JPH04313250A - 回路網領域の荷電状態検知方法 - Google Patents
回路網領域の荷電状態検知方法Info
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- JPH04313250A JPH04313250A JP3348248A JP34824891A JPH04313250A JP H04313250 A JPH04313250 A JP H04313250A JP 3348248 A JP3348248 A JP 3348248A JP 34824891 A JP34824891 A JP 34824891A JP H04313250 A JPH04313250 A JP H04313250A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/306—Contactless testing using electron beams of printed or hybrid circuits
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は試料範囲の荷電状態の決
定方法に関する。
定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】刊行物「スキャニング エレクトロン
・マイクロスコーピー（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）」（１９８５年発
行、第９９１頁〜第９９９頁）、刊行物「マイクロエレ
クトロニクス・エンジニアリング（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）」（１９
８８年発行、第８巻、第２５頁〜第３５頁）および米国
特許第４，４１７，２０３号明細書によって公知である
プリント板およびセラミック接続モジュールの電気特性
の試験方法において、導線回路網を目標に荷電し、回路
網の幾何形状と存在する短絡もしくは断線とに応じて形
成された荷電分布を走査するために電子ゾンデを使用す
る。プリント板の接触点の荷電状態を決定するために、
特に、電子ゾンデによって生ぜしめられた二次電子のエ
ネルギー分布の、それぞれの接触点電位に比例するずれ
がエネルギー感応形の検出器にて測定することができる
。エネルギー感応形の検出器は通常は逆静電界を作成す
る電極とシンチレータ・ホトマルチプライヤ・ユニット
とから構成される。シンチレータ・ホトマルチプライヤ
・ユニットの出力信号は逆静電界電極の電位を制御する
調節器を使用して一定に保持される。
・マイクロスコーピー（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）」（１９８５年発
行、第９９１頁〜第９９９頁）、刊行物「マイクロエレ
クトロニクス・エンジニアリング（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）」（１９
８８年発行、第８巻、第２５頁〜第３５頁）および米国
特許第４，４１７，２０３号明細書によって公知である
プリント板およびセラミック接続モジュールの電気特性
の試験方法において、導線回路網を目標に荷電し、回路
網の幾何形状と存在する短絡もしくは断線とに応じて形
成された荷電分布を走査するために電子ゾンデを使用す
る。プリント板の接触点の荷電状態を決定するために、
特に、電子ゾンデによって生ぜしめられた二次電子のエ
ネルギー分布の、それぞれの接触点電位に比例するずれ
がエネルギー感応形の検出器にて測定することができる
。エネルギー感応形の検出器は通常は逆静電界を作成す
る電極とシンチレータ・ホトマルチプライヤ・ユニット
とから構成される。シンチレータ・ホトマルチプライヤ
・ユニットの出力信号は逆静電界電極の電位を制御する
調節器を使用して一定に保持される。
【０００３】導線回路網における短絡、断線を検知する
ためには、荷電された接触点と荷電されていない接触点
との間に確実な相違が必要であり、測定は試験すべき測
定点が多数あるためにそれぞれ２〜３μｓで行われる必
要がある。それゆえ、逆静電界電極の電位をそれぞれの
接触点電位に整合させるために、調節器では例えば１０
μｓの非常に短い時間しか自由にならない。他方、プリ
ント板の試験を行うために接触点電位を正確に認識する
ということは重要性が低い。
ためには、荷電された接触点と荷電されていない接触点
との間に確実な相違が必要であり、測定は試験すべき測
定点が多数あるためにそれぞれ２〜３μｓで行われる必
要がある。それゆえ、逆静電界電極の電位をそれぞれの
接触点電位に整合させるために、調節器では例えば１０
μｓの非常に短い時間しか自由にならない。他方、プリ
ント板の試験を行うために接触点電位を正確に認識する
