JPH04315749A - 陰極線管及び電子投射レンズ構体 - Google Patents

陰極線管及び電子投射レンズ構体

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JPH04315749A
JPH04315749A JP2415336A JP41533690A JPH04315749A JP H04315749 A JPH04315749 A JP H04315749A JP 2415336 A JP2415336 A JP 2415336A JP 41533690 A JP41533690 A JP 41533690A JP H04315749 A JPH04315749 A JP H04315749A
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JP
Japan
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electron
electrons
display screen
projection lens
electron beam
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Pending
Application number
JP2415336A
Other languages
English (en)
Inventor
Efu Kongusurii Kiisu
キース エフ コングスリー
Ei Neruson Garii
ガリー エイ ネルソン
Efu Hatsujisu Dankan
ダンカン エフ ハッジス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tektronix Japan Ltd
Original Assignee
Sony Tektronix Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/80Arrangements for controlling the ray or beam after passing the main deflection system, e.g. for post-acceleration or post-concentration, for colour switching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/023Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof secondary-electron emitting electrode arrangements

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子投射レンズ構体、
特にマイクロチャンネル・プレートの様な平面状電子発
生源から放出される電子を投射する電子投射レンズ構体
に関する。
【0002】
【従来の技術】ある種の陰極線管(以下“CRT”とい
う)は、表示スクリーン上に形成される像の輝度を高く
するために、表示スクリーンに近接し且つ平行に配置し
たマイクロチャンネル・プレートを備えている。例えば
、米国特許第4,752,714号に記載されたソネボ
ーンその他による「マイクロチャンネル・プレートを使
用した電子放電管用の減速及び走査拡大レンズ・システ
ム」は、点状電子発生源から放射される電子ビームがビ
ーム軸に沿って伝播する電子放電管を開示している。こ
の放電管の電子ビームは、静電走査拡大レンズ・システ
ムと協動して、1対の偏向構体によりマクロチャンネル
・プレートの入力側面を走査する。走査拡大レンズ・シ
ステムは、偏向構体及びマイクロチャンネル・プレート
間に配置されて、偏向構体による偏向角を拡大する。偏
向拡大レンズ・システムは、点状電子発生源から放出さ
れた電子を受け取り、この電子をマイクロチャンネル・
プレートに向ける。
【0003】入力側面で走査される電子ビームに応答し
て、出力側面に設けられたマイクロチャンネル・プレー
トは、表示スクリーンに伝播する電子数を増加させる。 マイクロチャンネル・プレートは、表示スクリーン上の
対応する位置に対向する関係に位置合わせされる。この
様な構造の断面図が、SID1986ダイジェスト、2
40〜243ページ、「汎用オシロスコープ用マイクロ
チャンネル・プレートの設計」に図1として示されてい
る。このCRTのマイクロチャンネル・プレートは、、
対角線の長さが表示スクリーンと略等しい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この種のCR
Tは、少なくとも2つの欠点がある。第1には、マイク
ロチャンネル・プレートは、比較的に価格が高く、価格
