JPH04313835A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04313835A JPH04313835A JP16329091A JP16329091A JPH04313835A JP H04313835 A JPH04313835 A JP H04313835A JP 16329091 A JP16329091 A JP 16329091A JP 16329091 A JP16329091 A JP 16329091A JP H04313835 A JPH04313835 A JP H04313835A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に希土類−遷移
金属合金膜を記録層とする光磁気記録媒体に関するもの
であり、特に低記録磁界化のための改良に関するもので
ある。
金属合金膜を記録層とする光磁気記録媒体に関するもの
であり、特に低記録磁界化のための改良に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、書き換え可能な高密度記録方式と
して、半導体レーザ光等の熱エネルギーを用いて磁性薄
膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利
用してこの情報を読み出す光磁気記録方式が注目されて
いる。
して、半導体レーザ光等の熱エネルギーを用いて磁性薄
膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利
用してこの情報を読み出す光磁気記録方式が注目されて
いる。
【０００３】この光磁気記録方式において使用される記
録材料としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類元素とＦ
ｅ，Ｃｏ等の遷移金属を組み合わせた希土類−遷移金属
合金膜等（以下、ＲＥ−ＴＭ磁性膜と称する。）が代表
的なものであり、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を記録層とする光磁
気記録媒体として、たとえばＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜、
ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ３ Ｎ４誘電体膜、Ａｌ反射
膜の４層構造を有するものが提案されている。
録材料としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類元素とＦ
ｅ，Ｃｏ等の遷移金属を組み合わせた希土類−遷移金属
合金膜等（以下、ＲＥ−ＴＭ磁性膜と称する。）が代表
的なものであり、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を記録層とする光磁
気記録媒体として、たとえばＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜、
ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ３ Ｎ４誘電体膜、Ａｌ反射
膜の４層構造を有するものが提案されている。
【０００４】このような４層構造を有する光磁気記録媒
体を製造するには、基板上に上記Ｓｉ３ Ｎ４ 誘電体
膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ３ Ｎ４ 誘電体膜及び
Ａｌ反射膜を順次スパッタリング等の手法によって成膜
する。そして、このうち特にＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜は
、成膜チャンバー中にスパッタリングガスとしてＡｒ等
の不活性ガスと反応ガスであるＮ２ 等を導入し、ＲＦ
反応性スパッタリングによって成膜されるのが一般的で
ある。
体を製造するには、基板上に上記Ｓｉ３ Ｎ４ 誘電体
膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ３ Ｎ４ 誘電体膜及び
Ａｌ反射膜を順次スパッタリング等の手法によって成膜
する。そして、このうち特にＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜は
、成膜チャンバー中にスパッタリングガスとしてＡｒ等
の不活性ガスと反応ガスであるＮ２ 等を導入し、ＲＦ
