JPH0431489A - 酸化防止剤およびこれを含有する高分子組成物 - Google Patents
酸化防止剤およびこれを含有する高分子組成物Info
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- JPH0431489A JPH0431489A JP13742690A JP13742690A JPH0431489A JP H0431489 A JPH0431489 A JP H0431489A JP 13742690 A JP13742690 A JP 13742690A JP 13742690 A JP13742690 A JP 13742690A JP H0431489 A JPH0431489 A JP H0431489A
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ポリマーと架橋可能な酸化防止剤およびこれ
を含んで成る高分子組成物に関する。
を含んで成る高分子組成物に関する。
[従来の技術]
高分子材料の酸化による劣化を防止するため、従来から
フェノール系、アミン系、含イオウ系、含リン系の酸化
防止剤が使用されている。
フェノール系、アミン系、含イオウ系、含リン系の酸化
防止剤が使用されている。
アミン系の酸化防止剤は、はとんどか汚染性であるため
用途が限られ、最近では非汚染性であるフェノール系の
酸化防止剤が多用されている。フェノール系の酸化防止
剤では、ヒンダードフェノール類が特に重要であり、例
えば、n−オクタテンルー3°、5゛−ジーt−ブチル
フェニルプロピオネートやテトラキス−[メチレン−1
(3’、5゜ジ−t−ブチル−4−ヒドロキノフェニル
)プロピオネートコメタンなどがその代表例である。
用途が限られ、最近では非汚染性であるフェノール系の
酸化防止剤が多用されている。フェノール系の酸化防止
剤では、ヒンダードフェノール類が特に重要であり、例
えば、n−オクタテンルー3°、5゛−ジーt−ブチル
フェニルプロピオネートやテトラキス−[メチレン−1
(3’、5゜ジ−t−ブチル−4−ヒドロキノフェニル
)プロピオネートコメタンなどがその代表例である。
この他、例えば、ジラウリルヂオジブロビオネートや2
−メルカプトベンズイミダゾールなどの含イオウ系酸化
防止剤、トリフェニルホスファイト、トリ(ノニルフェ
ニル)ホスファイトなどの含リン系酸化防止剤が知られ
ている。
−メルカプトベンズイミダゾールなどの含イオウ系酸化
防止剤、トリフェニルホスファイト、トリ(ノニルフェ
ニル)ホスファイトなどの含リン系酸化防止剤が知られ
ている。
含イオウ系および含リン系酸化防止剤は、通常、単独で
用いられることは少なく、フェノール系酸化防止剤と併
用される場合が多い。すなわち、高分子材料の酸化過程
で発生ずるランカル種をフェノール系酸化防止剤で捕捉
し、その過程で生成する過酸化物を含イ才つ系または含
リン系酸化防止剤で分解することによって、相乗的に酸
化防止効果を高める手法が用いられる。
用いられることは少なく、フェノール系酸化防止剤と併
用される場合が多い。すなわち、高分子材料の酸化過程
で発生ずるランカル種をフェノール系酸化防止剤で捕捉
し、その過程で生成する過酸化物を含イ才つ系または含
リン系酸化防止剤で分解することによって、相乗的に酸
化防止効果を高める手法が用いられる。
しかしながら、これらの酸化防止剤は、一般に混練り操
作によって単に配合物中に物理的に分散して使用されて
いるにすぎない。このため、特に高温条件下で長期間使
用しているうちに酸化防止剤が製品表面に移行、析出(
いわゆるブルーミング)し、さらには揮散、蒸散して酸
化防止効果が著しく低下したり、製品の外観が著しく損
なわれるという欠点がある。
作によって単に配合物中に物理的に分散して使用されて
いるにすぎない。このため、特に高温条件下で長期間使
用しているうちに酸化防止剤が製品表面に移行、析出(
いわゆるブルーミング)し、さらには揮散、蒸散して酸
化防止効果が著しく低下したり、製品の外観が著しく損
なわれるという欠点がある。
この問題を解決するため、ポリマーに架橋し得るように
分子内に炭素−炭素二重結合を有する酸化防止剤が開発