がその対角線の長さに比例することである。第2には、
対角線が約4cm以上のマイクロチャンネル・プレート
は、製造が困難である。そのため、大きなマイクロチャ
ンネル・プレートの製造は困難且つ高価であるので、マ
イクロチャンネル・プレートを有するCRTの大きさは
、通常約2.5cm以下である。
【0005】したがって、本発明の目的は、マイクロチ
ャンネル・プレートの様な平面状電子発生源を使用した
CRTの提供にある。
【0006】本発明の他の目的は、平面状電子源から放
出される電子を投射する投射レンズ構体を内部に備えた
CRTの提供にある。
【0007】本発明の他の目的は、表示スクリーンの対
角線の長さが平面状電子発生源よりも長いCRTの提供
にある。
【0008】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の好適な
実施例は、管軸に沿って電子ビームを伝播させる点状電
子発生源を含む。1対の偏向構体は、管軸と交差する方
向に電子ビームを偏向し、マイクロチャンネル・プレー
トの平面状入力側面に、英数字又は信号波形の様な像を
描く。増加した電子の数は、電子ビームにより走査され
る入力側面の位置と一致する位置でマイクロチャンネル
・プレートの平面状出力側面から放出される。この様に
、マイクロチャンネル・プレートの出力側面は、平面状
電子発生源として機能する。
【0009】投射レンズ構体は、マイクロチャンネル・
プレートの出力側面から放出された電子を受け取り、こ
れらの電子を表示スクリーン上に投射する。メッシュ素
子は、マイクロチャンネル・プレートと、ビーム制限開
口を有するフィルタ素子との間に配置される。マイクロ
チャンネル・プレートの出力側面及びメッシュ素子間に
は電位差が与えられ、電子をビーム制限開口に近接した
付近に向かわせる電界が生じる。
【0010】メッシュ素子は非球面をしており、電界は
表示スクリーン上に形成される像の球面収差を減少させ
る。特に、マイクロチャンネル・プレート上の異なる放
射方向位置から放射された電子は、電界により管軸に向
かいビーム制限開口に非常に近接した位置で収束する。 したがって、フィルタ素子がマイクロチャンネル・プレ
ート上の異なる放射方向位置から放出された電子の進行
を妨害することなく、ビーム制限開口を比較的に小さい
直径に形成できる。
【0011】マイクロチャンネル・プレートにより放出
された電子は、約0〜120電子ボルトの範囲のエネル
ギーを持つ。異なるエネルギーの電子は、電界により管
軸に沿って異なる位置に向かう。その結果、比較的直径
が小さいビーム制限開口により、フィルタ素子は所定エ
ネルギー値の範囲外の電子の進行を阻止し、表示スクリ
ーン上に形成された像の色収差を減少させる。
【0012】投射レンズ構体は、マイクロチャンネル・
プレートの入力側面に形成された像を表示スクリーン上
に拡大する。その結果、マイクロチャンネル・プレート
は、表示スクリーンの大きさよりも小さくてすむ。更に
、表示スクリーンの大きさは、製造可能なマイクロチャ
ンネル・プレートの大きさに制限されない。
【0013】
【実施例】図1は、CRTの排気された管球(12)内
に配置された投射レンズ構体(10)を示す。投射レン
ズ構体(10)は、管状電極素子(18)、及びビーム
制限開口(22)を有するビーム・エネルギー・フィル
タ素子間に配置されたドーム状メッシュ素子(16)を
有する。メッシュ素子(16)は、開口(22)が管軸
(24)に位置合わせされたフィルタ素子(20)に固
定される。メッシュ素子(16)、管状電極素子(18
)及びフィルタ素子(20)は、その中心位置が管軸(
24)に一致するように配置される。
【0014】管球(12)は、ガラス・シール(図示せ
ず)で結合された管状ガラス・ネック部(30)、セラ
ミック・ファネル(32)、及び光学的に透明なガラス
・フェースプレート(34)を有する。
【0015】蛍光体層(36)はフェースプレート(3
4)の内面に被着され、表示スクリーン(38)を形成
する。電子が通過可能なアルミニウム膜(40)は、蛍
光体層(36)の内面及びセラミック・ファネル(32
)の内面に、蒸着により被着される。アルミニウム膜に
は、セラミック・ファネル(32)を通って延びた高電
圧端子(42)を介して約21Vの高電圧が印加される
。ばね式接点(44)は、フィルタ素子(20)に固定
され、アルミニウム膜に(40)に接触して、アルミニ
ウム膜(40)の高電位をメッシュ素子(16)及びフ
ィルタ素子(20)に供給する。
【0016】点状電子発生源(48)は、CRTの一端
にガラス棒(50)により支持される。電子発生源(4
8)は、管軸(24)に沿って表示スクリーン(38)
に向かう方向(54)に伝播する電子ビームを発生する
。電子発生源(48)は、カソード即ち放射電極(56
)及びビーム電流制御グリッド(58)を有し、これら