ということは重要性が低い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、試料
範囲の荷電状態を迅速かつ確実に決定する方法を提供す
ることにある。本発明は特にプリント板および小形化さ
れた接続モジュールの電気特性を試験するための方法に
適用し得るものでなければならない。
範囲の荷電状態を迅速かつ確実に決定する方法を提供す
ることにある。本発明は特にプリント板および小形化さ
れた接続モジュールの電気特性を試験するための方法に
適用し得るものでなければならない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明においては、試料範囲が一次粒子を照射され
、それによって二次電子を放出するために励起され、そ
の二次電子がコンバータに供給され、そこで二次粒子を
生ぜしめ、コンバータ内に生成された二次粒子流は検出
器にて測定され、その二次粒子流を表す信号が閾値と比
較される。
め、本発明においては、試料範囲が一次粒子を照射され
、それによって二次電子を放出するために励起され、そ
の二次電子がコンバータに供給され、そこで二次粒子を
生ぜしめ、コンバータ内に生成された二次粒子流は検出
器にて測定され、その二次粒子流を表す信号が閾値と比
較される。
【０００６】
【発明の効果】本発明によれば、特に、プリント板にお
ける短絡、断線を短時間に検出することができる。
ける短絡、断線を短時間に検出することができる。
【０００７】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【０００８】接触点１〜３とこの接触点に結合された金
属膜ＬＢとから構成されたプリント板ＬＰの回路網は、
断線を有するか否かが試験されなければならない。その
ため第１のステップにおいて、例えば接触点１をこの接
触点１に向けられた電子ゾンデＰＥを用いて荷電し、次
いで回路網に所属する全ての他の接触点２、３の荷電状
態を決定する。これらの接触点２、３は回路網の幾何形
状に基づいて同様に荷電されるはずである。この荷電が
行われない場合には、断線が存在していることになる。
属膜ＬＢとから構成されたプリント板ＬＰの回路網は、
断線を有するか否かが試験されなければならない。その
ため第１のステップにおいて、例えば接触点１をこの接
触点１に向けられた電子ゾンデＰＥを用いて荷電し、次
いで回路網に所属する全ての他の接触点２、３の荷電状
態を決定する。これらの接触点２、３は回路網の幾何形
状に基づいて同様に荷電されるはずである。この荷電が
行われない場合には、断線が存在していることになる。
【０００９】接触点１とこの接触点１に導電結合された
回路網部分とが電子ゾンデＰＥの照射によって正または
負に荷電されるかどうかは、一次電子のエネルギーＥと
電子収量として示された量σとに依存する。なお、量σ
は入射一次電子当たりに放射される二次電子および後方
散乱電子の平均個数を示す。
回路網部分とが電子ゾンデＰＥの照射によって正または
負に荷電されるかどうかは、一次電子のエネルギーＥと
電子収量として示された量σとに依存する。なお、量σ
は入射一次電子当たりに放射される二次電子および後方
散乱電子の平均個数を示す。
【００１０】図２に示された曲線変化が示すように、多
くの材料に対して２つの電子エネルギーＥ０１もしくは
Ｅ０２が存在しており、σについてはそれぞれσ（Ｅ０
１）＝σ（Ｅ０２）＝１とする。二次電子および後方散
乱電子の流れは一次電子の流れを補償するので、このエ
ネルギーの電子は絶縁された試料の荷電状態を変えるこ
とはない。そのためにエネルギー値Ｅ０１、Ｅ０２は中
性点エネルギーとも称され、その場合Ｅ０１は通常２０
０〜３００ｅＶであり、Ｅ０２は約１．０〜４ｋｅＶの
エネルギー範囲にある。
くの材料に対して２つの電子エネルギーＥ０１もしくは
Ｅ０２が存在しており、σについてはそれぞれσ（Ｅ０
１）＝σ（Ｅ０２）＝１とする。二次電子および後方散
乱電子の流れは一次電子の流れを補償するので、このエ
ネルギーの電子は絶縁された試料の荷電状態を変えるこ
とはない。そのためにエネルギー値Ｅ０１、Ｅ０２は中
性点エネルギーとも称され、その場合Ｅ０１は通常２０
０〜３００ｅＶであり、Ｅ０２は約１．０〜４ｋｅＶの
エネルギー範囲にある。
【００１１】エネルギーＥが中性点エネルギーＥ０１も
しくはＥ０２とは異なっている一次電子を接触点１に照
射すると、定常状態になるまでの間、接触点１に導電結
合された全ての回路網部分は正（Ｅ０１＜Ｅ＜Ｅ０２、
σ＞１）または負（Ｅ＜Ｅ０１もしくはＥ＞Ｅ０２、σ
＜１）に荷電される。この定常状態はＥ＞Ｅ０２の場合
に、プリント板ＬＰの上方に形成された電界が一次電子
を減速させ（負の荷電）、それによりその衝突エネルギ
ーが中性点エネルギーＥ０２に一致し、接触点またはこ
の接触点に導電結合された回路網部分が負電位ＶＣ ＝
（Ｅ０２−Ｅ）／ｅを有する場合に得られる。
しくはＥ０２とは異なっている一次電子を接触点１に照
