円筒
に挿入し締結する際に、ＰＢＮを使用した場合のような
支柱のクラック，折れがなくなるとともに、誘電率が小
さい石英支柱と熱伝導率が大きい窒化ホウ素または人工
ダイヤモンドの組み合わせにより、誘電体支柱の総合性
能として低誘電率，高熱伝導率が得られ、高周波特性に
優れた、より高効率，高出力および高信頼性の進行波管
等の遅波回路構体が得られる。
柱として石英ガラス製支柱を用い、石英製支柱の全面に
数１０μｍの窒化ホウ素または人工ダイヤモンド被膜を
設けることにより、らせんおよび誘電体支柱を金属円筒
に挿入し締結する際に、ＰＢＮを使用した場合のような
支柱のクラック，折れがなくなるとともに、誘電率が小
さい石英支柱と熱伝導率が大きい窒化ホウ素または人工
ダイヤモンドの組み合わせにより、誘電体支柱の総合性
能として低誘電率，高熱伝導率が得られ、高周波特性に
優れた、より高効率，高出力および高信頼性の進行波管
等の遅波回路構体が得られる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図で、（ａ）図は
正面断面図、（ｂ）図は一部破断斜視図である。
正面断面図、（ｂ）図は一部破断斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図で、（ａ）図は
正面断面図、（ｂ）図は一部破断斜視図である。
正面断面図、（ｂ）図は一部破断斜視図である。
【図３】従来のらせん形遅波回路構体を示す図で、（ａ
）図は正面断面図、（ｂ）図は一部破断斜視図である。
）図は正面断面図、（ｂ）図は一部破断斜視図である。
１ らせん
２，３，４ 石英製支柱
５ 金属円筒
６，７，８ 窒化ホウ素被膜
Claims (2)
- 【請求項１】 らせんと該らせんの外周囲に複数の支
柱が配置され、かつこれ等を金属円筒に挿入してなるら
せん形遅波回路構体において、前記支柱が石英から成る
基板と窒化ホウ素被膜層から成ることを特徴とするらせ
ん形遅波回路構体。 - 【請求項２】 らせんと該らせんの外周囲に複数の支
柱が配置され、かつこられ等を金属円筒に挿入してなる
らせん形遅波回路構体において、前記支柱が石英から成
る基板と人工ダイヤモンド被膜層から成ることを特徴と
するらせん形遅波回路構体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068195A JP2808912B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | らせん形遅波回路構体 |
| EP92105062A EP0507195B1 (en) | 1991-04-01 | 1992-03-24 | Helix type travelling wave tube structure with supporting rods covered with boron nitride or artificial diamond |
| DE69206657T DE69206657T2 (de) | 1991-04-01 | 1992-03-24 | Wendeltyp-Wanderfeldröhren-Struktur mit Bornitrid oder künstlichem Diamant bedeckten Haltegestängen |
| US07/861,547 US5274304A (en) | 1991-04-01 | 1992-04-01 | Helix type traveling wave tube structure with supporting rods covered with boron nitride or artificial diamond |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068195A JP2808912B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | らせん形遅波回路構体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306539A true JPH04306539A (ja) | 1992-10-29 |
| JP2808912B2 JP2808912B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=13366764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3068195A Expired - Fee Related JP2808912B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | らせん形遅波回路構体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5274304A (ja) |
| EP (1) | EP0507195B1 (ja) |
| JP (1) | JP2808912B2 (ja) |
| DE (1) | DE69206657T2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2946989B2 (ja) * | 1993-02-03 | 1999-09-13 | 日本電気株式会社 | らせん型遅波回路構体およびその製造方法 |
| US5932971A (en) * | 1997-06-05 | 1999-08-03 | Hughes Electronics Corp | Optimally designed traveling wave tube for operation backed off from saturation |
| US6917162B2 (en) * | 2002-02-13 | 2005-07-12 | Genvac Aerospace Corporation | Traveling wave tube |
| JP2006134751A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Nec Microwave Inc | 電子管 |
| FR2883409B1 (fr) * | 2005-03-18 | 2007-04-27 | Thales Sa | Procede de fabrication d'un top avec effet de charge reduit |
| JP5140868B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2013-02-13 | 株式会社ネットコムセック | 進行波管 |
| RU2644419C2 (ru) * | 2016-07-20 | 2018-02-12 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") | Полупрозрачная лампа бегущей волны |
| RU2722211C1 (ru) * | 2019-07-05 | 2020-05-28 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") | Способ изготовления спирали для замедляющей системы лбв |
| RU2738380C1 (ru) * | 2020-04-24 | 2020-12-11 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз") | Спиральная замедляющая система лбв |
| CN114538933B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-11-22 | 娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司 | 一种行波管夹持杆的制备方法 |
| CN114864360B (zh) * | 2022-05-17 | 2023-06-09 | 电子科技大学 | 一种超宽带螺旋线行波管及其螺旋线慢波结构 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0189448U (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-13 | ||