されるに至っている。例えば、式 で示される、同一分子内にヒンダードフェノール基とビ
ニロキシ基、あるいはヒンダードフェノール基とビニル
基を有する反応性酸化防止剤が知られている(「酸化防
止剤ハンドブック」、第1版、3〜4頁、大成社)。
分子内に炭素−炭素二重結合を有する酸化防止剤が開発
されるに至っている。例えば、式 で示される、同一分子内にヒンダードフェノール基とビ
ニロキシ基、あるいはヒンダードフェノール基とビニル
基を有する反応性酸化防止剤が知られている(「酸化防
止剤ハンドブック」、第1版、3〜4頁、大成社)。
また、特開昭54−153898号には、フェノール系
酸化防止剤を含有する共重合体の製造方法が開示されて
いる。
酸化防止剤を含有する共重合体の製造方法が開示されて
いる。
[発明か解決しようとする課題]
近年、高分子材料をより高温で、かつより長時間使用す
るという要求は、ますます高まる傾向にある。この要求
を満たす手段として、フェノール系酸化防止剤と含イ才
つ系または含リン系酸化防止剤を併用する方法が知られ
ている。
るという要求は、ますます高まる傾向にある。この要求
を満たす手段として、フェノール系酸化防止剤と含イ才
つ系または含リン系酸化防止剤を併用する方法が知られ
ている。
この場合、前記のような反応性フェノール系酸化防止剤
を含イオウ系または含リン系酸化防止剤と併用すれば、
フェノール系酸化防止剤のブルーミングおよび散逸を防
止できる。しかしながら、含イオウ系または含リン系酸
化防止剤についてもフェノール系酸化防止剤と同様、高
温下、長時間使用による高分子組成物からのブルーミン
グおよび散逸の問題があり改良が求められている。
を含イオウ系または含リン系酸化防止剤と併用すれば、
フェノール系酸化防止剤のブルーミングおよび散逸を防
止できる。しかしながら、含イオウ系または含リン系酸
化防止剤についてもフェノール系酸化防止剤と同様、高
温下、長時間使用による高分子組成物からのブルーミン
グおよび散逸の問題があり改良が求められている。
本発明は、十分な酸化防止効果を存し、かり耐ブルーミ
ング性に優れる酸化防止剤およびこれを含有する高分子
組成物を提供しようとするものである。
ング性に優れる酸化防止剤およびこれを含有する高分子
組成物を提供しようとするものである。
1課題を解決するための手段]
面記の課題は、一般式:
%式%
U式中、R,R,およびR1は有機基を表し、少なくと
も1つが、炭素−炭素不飽和結合を有する基であり、X
≧0である。ただしx=0の場合、R1およびR2の少
なくとも1つか、炭素−炭素不飽和結合を有する基であ
る。コ で示されるチオエーテル化合物から成る酸化防止剤を使
用することによって解決することができる。
も1つが、炭素−炭素不飽和結合を有する基であり、X
≧0である。ただしx=0の場合、R1およびR2の少
なくとも1つか、炭素−炭素不飽和結合を有する基であ
る。コ で示されるチオエーテル化合物から成る酸化防止剤を使
用することによって解決することができる。
前記の式において、X>0の場合にはR,R,およびR
2の少なくとも1つ、x=0の場合にはR1およびR7
の少なくとも】つば、炭素−炭素不飽和結合を有する有
機基である。例としてビニル基、アリル基、アリロキシ
基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基などを挙げるこ
とができる。また、脂肪族基だ]Jに限られず、芳香環
などを含む有機基であってもよい。このような基を分子
内に導入することによってポリマーとの架橋か可能にな
り、高温下、長時間使用による酸化防止剤のブルーミン
グおよび散逸を解決できる。さらに、フェノール系酸化
防止剤または反応性フェノール系酸化防止剤との併用に
よって、高度の耐熱性を有する高分子組成物を得ること
ができる。炭素−炭素不飽和結合を有しない他の有機基
としては、例えば炭素数1〜I8の飽和脂肪族基が好ま
しい。
2の少なくとも1つ、x=0の場合にはR1およびR7
の少なくとも】つば、炭素−炭素不飽和結合を有する有
機基である。例としてビニル基、アリル基、アリロキシ
基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基などを挙げるこ