射すると、定常状態になるまでの間、接触点１に導電結
合された全ての回路網部分は正（Ｅ０１＜Ｅ＜Ｅ０２、
σ＞１）または負（Ｅ＜Ｅ０１もしくはＥ＞Ｅ０２、σ
＜１）に荷電される。この定常状態はＥ＞Ｅ０２の場合
に、プリント板ＬＰの上方に形成された電界が一次電子
を減速させ（負の荷電）、それによりその衝突エネルギ
ーが中性点エネルギーＥ０２に一致し、接触点またはこ
の接触点に導電結合された回路網部分が負電位ＶＣ ＝
（Ｅ０２−Ｅ）／ｅを有する場合に得られる。
【００１２】荷電過程の後、接触点２の荷電状態を走査
するために、電子ゾンデＰＥは接触点２上に位置決めさ
れる。接触点２から発生した二次電子ＳＥは比較的高い
エネルギーＥＳＥ２ ＝Ｅ０ ＋ｅＶＣ （Ｅ０ ＝荷
電されていない試料範囲から放出された二次電子のエネ
ルギー）を有する。というのは、接触点２は接触点１に
導電結合され、従って同様に電位ＶＣ にあるからであ
る。二次電子は電子ゾンデＰＥの通過口を設けられたチ
ャネルプレートＫＰに当たり、チャネルプレートＫＰに
同様に二次粒子ＳＥ´を生ぜしめる。その個数は二次電
子ＳＥのエネルギーＥＳＥ２ とチャネルプレート材料
の特徴を示す電子収量σとに依存する（図２参照）。荷
電電位ＶＣ を適宜に選定することによって、二次電子
エネルギーＥＳＥ２ ＝Ｅ０ ＋ｅＶＣ は電子収量σ
が最大値を有するエネルギーＥＭＡＸ にほぼ一致する
。荷電された接触点から放出された二次電子ＳＥはその
後チャネルプレートＫＰ内に相応する大きさの二次粒子
ＳＥ´（σ（ＥＳＥ２ ）＞１）の流れを生じさせ、こ
の二次粒子の流れは雪崩のように増幅され、金属板ＭＰ
と増幅器Ｖとから構成された検出器内で測定される。増
幅された二次粒子信号ＩはコンパレータＣＭＰ内で特に
調整可能な閾値ＳＷと比較される。閾値ＳＷは荷電され
た接触点から放出された二次電子ＳＥだけが出力信号Ｕ
Ａ を生じるように設定される。
するために、電子ゾンデＰＥは接触点２上に位置決めさ
れる。接触点２から発生した二次電子ＳＥは比較的高い
エネルギーＥＳＥ２ ＝Ｅ０ ＋ｅＶＣ （Ｅ０ ＝荷
電されていない試料範囲から放出された二次電子のエネ
ルギー）を有する。というのは、接触点２は接触点１に
導電結合され、従って同様に電位ＶＣ にあるからであ
る。二次電子は電子ゾンデＰＥの通過口を設けられたチ
ャネルプレートＫＰに当たり、チャネルプレートＫＰに
同様に二次粒子ＳＥ´を生ぜしめる。その個数は二次電
子ＳＥのエネルギーＥＳＥ２ とチャネルプレート材料
の特徴を示す電子収量σとに依存する（図２参照）。荷
電電位ＶＣ を適宜に選定することによって、二次電子
エネルギーＥＳＥ２ ＝Ｅ０ ＋ｅＶＣ は電子収量σ
が最大値を有するエネルギーＥＭＡＸ にほぼ一致する
。荷電された接触点から放出された二次電子ＳＥはその
後チャネルプレートＫＰ内に相応する大きさの二次粒子
ＳＥ´（σ（ＥＳＥ２ ）＞１）の流れを生じさせ、こ
の二次粒子の流れは雪崩のように増幅され、金属板ＭＰ
と増幅器Ｖとから構成された検出器内で測定される。増
幅された二次粒子信号ＩはコンパレータＣＭＰ内で特に
調整可能な閾値ＳＷと比較される。閾値ＳＷは荷電され
た接触点から放出された二次電子ＳＥだけが出力信号Ｕ
Ａ を生じるように設定される。
【００１３】接触点３上に電子ゾンデＰＥを位置決めす
ると、エネルギーＥＳＥ３ ＝Ｅ０ ＜ＥＳＥ２ の二
次電子ＳＥが放出される。というのは、この接触点は回
路網内に存在する断線のために荷電されておらず、電位
ＶＣ ＝０を有するからである。従って、生ぜしめられ
た二次電子ＳＥはチャネルプレートＫＰ内に同様に小さ
な二次粒子流（σ（ＥＳＥ３ ）＜σ（ＥＳＥ２ ））
を生成する。この二次粒子流は増幅されるにも拘わらず
明らかにコンパレータＣＭＰ内に予め設定された閾値Ｓ
Ｗ以下に位置する。このようにして、コンパレータＣＭ
Ｐの出力信号ＵＡ に基づいて、電子ゾンデＰＥをそれ
ぞれ照射された接触点が荷電されているのかまたは荷電
されていないのかを直接的に確認することができる。
ると、エネルギーＥＳＥ３ ＝Ｅ０ ＜ＥＳＥ２ の二
次電子ＳＥが放出される。というのは、この接触点は回
路網内に存在する断線のために荷電されておらず、電位
ＶＣ ＝０を有するからである。従って、生ぜしめられ
た二次電子ＳＥはチャネルプレートＫＰ内に同様に小さ
な二次粒子流（σ（ＥＳＥ３ ）＜σ（ＥＳＥ２ ））
を生成する。この二次粒子流は増幅されるにも拘わらず
明らかにコンパレータＣＭＰ内に予め設定された閾値Ｓ
Ｗ以下に位置する。このようにして、コンパレータＣＭ
Ｐの出力信号ＵＡ に基づいて、電子ゾンデＰＥをそれ
ぞれ照射された接触点が荷電されているのかまたは荷電
されていないのかを直接的に確認することができる。
【００１４】衝突した後方散乱電子によってチャネルプ
レートＫＰ内に生ぜしめられた二次粒子ＳＥ´は同様に
検出器信号Ｉに寄与する。後方散乱電子に起因しその都
