JPH04311501A - 表面酸化度の低い金属ケイ素粉末 - Google Patents

表面酸化度の低い金属ケイ素粉末

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JPH04311501A
JPH04311501A JP4003217A JP321792A JPH04311501A JP H04311501 A JPH04311501 A JP H04311501A JP 4003217 A JP4003217 A JP 4003217A JP 321792 A JP321792 A JP 321792A JP H04311501 A JPH04311501 A JP H04311501A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面酸化度が極めて低
い鉱石由来のケイ素粉末と、その製造方法と、得られた
製品の保存方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】金属ケイ素は通常、浸漬アーク炉で炭素
によりシリカを還元することによって得られる。液状で
生成されたケイ素は質量１０ｋｇ〜１０００ｋｇのイン
ゴットに鋳造する。これらのインゴットは、凝固及び冷
却の後で破砕し、次いで粉末状に粉砕し得る。
【０００３】粉砕機は通常空気中で作動する。しかしな
がら、安全のために、酸素Ｏ２を例えば５〜１０％減ら
した雰囲気下に粉砕機を配置することもできる。実際、
粉砕機内に存在する空気と粉末ケイ素との混合物は爆発
の危険を招来し得る。
【０００４】粉砕を回避したい場合は、液体ケイ素を噴
霧（アトマイゼーション）してほぼ球状の粒子からなる
粉末を直接得ることができる。この方法を用いると、特
定の結晶構造を促進するために、最小粒度フラクション
の割合を減らし、ケイ素を極めて急速に凝固させること
もできる。
【０００５】これら種々の方法は、凝固速度と使用する
冷却とに依存する結晶構造によって区別される種々のタ
イプのケイ素を製造せしめる。不純物及び／又は少量導
入される結合元素の含量を操作することによって種々の
タイプのケイ素を得ることもできる。
【０００６】製造方法及び組成によって、所期の用途に
適合した微妙に異なるケイ素を得ることはできるが、前
記Ｓｉの粉末を構成する粒子には必ず表面酸化が観察さ
れる。この酸化は、前記粒子の表面全体を覆うシリカ膜
の形態で示される。この膜の厚さは通常３〜５ｎｍ（３
０〜５０オングストローム）であり、事実上３ｎｍ（３
０オングストローム）を下らない。全くの偶然ではある
が、時としてシリカの厚みが３ｎｍ（３０オングストロ
ーム）未満になることもある。しかしながら、前述のＳ
ｉ粉末製造方法では、前述のような酸化度の低い粉末を
規則的に且つ再現性をもって製造することも、前記粉末
の表面状態を保証することもできない。金属ケイ素はそ
の用途として、例えばシリコーンを得るためにジクロロ
シランを製造すべく塩化メチルのようなガスの存在下で
行われるか、又はＡｌ−Ｓｉタイプの合金を製造すべく
溶融アルミニウムのような液体の存在下で行われる不均
一系反応で原料として使用されることがしばしばある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで本出願人は、表
面の酸素含量が極めて低いケイ素はその用途に係わりな
く望ましいものであると思料した。例えば、シリコーン
を製造する場合は、ケイ素粒子を被覆するシリカ層が、
塩化メチルとの反応を遅くする化学的遮蔽を構成するに
すぎないようなものでなければならない。Ａｌ−Ｓｉ合
金を製造する場合は、このシリカ層がアルミニウムによ
って還元されて最終合金中の介在物になるだけのアルミ
ナを形成するにすぎないようなものでなければならない
。
【０００８】これらの現象とシリカ層がケイ素の性質に
及ぼす結果とを確認するために、本出願人は、先行技術
の製品の値より有意に小さい極めて低い表面酸化度が保
証され得る粉末ケイ素の製造方法を研究した。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面酸化度の
低い金属ケイ素又は金属ケイ素ベース合金の粉末であっ
て、この粉末を構成する粒子が厚さ２ｎｍ（２０オング
ストローム）以下の表面シリカ層で被覆されていること
を特徴とする粉末を提供する。
【００１０】驚くべきことに、本発明の極めて薄いシリ
カ層は、種々の用途、特にシリコーン合成の第１ステッ
プである気体塩化メチルとケイ素との反応によるジメチ
ルジクロロシランの製造で、また溶融ＡｌへのＳｉの添
加による合金Ａｌ／Ｓｉの製造でも、ケイ素の性能を大
幅に改善する決定パラメータであることが判明した。以
前から知られているパラメータ（特に結晶構造、他の元
素の含量）は確かに或る程度の重要性を有するが、実施
例２の結果が示すように、本発明のシリカ層に起因する
重要性ほど注目すべきものではない。
【００１１】シリカ層の厚みがゼロではなく、典型的に
は約１〜２ｎｍ（１０〜２０オングストローム）である
と、より良い結果が得られた。１ｎｍ（１０オングスト
ローム）未満の酸化物層は性能が劣る。
【００１２】重要なのは、明らかに、ケイ素の総酸素含
量（例えば総ケイ素に対する酸素のｐｐｍで測定した値
）ではなくてＳｉＯ２表面層の厚さ又は表面の酸素含量
である。これは、ケイ素の性能特に塩化メチルとの反応
速度を左右する。
【００１３】本発明のケイ素粉末は、大きさが０〜３０
ｍｍという極めて広い範囲で変化する粒子からなり得る
。これは、最も微細な粉末が最も酸化し易いため、３５
０マイクロメートル未満の大きさの粒子からなる微粉末
の場合に重要な意味をもつ。表面酸化物層の厚さはＡｕ
ｇｅｒの電子分光法を適用して測定する。この方法は、
数ｎｍのオーダーの厚さの表面層を分析することができ
る。表面層の厚さを測定したい試料を、酸化物層を漸進
的に除去するイオン洗い処理（ｄｅｃａｐａｇｅ　　ｉ
ｏｎｉｑｕｅ）の間にＡｕｇｅｒ分光法による連続的分
析にかける。腐食速度がわかれば、これらの連続的分析
によって酸素濃度プロフィールが得られる。腐食速度は
、最終的な孔（ｃｒａｔｅｒｅ）の深さを測定すること
によって調べるか（Ｔａｌｙｓｔｅｐ）、又は注入によ
って得られるアイソトープ０１５の完全に知られている
濃度プロフィールの測定による較正に基づいて調べる。
【００１４】本発明の金属ケイ素粒子は、好ましくは空
気を避けて予め鋳造した金属ケイ素インゴットを３０ｍ
ｍまで破砕し、得られた破片を殆ど反応性のない雰囲気
下で室温で粉砕し、この粉砕処理中に、粉砕によって生
じる新しい表面をその発生と同時に被覆して保護する油
を加えることによって製造し得る。
【００１５】粉砕機内での爆発の危険を回避するのに十
分な８％以下という酸素含量の窒素／空気混合物は、当
然のことながら粉砕中に油を加えれば、本発明のＳｉ粉
末を得るのに十分である。純窒素又は技術的に純粋な窒
素も使用し得るが、やはり粉砕中に油を添加しなければ
ならない。油はアルカンのような炭化水素、エステルも
しくは脂肪性物質、又はより好ましくはシリコーン油で
あり得る。添加量は通常０．１〜０．５％、好ましくは
０．１〜０．３％である。
【００１６】本発明のケイ素粉末はまた、液体金属ケイ
素から、真空下での噴霧、又は減圧下の殆ど反応しない
ガス、例えば大気圧より低い減圧下の窒素もしくはアル
ゴン中での噴霧によって製造することもできる。窒素の
場合は、粒子の表面に形成される窒化物の量が極めて少
なく、このようにして生成した僅かな窒化物はシリカの
ように連続的均一被膜を形成しないという利点を有する
。
【００１７】得られた粒子は、好ましくは保護雰囲気（
窒素、アルゴン、真空）下で、室温で貯蔵する。実際、
これらの粉末を再度空気に触れさせると油膜によって抑
制された表面の緩慢な再酸化が起こり、そのため粒子が
規格外の生成物に変換される。
【００１８】金属ケイ素は公知の方法、例えば浸漬アー
ク炉でカーボテルミー（ｃａｒｂｏｔｈｅｒｍｉｅ）に
かけ、次いで配合を調整しながら鍋で精製する方法によ
り製造する。典型的組成は下記の通りである：Ｆｅ≦０
．４０％ Ｃａ≦０．２０％ Ａｌ≦０．２０％ Ｓｉ≧９８％。
【００１９】但し本発明は、Ｓｉをベースとする合金、
特にシリコーンの製造に使用され、例えばＦｅ、Ａｌ、
Ｃａ又はＣｕのうち少なくとも１種類の元素を含む合金
、特にＣｕを例えば１〜８％含む合金にも適用される。
【００２０】
【実施例】実施例１ この実施例は、本発明のケイ素粉末の製造方法を説明す
るものである。
【００２１】２ｔの液体Ｓｉを鋳鍋に入れ、この液体金
属が空気と接触しないように可動蓋付き鋳塊鋳型で、各
々が約５００ｋｇのインゴットを４つ鋳造する。
【００２２】これらのインゴットを粗く破砕し、次いで
８％の酸素を含む空気／窒素混合物からなるガス流で掃
気したロッドミル内に導入する。０．３重量％の液体シ
リコーン油を加える。
【００２３】得られた粉砕物質を２５０マイクロメート
ルのふるいに全部通し、Ａｒ雰囲気下で袋内で貯蔵する
。
【００２４】シリカ層の厚さをＡｕｇｅｒ電子分光法に
よって測定した。測定値は１．２ｎｍ（１２オングスト
ローム）である。
【００２５】比較のために、ロッドミル内に油を添加し
ないで、但し他の操作条件は変えずに、新たなインゴッ
トを粉砕した。
【００２６】このようにして得たケイ素粉末のシリカ層
の厚さは３．５ｎｍ（３５オングストローム）であった
。
【００２７】実施例２ この実施例では、他の反応生成物と混合したジメチルジ
クロロシランを得るための塩化メチルとの反応における
種々のＳｉ粉末の挙動を比較した。
【００２８】そのために、各試験で、検査すべきケイ素
を焼結ガラス上で内径３５ｍｍの反応器の底に配置し、
流量７．８３ｇ／ｈの液体塩化メチルの揮発によって得
た気体塩化メチルの流れを前記焼結ガラスを介して送給
した。反応は、各操作の前に反応器内の空気をアルゴン
掃気により除去して、２ａｔｍの圧力下３００°Ｃで生
起させた。試験は、粒度５０〜１６０マイクロメートル
のケイ素粉末５０ｇを同じ粒度の噴霧した銅粉末３ｇと
その都度混合して用いて実施した。
【００２９】各試験毎に、所定期間中に反応したＳｉの
質量と出発Ｓｉの質量との比によって決定される反応速
度（ｖ）、並びに他の反応生成物と混合したジメチルジ
クロロシランの割合（ｘ）を調べた。
【００３０】このケイ素粉末の製造条件と結果とを次表
に示す。
【００３１】 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　表　　１試験Ｎｏ　　Ｓｉ粉末製造方
法　　ＳｉＯ２層の　　　主要不純物　　　　速度（ｖ
）　ジメチルジ　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　厚さｎｍ　　　　Ｃａ　　　Ａｌ　　
　Ｆｅ　　　　　％　　　　　　クロロシラ　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　％　　　％　　　％　　　　　　　　　　
　　　ン（ｘ）％先行 技術 　　１　　Ｓｉを空気中で粉砕　　　　　　４．５　　
　　　０．０８　０．２１　０．３７　　　　７０　　
　　　　　　　　８５　　　　　　（ロッドミル） 　　２　　Ｓｉを水中で粒状に鋳造　　５．５　　　　
　０．１２　０．１９　０．３４　　　　７２　　　　
　　　　　　８３　　　　　　次いで空気中で粉砕　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　本発明 　　３　　０．３％のシリコーン油 　　　　　　を加えながらＳｉをアル　　１．２　　　
　　０．０８　０．２１　０．３９　　　　８８　　　
　　　　　　　８６　　　　　　ゴン雰囲気下で粉砕 　　　　　　（ロッドミル） 　　４　　減圧（３５０ｍｍＨｇ）窒素　　　１．０　
　　　　０．０８　０．２１　０．３９　　　　９０　
　　　　　　　　　８１　　　　　　中でＳｉを噴霧 　　５　　減圧（３５０ｍｍＨｇ）アル　　　０．５　
　　　　０．０８　０．２１　０．３９　　　　７７　
　　　　　　　　　８０　　　　　　ゴン中でＳｉを噴
霧　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　 　　これらの結果が示すように、本発明のようにシリカ
層の厚さが薄いと、ジメチルジクロロシランの生成率を
変えずに反応速度が著しく増加する（２５％増）。また
、ケイ素を極めて急激に冷却しても、ケイ素の特性は薄
い酸化物層の効果と比べて余り有意に改善されない（試
験２）。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】表面酸化度の低い金属ケイ素又は金属ケイ
    素ベース合金の粉末であって、この粉末を構成する粒子
    が厚さ２ｎｍ（２０オングストローム）以下の表面シリ
    カ層で被覆されていることを特徴とする粉末。
  2. 【請求項２】表面シリカ層の厚みが１〜２ｎｍ（１０〜
    ２０オングストローム）であることを特徴とする請求項
    １に記載の粉末。
  3. 【請求項３】粉末が、銅を含むＳｉベースの合金である
    ことを特徴とする請求項１又は２に記載の粉末。
  4. 【請求項４】粒子の粒度が３５０マイクロメートル未満
    であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項
    に記載の粉末。
  5. 【請求項５】Ｓｉインゴットを出発材料としてこれを破
    砕し、次いで油を存在させた反応性が殆どない雰囲気下
    で粉砕することを特徴とする請求項１から４のいずれか
    一項に記載の粉末の製造方法。
  6. 【請求項６】油がアルカン、エステル、脂肪性物質又は
    シリコーン油であることを特徴とする請求項５に記載の
    方法。
  7. 【請求項７】油を０．１％〜０．５％の量で加えること
    を特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
  8. 【請求項８】不活性雰囲気が空気／窒素混合物又は窒素
    であることを特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
  9. 【請求項９】液体ケイ素を出発材料としてこれを真空下
    で噴霧するか、又は大気圧より低い圧力の殆ど反応しな
    いガス中で噴霧することを特徴とする請求項１から４の
    いずれか一項に記載の方法。
  10. 【請求項１０】殆ど反応しないガスが窒素又はアルゴン
    であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
JP4003217A 1991-01-11 1992-01-10 表面酸化度の低い金属ケイ素粉末 Pending JPH04311501A (ja)

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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2716675B1 (fr) * 1994-02-25 1996-04-12 Pechiney Electrometallurgie Silicium métallurgique à microstructure contrôlée pour la préparation des halogénosilanes.
FR2720385B1 (fr) * 1994-05-31 1996-07-05 Pechiney Electrometallurgie Alliage de silicium pour la synthèse des alkyl ou aryl halogénosilanes contenant de l'aluminium, du calcium et du cuivre.
FR2766474B1 (fr) * 1997-07-24 1999-09-03 Pechiney Electrometallurgie Procede de fabrication de poudre de silicium active pour la preparation des alkyl- ou aryl-halogenosilanes
FR2788265B1 (fr) * 1999-01-13 2001-02-16 Pechiney Electrometallurgie Procede de fabrication de poudre de silicium active pour la preparation des alkyl ou aryl-halogenosilanes
US6057469A (en) * 1997-07-24 2000-05-02 Pechiney Electrometallurgie Process for manufacturing active silicon powder for the preparation of alkyl- or aryl-halosilanes
US6019667A (en) * 1998-05-26 2000-02-01 Dow Corning Corporation Method for grinding silicon metalloid
JP4126715B2 (ja) * 1999-11-22 2008-07-30 ソニー株式会社 負極材料の製造方法および二次電池の製造方法
EP1386898A4 (en) * 2001-03-30 2007-04-04 Hatsuichi Matsumoto ART DECISION AS WELL AS ARTIFICIAL COATING MATERIAL OR ARTISTIC INCLUDING FIRE-RESISTANT BLOCK
EP1313158A3 (en) * 2001-11-20 2004-09-08 Canon Kabushiki Kaisha Electrode material for rechargeable lithium battery, electrode comprising said electrode material, rechargeable lithium battery having said electrode , and process for the production thereof
US7652164B2 (en) 2005-09-13 2010-01-26 Momentive Performance Materials Inc. Process for the direct synthesis of trialkoxysilane
GB0919830D0 (en) 2009-11-12 2009-12-30 Isis Innovation Preparation of silicon for fast generation of hydrogen through reaction with water
US9553303B2 (en) 2010-01-18 2017-01-24 Enevate Corporation Silicon particles for battery electrodes
US20170040598A1 (en) * 2015-08-07 2017-02-09 Enevate Corporation Surface modification of silicon particles for electrochemical storage
US10461366B1 (en) 2010-01-18 2019-10-29 Enevate Corporation Electrolyte compositions for batteries
US11380890B2 (en) 2010-01-18 2022-07-05 Enevate Corporation Surface modification of silicon particles for electrochemical storage
GB201217525D0 (en) 2012-10-01 2012-11-14 Isis Innovation Composition for hydrogen generation
WO2014113124A1 (en) * 2013-01-21 2014-07-24 Dow Corning Corporation Process for selective production of halosilanes from silicon-containing ternary intermetallic compounds
KR102855942B1 (ko) 2017-12-07 2025-09-04 에네베이트 코포레이션 탄화규소 및 탄소 입자를 포함하는 복합물
US12548760B2 (en) 2017-12-07 2026-02-10 Enevate Corporation Silicon particles for battery electrodes
US20230163309A1 (en) 2021-11-22 2023-05-25 Enevate Corporation Silicon based lithium ion battery and improved cycle life of same
US20240309024A1 (en) 2023-03-14 2024-09-19 Momentive Performance Materials Inc. Direct synthesis of alkenylhalosilanes
KR20260002708A (ko) 2023-04-19 2026-01-06 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 인크. 구리-알루미늄 합금 촉매를 이용한 알콕시실란의 직접 합성

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3767458A (en) * 1971-06-01 1973-10-23 Du Pont Particulate refractory material coated with a negative silica sol setting agent
US4430150A (en) * 1981-08-07 1984-02-07 Texas Instruments Incorporated Production of single crystal semiconductors
JPS6033210A (ja) * 1983-08-02 1985-02-20 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 半導体用シリコンの破砕方法
US5069740A (en) * 1984-09-04 1991-12-03 Texas Instruments Incorporated Production of semiconductor grade silicon spheres from metallurgical grade silicon particles
US4637855A (en) * 1985-04-30 1987-01-20 Texas Instruments Incorporated Process for producing crystalline silicon spheres
DE3811091A1 (de) * 1988-03-31 1989-10-12 Heliotronic Gmbh Verfahren zum kontaminationsarmen zerkleinern von massivem stueckigem silicium

Also Published As

Publication number Publication date
DE69201875D1 (de) 1995-05-11
EP0494837A1 (fr) 1992-07-15
EP0494837B1 (fr) 1995-04-05
FR2671546B1 (fr) 1993-03-12
US5429866A (en) 1995-07-04
DE69201875T2 (de) 1995-08-10
FR2671546A1 (fr) 1992-07-17

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