とができる。また、脂肪族基だ]Jに限られず、芳香環
などを含む有機基であってもよい。このような基を分子
内に導入することによってポリマーとの架橋か可能にな
り、高温下、長時間使用による酸化防止剤のブルーミン
グおよび散逸を解決できる。さらに、フェノール系酸化
防止剤または反応性フェノール系酸化防止剤との併用に
よって、高度の耐熱性を有する高分子組成物を得ること
ができる。炭素−炭素不飽和結合を有しない他の有機基
としては、例えば炭素数1〜I8の飽和脂肪族基が好ま
しい。
本発明の酸化防止剤は、例えば、第3級アミンの存在下
で、チオジェタノール(HOCHffiCH。
で、チオジェタノール(HOCHffiCH。
SCH,C)(、OH)と不飽和カルボン酸の酸ノ10
ゲン化物、または不飽和カルボン酸の酸ハロゲン化物と
飽和カルボン酸の酸ハロゲン化物との混合物とをヘキサ
ン、石油エーテル、メチルエヂルケトンなどの溶媒中で
反応させ、生成した第3級アミンの塩酸塩を適当な方法
で分離した後、得られた反応生成物を濃縮して得ること
ができる。
ゲン化物、または不飽和カルボン酸の酸ハロゲン化物と
飽和カルボン酸の酸ハロゲン化物との混合物とをヘキサ
ン、石油エーテル、メチルエヂルケトンなどの溶媒中で
反応させ、生成した第3級アミンの塩酸塩を適当な方法
で分離した後、得られた反応生成物を濃縮して得ること
ができる。
不飽和カルボン酸の酸ハロゲン化物としては、オレイン
酸クロリド、ウンデセノイルクロリド、アクリル酸クロ
リド、メタクリル酸クロリド、クロトン酸クロリドなど
を例として挙げることができる。このような酸ハロゲン
化物を単独で、あるいは混合物として使用することがで
きる。飽和カルボン酸の酸ハロゲン化物としては、例え
ばバルミチン酸、ステアリン酸などの酸塩化物を挙げる
ことができ、必要に応じて適宜選定できる。
酸クロリド、ウンデセノイルクロリド、アクリル酸クロ
リド、メタクリル酸クロリド、クロトン酸クロリドなど
を例として挙げることができる。このような酸ハロゲン
化物を単独で、あるいは混合物として使用することがで
きる。飽和カルボン酸の酸ハロゲン化物としては、例え
ばバルミチン酸、ステアリン酸などの酸塩化物を挙げる
ことができ、必要に応じて適宜選定できる。
前述の方法において、例えばチオジェタノールの代わり
に4,4゛−チオンフェノール(HO−C。
に4,4゛−チオンフェノール(HO−C。
H4S C6H50H)、1,1°−チオン(2−ナ
フトール)、チオンサリチル酸[S (H0CsHs
COOHoe]などを使用すれば、芳香環を含む有機
基を有するチオエーテル化合物を得ることができる。
フトール)、チオンサリチル酸[S (H0CsHs
COOHoe]などを使用すれば、芳香環を含む有機
基を有するチオエーテル化合物を得ることができる。
また、出発物質と17てチオジアルコールの代わりに、
例えばチオジグリコール酸(S(CHyCOOH)z)
、チオジプロピオン酸(S(CH2CH,Co o H
)、)、チオンコハク酸(S(CH2CH,CH。
例えばチオジグリコール酸(S(CHyCOOH)z)
、チオジプロピオン酸(S(CH2CH,Co o H
)、)、チオンコハク酸(S(CH2CH,CH。
COOH)t)などのようなチオジカルボン酸の酸ハロ
ゲン化物を用い、これと不飽和アルコール、または不飽
和アルコールと飽和アルコールとの混合物とを反応させ
て、本発明の酸化防止剤を得てもよい。
ゲン化物を用い、これと不飽和アルコール、または不飽
和アルコールと飽和アルコールとの混合物とを反応させ
て、本発明の酸化防止剤を得てもよい。
本発明の酸化防止剤に含まれるチオエーテル基は1つに
限定されない。従って、複数のチオエーテル基を分子内
に有するジオールまたは複数のニオエーテル基を分子内
に有するジカルボン酸から、分子内に複数のチオエーテ
ル基を有し、少なくとも1つの炭素−炭素不飽和結合を
有する有機基を持つチオエーテル化合物を合成してもよ
い。
限定されない。従って、複数のチオエーテル基を分子内
に有するジオールまたは複数のニオエーテル基を分子内
に有するジカルボン酸から、分子内に複数のチオエーテ
ル基を有し、少なくとも1つの炭素−炭素不飽和結合を
有する有機基を持つチオエーテル化合物を合成してもよ
い。
このようにして得られた反応性酸化防止剤を高分子材料
に対して、0.1〜20重量%、好まI7くは0.2〜
10重量%を高分子材料に配合し高分子組成物を得る。
に対して、0.1〜20重量%、好まI7くは0.2〜
10重量%を高分子材料に配合し高分子組成物を得る。
好ましくはフェノール系酸化防止剤の適量と併用して配
合する。
合する。
高分子材料の種類としては特に限定されず、ポリエチレ
ン、エチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ボワ酢酸ビニ
ルなどのポリオレフィン類、ポリエステル系、ポリアミ
ド系、ポリウレタン系、ポリスチレン系などの熱可塑性
エラストマー類、エチレン−プロピレン共重合体、ブチ
ルゴムなどのゴム類を例として挙げることができる。ま
た、これらに通常配合される配合剤、例えば難燃剤、充
填剤、滑材、発泡剤、補強材、加工安定剤などの適量を
配合してもよい。さらに、既知の含イオウ系または含リ
ン系酸化防止剤を添加することも可能である。
ン、エチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ボワ酢酸ビニ
ルなどのポリオレフィン類、ポリエステル系、ポリアミ
ド系、ポリウレタン系、ポリスチレン系などの熱可塑性
エラストマー類、エチレン−プロピレン共重合体、ブチ
ルゴムなどのゴム類を例として挙げることができる。ま
た、これらに通常配合される配合剤、例えば難燃剤、充
填剤、滑材、発泡剤、補強材、加工安定剤などの適量を
配合してもよい。さらに、既知の含イオウ系または含リ
ン系酸化防止剤を添加することも可能である。
前記の酸化防止剤を通常用いられる混合機、例えば、オ
ープンロールミキサー、バンバリーミキサー、多軸混合
機などで高分子材料と混合(5て高分子組成物を得る。
ープンロールミキサー、バンバリーミキサー、多軸混合
機などで高分子材料と混合(5て高分子組成物を得る。
得られた高分子組成物を成形した後、酸化防止剤をポリ
マーと架橋させる。この場合、既知の方法、例えば電離
放射線の照射または化学架橋剤もしくはその両者を併用
して該酸化防止剤をポリマーと反応させる。この操作は
、それ自体既知であり通常使用されている方法および装
置によって実施することができる。電離放射線の照射線
量は、1〜50Mradの範囲で設定することかできる
。化学架橋剤も、ポリマーの架橋に通常使用されている
既知の架橋剤を通常の量で用いてよい。例えば、有機パ
ーオキノド系、ポリアミン系、イオウ系およびオキシム
類などの架橋剤を用いることができる。
マーと架橋させる。この場合、既知の方法、例えば電離
放射線の照射または化学架橋剤もしくはその両者を併用
して該酸化防止剤をポリマーと反応させる。この操作は
、それ自体既知であり通常使用されている方法および装
置によって実施することができる。電離放射線の照射線
量は、1〜50Mradの範囲で設定することかできる
。化学架橋剤も、ポリマーの架橋に通常使用されている
既知の架橋剤を通常の量で用いてよい。例えば、有機パ
ーオキノド系、ポリアミン系、イオウ系およびオキシム
類などの架橋剤を用いることができる。
また、単軸または多1llI混合機を使用し有機過酸化
物の存在下で、前記の酸化防止剤を高分子材I’に溶融
混合すると同時に架橋してもよい。
物の存在下で、前記の酸化防止剤を高分子材I’に溶融
混合すると同時に架橋してもよい。
[実施例]
本発明を以下の実施例によってさらに具体的に説明する
。なおこれらの実施例は本発明を限定するものではない
。
。なおこれらの実施例は本発明を限定するものではない
。
実施例1
攪拌装置、滴下漏斗および冷却管を備えた1リツトル容
の3つ口反応容器に蒸留精製したN、Nジエチルアニリ
ン(61g)、2,2゛−チオジェタノール(31g)
のメチルエチルケトン(100zQ)溶液を導入し、滴
下漏斗に蒸留精製したウンデセノイルクロリド(100
g)のメチルエチルケトン(100紅)溶液を入れた。
の3つ口反応容器に蒸留精製したN、Nジエチルアニリ
ン(61g)、2,2゛−チオジェタノール(31g)
のメチルエチルケトン(100zQ)溶液を導入し、滴
下漏斗に蒸留精製したウンデセノイルクロリド(100
g)のメチルエチルケトン(100紅)溶液を入れた。
反応容器を水浴で冷却し、攪拌しなからウンデセノイル
クロリドのメチルエチルケトン溶液を滴下した。滴下終
了後、60℃で8時間攪拌した。室温に冷却した後、反
応混合物を1gの水にあけ有機層を分離し、石油エーテ
ル100m(で水層を3回抽出した。抽出した石油エー
テル層と有機層とを1つにし、これを5%炭酸水素ナト
リウム水溶液、次いで飽和食塩水で洗浄した。洗浄後、
濾過、濃縮して淡黄色で油状のチオエーテル化合物19
89を得た。
クロリドのメチルエチルケトン溶液を滴下した。滴下終
了後、60℃で8時間攪拌した。室温に冷却した後、反
応混合物を1gの水にあけ有機層を分離し、石油エーテ
ル100m(で水層を3回抽出した。抽出した石油エー
テル層と有機層とを1つにし、これを5%炭酸水素ナト
リウム水溶液、次いで飽和食塩水で洗浄した。洗浄後、
濾過、濃縮して淡黄色で油状のチオエーテル化合物19
89を得た。
低密度ポリエチレン(メルトインデックス二03)10
0重1部に先に得られたチオエーテル化合物4重N1部
、テトラキス−しメチレン−5(3°、5°−ジ−t−
ブチル−4′−ヒドロキシフェニル)プロピオネートコ
メタン2重量部を配合し、120℃のオーブンロールミ
キサーで混合してポリエチlノン組成物を調製した。1
40℃、10分の条件で熱プレス装置を用い、得られた
組成物を厚さ1 、0 !ffのノートに成形した。加
速電圧1MeVの電子線を15Mrad照射してこれを
架橋した。キン1ノン抽出によるシートのゲル分率は5
3%であった。
0重1部に先に得られたチオエーテル化合物4重N1部
、テトラキス−しメチレン−5(3°、5°−ジ−t−
ブチル−4′−ヒドロキシフェニル)プロピオネートコ
メタン2重量部を配合し、120℃のオーブンロールミ
キサーで混合してポリエチlノン組成物を調製した。1
40℃、10分の条件で熱プレス装置を用い、得られた
組成物を厚さ1 、0 !ffのノートに成形した。加
速電圧1MeVの電子線を15Mrad照射してこれを
架橋した。キン1ノン抽出によるシートのゲル分率は5
3%であった。
得られたシートを180℃の恒温槽内で30日間(72
0時間)放置して老化させ、破断抗張力および破断伸び
を測定した。老化前のシートの破断抗張力および破断伸
びを測定し、式二 保持率=Xa/XoX 100(%) 「式中、Xaは老化後の抗張力または伸び、Xoは老化
前の抗張力または伸びを示す。コ から保持率を算出した。
0時間)放置して老化させ、破断抗張力および破断伸び
を測定した。老化前のシートの破断抗張力および破断伸
びを測定し、式二 保持率=Xa/XoX 100(%) 「式中、Xaは老化後の抗張力または伸び、Xoは老化
前の抗張力または伸びを示す。コ から保持率を算出した。
この結果、老化後の抗張力の保持率は97%、伸びの保
持率は62%であった。
持率は62%であった。
実施例2
エチ1ノンーエチルアクリレート共重合体(EEA、メ
ルトインデックス:0.7、エチルアクリレート含量、
19%)100重USに、実施例1に示した手順に従っ
て調製したチオエーテル化合物10重量部、n−オクク
デノル−3° 5°−ジーtブチルフェニルプロピオネ
ート2Ml1部を配合し、100℃のオーブンロールミ
キサーで混合してEEA組成物を調製した。130℃、
10分の条件で熱プレス装置を用い、得られた組成物を
厚さ1 、 Oxmのシートに成形した。加速電圧IM
eVの電子線を20Mrad照射してこれを架橋した。
ルトインデックス:0.7、エチルアクリレート含量、
19%)100重USに、実施例1に示した手順に従っ
て調製したチオエーテル化合物10重量部、n−オクク
デノル−3° 5°−ジーtブチルフェニルプロピオネ
ート2Ml1部を配合し、100℃のオーブンロールミ
キサーで混合してEEA組成物を調製した。130℃、
10分の条件で熱プレス装置を用い、得られた組成物を
厚さ1 、 Oxmのシートに成形した。加速電圧IM
eVの電子線を20Mrad照射してこれを架橋した。
キシレン抽出によるシートのゲル分率は58%であった
。
。
実施例1に示した手順に従って老化試験を実施した結果
、老化後の抗張力の保持率は91%、伸びの保持率は8
6%であった。
、老化後の抗張力の保持率は91%、伸びの保持率は8
6%であった。
実施例3
実施例1に示した手順に従って、モル比が1対lである
メタクリル酸クロリドとステアリン酸クロリドとの混合
物を、チオジサリチル酸と反応さぜ白色蟻状のチオエー
テル化合物を得た。
メタクリル酸クロリドとステアリン酸クロリドとの混合
物を、チオジサリチル酸と反応さぜ白色蟻状のチオエー
テル化合物を得た。
エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA、メルトインデ
ックス:20、酢酸ビニル含[11%)100重量部に
、前記のチオエーテル化合物10重量部、n〜オクタデ
シル−3’、5”−ジ−t−ブチルフェニルプロピオネ
ート5重量部を配合し、120℃のオーブンロールミキ
サーで混合してEVA組成物を調製した。140℃、1
0分の条件で熱プレス装置を用い、得られた組成物を厚
さ1 、 Q zyのシートに成形した。加速電圧IM
eVの電子線を20Mrad照射してこれを架橋した。
ックス:20、酢酸ビニル含[11%)100重量部に
、前記のチオエーテル化合物10重量部、n〜オクタデ
シル−3’、5”−ジ−t−ブチルフェニルプロピオネ
ート5重量部を配合し、120℃のオーブンロールミキ
サーで混合してEVA組成物を調製した。140℃、1
0分の条件で熱プレス装置を用い、得られた組成物を厚
さ1 、 Q zyのシートに成形した。加速電圧IM
eVの電子線を20Mrad照射してこれを架橋した。
キシレン抽出によるシートのゲル分率は56%であった
。
。
実施例1に示した手順に従って老化試験を実施した結果
、老化後の抗張力の保持率は76%、伸びの保持率は6
6%であった。
、老化後の抗張力の保持率は76%、伸びの保持率は6
6%であった。
比較例1
低密度ポリエチレン(メルトインデックス=03)10
0重量部に、テトラキス−[メチレン−5−(3’、5
’〜ジーt−ブチル−4′−ヒドロキシフェニル)プロ
ピオネートコメタン1重量部を配合し、120°Cのオ
ーブンロールミキサーで混合してポリエチレン組成物を
調製した。140℃、10分の条件で熱ブレス装置を用
い、得られた組成物を厚さI 、 Oxwのシートに成
形した。加速電圧IMeV(7)i子線を15Mrad
照射してこれを架橋した。キシレン抽出によるシートの
ゲル分率は59%であった。
0重量部に、テトラキス−[メチレン−5−(3’、5
’〜ジーt−ブチル−4′−ヒドロキシフェニル)プロ
ピオネートコメタン1重量部を配合し、120°Cのオ
ーブンロールミキサーで混合してポリエチレン組成物を
調製した。140℃、10分の条件で熱ブレス装置を用
い、得られた組成物を厚さI 、 Oxwのシートに成
形した。加速電圧IMeV(7)i子線を15Mrad
照射してこれを架橋した。キシレン抽出によるシートの
ゲル分率は59%であった。
実施例1に示した手順に従って老化試験を実施した結果
、老化後の抗張力の保持率は2%、伸びの保持率は1%
であった。
、老化後の抗張力の保持率は2%、伸びの保持率は1%
であった。
比較例2
エチレン−エチルアクリレート共重合体(EEA1メル
トインデックス:0.7、エチルアクリレート含量コ1
9%)100重1部に、チオエーテル化合物としてジス
テアリルチオジプロピオネート(S(CHzCHtCO
tC1sHs7)t)l 0重量部、テトラキス−[メ
チレン−5−(3’、5’−ジ−t−ブチル−4°−ヒ
ドロキンフェニル)プロピオネートコメタン2重量部を
配合し、100℃のオーブンロールミキサーで混合して
EEA組成物を調製した。
トインデックス:0.7、エチルアクリレート含量コ1
9%)100重1部に、チオエーテル化合物としてジス
テアリルチオジプロピオネート(S(CHzCHtCO
tC1sHs7)t)l 0重量部、テトラキス−[メ
チレン−5−(3’、5’−ジ−t−ブチル−4°−ヒ
ドロキンフェニル)プロピオネートコメタン2重量部を
配合し、100℃のオーブンロールミキサーで混合して
EEA組成物を調製した。
120℃、10分の条件で熱ブレス装置を用い、得られ
た組成物を厚さ1.0xxのシートに成形した。加速電
圧IMeVの電子線を20Mrad照射してこれを架橋
しに。キシレン抽出によるシートのゲル分率は52%で
あった。
た組成物を厚さ1.0xxのシートに成形した。加速電
圧IMeVの電子線を20Mrad照射してこれを架橋
しに。キシレン抽出によるシートのゲル分率は52%で
あった。
実施例1に示した手順に従って老化試験を実施した結果
、老化後の抗張力の保持率は48%、伸びの保持率は1
1%であった。
、老化後の抗張力の保持率は48%、伸びの保持率は1
1%であった。
比較例3
エチレン−エチルアクリレート共重合体(EEA1メル
トインデックス=0.7、エチルアクリレート含!:1
9%)100重量部に、ジステアリルチオジプロピオネ
ート5重量部、n−才クタデシル−3゛、5°−ジ−t
−ブチルフェニルプロピオネート1重量部を配合し、1
00℃のオーブンロールミキサーで混合してEEA組成
物を調製した。
トインデックス=0.7、エチルアクリレート含!:1
9%)100重量部に、ジステアリルチオジプロピオネ
ート5重量部、n−才クタデシル−3゛、5°−ジ−t
−ブチルフェニルプロピオネート1重量部を配合し、1
00℃のオーブンロールミキサーで混合してEEA組成
物を調製した。
120℃、10分の条件て熱ブレス装置を用い、得られ
た組成物を厚さ1 、 Oxzのシートに成形した。加
速電圧I MeVの電子線を20Mrad照射してこれ
を架橋した。キシレン抽出によるソートのゲル分率は5
6%であった。
た組成物を厚さ1 、 Oxzのシートに成形した。加
速電圧I MeVの電子線を20Mrad照射してこれ
を架橋した。キシレン抽出によるソートのゲル分率は5
6%であった。
実施例1に示した手順に従って老化試験を実施した結果
、老化後の抗張力の保持率は43%、伸びの保持率は6
%であった。
、老化後の抗張力の保持率は43%、伸びの保持率は6
%であった。
比較例4
低密度ポリエチレン(メルトインデックス二〇。
3)100重量部に、3.5−ジ−t−ブチル−4ヒド
ロキシアルコールのアクリル酸エステル1重量部を配合
し、120℃のオーブンロールミキサーで混合してポリ
エチレン組成物を調製した。
ロキシアルコールのアクリル酸エステル1重量部を配合
し、120℃のオーブンロールミキサーで混合してポリ
エチレン組成物を調製した。
140℃、10分の条件で熱ブレス装置を用い、得られ
た組成物を厚さ10ytxのシートに成形した。加速電
圧I MeVの電子線を15Mrad照射してこれを架
橋した。キシレン抽出によるシートのゲル分率は47%
であった。
た組成物を厚さ10ytxのシートに成形した。加速電
圧I MeVの電子線を15Mrad照射してこれを架
橋した。キシレン抽出によるシートのゲル分率は47%
であった。
実施例1に示した手順に従って老化試験を実施した結果
、老化後の抗張力の保持率は2%、伸びの保持率は1%
であった。
、老化後の抗張力の保持率は2%、伸びの保持率は1%
であった。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、高温下、長時間
の条件において、ブルーミングおよび散逸による酸化防
止効果の低下が少ない酸化防止剤を得ることができ、他
の酸化防止剤、特にフェノール系酸化防止剤、好ましく
は反応性のフェノール系酸化防止剤を併用することによ
って高度の耐熱性を有する高分子組成物を得ることがで
きる。
の条件において、ブルーミングおよび散逸による酸化防
止効果の低下が少ない酸化防止剤を得ることができ、他
の酸化防止剤、特にフェノール系酸化防止剤、好ましく
は反応性のフェノール系酸化防止剤を併用することによ
って高度の耐熱性を有する高分子組成物を得ることがで
きる。
特許出願人住友電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式: R_1−S−(R−S)x−R_2 [式中、R、R_1およびR_2は有機基を表し、少な
くとも1つが、炭素−炭素不飽和結合を有する基であり
、x≧0である。ただしx=0の場合、R_1およびR
_2の少なくとも1つが、炭素−炭素不飽和結合を有す
る基である。] で示されるチオエーテル化合物から成る酸化防止剤。 2、請求項1記載のチオエーテル化合物を0.1〜20
重量%含んで成り、該チオエーテル化合物をポリマーと
架橋させた高分子組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13742690A JP2903639B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 酸化防止剤およびこれを含有する高分子組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13742690A JP2903639B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 酸化防止剤およびこれを含有する高分子組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0431489A true JPH0431489A (ja) | 1992-02-03 |
| JP2903639B2 JP2903639B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=15198355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13742690A Expired - Fee Related JP2903639B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 酸化防止剤およびこれを含有する高分子組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2903639B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336480A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-12-08 | Canon Finetech Inc | 高分子化合物、高分子酸化防止剤およびそれらを適用した被記録媒体 |
| KR100715228B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2007-05-04 | 삼성전자주식회사 | 곡면 구조를 갖는 소노스 메모리 소자 및 그 제조방법 |
| JP2021161179A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 株式会社エーピーアイ コーポレーション | 樹脂組成物 |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP13742690A patent/JP2903639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336480A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-12-08 | Canon Finetech Inc | 高分子化合物、高分子酸化防止剤およびそれらを適用した被記録媒体 |
| KR100715228B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2007-05-04 | 삼성전자주식회사 | 곡면 구조를 갖는 소노스 메모리 소자 및 그 제조방법 |
| JP2021161179A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 株式会社エーピーアイ コーポレーション | 樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2903639B2 (ja) | 1999-06-07 |
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