| JPH0371535A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-27 | Nec Corp | らせん形遅波回路構体 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL191980A (ja) * | 1953-12-10 | |||
| US2806171A (en) * | 1954-06-07 | 1957-09-10 | Hughes Aircraft Co | Helix support for traveling-wave tube |
| US3466494A (en) * | 1968-05-01 | 1969-09-09 | Siemens Ag | Traveling wave tube with delay line supports having a lossy layer and an insulation layer |
| US4005329A (en) * | 1975-12-22 | 1977-01-25 | Hughes Aircraft Company | Slow-wave structure attenuation arrangement with reduced frequency sensitivity |
| US4278914A (en) * | 1979-10-18 | 1981-07-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Diamond supported helix assembly and method |
| FR2476908A1 (fr) * | 1980-02-22 | 1981-08-28 | Thomson Csf | Tube a ondes progressives pour tres hautes frequences et dispositif amplificateur utilisant un tel tube |
| US5038076A (en) * | 1989-05-04 | 1991-08-06 | Raytheon Company | Slow wave delay line structure having support rods coated by a dielectric material to prevent rod charging |
| FR2647953B1 (fr) * | 1989-05-30 | 1991-08-16 | Thomson Tubes Electroniques | Mode de construction d'une ligne a retard a helice et tubes a ondes progressives utilisant ce mode de construction |
-
1991
- 1991-04-01 JP JP3068195A patent/JP2808912B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-24 EP EP92105062A patent/EP0507195B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-24 DE DE69206657T patent/DE69206657T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-01 US US07/861,547 patent/US5274304A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0189448U (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-13 | ||
| JPH0371535A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-27 | Nec Corp | らせん形遅波回路構体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2808912B2 (ja) | 1998-10-08 |
| EP0507195A2 (en) | 1992-10-07 |
| EP0507195B1 (en) | 1995-12-13 |
| US5274304A (en) | 1993-12-28 |
| EP0507195A3 (en) | 1993-01-20 |
| DE69206657T2 (de) | 1996-07-04 |
| DE69206657D1 (de) | 1996-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2808912B2 (ja) | らせん形遅波回路構体 | |
| US6917162B2 (en) | Traveling wave tube | |
| US3691630A (en) | Method for supporting a slow wave circuit via an array of dielectric posts | |
| US3610999A (en) | Slow wave circuit and method of fabricating same | |
| US11588456B2 (en) | Electroplated helical slow-wave structures for high-frequency signals | |
| US3670197A (en) | Delay line structure for traveling wave devices | |
| EP1312102B1 (en) | Tapered traveling wave tube | |
| JP2946989B2 (ja) | らせん型遅波回路構体およびその製造方法 | |
| JPH0371535A (ja) | らせん形遅波回路構体 | |
| JPS62174990A (ja) | 高周波励起同軸型ｃｏ２レ−ザ− | |
| JPH10275524A (ja) | 耐プラズマ部材 | |
| US3401297A (en) | Thermionic cathodes for electron discharge devices with improved refractory metal heater wires | |
| US5929566A (en) | Collector structure for a travelling-wave tube having oxide film on cooling fins | |
| US3466494A (en) | Traveling wave tube with delay line supports having a lossy layer and an insulation layer | |
| US3435273A (en) | Slow-wave structure encasing envelope with matching thermal expansion properties | |
| US3778665A (en) | Slow wave delay line structure | |
| JP2628313B2 (ja) | ガスレーザ装置 | |
| JPH10241630A (ja) | ランプ | |
| US3500534A (en) | Method of making a slow-wave structure encasement | |
| JPH05275774A (ja) | イオンレーザ管 | |
| US2437972A (en) | Electrode spacer for electron discharge tubes | |
| JP2006210261A (ja) | 遅波回路 | |
| JPH0398243A (ja) | 熱伝導性機械的支持体を有する進行波管 | |
| JP2845039B2 (ja) | 進行波管用コレクタ電極構体 | |
| JPH04242047A (ja) | インテグラルポールピース型遅波回路構体の組立方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980630 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070731 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080731 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |