JPH04306910A - セットリセット型フリップフロップ回路 - Google Patents
セットリセット型フリップフロップ回路Info
- Publication number
- JPH04306910A JPH04306910A JP3071372A JP7137291A JPH04306910A JP H04306910 A JPH04306910 A JP H04306910A JP 3071372 A JP3071372 A JP 3071372A JP 7137291 A JP7137291 A JP 7137291A JP H04306910 A JPH04306910 A JP H04306910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- level
- circuit
- output signal
- inverter
- input signals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はセットリセット型フリッ
プフロップ回路に関する。
プフロップ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のセットリセット型フリップフロッ
プ回路は、図4に示されるように、PMOSトランジス
タ40およびNMOSトランジスタ41を含むインバー
タ38、ならびにPMOSトランジスタ42および43
、NMOSトランジスタ44および45を含むNOR回
路39により形成されるリセット優先回路37と、PM
OSトランジスタ49および50、NMOSトランジス
タ51および52を含むNOR回路47、ならびにPM
OSトランジスタ53および54、NMOSトランジス
タ55および56を含むNOR回路48とにより形成さ
れるセットリセット型フリップフロップ回路46とを備
えて構成される。
プ回路は、図4に示されるように、PMOSトランジス
タ40およびNMOSトランジスタ41を含むインバー
タ38、ならびにPMOSトランジスタ42および43
、NMOSトランジスタ44および45を含むNOR回
路39により形成されるリセット優先回路37と、PM
OSトランジスタ49および50、NMOSトランジス
タ51および52を含むNOR回路47、ならびにPM
OSトランジスタ53および54、NMOSトランジス
タ55および56を含むNOR回路48とにより形成さ
れるセットリセット型フリップフロップ回路46とを備
えて構成される。
【0003】図4において、入力信号110および11
1として、それぞれ“L”レベルの信号が入力されると
、インバータ38の出力として“H”レベルの信号が出
力され、NOR回路39および47に入力される。NO
R回路47においては、この“H”レベルの信号入力に
より、その出力信号112は“L”レベルとなる。この
場合には、明らかに入力信号110が優先され、出力信
号112は“L”レベルとなる。また、入力信号110
および111として、それぞれ“H”レベルおよび“L
”レベルの信号が入力されると、インバータ38の出力
信号は“L”レベル、NOR回路39の出力信号は“H
”レベルとなり、NOR回路47の出力信号112は“
H”レベルとなる。次に、入力信号110および111
として、それぞれ“L”レベルおよび“H”レベルの信
号が入力されると、入力信号110および111が共に
“L”レベルの信号の場合と同様に、NOR回路47の
出力信号112は“L”レベルとなる。更に、入力信号
110および111として、双方共に“H”レベルの信
号が入力されると、インバータ38およびNOR回路3
9の出力信号は“L”レベルとなり、セットリセット型
フリップフロップ回路46は、入力信号110および1
11が“H”レベルに転移する直前の値を保持し続ける
ように動作する。即ち、図5(a)に示される真理値表
に示されるように動作する。なお、図5(a)の真理値
表においては、入力信号110、111および出力信号
112は、それぞれR、SおよびQの記号にて表わされ
ている。
1として、それぞれ“L”レベルの信号が入力されると
、インバータ38の出力として“H”レベルの信号が出
力され、NOR回路39および47に入力される。NO
R回路47においては、この“H”レベルの信号入力に
より、その出力信号112は“L”レベルとなる。この
場合には、明らかに入力信号110が優先され、出力信
号112は“L”レベルとなる。また、入力信号110
および111として、それぞれ“H”レベルおよび“L
”レベルの信号が入力されると、インバータ38の出力
信号は“L”レベル、NOR回路39の出力信号は“H
”レベルとなり、NOR回路47の出力信号112は“
H”レベルとなる。次に、入力信号110および111
として、それぞれ“L”レベルおよび“H”レベルの信
号が入力されると、入力信号110および111が共に
“L”レベルの信号の場合と同様に、NOR回路47の
出力信号112は“L”レベルとなる。更に、入力信号
110および111として、双方共に“H”レベルの信
号が入力されると、インバータ38およびNOR回路3
9の出力信号は“L”レベルとなり、セットリセット型
フリップフロップ回路46は、入力信号110および1
11が“H”レベルに転移する直前の値を保持し続ける
ように動作する。即ち、図5(a)に示される真理値表
に示されるように動作する。なお、図5(a)の真理値
表においては、入力信号110、111および出力信号
112は、それぞれR、SおよびQの記号にて表わされ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のセット
リセット型フリップフロップ回路においては、各論理ゲ
ートをMOSトランジスタにより構成した場合、少なく
とも14個のMOSトランジスタが必要となり、これに
対応して、当該MOSトランジスタにより占有される基
盤上の面積が大きくなるという欠点がある。
リセット型フリップフロップ回路においては、各論理ゲ
ートをMOSトランジスタにより構成した場合、少なく
とも14個のMOSトランジスタが必要となり、これに
対応して、当該MOSトランジスタにより占有される基
盤上の面積が大きくなるという欠点がある。
【0005】また、セットリセット型フリップフロップ
回路の出力の駆動能力を高める場合には、当該出力をN
OR回路により駆動しているために、このNOR回路を
構成している少なくとも四つのMOSトランジスタの電
流供給能力を上げることにより、MOSトランジスタ領
域の面積が更に拡大化されるという欠点がある。
回路の出力の駆動能力を高める場合には、当該出力をN
OR回路により駆動しているために、このNOR回路を
構成している少なくとも四つのMOSトランジスタの電
流供給能力を上げることにより、MOSトランジスタ領
域の面積が更に拡大化されるという欠点がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のセットリセット
型フリップフロップ回路は、第1および第2のレベル信
号入力に対応して、リセット信号を優先して出力するリ
セット優先回路と、第1および第2の二つのインバータ
により形成され、前記リセット信号を入力し、所定のレ
ベル信号を出力するデータ保持回路と、を備えて構成さ
れる。
型フリップフロップ回路は、第1および第2のレベル信
号入力に対応して、リセット信号を優先して出力するリ
セット優先回路と、第1および第2の二つのインバータ
により形成され、前記リセット信号を入力し、所定のレ
ベル信号を出力するデータ保持回路と、を備えて構成さ
れる。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0008】図1は本発明の第1の実施例を示すブロッ
ク図である。図1に示されるように、本実施例は、PM
OSトランジスタ2および4とNMOSトランジスタ3
とにより形成されるリセット優先回路1と、PMOSト
ランジスタ8およびNMOSトランジスタ9を含むイン
バータ6、ならびにPMOSトランジスタ10およびN
MOSトランジスタ11を含むインバータ7とにより形
成される保持回路5とを備えて構成される。なお、イン
バータ6の電流供給能力は、PMOSトランジスタ2お
よびNMOSトランジスタ3とPMOSトランジスタ4
の電流供給能力よりも小さく設定されている。
ク図である。図1に示されるように、本実施例は、PM
OSトランジスタ2および4とNMOSトランジスタ3
とにより形成されるリセット優先回路1と、PMOSト
ランジスタ8およびNMOSトランジスタ9を含むイン
バータ6、ならびにPMOSトランジスタ10およびN
MOSトランジスタ11を含むインバータ7とにより形
成される保持回路5とを備えて構成される。なお、イン
バータ6の電流供給能力は、PMOSトランジスタ2お
よびNMOSトランジスタ3とPMOSトランジスタ4
の電流供給能力よりも小さく設定されている。
【0009】図1において、入力信号101および10
2として、それぞれ“L”レベルの信号が入力されると
、NMOSトランジスタ3およびPMOSトランジスタ
4は共にOFFするため、インバータ6の出力として“
L”レベルの信号が出力されても、PMOSトランジス
タ2とインバータ6の電流供給能力の差異により、リセ
ット優先回路1の出力信号は“H”レベルとなり、イン
バータ7の出力信号103は“L”レベルとなる。セッ
トリセットが共に“L”レベルの時には、リセットが優
先されている。また、入力信号101および102とし
て、それぞれ“H”レベルおよび“L”レベルの信号が
入力されると、PMOSトランジスタ2はOFFし、N
MOSトランジスタ3およびPMOSトランジスタ4は
共にONするため、インバータ6の出力信号が“H”レ
ベルであっても、電流供給能力の差異により、リセット
優先回路1の出力信号は“L”レベルとなり、インバー
タ7の出力信号103は“H”レベルとなる。次に、入
力信号101および102として、それぞれ“L”レベ
ルおよび“H”レベルの信号が入力されると、PMOS
トランジスタ2はONし、NMOSトランジスタ3がO
FFするため、入力信号101および102が共に“L
”レベルの信号の場合と同様に、インバータ7の出力信
号103は“L”レベルとなる。更に、入力信号101
および102として、双方共に“H”レベルの信号が入
力されると、PMOSトランジスタ2およびNMOSト
ランジスタ3は共にOFFするため、保持回路5には何
等の影響をも与えることなく、インバータ7からは、出
力信号103として、入力信号101および102が“
H”レベルに転移する直前の値のレベル信号が出力され
ている。即ち、図5(a)に示される真理値表に示され
るように動作する。なお、図5(a)の真理値表におい
ては、入力信号101、102および出力信号103は
、それぞれR、SおよびQの記号にて表わされている。
2として、それぞれ“L”レベルの信号が入力されると
、NMOSトランジスタ3およびPMOSトランジスタ
4は共にOFFするため、インバータ6の出力として“
L”レベルの信号が出力されても、PMOSトランジス
タ2とインバータ6の電流供給能力の差異により、リセ
ット優先回路1の出力信号は“H”レベルとなり、イン
バータ7の出力信号103は“L”レベルとなる。セッ
トリセットが共に“L”レベルの時には、リセットが優
先されている。また、入力信号101および102とし
て、それぞれ“H”レベルおよび“L”レベルの信号が
入力されると、PMOSトランジスタ2はOFFし、N
MOSトランジスタ3およびPMOSトランジスタ4は
共にONするため、インバータ6の出力信号が“H”レ
ベルであっても、電流供給能力の差異により、リセット
優先回路1の出力信号は“L”レベルとなり、インバー
タ7の出力信号103は“H”レベルとなる。次に、入
力信号101および102として、それぞれ“L”レベ
ルおよび“H”レベルの信号が入力されると、PMOS
トランジスタ2はONし、NMOSトランジスタ3がO
FFするため、入力信号101および102が共に“L
”レベルの信号の場合と同様に、インバータ7の出力信
号103は“L”レベルとなる。更に、入力信号101
および102として、双方共に“H”レベルの信号が入
力されると、PMOSトランジスタ2およびNMOSト
ランジスタ3は共にOFFするため、保持回路5には何
等の影響をも与えることなく、インバータ7からは、出
力信号103として、入力信号101および102が“
H”レベルに転移する直前の値のレベル信号が出力され
ている。即ち、図5(a)に示される真理値表に示され
るように動作する。なお、図5(a)の真理値表におい
ては、入力信号101、102および出力信号103は
、それぞれR、SおよびQの記号にて表わされている。
【0010】このように、従来、少なくとも、14個の
MOSトランジスタにより構成されていたリセットセッ
ト型フリップフロップ回路と同様の動作が、7個のMO
Sトランジスタにより実現することが可能となる。
MOSトランジスタにより構成されていたリセットセッ
ト型フリップフロップ回路と同様の動作が、7個のMO
Sトランジスタにより実現することが可能となる。
【0011】また、出力信号を駆動出力しているMOS
トランジスタとしては、従来4個のMOSトランジスタ
が用いられているが、本発明においては、2個のMOS
トランジスタを用いているため、従来の出力信号駆動用
のNOR回路の占有面積をY、本発明の出力駆動用のイ
ンバータ回路の占有面積をXとすると、駆動用MOSト
ランジスタ数の差異により、当然のことながら、X>Y
の関係が成立つことは明らかである。ここにおいて、出
力信号に対する駆動能力をn倍にアップさせると、出力
信号を駆動する論理ゲートのトランジスタ領域の面積の
差異はn(X−Y)となり、nの値が大きくなる従い、
その差が増大する。即ち、本発明においては、出力信号
の駆動能力増大時においても、トランジスタ領域の面積
は、従来に比較して著しく抑制される。
トランジスタとしては、従来4個のMOSトランジスタ
が用いられているが、本発明においては、2個のMOS
トランジスタを用いているため、従来の出力信号駆動用
のNOR回路の占有面積をY、本発明の出力駆動用のイ
ンバータ回路の占有面積をXとすると、駆動用MOSト
ランジスタ数の差異により、当然のことながら、X>Y
の関係が成立つことは明らかである。ここにおいて、出
力信号に対する駆動能力をn倍にアップさせると、出力
信号を駆動する論理ゲートのトランジスタ領域の面積の
差異はn(X−Y)となり、nの値が大きくなる従い、
その差が増大する。即ち、本発明においては、出力信号
の駆動能力増大時においても、トランジスタ領域の面積
は、従来に比較して著しく抑制される。
【0012】図2に示されるのは、本発明の第2の実施
例を示すブロック図である。図に示されるように、本実
施例は、NMOSトランジスタ13および15とPMO
Sトランジスタ14を含むリセット優先回路12と、P
MOSトランジスタ19およびNMOSトランジスタ2
0を含むインバータ17、ならびにPMOSトランジス
タ21およびNMOSトランジスタ22を含むインバー
タ18とにより形成される保持回路16とを備えて構成
される。なお、インバータ17の電流供給能力は、NM
OSトランジスタ13およびPMOSトランジスタ14
とNMOSトランジスタ15の電流供給能力よりも小さ
く設定されている。
例を示すブロック図である。図に示されるように、本実
施例は、NMOSトランジスタ13および15とPMO
Sトランジスタ14を含むリセット優先回路12と、P
MOSトランジスタ19およびNMOSトランジスタ2
0を含むインバータ17、ならびにPMOSトランジス
タ21およびNMOSトランジスタ22を含むインバー
タ18とにより形成される保持回路16とを備えて構成
される。なお、インバータ17の電流供給能力は、NM
OSトランジスタ13およびPMOSトランジスタ14
とNMOSトランジスタ15の電流供給能力よりも小さ
く設定されている。
【0013】図2において、入力信号104および10
5として、それぞれ“H”レベルの信号が入力されると
、保持回路16の出力信号106は“H”レベルとなり
、リセットが優先される。また、入力信号104および
105が、共に“L”レベルの時には、これらの入力信
号104および105が“L”レベルに転移する直前の
値が保持されており、出力信号106としては、そのま
まのレベルにて保持回路16より出力される。
5として、それぞれ“H”レベルの信号が入力されると
、保持回路16の出力信号106は“H”レベルとなり
、リセットが優先される。また、入力信号104および
105が、共に“L”レベルの時には、これらの入力信
号104および105が“L”レベルに転移する直前の
値が保持されており、出力信号106としては、そのま
まのレベルにて保持回路16より出力される。
【0014】この、第2の実施例の場合においても、第
1の実施例の場合と同様に、セットリセット型フリップ
フロップ回路が少ないMOSトランジスタ数により構成
されており、出力信号の駆動能力アップ時においても、
トランジスタ領域の占有面積を抑制することが可能であ
る。
1の実施例の場合と同様に、セットリセット型フリップ
フロップ回路が少ないMOSトランジスタ数により構成
されており、出力信号の駆動能力アップ時においても、
トランジスタ領域の占有面積を抑制することが可能であ
る。
【0015】なお、図5(b)に示される真理値表がそ
のまま適用されることは云うまでもない。
のまま適用されることは云うまでもない。
【0016】図3に示されるのは、本発明の第3の実施
例を示すブロック図である。図に示されるように、本実
施例は、PMOSトランジスタ25およびNMOSトラ
ンジスタ26を含むインバータ24、ならびにPMOS
トランジスタ27、NMOSトランジスタ28および2
9により形成されるリセット優先回路23と、PMOS
トランジスタ33およびNMOSトランジスタ34を含
むインバータ31、ならびにPMOSトランジスタ35
およびNMOSトランジスタ36を含むインバータ32
により構成される保持回路30とを備えて構成される。 なお、インバータ31の電流供給能力は、PMOSトラ
ンジスタ27、NMOSトランジスタ28およびNMO
Sトランジスタ29の縦続回路による電流供給能力より
も小さく設定されている。
例を示すブロック図である。図に示されるように、本実
施例は、PMOSトランジスタ25およびNMOSトラ
ンジスタ26を含むインバータ24、ならびにPMOS
トランジスタ27、NMOSトランジスタ28および2
9により形成されるリセット優先回路23と、PMOS
トランジスタ33およびNMOSトランジスタ34を含
むインバータ31、ならびにPMOSトランジスタ35
およびNMOSトランジスタ36を含むインバータ32
により構成される保持回路30とを備えて構成される。 なお、インバータ31の電流供給能力は、PMOSトラ
ンジスタ27、NMOSトランジスタ28およびNMO
Sトランジスタ29の縦続回路による電流供給能力より
も小さく設定されている。
【0017】図3において、入力信号107および10
8として、それぞれ“L”レベルの信号が入力されると
、前述の第1の実施例の場合と同様に、セットが優先さ
れ、保持回路30の出力信号109は“H”レベルとな
る。また、入力信号107および108として、それぞ
れ“H”レベルおよび“L”レベルが入力されると、入
力信号107および108が共に“L”レベルの場合と
同様に、保持回路30の出力信号109は“H”レベル
となる。次に、入力信号107および108として、そ
れぞれ“L”レベルおよび“H”レベルの信号が入力さ
れると、保持回路30の出力信号109は“L”レベル
となる。そして、入力信号107および108として共
に“H”レベルが入力される時には、これらの入力信号
107および108が“H”レベルに転移する直前の値
が保持され、出力信号109としては、そのままのレベ
ルにて保持回路16より出力される。
8として、それぞれ“L”レベルの信号が入力されると
、前述の第1の実施例の場合と同様に、セットが優先さ
れ、保持回路30の出力信号109は“H”レベルとな
る。また、入力信号107および108として、それぞ
れ“H”レベルおよび“L”レベルが入力されると、入
力信号107および108が共に“L”レベルの場合と
同様に、保持回路30の出力信号109は“H”レベル
となる。次に、入力信号107および108として、そ
れぞれ“L”レベルおよび“H”レベルの信号が入力さ
れると、保持回路30の出力信号109は“L”レベル
となる。そして、入力信号107および108として共
に“H”レベルが入力される時には、これらの入力信号
107および108が“H”レベルに転移する直前の値
が保持され、出力信号109としては、そのままのレベ
ルにて保持回路16より出力される。
【0018】この、第3の実施例の場合においても、第
1の実施例の場合と同様に、セットリセット型フリップ
フロップ回路が少ないMOSトランジスタ数により構成
されており、出力信号の駆動能力アップ時においても、
トランジスタ領域の占有面積を抑制することが可能であ
る。なお、図5(a)に示される真理値表がそのまま適
用されることは云うまでもない。
1の実施例の場合と同様に、セットリセット型フリップ
フロップ回路が少ないMOSトランジスタ数により構成
されており、出力信号の駆動能力アップ時においても、
トランジスタ領域の占有面積を抑制することが可能であ
る。なお、図5(a)に示される真理値表がそのまま適
用されることは云うまでもない。
【0019】図1に示される第1の実施例の構成におい
ては、MOSトランジスタの特性上より、リセット優先
回路1の出力信号が“L”レベルの時には、(接地レベ
ル)+(PMOSトランジスタ4のしきい値電圧の絶対
値)となる。図2に示される第2の実施例の構成におい
ては、リセット優先回路12の出力信号が“H”レベル
の時には、(電源電圧)−(NMOSトランジスタ13
のしきい値電圧)となり、また“L”レベルの時には、
図1の場合と同様に、(接地レベル)+(PMOSトラ
ンジスタ4のしきい値電圧の絶対値)となる。図3に示
される第3の実施例の構成においては、リセット優先回
路23の出力信号が“H”レベルの時には電源電圧とな
り、“L”レベルの時には接地レベルとなる。
ては、MOSトランジスタの特性上より、リセット優先
回路1の出力信号が“L”レベルの時には、(接地レベ
ル)+(PMOSトランジスタ4のしきい値電圧の絶対
値)となる。図2に示される第2の実施例の構成におい
ては、リセット優先回路12の出力信号が“H”レベル
の時には、(電源電圧)−(NMOSトランジスタ13
のしきい値電圧)となり、また“L”レベルの時には、
図1の場合と同様に、(接地レベル)+(PMOSトラ
ンジスタ4のしきい値電圧の絶対値)となる。図3に示
される第3の実施例の構成においては、リセット優先回
路23の出力信号が“H”レベルの時には電源電圧とな
り、“L”レベルの時には接地レベルとなる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、構成要
素としてのMOSトランジスタの数量を削減することが
できるという効果とともに、これにより、更にトランジ
スタ領域において占有される面積を抑制することができ
るという効果がある。
素としてのMOSトランジスタの数量を削減することが
できるという効果とともに、これにより、更にトランジ
スタ領域において占有される面積を抑制することができ
るという効果がある。
【0021】特に、出力信号に対する駆動能力のアップ
に伴ない増大するMOSトランジスタのトランジスタ領
域の面積増加を著しく抑制し、集積回路のチップサイズ
を小さくすることができるという効果がある。
に伴ない増大するMOSトランジスタのトランジスタ領
域の面積増加を著しく抑制し、集積回路のチップサイズ
を小さくすることができるという効果がある。
【図1】本発明の第1の実施例を示すブロック図である
。
。
【図2】本発明の第2の実施例を示すブロック図である
。
。
【図3】本発明の第3の実施例を示すブロック図である
。
。
【図4】従来例を示すブロック図である。
【図5】セットリセット型フリップフロップ回路の真理
値表を示す図である。
値表を示す図である。
1、12、23、37 リセット優先回路2、4
、8、10、14、19、21、25、27、33、3
5、40、42、43、49、50、53、54
PMOSトランジスタ 3、9、11、13、15、20、22、26、28、
29、34、36、41、44、45、51、52、5
5、56 NMOSトランジスタ6、7、17、
18、24、31、32、38 インバータ 5、16、30 保持回路 39、47、48 NOR回路
、8、10、14、19、21、25、27、33、3
5、40、42、43、49、50、53、54
PMOSトランジスタ 3、9、11、13、15、20、22、26、28、
29、34、36、41、44、45、51、52、5
5、56 NMOSトランジスタ6、7、17、
18、24、31、32、38 インバータ 5、16、30 保持回路 39、47、48 NOR回路
Claims (1)
- 【請求項1】 第1および第2のレベレ信号入力に対
応して、リセット信号を優先して出力するリセット優先
回路と、第1および第2の二つのインバータにより形成
され、前記リセット信号を入力し、所定のレベル信号を
出力するデータ保持回路と、を備えることを特徴とする
セットリセット型フリップフロップ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071372A JPH04306910A (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | セットリセット型フリップフロップ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071372A JPH04306910A (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | セットリセット型フリップフロップ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306910A true JPH04306910A (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=13458608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3071372A Pending JPH04306910A (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | セットリセット型フリップフロップ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04306910A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5467038A (en) * | 1994-02-15 | 1995-11-14 | Hewlett-Packard Company | Quick resolving latch |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP3071372A patent/JPH04306910A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5467038A (en) * | 1994-02-15 | 1995-11-14 | Hewlett-Packard Company | Quick resolving latch |
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