反応性スパッタリングによって成膜されるのが一般的で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
手法によって光磁気記録媒体を製造すると、上述の如く
ＴｂＦｅＣｏ磁性膜の成膜直後にＳｉ３ Ｎ４ 誘電体
膜が成膜されるので、磁性膜がわずかな時間ではあるが
誘電体膜の成膜雰囲気であるＡｒとＮ２ ガスのプラズ
マ中に放置され、さらにはスパッタリングされたＳｉ粒
子に曝され、その結果、解離あるいはイオン化した活性
元素（特にＮやＮ＋ 等）が磁性膜内部に入り込む現象
が起こる。このため、製造された光磁気記録媒体は、こ
れら不純物を磁性膜中に含んでいるために磁気的特性が
十分発揮されず、外部磁界１５０エルステッド以上で記
録しないと、満足なＣＮ比が得られないといった不都合
が生じてしまう。このことは、製造された光磁気記録媒
体をたとえば記録磁界強度が比較的小さいとされる磁界
変調方式に適用しようとした場合に大きな障害となる。
手法によって光磁気記録媒体を製造すると、上述の如く
ＴｂＦｅＣｏ磁性膜の成膜直後にＳｉ３ Ｎ４ 誘電体
膜が成膜されるので、磁性膜がわずかな時間ではあるが
誘電体膜の成膜雰囲気であるＡｒとＮ２ ガスのプラズ
マ中に放置され、さらにはスパッタリングされたＳｉ粒
子に曝され、その結果、解離あるいはイオン化した活性
元素（特にＮやＮ＋ 等）が磁性膜内部に入り込む現象
が起こる。このため、製造された光磁気記録媒体は、こ
れら不純物を磁性膜中に含んでいるために磁気的特性が
十分発揮されず、外部磁界１５０エルステッド以上で記
録しないと、満足なＣＮ比が得られないといった不都合
が生じてしまう。このことは、製造された光磁気記録媒
体をたとえば記録磁界強度が比較的小さいとされる磁界
変調方式に適用しようとした場合に大きな障害となる。
【０００６】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、誘電体膜成膜時に起こるＲ
Ｅ−ＴＭ磁性膜の特性劣化を抑え、低記録磁界下でも高
ＣＮ比が得られる光磁気記録媒体が製造できる光磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
て提案されたものであって、誘電体膜成膜時に起こるＲ
Ｅ−ＴＭ磁性膜の特性劣化を抑え、低記録磁界下でも高
ＣＮ比が得られる光磁気記録媒体が製造できる光磁気記
録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと長期に亘って鋭意研究を重ねた結果
、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した後、酸素ガスも
しくは酸素を一構成元素とする化合物のガスを含む放電
状態（プレスパッタ状態）の雰囲気中に基板を保持する
と、誘電体膜成膜時に起こるＲＥ−ＴＭ磁性膜の特性劣
化が防止されることを見い出すに至った。
的を達成せんものと長期に亘って鋭意研究を重ねた結果
、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した後、酸素ガスも
しくは酸素を一構成元素とする化合物のガスを含む放電
状態（プレスパッタ状態）の雰囲気中に基板を保持する
と、誘電体膜成膜時に起こるＲＥ−ＴＭ磁性膜の特性劣
化が防止されることを見い出すに至った。
【０００８】本発明はこのような知見に基づいて提案さ
れたもので、基板上に少なくとも希土類−遷移金属合金
薄膜と誘電体膜とを順次成膜する光磁気記録媒体の製造
方法において、前記希土類−遷移金属合金薄膜を成膜し
た後、少なくとも酸素ガスもしくは酸素を一構成元素と
する化合物のガスを含む放電状態の雰囲気中に基板を保
持することを特徴とする。
れたもので、基板上に少なくとも希土類−遷移金属合金
薄膜と誘電体膜とを順次成膜する光磁気記録媒体の製造
方法において、前記希土類−遷移金属合金薄膜を成膜し
た後、少なくとも酸素ガスもしくは酸素を一構成元素と
する化合物のガスを含む放電状態の雰囲気中に基板を保
持することを特徴とする。
【０００９】本発明の製造方法において、記録層となる
ＲＥ−ＴＭ磁性膜は、たとえばスパッタリング，分子線
エピタキシー，真空蒸着等の真空薄膜形成技術等の方法
によって基板上に成膜される。ここで、ＲＥ−ＴＭ磁性
膜をたとえばスパッタリングにより成膜する場合には、
希土類金属ターゲットと遷移金属ターゲットを使用した
二次元同時スパッタリングを行うのが便利である。
ＲＥ−ＴＭ磁性膜は、たとえばスパッタリング，分子線
エピタキシー，真空蒸着等の真空薄膜形成技術等の方法
によって基板上に成膜される。ここで、ＲＥ−ＴＭ磁性
膜をたとえばスパッタリングにより成膜する場合には、
希土類金属ターゲットと遷移金属ターゲットを使用した
二次元同時スパッタリングを行うのが便利である。
【００１０】なお、上記ＲＥ−ＴＭ磁性膜の膜厚は、実
用的な磁気光学特性を達成する観点から、１００〜１０
００Å程度とすることが好ましい。
用的な磁気光学特性を達成する観点から、１００〜１０
００Å程度とすることが好ましい。
【００１１】また、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が成膜される基板
の材料としては、ガラス，ポリカーボネート，ＰＭＭＡ
（ポリメチルメタクリレート），セラミクス，シリコン
ウェハ等が使用可能である。
の材料としては、ガラス，ポリカーボネート，ＰＭＭＡ
（ポリメチルメタクリレート），セラミクス，シリコン
ウェハ等が使用可能である。
【００１２】このようにしてＲＥ−ＴＭ磁性膜を形成し
た後、このＲＥ−ＴＭ磁性膜上に誘電体膜を成膜するが
、このＲＥ−ＴＭ磁性膜形成後、直ぐに誘電体膜を成膜
すると、誘電体膜の成膜雰囲気中のＮやＮ＋ あるいは
スパッタリングされたＳｉ粒子等がＲＥ−ＴＭ磁性膜中
に混入し、磁性膜の特性劣化を引き起こす。したがって
、本発明の製造方法では、このような磁性膜の特性劣化
を抑えるために、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した
後、この基板を酸素ガスあるいは酸素を一構成元素とす
る化合物のガスを含む放電状態の雰囲気中に一定時間放
置することとする。
た後、このＲＥ−ＴＭ磁性膜上に誘電体膜を成膜するが
、このＲＥ−ＴＭ磁性膜形成後、直ぐに誘電体膜を成膜
すると、誘電体膜の成膜雰囲気中のＮやＮ＋ あるいは
スパッタリングされたＳｉ粒子等がＲＥ−ＴＭ磁性膜中
に混入し、磁性膜の特性劣化を引き起こす。したがって
、本発明の製造方法では、このような磁性膜の特性劣化
を抑えるために、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した
後、この基板を酸素ガスあるいは酸素を一構成元素とす
る化合物のガスを含む放電状態の雰囲気中に一定時間放
置することとする。
【００１３】なお、ここで酸素を一構成元素とする化合
物のガスとしては、たとえばＣＯ，ＣＯ２ 等が挙げら
れる。
物のガスとしては、たとえばＣＯ，ＣＯ２ 等が挙げら
れる。
【００１４】また、酸素ガスあるいは酸素を一構成元素
とする化合物のガスの分圧は、１．６×１０−５〜１×
１０−３Ｔｏｒｒ程度とすればよく、また保持時間は、
数分程度と短くてよいが、ガス分圧によってＣＮ比が最
大となる最適保持時間が異なることから、ガス分圧に応
じて選定することがより好ましい。
とする化合物のガスの分圧は、１．６×１０−５〜１×
１０−３Ｔｏｒｒ程度とすればよく、また保持時間は、
数分程度と短くてよいが、ガス分圧によってＣＮ比が最
大となる最適保持時間が異なることから、ガス分圧に応
じて選定することがより好ましい。
【００１５】そして、このようにしてＲＥ−ＴＭ磁性膜
が成膜された基板を上記放電雰囲気中に放置した後、上
記ＲＥ−ＴＭ磁性膜上に誘電体膜および反射膜を順次成
膜する。
が成膜された基板を上記放電雰囲気中に放置した後、上
記ＲＥ−ＴＭ磁性膜上に誘電体膜および反射膜を順次成
膜する。
【００１６】上記誘電体膜は耐蝕性の向上や多重反射に
よるカー回転角の増大（カー効果エンハンスメント）を
目的として設けられるものであり、酸化物，窒化物，オ
キシナイトライド等の材料を真空薄膜形成技術により１
００〜２０００Åの膜厚で成膜することにより得られる
。この誘電体膜は、基板とＲＥ−ＴＭ磁性膜の間に介在
させても、ＲＥ−ＴＭ磁性膜の上に積層しても、あるい
はその両方であっても良い。
よるカー回転角の増大（カー効果エンハンスメント）を
目的として設けられるものであり、酸化物，窒化物，オ
キシナイトライド等の材料を真空薄膜形成技術により１
００〜２０００Åの膜厚で成膜することにより得られる
。この誘電体膜は、基板とＲＥ−ＴＭ磁性膜の間に介在
させても、ＲＥ−ＴＭ磁性膜の上に積層しても、あるい
はその両方であっても良い。
【００１７】一方、上記反射膜は、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を
透過したレーザ光をも反射させることによりカー効果に
ファラデー効果を相乗させ、回転角を拡大するために設
けられるものである。通常、Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ等
の金属材料を真空薄膜形成技術にて成膜することにより
得られる。
透過したレーザ光をも反射させることによりカー効果に
ファラデー効果を相乗させ、回転角を拡大するために設
けられるものである。通常、Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ等
の金属材料を真空薄膜形成技術にて成膜することにより
得られる。
【００１８】なお、本発明の製造方法では、これら真空
薄膜形成技術による種々の成膜工程が終了した後、さら
に紫外線効果樹脂を塗布して保護膜を形成するようにし
てもよい。
薄膜形成技術による種々の成膜工程が終了した後、さら
に紫外線効果樹脂を塗布して保護膜を形成するようにし
てもよい。
【００１９】
【作用】基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した後、直ぐ
に誘電体を成膜すると、磁性膜が誘電体膜の成膜雰囲気
に曝されるため、誘電体膜に由来するＮやＮ＋ あるい
はＳｉ粒子等がＲＥ−ＴＭ磁性膜に混入し、磁性膜の特
性劣化を引き起こす。これに対し、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が
成膜された基板を酸素ガスもしくは酸素を一構成元素と
する化合物のガスを含む放電状態の雰囲気中に保持した
後、誘電体膜を成膜すると、上述のような磁性膜の特性
劣化が抑えられ、高ＣＮ比を示す光磁気記録媒体が製造
される。これは、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が成膜された基板を
酸素ガス等を含む放電状態の雰囲気中の保持すると、磁
性膜上部に酸素を含む組成の層が形成され、この層が誘
電体膜に由来する元素が磁性膜へ混入するのを防止する
如く機能するからと推測される。
に誘電体を成膜すると、磁性膜が誘電体膜の成膜雰囲気
に曝されるため、誘電体膜に由来するＮやＮ＋ あるい
はＳｉ粒子等がＲＥ−ＴＭ磁性膜に混入し、磁性膜の特
性劣化を引き起こす。これに対し、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が
成膜された基板を酸素ガスもしくは酸素を一構成元素と
する化合物のガスを含む放電状態の雰囲気中に保持した
後、誘電体膜を成膜すると、上述のような磁性膜の特性
劣化が抑えられ、高ＣＮ比を示す光磁気記録媒体が製造
される。これは、ＲＥ−ＴＭ磁性膜が成膜された基板を
酸素ガス等を含む放電状態の雰囲気中の保持すると、磁
性膜上部に酸素を含む組成の層が形成され、この層が誘
電体膜に由来する元素が磁性膜へ混入するのを防止する
如く機能するからと推測される。
【００２０】
【実施例】本発明の好適な実施例について実験結果に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００２１】実施例１
本実施例は、基板上にＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜，ＴｂＦ
ｅＣｏ磁性膜，ＳｉＣＯＮ誘電体膜，Ａｌ反射膜を順次
スパッタリングによって成膜して光磁気記録媒体を製造
するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、Ｃ
Ｏ２ を含む放電状態の雰囲気下で保持した例である。
ｅＣｏ磁性膜，ＳｉＣＯＮ誘電体膜，Ａｌ反射膜を順次
スパッタリングによって成膜して光磁気記録媒体を製造
するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、Ｃ
Ｏ２ を含む放電状態の雰囲気下で保持した例である。
【００２２】先ず、本実施例において作製された光磁気
記録媒体の概略的な構成を図１に示す。この光磁気記録
媒体は、記録・再生が基板側から行われることを前提と
しており、基板１上にＳｉ３ Ｎ４ からなる誘電体膜
２、ＲＥ−ＴＭ磁性膜として機能するＴｂＦｅＣｏ磁性
膜３、ＳｉＣＯＮからなる誘電体膜４、Ａｌ反射膜５が
この順序にて積層されたものである。
記録媒体の概略的な構成を図１に示す。この光磁気記録
媒体は、記録・再生が基板側から行われることを前提と
しており、基板１上にＳｉ３ Ｎ４ からなる誘電体膜
２、ＲＥ−ＴＭ磁性膜として機能するＴｂＦｅＣｏ磁性
膜３、ＳｉＣＯＮからなる誘電体膜４、Ａｌ反射膜５が
この順序にて積層されたものである。
【００２３】かかる光磁気記録媒体を作成するには、先
ず、Ｓｉ３ Ｎ４ 誘電体膜２、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜３
、ＳｉＣＯＮ誘電体膜４、Ａｌ反射膜５を連続工程によ
り成膜するため、４元スパッタリング装置のチャンバー
内にＳｉ、Ｔｂ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの各ターゲットを
載置した。この装置によれば、各ターゲットに対応して
設けられたシャッターを開閉することにより、所望のタ
ーゲットを使用することができる。そして、このスパッ
タリング装置内に基板を装着した後、チャンバー内を排
気し、以下のようにして順次成膜を行った。
ず、Ｓｉ３ Ｎ４ 誘電体膜２、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜３
、ＳｉＣＯＮ誘電体膜４、Ａｌ反射膜５を連続工程によ
り成膜するため、４元スパッタリング装置のチャンバー
内にＳｉ、Ｔｂ、ＦｅＣｏ合金、Ａｌの各ターゲットを
載置した。この装置によれば、各ターゲットに対応して
設けられたシャッターを開閉することにより、所望のタ
ーゲットを使用することができる。そして、このスパッ
タリング装置内に基板を装着した後、チャンバー内を排
気し、以下のようにして順次成膜を行った。
【００２４】はじめに、成膜条件１に従って、窒素ガス
とアルゴンガスの雰囲気中でＳｉターゲットを使用して
高周波反応性スパッタリングを行い、膜厚８００〜２０
００ÅのＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜２を成膜した。
とアルゴンガスの雰囲気中でＳｉターゲットを使用して
高周波反応性スパッタリングを行い、膜厚８００〜２０
００ÅのＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜２を成膜した。
【００２５】次いで、成膜条件２に従って、Ｔｂターゲ
ットとＦｅＣｏ合金ターゲットを使用して直流同時２元
スパッタリングを行い、Ｔｂ１９（Ｆｅ９０Ｃｏ１０）
８１の組成を有する膜厚２００〜３００ÅのＴｂＦｅＣ
ｏ磁性膜３を成膜した。
ットとＦｅＣｏ合金ターゲットを使用して直流同時２元
スパッタリングを行い、Ｔｂ１９（Ｆｅ９０Ｃｏ１０）
８１の組成を有する膜厚２００〜３００ÅのＴｂＦｅＣ
ｏ磁性膜３を成膜した。
【００２６】このようにして、Ｓｉ３ Ｎ４ 誘電体膜
２、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜３を成膜した後、下記に示す放
電雰囲気下に基板を２分間保持した。 放電雰囲気条件 Ａｒガス ８０ＳＣＣＭ Ｎ２ ガス ７ＳＣＣＭＣＯ２ ガス
５ＳＣＣＭ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ放電時間
２分間 投入パワー ２ｋＷ
２、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜３を成膜した後、下記に示す放
電雰囲気下に基板を２分間保持した。 放電雰囲気条件 Ａｒガス ８０ＳＣＣＭ Ｎ２ ガス ７ＳＣＣＭＣＯ２ ガス
５ＳＣＣＭ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ放電時間
２分間 投入パワー ２ｋＷ
【００２７】次に、成膜条件３に従ってアルゴンガス，
チッ素ガスおよびＣＯ２ ガスの雰囲気中でＳｉターゲ
ットを使用して高周波反応性スパッタリングを行って膜
厚２００〜６００ÅのＳｉＣＯＮ誘電体膜４を成膜し、
さらに成膜条件４に従って、Ａｌターゲットを使用して
直流スパッタリングにより、膜厚４００〜８００ÅのＡ
ｌ反射膜５を成膜して光磁気記録媒体を作成した。
チッ素ガスおよびＣＯ２ ガスの雰囲気中でＳｉターゲ
ットを使用して高周波反応性スパッタリングを行って膜
厚２００〜６００ÅのＳｉＣＯＮ誘電体膜４を成膜し、
さらに成膜条件４に従って、Ａｌターゲットを使用して
直流スパッタリングにより、膜厚４００〜８００ÅのＡ
ｌ反射膜５を成膜して光磁気記録媒体を作成した。
【００２８】実施例２
本実施例は、基板上に第１のＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜，
ＴｂＦｅＣｏ磁性膜，第２のＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜，
Ａｌ反射膜を順次スパッタリングによって成膜して光磁
気記録媒体を製造するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜
を成膜した後、ＣＯ２ を含む放電状態の雰囲気下で保
持した例である。
ＴｂＦｅＣｏ磁性膜，第２のＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜，
Ａｌ反射膜を順次スパッタリングによって成膜して光磁
気記録媒体を製造するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜
を成膜した後、ＣＯ２ を含む放電状態の雰囲気下で保
持した例である。
【００２９】実施例１と同様にして、基板上にＳｉ３
Ｎ４ 誘電体膜，ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、下
記に示す放電雰囲気下に基板を２分間保持した。 放電雰囲気条件 Ａｒガス ８０ＳＣＣＭ ＣＯ２ ガス ５ＳＣＣＭ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ放電時間
２分間 投入パワー ２ｋＷ
Ｎ４ 誘電体膜，ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、下
記に示す放電雰囲気下に基板を２分間保持した。 放電雰囲気条件 Ａｒガス ８０ＳＣＣＭ ＣＯ２ ガス ５ＳＣＣＭ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒ放電時間
２分間 投入パワー ２ｋＷ
【００３０】次に、成膜条件１に従って、アルゴンガス
，窒素ガスの雰囲気中でＳｉターゲットを使用して高周
波反応性スパッタリングを行って膜厚２００〜６００Å
の第２のＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜を成膜し、さらに成膜
条件４に従ってＡｌターゲットを使用して直流スパッタ
リングにより膜厚４００〜８００ÅのＡｌ反射膜を成膜
し、光磁気記録媒体を作製した。
，窒素ガスの雰囲気中でＳｉターゲットを使用して高周
波反応性スパッタリングを行って膜厚２００〜６００Å
の第２のＳｉ３ Ｎ４ 誘電体膜を成膜し、さらに成膜
条件４に従ってＡｌターゲットを使用して直流スパッタ
リングにより膜厚４００〜８００ÅのＡｌ反射膜を成膜
し、光磁気記録媒体を作製した。
【００３１】実施例３
本実施例は、基板上に第１のＳｉＣＯＮ誘電体膜，Ｔｂ
ＦｅＣｏ磁性膜，Ａｌ反射膜，第２のＳｉＣＯＮ誘電体
膜を順次スパッタリングによって成膜して光磁気記録媒
体を製造するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜し
た後、ＣＯ２を含む放電状態の雰囲気下で保持した例で
ある。
ＦｅＣｏ磁性膜，Ａｌ反射膜，第２のＳｉＣＯＮ誘電体
膜を順次スパッタリングによって成膜して光磁気記録媒
体を製造するに際し、前記ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜し
た後、ＣＯ２を含む放電状態の雰囲気下で保持した例で
ある。
【００３２】はじめに、成膜条件３に従ってアルゴンガ
ス，チッ素ガスおよびＣＯ２ ガスの雰囲気中でＳｉタ
ーゲットを使用して高周波反応性スパッタリングを行い
、第１のＳｉＣＯＮ誘電体膜を成膜した。
ス，チッ素ガスおよびＣＯ２ ガスの雰囲気中でＳｉタ
ーゲットを使用して高周波反応性スパッタリングを行い
、第１のＳｉＣＯＮ誘電体膜を成膜した。
【００３３】次いで、成膜条件２に従って、Ｔｂターゲ
ットとＦｅＣｏ合金ターゲットを使用して直流同時２元
スパッタリングを行い、Ｔｂ１９（Ｆｅ９０Ｃｏ１０）
８１の組成を有するＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した。
ットとＦｅＣｏ合金ターゲットを使用して直流同時２元
スパッタリングを行い、Ｔｂ１９（Ｆｅ９０Ｃｏ１０）
８１の組成を有するＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した。
【００３４】このようにして、第１のＳｉＣＯＮ誘電体
膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、下記に示す放電
雰囲気下に基板を２分間保持した。 放電雰囲気条件 Ａｒ ８０ＳＣＣＭＣＯ２
５ＳＣＣＭガス圧
３ｍＴｏｒｒ放電時間 ２分間 投入パワー ２ｋＷ
膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成膜した後、下記に示す放電
雰囲気下に基板を２分間保持した。 放電雰囲気条件 Ａｒ ８０ＳＣＣＭＣＯ２
５ＳＣＣＭガス圧
３ｍＴｏｒｒ放電時間 ２分間 投入パワー ２ｋＷ
【００３５】次に、成膜条件４に従って、直流スパッタ
リングにより膜厚４００〜８００ÅのＡｌ反射膜を成膜
し、さらに成膜条件３に従ってアルゴンガス，チッ素ガ
スおよびＣＯ２ ガスの雰囲気中でＳｉターゲットを使
用して高周波反応性スパッタリングを行い、第２のＳｉ
ＣＯＮ誘電体膜を成膜し、光磁気記録媒体を作成した。
リングにより膜厚４００〜８００ÅのＡｌ反射膜を成膜
し、さらに成膜条件３に従ってアルゴンガス，チッ素ガ
スおよびＣＯ２ ガスの雰囲気中でＳｉターゲットを使
用して高周波反応性スパッタリングを行い、第２のＳｉ
ＣＯＮ誘電体膜を成膜し、光磁気記録媒体を作成した。
【００３６】比較例１
比較として、従来の方法で光磁気記録媒体を製造した例
である。ＲＥ−ＴＭ磁性膜成膜後にＣＯ２ を含有する
放電状態の雰囲気下で保持することを除いて、実施例２
と同様にして光磁気記録媒体を作製した。
である。ＲＥ−ＴＭ磁性膜成膜後にＣＯ２ を含有する
放電状態の雰囲気下で保持することを除いて、実施例２
と同様にして光磁気記録媒体を作製した。
【００３７】下記に実施例１〜３および比較例１におい
て使用した成膜条件１〜４について示す。 成膜条件１（Ｓｉ３ Ｎ４ 誘電体膜成膜条件）Ａｒガ
ス ７５ＳＣＣＭ Ｎ２ ガス ２５ＳＣＣＭ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒターゲット
Ｓｉ 投入パワー ２ｋＷ 成膜条件２（ＴｂＦｅＣｏ磁性膜成膜条件）Ａｒガス
６０ＳＣＣＭ ガス圧 １．７ｍＴｏｒｒ ターゲット ＴｂおよびＦｅＣｏ合金投入パワー
Ｔｂ２８０Ｗ ＦｅＣｏ８００Ｗ 成膜条件３（ＳｉＣＯＮ誘電体膜成膜条件）Ａｒガス
８０ＳＣＣＭ Ｎ２ ガス ７ＳＣＣＭＣＯ２ ガス
５ＳＣＣＭ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒターゲット
Ｓｉ 投入パワー ２ｋＷ 成膜条件４（Ａｌ反射膜成膜条件） Ａｒガス ６０ＳＣＣＭ ガス圧 １．７ｍＴｏｒｒ ターゲット Ａｌ 投入パワー １．５ｋＷ
て使用した成膜条件１〜４について示す。 成膜条件１（Ｓｉ３ Ｎ４ 誘電体膜成膜条件）Ａｒガ
ス ７５ＳＣＣＭ Ｎ２ ガス ２５ＳＣＣＭ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒターゲット
Ｓｉ 投入パワー ２ｋＷ 成膜条件２（ＴｂＦｅＣｏ磁性膜成膜条件）Ａｒガス
６０ＳＣＣＭ ガス圧 １．７ｍＴｏｒｒ ターゲット ＴｂおよびＦｅＣｏ合金投入パワー
Ｔｂ２８０Ｗ ＦｅＣｏ８００Ｗ 成膜条件３（ＳｉＣＯＮ誘電体膜成膜条件）Ａｒガス
８０ＳＣＣＭ Ｎ２ ガス ７ＳＣＣＭＣＯ２ ガス
５ＳＣＣＭ ガス圧 ３ｍＴｏｒｒターゲット
Ｓｉ 投入パワー ２ｋＷ 成膜条件４（Ａｌ反射膜成膜条件） Ａｒガス ６０ＳＣＣＭ ガス圧 １．７ｍＴｏｒｒ ターゲット Ａｌ 投入パワー １．５ｋＷ
【００３８】以上のようにして各実施例および比較例で
作成された光磁気記録媒体について、外部記録磁界強度
とＣＮ比の関係の検討を行った。その結果を図２に示す
。
作成された光磁気記録媒体について、外部記録磁界強度
とＣＮ比の関係の検討を行った。その結果を図２に示す
。
【００３９】図２を見ると、比較例１において作製され
た光磁気記録媒体では、実用的なＣＮ比とされる４５ｄ
Ｂを得るには、少なくとも１００Ｏｅ以上の磁界強度が
必要であるのに対し、実施例１〜３で作製された光磁気
記録媒体においては、磁界強度７５Ｏｅで既にＣＮ比が
４５ｄＢをはるかに越えていることがわかる。したがっ
て、これらの結果から、光磁気記録媒体を製造するに際
し、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した後、ＣＯ２ を含有す
る放電状態の雰囲気中に保持すると、低記録磁界下でも
高いＣＮ比が得られる光磁気記録媒体が製造できること
が示された。
た光磁気記録媒体では、実用的なＣＮ比とされる４５ｄ
Ｂを得るには、少なくとも１００Ｏｅ以上の磁界強度が
必要であるのに対し、実施例１〜３で作製された光磁気
記録媒体においては、磁界強度７５Ｏｅで既にＣＮ比が
４５ｄＢをはるかに越えていることがわかる。したがっ
て、これらの結果から、光磁気記録媒体を製造するに際
し、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した後、ＣＯ２ を含有す
る放電状態の雰囲気中に保持すると、低記録磁界下でも
高いＣＮ比が得られる光磁気記録媒体が製造できること
が示された。
【００４０】またこの低記録磁界化が実施例１〜３で作
製された光磁気記録媒体の全てに認められることから、
上記雰囲気下での保持は、ＲＥ−ＴＭ磁性膜上に成膜す
る誘電体膜の組成によらず、有効であることが示された
。
製された光磁気記録媒体の全てに認められることから、
上記雰囲気下での保持は、ＲＥ−ＴＭ磁性膜上に成膜す
る誘電体膜の組成によらず、有効であることが示された
。
【００４１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の製造方法においては、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜成
膜後、少なくとも酸素ガスあるいは酸素を一構成元素と
する化合物のガスを含む放電状態の雰囲気中で保持して
いるので、誘電体膜に由来する元素がＲＥ−ＴＭ磁性膜
へ入り込むことによる特性劣化が防止される。したがっ
て、低記録磁界下においても高ＣＮ比が得られ、たとえ
ば磁界変調方式に適用しても良好な記録再生特性を発揮
する光磁気記録媒体を製造することが可能となる。
明の製造方法においては、基板上にＲＥ−ＴＭ磁性膜成
膜後、少なくとも酸素ガスあるいは酸素を一構成元素と
する化合物のガスを含む放電状態の雰囲気中で保持して
いるので、誘電体膜に由来する元素がＲＥ−ＴＭ磁性膜
へ入り込むことによる特性劣化が防止される。したがっ
て、低記録磁界下においても高ＣＮ比が得られ、たとえ
ば磁界変調方式に適用しても良好な記録再生特性を発揮
する光磁気記録媒体を製造することが可能となる。
【図１】本発明の製造方法で製造された光磁気記録媒体
の構成例を示す要部概略断面図である。
の構成例を示す要部概略断面図である。
【図２】光磁気記録媒体における外部記録磁界強度とＣ
Ｎ比の関係を示す特性図である。
Ｎ比の関係を示す特性図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも希土類−遷移金属
合金薄膜と誘電体膜とを順次成膜する光磁気記録媒体の
製造方法において、前記希土類−遷移金属合金薄膜を成
膜した後、少なくとも酸素ガスもしくは酸素を一構成元
素とする化合物のガスを含む放電状態の雰囲気中に基板
を保持することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03163290A JP3079651B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03163290A JP3079651B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313835A true JPH04313835A (ja) | 1992-11-05 |
| JP3079651B2 JP3079651B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=15771015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03163290A Expired - Fee Related JP3079651B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3079651B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593789A (en) * | 1993-12-14 | 1997-01-14 | Tdk Corporation | Magneto-optical recording medium |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP03163290A patent/JP3079651B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593789A (en) * | 1993-12-14 | 1997-01-14 | Tdk Corporation | Magneto-optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3079651B2 (ja) | 2000-08-21 |
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