度走査された接触点の荷電状態に依存しない信号量は何
れにしてもエネルギーＥＳＥ２ ＝Ｅ０ ＋ｅＶＣ の
二次電子に所属する成分よりも明らかに小さい。という
のは、高エネルギーの後方散乱電子はチャネルプレート
内に比較的僅かな二次粒子ＳＥ´しか生ぜしめないから
である。
レートＫＰ内に生ぜしめられた二次粒子ＳＥ´は同様に
検出器信号Ｉに寄与する。後方散乱電子に起因しその都
度走査された接触点の荷電状態に依存しない信号量は何
れにしてもエネルギーＥＳＥ２ ＝Ｅ０ ＋ｅＶＣ の
二次電子に所属する成分よりも明らかに小さい。という
のは、高エネルギーの後方散乱電子はチャネルプレート
内に比較的僅かな二次粒子ＳＥ´しか生ぜしめないから
である。
【００１５】本発明は勿論上述した実施例に限定されな
い。即ち、図１に示された検出器を、同様にチャネルプ
レートＫＰの上方の側方に配置されたシンチレータ・ホ
トマルチプライヤ・ユニットによって置換することがで
きる。チャネルプレートＫＰの代わりに、例えば金属か
ら構成され場合によっては二次電子放出を促進する材料
によって被覆された板を使用することもできる。被覆材
料としては特に酸素活性のＡｇ−Ｍｇ合金が考慮される
。
い。即ち、図１に示された検出器を、同様にチャネルプ
レートＫＰの上方の側方に配置されたシンチレータ・ホ
トマルチプライヤ・ユニットによって置換することがで
きる。チャネルプレートＫＰの代わりに、例えば金属か
ら構成され場合によっては二次電子放出を促進する材料
によって被覆された板を使用することもできる。被覆材
料としては特に酸素活性のＡｇ−Ｍｇ合金が考慮される
。
【００１６】荷電された試料範囲から放出された二次電
子のエネルギーは絶対にエネルギーＥＭＡＸ に一致し
なければならないという必要はない。荷電された接触点
で測定された信号Ｉと荷電されていない接触点で測定さ
れた信号Ｉとが出来る限り明確に互いに相違しているこ
とが確保されればよい。このことは特に、荷電された接
触点から放射された二次電子ＳＥのエネルギーを値ＥＳ
Ｅ＝Ｅ０ ＋ｅＶＣ ＥＭＡＸ に制限する場合に保証
される。
子のエネルギーは絶対にエネルギーＥＭＡＸ に一致し
なければならないという必要はない。荷電された接触点
で測定された信号Ｉと荷電されていない接触点で測定さ
れた信号Ｉとが出来る限り明確に互いに相違しているこ
とが確保されればよい。このことは特に、荷電された接
触点から放射された二次電子ＳＥのエネルギーを値ＥＳ
Ｅ＝Ｅ０ ＋ｅＶＣ ＥＭＡＸ に制限する場合に保証
される。
【００１７】荷電された接触点で作られた信号と荷電さ
れていない接触点で作られた信号との間の比較は絶対に
コンパレータを用いて実施しなければならないという必
要はなく、アナログ−ディジタル変換に基づいてコンピ
ュータにて行ってもよい。
れていない接触点で作られた信号との間の比較は絶対に
コンパレータを用いて実施しなければならないという必
要はなく、アナログ−ディジタル変換に基づいてコンピ
ュータにて行ってもよい。
【図１】本発明による方法を実施するための装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】放出された電子の収量のエネルギー依存性を示
す特性図である。
す特性図である。
１、２、３ 接触点
ＬＰ プリント板
ＬＢ 金属膜
ＫＰ チャネルプレート
ＭＰ 金属板
Ｖ 増幅器
ＣＭＰ コンパレータ
ＳＷ 閾値
ＰＥ 電子ゾンデ
ＳＥ 二次電子
ＳＥ´ 二次粒子
Claims (6)
- 【請求項１】 試料範囲（２）は一次粒子を照射され
、それによって二次電子（ＳＥ）を放出するために励起
され、前記二次電子（ＳＥ）はコンバータ（ＫＰ）に供
給されて、そこで二次粒子（ＳＥ´）を生ぜしめ、前記
コンバータ（ＫＰ）内に生成された二次粒子流は検出器
（ＭＰ、Ｖ）にて測定され、前記二次粒子流を表す信号
（Ｉ）が閾値（ＳＷ）と比較されることを特徴とする試
料範囲の荷電状態決定方法。 - 【請求項２】 前記コンバータとしてチャネルプレー
ト（ＫＰ）が使用されることを特徴とする請求項１記載
の方法。 - 【請求項３】 前記コンバータとして金属板が使用さ
れることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記二次粒子流は前記コンバータ（Ｋ
Ｐ）の上方または下方に配置された検出器（ＭＰ、Ｖ）
にて測定されることを特徴とする請求項１ないし３の１
つに記載の方法。 - 【請求項５】 前記二次粒子流は金属板（ＭＰ）を用
いて測定されることを特徴とする請求項１ないし４の１
つに記載の方法。 - 【請求項６】 前記金属板は二次粒子収量（σ）を高
める膜によって被覆されていることを特徴とする請求項
３記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4039128.0 | 1990-12-07 | ||
| DE4039128 | 1990-12-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313250A true JPH04313250A (ja) | 1992-11-05 |
| JP2791726B2 JP2791726B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=6419834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3348248A Expired - Fee Related JP2791726B2 (ja) | 1990-12-07 | 1991-12-04 | 回路網領域の荷電状態検知方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0490154A3 (ja) |
| JP (1) | JP2791726B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5404110A (en) * | 1993-03-25 | 1995-04-04 | International Business Machines Corporation | System using induced current for contactless testing of wiring networks |
| DE19828476A1 (de) * | 1998-06-26 | 1999-12-30 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlgerät |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5177167A (ja) * | 1974-12-13 | 1976-07-03 | Philips Nv | |
| JPS61140871A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-27 | Jeol Ltd | 電子線を用いた電位測定装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2921151C2 (de) * | 1979-05-25 | 1982-12-02 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Vorrichtung zum Nachweis von in einem Abtast-Elektronenstrahlmikroskop von einer Probe ausgehenden Rückstreuelektronen |
| US4417203A (en) * | 1981-05-26 | 1983-11-22 | International Business Machines Corporation | System for contactless electrical property testing of multi-layer ceramics |
| US4841242A (en) * | 1987-04-10 | 1989-06-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for testing conductor networks |
| JPS6482445A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Hitachi Ltd | Charged particle detector |
-
1991
- 1991-11-25 EP EP19910120070 patent/EP0490154A3/de not_active Withdrawn
- 1991-12-04 JP JP3348248A patent/JP2791726B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5177167A (ja) * | 1974-12-13 | 1976-07-03 | Philips Nv | |
| JPS61140871A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-27 | Jeol Ltd | 電子線を用いた電位測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0490154A2 (de) | 1992-06-17 |
| EP0490154A3 (en) | 1992-09-30 |
| JP2791726B2 (ja) | 1998-08-27 |
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