は協動して電子ビームを生成する。放射電極(56)に
は、0〜+120Vの電圧が印加され、制御グリッドは
接地される。放射電極(56)及び制御グリッドに印加
される電位差は、電子ビームが伝える電流の大きさを制
御する。更に、この電位差により、電子ビームは管軸(
24)に向かって収束し、制御グリッド(58)付近で
ビーム・クロスオーバを形成する。
【0017】縮小レンズ(59)は、ビーム・クロスオ
ーバの縮小像を形成し、収差補正レンズは、電子ビーム
の収差を補正する。縮小レンズ(59)は、5個のアノ
ード管(61)を通過する電子を受ける。
【0018】主収束レンズ(62)は、、マイクロチャ
ンネル・プレート(70)の様な電子増倍器の平面状入
力手段即ち入力側面に向かって、縮小された電子ビーム
・クロスオーバ像を収束させる。垂直ビーム偏向構体(
72)及び水平ビーム偏向構体(74)は、表示スクリ
ーン(38)上に描かれる電気信号波形又は英数字の様
なシンボルに従って、管軸と交差する方向に電子ビーム
を偏向する。分離板(75)は、偏向構体(72)及び
(74)間に配置され、構体間の電気的干渉を十分に減
少させる。
【0019】偏向された電子ビームは、ジオメトリ補正
レンズ(76)及び1対のドリフト管部(78a)(7
8b)を通って伝播する。入力側面(68)に衝突する
電子に応答して、マイクロチャンネル・プレート(70
)は、その平面状出力手段即ち側面(86)に、数が増
加した電子を生成する。これらの電子は、投射レンズ構
体(10)により表示スクリーン(38)に投射される
。補正レンズ(76)は8極型であり、表示スクリーン
(38)の周囲に描かれる直線像に曲線を生じさせる糸
巻状歪み又は樽状歪みを減少させる。マイクロチャンネ
ル・プレート(70)は、取り付け円筒部(80)及び
支持板(82)間に、これらにより支持される。
【0020】図2及び図3を参照すると、メッシュ素子
(16)は表示スクリーン(38)から見ると凹状の非
球面形状であり、電極素子(18)と重なり合う頂部(
88)を有する。メッシュ素子(16)は、管軸(24
)に関して回転対称であり、好適な実施例である次の式
により表される2次元輪郭(90)(図2で実線で示す
)を有する。
【0021】z=(0.425y)+(6.481y*
3)(m*nは、mのn乗を表す。) ここで、変数y及びzはセンチメートルで計算された、
頂部(88)及び管軸(24)の交点を原点とする座標
系のy軸及びz軸の値である。
【0022】マイクロチャンネル・プレート(70)は
、x軸及びy軸に平行な方向の長さが夫々約1.25c
m及び1.0cmである。表示スクリーン(38)は、
x軸及びy軸に平行な方向の長さが夫々約8.5cm及
び6.8cmである。したがって、投射レンズ構体(1
0)は、マイクロチャンネル・プレート(70)の入力
側面(68)上に形成された像を6.8倍に拡大する。 ただし、投射レンズ構体(10)は、異なる倍率の拡大
、縮小又は無拡大のいずれの動作を行うようにもできる
【0023】好適な実施例では、ドリフト管部(78b
)には0Vの電位が印加され、マイクロチャンネル・プ
レート(70)の入力側面(68)には−30Vの電位
が印加される。マイクロチャンネル・プレート(70)
の出力側面(86)及び電極素子(18)には、バイア
ス手段即ちバイアス源から夫々+1700V及び+35
00Vの電位が印加される。メッシュ素子(16)、フ
ィルタ素子(20)及びアルミニウム膜(40)には、
約+21kVの高電位が印加される。
【0024】メッシュ素子(16)及びマイクロチャン
ネル・プレート(70)間の電位差は、例えば、出力側
面(86)上の異なる位置から放射するビーム(94a
)及び(94b)の様な電子ビームをビーム制限開口(
22)に向かって収束させる働きをする。ビーム(94
a)及び(94b)は、開口(22)の付近で管軸(2
4)と交差し、表示スクリーン(38)に向かって投射
される。
【0025】メッシュ素子(16)は輪郭が非球面であ
るので、レンズ構体(10)は、3次近似まで球面収差
が実質的になく、表示スクリーン(38)に向かって電
子ビームを投射する。その結果、出力側面(86)上の
異なる放射状位置から放出される電子ビームは、管軸(
24)に沿った比較的小さい範囲位置で管軸と交差し、
比較的直径が小さい電子ビーム・クロスオーバを形成す
る。好適な実施例では、電極(18)に印加する電位の
大きさを調節して、管軸(24)に沿った電子ビーム・
クロスオーバ及びフィルタ素子(20)の開口(22)
を位置合わせする。
【0026】図4は、マイクロチャンネル・プレート(
70)の平面状出力側面(86)から放出された電子の
例示的エネルギー分布(98)を示す。エネルギー分布
(98)は、0〜約120電子ボルトの比較的広いエネ
ルギー範囲にわたり、約5電子ボルトのエネルギーが略
平均レベルとなる。この様な広い範囲のエネルギーは、
表示スクリーン(38)に形成される像に色収差を生じ
させるおそれがある。特に、表示スクリーン(38)上
の1点に向けられた高エネルギー電子は、その点と管軸
(24)が表示スクリーン(38)と交差する中心位置
(100)との間の位置で表示スクリーン(38)に衝
突する。電子色収差のために、表示される高エネルギー
電子は、“コメット・テイル”と呼ばれる点の像を生じ
させる。
【0027】非球面メッシュ素子(16)は球面収差を
減少させるので、マイクロチャンネル・プレート(70
)の出力側面(86)上の異なる放射位置から放出され
る電子を、フィルタ素子(20)で遮断することなく、
ビーム制限開口(22)を比較的に小さい直径で形成で
きる。その結果、フィルタ素子(20)は、所定範囲外
のエネルギーを有するビーム(94a)及び(94b)
の電子を遮断し、表示スクリーン(38)に形成された
像の色収差が減少する。ビーム制限開口(22)の直径
は、例えば、0.5mmであり、約10電子ボルトのス
レッショルド・エネルギー値より大きなエネルギーを持
った電子を遮断する。更に、フィルタ素子(20)は、
メッシュ素子に衝突して散乱する電子を遮断し、表示ス
クリーン(38)上に形成される像のコントラストを改
善する。
【0028】スレッショルド・レベルより大きなエネル
ギーを持った電子は、マイクロチャンネル・プレート(
70)の出力側面(86)及びメッシュ素子(16)間
の領域で比較的高速度まで加速し、その速度に応じて比
較的短時間に収束電界を伝播する。その結果、この電子
は、ビーム制限開口(20)及び表示スクリーン(38
)間の位置で管軸(24)と交差する経路を伝播する。 したがって、フィルタ素子(20)及び比較的直径が小
さいビーム開口(22)は、この電子を遮断し、表示ス
クリーン(38)に形成される像の色収差を減少させる
【0029】非球面メッシュ素子(16)、フィルタ素
子(20)及びビーム制限開口(22)が協動して、球
面収差及び色収差を十分に減少させることで、投射レベ
ル構体(10)はマイクロチャンネル・プレート(70
)から放出された電子で、高品質の像を形成できる。 特に、非球面メッシュ素子(16)は、球面収差を減少
させ、比較的直径が小さい電子ビーム・クロスオーバを
生成する。その結果、ビーム制限開口(22)を比較的
小さく形成できるので、フィルタ素子(20)はスレッ
ショルド・レベルより大きなエネルギーを持つ電子を遮
断し、色収差を減少させる。
【0030】マイクロチャンネル・プレート(70)は
、電子を平面状側面(86)から放出し、平面状電子発
生源即ちカソードとして働く。したがって、投射レンズ
構体(10)は、平面状電子発生源から放出される電子
を投射するカソード・レンズである。更に、レンズ構体
(10)は、マイクロチャンネル・プレートの様な平面
状電子発生源を使用した種々のシステムで使用できる。 例えば、ある種の“ナイト・ビジョン”装置は、マイク
ロチャンネル・プレートに対し電子を放出する赤外線感
知フォトダイオード上に世界の風景を表示する。レンズ
構体(10)は、この様なデバイスで使用して、表示面
にマクロチャンネル・プレートから放出される電子の縮
小像を形成する。
【0031】
【発明の効果】本発明による電子投射レンズ構体は、マ
イクロチャンネル・プレートの入力側面に形成された像
を表示スクリーン上に拡大するので、マイクロチャンネ
ル・プレートは、表示スクリーンの大きさよりも小さく
てよい。したがって、表示スクリーンの大きさは、製造
可能なマイクロチャンネル・プレートの大きさに制限さ
れない。また、メッシュ素子は非球面をしており、電界
は表示スクリーン上に形成される像の球面収差を減少さ
せる。更に、メッシュ素子は、マイクロチャンネル・プ
レート上の異なる放射方向位置から放射された電子を、
フィルタ素子のビーム制限開口に近接した位置で収束さ
せるので、マイクロチャンネル・プレート上の異なる放
射方向位置から放出された電子の進行を妨害することな
く、ビーム制限開口を比較的に小さい直径に形成できる
。また、フィルタ素子は、ビーム制限開口により所定範
囲外のエネルギーを持つ電子を遮断するので、表示スク
リーン上に形成された像の色収差が減少する。
【0032】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子投射レンズ構体を含む陰極線管を
示す断面図。
【図2】本発明の電子投射レンズ構体の分解斜視図。
【図3】図1に示す電子投射レンズ構体の拡大側面図。
【図4】図1に示すマイクロチャンネル・プレートが放
出する電子のエネルギー分布を示すグラフ図。
【符号の説明】
16  メッシュ素子 20  フィルタ素子 38  表示スクリーン 70  マイクロチャンネル・プレート72  垂直偏
向構体 74  水平偏向構体

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】管軸に沿って表示スクリーンに向かう電子
    ビームを発生するビーム発生手段と、該ビーム発生手段
    からの上記電子ビームを上記管軸と垂直な方向に偏向す
    る偏向手段と、該偏向手段により偏向された上記電子ビ
    ームが衝突する入力側面、及び上記電子ビームが衝突す
    る上記入力側面の位置に対応する位置から増加した電子
    を生成する出力側面を有する平面状電子発生手段と、該
    電子発生手段及び上記表示スクリーン間に配置され、上
    記電子発生手段の上記出力側面から発生される電子の像
    を拡大して上記表示スクリーンに投射する電子投射レン
    ズ手段とを具えることを特徴とする陰極線管。
  2. 【請求項2】偏向手段により偏向された電子ビームが衝
    突する入力側面、及び上記電子ビームが衝突する上記入
    力側面の位置に対応する位置から増加した電子を生成す
    る出力側面を有する平面状電子発生手段を含む陰極線管
    の電子投射レンズ構体であって、上記電子発生手段の上
    記出力側面に対向して配置された頂点を有し、上記出力
    側面からの電子を収束させるドーム状メッシュ素子と、
    該メッシュ素子及び上記表示スクリーン間に配置され、
    上記メッシュ素子により収束された電子のうち所定範囲
    内のエネルギーを有する電子のみが通過する中心開口を
    有するフィルタ素子とを具えることを特徴とする電子投
    射レンズ構体。
JP2415336A 1990-01-09 1990-12-28 陰極線管及び電子投射レンズ構体 Pending JPH04315749A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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US46219890A 1990-01-09 1990-01-09
US462198 1990-01-09

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JPH04315749A true JPH04315749A (ja) 1992-11-06

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ID=23835540

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JP2415336A Pending JPH04315749A (ja) 1990-01-09 1990-12-28 陰極線管及び電子投射レンズ構体

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US5134337A (en) 1992-07-28

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